溫度控制裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及溫度控制裝置，特別是，涉及用于等離子體蝕刻裝置的溫度控制裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，在等離子體蝕刻裝置等半導(dǎo)體處理裝置設(shè)有控制腔室的溫度的溫度控制裝置。溫度控制裝置將調(diào)節(jié)到規(guī)定溫度的循環(huán)流體向腔室循環(huán)供給，以腔室的溫度達到目標(biāo)溫度的方式進行控制。作為這樣的溫度控制裝置，例如在專利文獻I中提出有，將主框架上下分隔，在其上部側(cè)配置電源和控制部，在下部側(cè)配置有具有循環(huán)流體用的熱交換器及泵等的熱交換部的構(gòu)成。
[0003]專利文獻1:(日本)特開2006 - 185258號公報
[0004]但是，在專利文獻I記載的溫度控制裝置中，由于在熱交換部的上方配置有電源和控制部，故而在熱交換部的進深部分不能從側(cè)方或上方進行維修。因此，在進行這樣的部分的維修時，不僅需要將構(gòu)成框架的一部分的支柱拆下并將熱交換部向跟前拉出，而且，在維修后，相反地必須將熱交換部壓入后組裝支柱，具有作業(yè)耗費時間的問題。
[0005]另外，這樣的溫度控制裝置雖然配置在半導(dǎo)體處理裝置的附近，但考慮熱交換部的拉出量而需要確保溫度控制裝置的配置空間，也具有占據(jù)場地的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種溫度控制裝置，能夠容易地進行維修，且可削減配置空間。
[0007]本發(fā)明第一方面的溫度控制裝置通過將被調(diào)溫后的循環(huán)流體向等離子體蝕刻裝置的腔室供給并使其循環(huán)，將所述腔室控制到目標(biāo)溫度，其中，具有:循環(huán)冷卻加熱部，其將循環(huán)流體冷卻、加熱，并且在其與所述腔室之間使循環(huán)流體循環(huán)；控制部，其調(diào)節(jié)循環(huán)流體的溫度而將所述腔室的溫度控制到目標(biāo)溫度；框體，其收納循環(huán)冷卻加熱部及控制部，在所述框體內(nèi)，將配置所述循環(huán)冷卻加熱部的循環(huán)室和配置所述控制部的控制室設(shè)置在同一平面上，在所述循環(huán)室至少配置有分別構(gòu)成所述循環(huán)冷卻加熱部的、貯存循環(huán)流體的罐、使循環(huán)流體循環(huán)的泵、將循環(huán)流體冷卻的熱交換器以及將循環(huán)流體加熱的加熱裝置，在所述控制室至少配置有分別構(gòu)成所述控制部的、控制所述泵的驅(qū)動的變換器及對所述加熱裝置的接通斷開進行切換的切換裝置。
[0008]本發(fā)明第二方面的溫度控制裝置，所述框體具有將內(nèi)部分隔成所述循環(huán)室和所述控制室的分隔面板，所述泵在所述循環(huán)室與所述分隔面板接近配置，所述變換器在所述控制室安裝于所述分隔面板上，在所述循環(huán)室內(nèi)，使從所述框體的外部吸入冷卻空氣的吸入風(fēng)扇位于俯視觀察下的所述分隔面板的一端側(cè)而設(shè)置，并且使將被吸入的冷卻空氣向所述框體的外部排出的排出風(fēng)扇位于所述分隔面板的一端側(cè)而設(shè)置。
[0009]本發(fā)明第三方面的溫度控制裝置，所述循環(huán)室位于接近所述等離子體蝕刻裝置的一側(cè)，所述控制部位于從所述等離子體蝕刻裝置離開的一側(cè)。
[0010]本發(fā)明第四方面的溫度控制裝置，所述框體具有設(shè)有與所述循環(huán)室對應(yīng)的底座的底部面板。
[0011]本發(fā)明第五方面的溫度控制裝置，在所述框體上面部的與所述控制室對應(yīng)的位置設(shè)有操作面板。
[0012]根據(jù)本發(fā)明第一方面的溫度控制裝置，由于在框體內(nèi)將循環(huán)室和控制室在同一平面上并列設(shè)置，故而通過拆下框體等，能夠使在各室配置的循環(huán)冷卻加熱部及控制部的構(gòu)成部件等在上方露出，在該狀態(tài)下能夠從上方對各部件進行維修，可容易地進行作業(yè)。另夕卜，由于與以往不同，無需將溫度控制裝置向其他區(qū)域拉出，故而無需確保考慮了這樣的區(qū)域的配置空間，能夠削減配置空間。
[0013]根據(jù)本發(fā)明第二方面的溫度控制裝置，來自發(fā)熱量大的變換器的熱量經(jīng)由分隔面板向循環(huán)室內(nèi)散熱，但由吸入風(fēng)扇吸入的冷卻空氣沿著分隔面板流動，故而能夠?qū)⑸岬臒崃苛⒓聪蚩蝮w外釋放，能夠?qū)⒆儞Q器有效地冷卻，并且能夠抑制熱量蓄積在循環(huán)室中的情況。另外，通過使這樣的冷卻空氣在泵附近流動，能夠也將作為泵的驅(qū)動裝置的電動機等良好地冷卻。
[0014]根據(jù)本發(fā)明第三方面的溫度控制裝置，由于循環(huán)室位于等離子體蝕刻裝置側(cè)，故而不僅能夠縮短將循環(huán)室和腔室連接的配管，而且能夠使配管的取繞變得容易，削減配管的配置空間。另外，將控制部和等離子體蝕刻裝置連接的電纜等在循環(huán)室的相反側(cè)與設(shè)于控制部的連接器連接。
[0015]根據(jù)本發(fā)明第四方面的溫度控制裝置，由于在循環(huán)室的下方設(shè)置底座，故而即使在循環(huán)室內(nèi)萬一在循環(huán)流體等發(fā)生了泄漏的情況下，也能夠由底座接受漏出的循環(huán)流體，能夠防止向控制室的控制部的影響。
[0016]根據(jù)本發(fā)明第五方面的溫度控制裝置，由于將操作面板設(shè)置在框體的上面部，故而將溫度控制裝置平置于地面等而配置的情況下，能夠使操作性良好。
【附圖說明】
[0017]圖1是表示采用本發(fā)明一實施方式的溫度控制裝置的等離子體蝕刻裝置的立體圖；
[0018]圖2是表示設(shè)于等離子體蝕刻裝置的腔室及溫度控制裝置的示意圖；
[0019]圖3是表示溫度控制裝置的整體立體圖；
[0020]圖4是表示設(shè)于溫度控制裝置的循環(huán)冷卻加熱裝置的概略構(gòu)成及流體回路的圖；
[0021]圖5是表示溫度控制裝置的內(nèi)部的平面圖；
[0022]圖6是表示循環(huán)冷卻加熱裝置的液體罐的分解立體圖。
[0023]標(biāo)記說明
[0024]1:等離子體蝕刻裝置
[0025]2:腔室
[0026]3:溫度控制裝置
[0027]5:循環(huán)冷卻加熱部
[0028]6:控制部
[0029]7:框體
[0030]10:罐
[0031]14:熱交換器
[0032]17:加熱裝置
[0033]20:泵
[0034]30:作為切換裝置的SSR
[0035]31:變換器
[0036]37:操作面板
[0037]45:分隔面板
[0038]46:循環(huán)室
[0039]47:控制室
[0040]48:底座
[0041]51:上面部
[0042]55:吸入風(fēng)扇
[0043]56:排出風(fēng)扇
【具體實施方式】
[0044]以下，基于附圖對本發(fā)明的一實施方式進行說明。
[0045]圖1是表示本實施方式的等離子體蝕刻裝置I的立體圖。圖2是表示設(shè)于等離子體蝕刻裝置I的腔室2及溫度控制裝置3的示意圖。
[0046][等離子體蝕刻裝置整體的概略說明]
[0047]在圖1、圖2中，等離子體蝕刻裝置I為通過使用了等離子體的干式工藝對半導(dǎo)體晶片W進行蝕刻處理的裝置，在內(nèi)部具有多個腔室2 (在圖2中僅表示一個)。這些腔室2通過從溫度控制裝置3供給的被調(diào)溫的循環(huán)流體被控制成規(guī)定的目標(biāo)溫度。本實施方式的溫度控制裝置3對多個腔室2的每一個設(shè)置，被收納在設(shè)于等離子體蝕刻裝置I的側(cè)方的操作用的臺階4內(nèi)。
[0048]在蝕刻處理時，腔室2內(nèi)被吸真空，維持在規(guī)定的低壓。在該狀態(tài)下，向腔室2內(nèi)導(dǎo)入蝕刻氣體(工藝氣體)。將導(dǎo)入的蝕刻氣體等離子體化，并對半導(dǎo)體晶片W進行蝕刻處理。在進行這樣的處理時，通過來自溫度控制裝置3的循環(huán)流體將腔室2的溫度控制成目標(biāo)溫度。
[0049]在此，作為本實施方式的腔室2，具有載置半導(dǎo)體晶片W的下部電極2A和在其上方配置的上部電極2B，并且使循環(huán)流體在這些電極2A、2B的內(nèi)部流路流通，進行溫度控制。在這樣的腔室2中，使用施加在電極2A、2B之間的RF(Rad1 Frequency)電場生成容量耦合型等離子體。其中，作為腔室的構(gòu)造，除了生成容量耦合型等離子體之外，也可以生成電子循環(huán)加速共鳴等離子體、螺旋波激勵等離子體、感應(yīng)耦合型等離子體、或者微波激勵表面波等離子體等。
[0050][溫度控制裝置的說明]
[0051]在圖3中表示有從后方側(cè)看到的溫度控制裝置3整體的內(nèi)部的立體圖。在圖4中表示有設(shè)于溫度控制裝置3的循環(huán)冷卻加熱部5的概略構(gòu)成及流體回路。
[0052]在圖3、圖4中，溫度控制裝置3具有將循環(huán)流體冷卻、加熱，并且使循環(huán)流體在與腔室2之間循環(huán)的作為循環(huán)冷卻加熱裝置的循環(huán)冷卻加熱部5、基于從循環(huán)冷卻加熱部5輸出的各種參數(shù)調(diào)節(jié)循環(huán)流體的溫度，從而將腔室2的溫度控制成目標(biāo)溫度的控