本發(fā)明涉及光電器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種測(cè)試裝置。

背景技術(shù)：

平板探測(cè)器是數(shù)字平板x射線成像系統(tǒng)(digitalradiography，dr)的核心部件，它實(shí)現(xiàn)將x射線能量轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。目前，采用的平板探測(cè)器主要有兩種：非晶硒平板探測(cè)器和非晶硅平板探測(cè)器，從能量轉(zhuǎn)換的方式來(lái)看，前者屬于直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器，后者屬于間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器。

對(duì)于非晶硅平板探測(cè)器，其包含的非晶硅薄膜晶體管結(jié)構(gòu)在沒(méi)有x線照射的情況下，仍會(huì)積累暗電流因而會(huì)造成圖像偽影。因此，這種平板探測(cè)器在應(yīng)用時(shí)，平板探測(cè)器需隨時(shí)和高壓發(fā)生器溝通曝射的順序，以保證在x線產(chǎn)生之前暗電流被清除干凈?；谶@種工作機(jī)制，使平板探測(cè)器需要通過(guò)通訊線與高壓發(fā)生器保持通信，以在曝光時(shí)進(jìn)行時(shí)序溝通，因此這使得一塊平板探測(cè)器只能在與之連接的高壓發(fā)生器上使用，無(wú)法自由移動(dòng)，無(wú)法靈活應(yīng)用于其它高壓發(fā)生器。

自動(dòng)曝光檢測(cè)(automaticexposuredetection，aed)技術(shù)的出現(xiàn)，解決了上述平板探測(cè)器必須要和高壓發(fā)生器連接的問(wèn)題，在平板探測(cè)器中設(shè)置aed模塊，通過(guò)檢測(cè)高壓發(fā)生器曝光，而實(shí)現(xiàn)與高壓發(fā)生器的同步功能。aed技術(shù)擺脫了平板探測(cè)器必須要和高壓發(fā)生器連接的模式，實(shí)現(xiàn)了平板探測(cè)器和高壓發(fā)生器無(wú)線同步，大大提高了平板探測(cè)器的便捷性。

自動(dòng)曝光檢測(cè)模塊(以下簡(jiǎn)稱aed模塊)主要由光電二極管、高速高精度運(yùn)算放大器組成，在生產(chǎn)時(shí)需要測(cè)試aed模塊在其計(jì)量范圍內(nèi)是否能正常感應(yīng)。

現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)aed模塊進(jìn)行測(cè)試的方法是將平板探測(cè)器裝機(jī)后，通過(guò)x射線曝光來(lái)進(jìn)行測(cè)試，在測(cè)試時(shí)使用劑量計(jì)校準(zhǔn)x線劑量。然而這種測(cè)試方法需要將平板探測(cè)器裝機(jī)，測(cè)試流程繁瑣，不能滿足高效率的測(cè)試要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種測(cè)試裝置，應(yīng)用于x射線曝光檢測(cè)器件測(cè)試，與現(xiàn)有技術(shù)相比可簡(jiǎn)化測(cè)試流程，提高測(cè)試效率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種測(cè)試裝置，應(yīng)用于x射線曝光檢測(cè)器件測(cè)試，包括非透光的腔體、光源板、支承柱和探針，所述光源板、所述支承柱以及所述探針設(shè)置在所述腔體內(nèi)；

所述光源板包括分布在所述光源板一側(cè)表面的多個(gè)發(fā)光體，以及與所述發(fā)光體連接的、用于控制所述發(fā)光體產(chǎn)生預(yù)設(shè)強(qiáng)度光的控制部；

所述支承柱設(shè)置在所述光源板發(fā)射光一側(cè)，由多個(gè)所述支承柱形成與所述光源板平行的支承平面，用于放置待測(cè)試器件；

所述探針用于觸發(fā)所述待測(cè)試器件，并在觸發(fā)時(shí)探測(cè)到所述待測(cè)試器件產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí)發(fā)出指示信號(hào)。

可選地，還包括設(shè)置在所述光源板發(fā)射光一側(cè)的、用于將所述光源板產(chǎn)生的光調(diào)整光強(qiáng)度均勻的勻光板。

可選地，所述勻光板包括亞克力板和設(shè)置在所述亞克力板表面的勻光膜。

可選地，所述控制部包括：

與所述發(fā)光體連接的、用于向所述發(fā)光體輸出電流的控制電路；

與所述控制電路連接的、用于根據(jù)指令向所述控制電路輸出電壓的處理器。

可選地，所述控制電路包括第一運(yùn)算放大器、第二運(yùn)算放大器、第一場(chǎng)效應(yīng)管、第二場(chǎng)效應(yīng)管、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻；

所述第一運(yùn)算放大器的同相輸入端作為所述控制電路的輸入端，輸出端與所述第一場(chǎng)效應(yīng)管柵極連接，反相輸入端與所述第一場(chǎng)效應(yīng)管源極連接；

所述第一場(chǎng)效應(yīng)管漏極與供電端連接，源極接地，在所述第一場(chǎng)效應(yīng)管源極與接地端之間連接有第一電阻，在所述第一場(chǎng)效應(yīng)管漏極與供電端之間連接有第二電阻；

所述第二運(yùn)算放大器的同相輸入端與所述第一場(chǎng)效應(yīng)管漏極連接，反相輸入端與供電端連接，輸出端與所述第二場(chǎng)效應(yīng)管柵極連接；

在供電端與所述第二運(yùn)算放大器的反相輸入端之間依次連接有第三電阻和第四電阻；

所述第二場(chǎng)效應(yīng)管源極與所述第三電阻和所述第四電阻之間線路連接，漏極與所述發(fā)光體連接。

可選地，還包括：

用于放置在所述支承柱形成的支承平面上，感應(yīng)所述光源板產(chǎn)生光的光強(qiáng)度，并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)反饋給所述控制部的光強(qiáng)度校準(zhǔn)板；

所述控制部還用于根據(jù)反饋的電壓信號(hào)，調(diào)整向所述發(fā)光體輸出的電流，直至所述光強(qiáng)度校準(zhǔn)板感應(yīng)到的光強(qiáng)度在設(shè)定范圍內(nèi)。

可選地，所述光強(qiáng)度校準(zhǔn)板包含的光強(qiáng)度檢測(cè)電路包括光電二極管、第三運(yùn)算放大器和第一電容；

所述第三運(yùn)算放大器的同相輸入端接地，反相輸入端與所述光電二極管負(fù)極連接，輸出端作為所述光強(qiáng)度檢測(cè)電路的輸出端，所述第一電容的一端與所述第三運(yùn)算放大器的反相輸入端連接，另一端與所述第三運(yùn)算放大器的輸出端連接；

所述光電二極管的正極接地。

可選地，還包括與所述探針連接的、用于在所述探針探測(cè)到所述待測(cè)試器件產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí)點(diǎn)亮的指示燈。

可選地，還包括：

與所述光源板連接的、用于連接外部供電設(shè)備的usb接口；

與所述光源板連接的、用于在被觸發(fā)時(shí)控制所述光源板開(kāi)啟運(yùn)行或者停止運(yùn)行的按鈕。

由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明所提供的測(cè)試裝置，應(yīng)用于x射線曝光檢測(cè)器件測(cè)試，包括非透光的腔體、光源板、支承柱和探針，其中光源板、支承柱和探針設(shè)置在腔體內(nèi)。在對(duì)待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試時(shí)，將待測(cè)試器件放置在支承柱形成的支承平面上，由光源板產(chǎn)生預(yù)設(shè)強(qiáng)度光，投射到待測(cè)試器件，來(lái)模擬x射線曝光，然后以探針點(diǎn)擊觸發(fā)待測(cè)試器件，在探測(cè)到待測(cè)試器件產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí)會(huì)發(fā)出指示信號(hào)，如此實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)試器件的光電感應(yīng)測(cè)試。

本發(fā)明測(cè)試裝置應(yīng)用于x射線曝光檢測(cè)器件測(cè)試，實(shí)現(xiàn)了對(duì)x射線曝光檢測(cè)器件的光電感應(yīng)測(cè)試，與現(xiàn)有測(cè)試方法相比，不需要將x射線曝光檢測(cè)器件裝機(jī)，再通過(guò)x射線曝光來(lái)進(jìn)行測(cè)試，可簡(jiǎn)化測(cè)試流程，提高測(cè)試效率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種測(cè)試裝置的示意圖；

圖2為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的一種測(cè)試裝置的示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種控制電路的示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光強(qiáng)度檢測(cè)電路的示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種測(cè)試裝置，應(yīng)用于x射線曝光檢測(cè)器件測(cè)試，包括非透光的腔體、光源板、支承柱和探針，所述光源板、所述支承柱以及所述探針設(shè)置在所述腔體內(nèi)；

所述光源板包括分布在所述光源板一側(cè)表面的多個(gè)發(fā)光體，以及與所述發(fā)光體連接的、用于控制所述發(fā)光體產(chǎn)生預(yù)設(shè)強(qiáng)度光的控制部；

所述支承柱設(shè)置在所述光源板發(fā)射光一側(cè)，由多個(gè)所述支承柱形成與所述光源板平行的支承平面，用于放置待測(cè)試器件；

所述探針用于觸發(fā)所述待測(cè)試器件，并在觸發(fā)時(shí)探測(cè)到所述待測(cè)試器件產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí)發(fā)出指示信號(hào)。

其中，所述腔體為非透光腔體，以避免在測(cè)試過(guò)程中外界光的干擾。

在光源板一側(cè)表面分布多個(gè)發(fā)光體，在控制部的控制下使發(fā)光體產(chǎn)生光，投射到待測(cè)試器件，來(lái)模擬x射線曝光，并控制產(chǎn)生光的強(qiáng)度，來(lái)模擬x射線曝光劑量。

在對(duì)待測(cè)試器件進(jìn)行測(cè)試時(shí)，將待測(cè)試器件放置在支承柱形成的支承平面上，由光源板產(chǎn)生預(yù)設(shè)強(qiáng)度光投射到待測(cè)試器件，模擬x射線曝光；然后以探針點(diǎn)擊待測(cè)試器件，在觸發(fā)時(shí)若探測(cè)到待測(cè)試器件產(chǎn)生感應(yīng)電流則發(fā)出指示信號(hào)，如此實(shí)現(xiàn)對(duì)待測(cè)試器件的光電感應(yīng)測(cè)試。

本實(shí)施例測(cè)試裝置應(yīng)用于x射線曝光檢測(cè)器件測(cè)試，實(shí)現(xiàn)了對(duì)x射線曝光檢測(cè)器件的光電感應(yīng)測(cè)試，與現(xiàn)有測(cè)試方法相比，不需要將x射線曝光檢測(cè)器件裝機(jī)，再通過(guò)x射線曝光來(lái)進(jìn)行測(cè)試，可簡(jiǎn)化測(cè)試流程，提高測(cè)試效率。

下面對(duì)本實(shí)施例應(yīng)用于x射線曝光檢測(cè)器件的測(cè)試裝置進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

請(qǐng)參考圖1，為本實(shí)施例提供的一種應(yīng)用于x射線曝光檢測(cè)器件的測(cè)試裝置的示意圖。由圖可知，本測(cè)試裝置包括非透光的腔體10、光源板11、支承柱12和探針13，所述光源板11、所述支承柱12以及所述探針13設(shè)置在所述腔體10內(nèi)。

其中，腔體10為非透光腔體，以避免在測(cè)試過(guò)程中外界光的干擾。具體的，可設(shè)置測(cè)試盒，由測(cè)試盒形成非透光腔體，光源板、支承柱及探針設(shè)置在測(cè)試盒內(nèi)。示例性的可采用封閉性良好的金屬盒和蓋，在蓋合上后不會(huì)透光。

可選的，所述腔體10的形狀可以是長(zhǎng)方體。

所述光源板11包括分布在所述光源板一側(cè)表面的多個(gè)發(fā)光體110，以及與所述發(fā)光體110連接的、用于控制所述發(fā)光體110產(chǎn)生預(yù)設(shè)強(qiáng)度光的控制部。

支承柱12設(shè)置在所述光源板11發(fā)射光一側(cè)，由多個(gè)支承柱12形成與所述光源板11平行的支承平面，用于放置待測(cè)試器件，在測(cè)試時(shí)，光源板11上發(fā)光體產(chǎn)生光，投射到待測(cè)試器件。多個(gè)發(fā)光體110均勻分布在光源板一側(cè)表面，以向空間各區(qū)域產(chǎn)生均勻光。

優(yōu)選的，可參考圖2，本測(cè)試裝置還包括設(shè)置在所述光源板11發(fā)射光一側(cè)的、用于將所述光源板11產(chǎn)生的光調(diào)整光強(qiáng)度均勻的勻光板14。光源板11發(fā)出的光透過(guò)勻光板14，勻光板14將光強(qiáng)度調(diào)整均勻，投射到待測(cè)試器件，有利于優(yōu)化對(duì)x射線曝光檢測(cè)器件的光電感應(yīng)測(cè)試。

具體的，所述勻光板14包括亞克力板和設(shè)置在所述亞克力板表面的勻光膜。

由所述控制部控制發(fā)光體110的發(fā)光，并通過(guò)控制部控制發(fā)光體產(chǎn)生光的強(qiáng)度，來(lái)模擬x射線曝光劑量。

本實(shí)施例中，所述控制部具體包括：與所述發(fā)光體連接的、用于向所述發(fā)光體輸出電流的控制電路；與所述控制電路連接的、用于根據(jù)指令向所述控制電路輸出電壓的處理器。

其中，所述處理器具體用于根據(jù)指令在設(shè)定時(shí)間段內(nèi)向所述控制電路輸出大小為預(yù)設(shè)值的電壓。

本實(shí)施例測(cè)試裝置中可以將處理器與計(jì)算機(jī)連接，測(cè)試人員可以通過(guò)計(jì)算機(jī)設(shè)定發(fā)光時(shí)間和發(fā)光強(qiáng)度，下發(fā)指令給處理器，處理器根據(jù)指令中設(shè)定的發(fā)光時(shí)間和發(fā)光強(qiáng)度，在設(shè)定時(shí)間段內(nèi)向控制電路輸出預(yù)設(shè)值電壓，來(lái)控制發(fā)光體發(fā)光。

在一種具體實(shí)施方式中，請(qǐng)參考圖3，所述控制電路包括第一運(yùn)算放大器u1、第二運(yùn)算放大器u2、第一場(chǎng)效應(yīng)管t1、第二場(chǎng)效應(yīng)管t2、第一電阻r1、第二電阻r2、第三電阻r3和第四電阻r4；

所述第一運(yùn)算放大器u1的同相輸入端作為所述控制電路的輸入端，輸出端與所述第一場(chǎng)效應(yīng)管t1柵極連接，反相輸入端與所述第一場(chǎng)效應(yīng)管t1源極連接；

所述第一場(chǎng)效應(yīng)管t1漏極與供電端連接，源極接地，在所述第一場(chǎng)效應(yīng)管t1源極與接地端之間連接有第一電阻r1，在所述第一場(chǎng)效應(yīng)管t1漏極與供電端之間連接有第二電阻r2；

所述第二運(yùn)算放大器u2的同相輸入端與所述第一場(chǎng)效應(yīng)管t1漏極連接，反相輸入端與供電端連接，輸出端與所述第二場(chǎng)效應(yīng)管t2柵極連接；

在供電端與所述第二運(yùn)算放大器u2的反相輸入端之間依次連接有第三電阻r3和第四電阻r4；

所述第二場(chǎng)效應(yīng)管t2源極與所述第三電阻r3和所述第四電阻r4之間線路連接，漏極與所述發(fā)光體連接。

其中發(fā)光體可采用發(fā)光二極管，發(fā)光二極管正極與第二場(chǎng)效應(yīng)管t2漏極連接，負(fù)極接地。

處理器根據(jù)指令向控制電路輸入端輸入電壓vin，控制電路在輸入電壓vin的控制下向發(fā)光體輸出電流io。本電路結(jié)構(gòu)中，輸出電流io與輸入電壓vin具有如下關(guān)系式：

示例性的，當(dāng)r1＝100kω，r2＝10kω，r3＝5.1ω，r1＝10kω，則

優(yōu)選的，本實(shí)施例應(yīng)用于x射線曝光檢測(cè)器件的測(cè)試裝置，為了校準(zhǔn)測(cè)試光的強(qiáng)度，還包括光強(qiáng)度校準(zhǔn)板，用于放置在所述支承柱12形成的支承平面上，感應(yīng)所述光源板11產(chǎn)生光的光強(qiáng)度，并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)反饋給所述控制部。所述控制部還用于根據(jù)反饋的電壓信號(hào)，調(diào)整向所述發(fā)光體110輸出的電流，直至所述光強(qiáng)度校準(zhǔn)板感應(yīng)到的光強(qiáng)度在設(shè)定范圍內(nèi)。

在使用該測(cè)試裝置對(duì)待測(cè)試器件測(cè)試前，先將光強(qiáng)度校準(zhǔn)板放在支承柱上，設(shè)定好發(fā)光時(shí)間和發(fā)光強(qiáng)度，處理器根據(jù)指令向控制電路輸出電壓，控制電路向發(fā)光體輸出電流，控制發(fā)光體發(fā)光。光強(qiáng)度校準(zhǔn)板感應(yīng)產(chǎn)生光的光強(qiáng)度，并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)反饋給處理器；處理器根據(jù)反饋的電壓信號(hào)，調(diào)整向發(fā)光體輸出的電流，直至光強(qiáng)度校準(zhǔn)板感應(yīng)到的光強(qiáng)度在設(shè)定范圍內(nèi)。通過(guò)校準(zhǔn)可以精確控制發(fā)光體產(chǎn)生光的強(qiáng)度，以模擬x射線曝光。

具體的，在一種具體實(shí)施方式中，可參考圖4，所述光強(qiáng)度校準(zhǔn)板包含的光強(qiáng)度檢測(cè)電路包括光電二極管dt、第三運(yùn)算放大器u3和第一電容c；

所述第三運(yùn)算放大器u3的同相輸入端接地，反相輸入端與所述光電二極管dt負(fù)極連接，輸出端作為所述光強(qiáng)度檢測(cè)電路的輸出端，所述第一電容c的一端與所述第三運(yùn)算放大器u3的反相輸入端連接，另一端與所述第三運(yùn)算放大器u3的輸出端連接；所述光電二極管dt的正極接地。

本電路結(jié)構(gòu)中，所述光強(qiáng)度校準(zhǔn)電路的輸出表示為：vo＝1/c*t。

在采用光強(qiáng)度校準(zhǔn)板校準(zhǔn)完成后，用待測(cè)試的x射線曝光檢測(cè)器件替換光強(qiáng)度校準(zhǔn)板，控制測(cè)試裝置開(kāi)啟運(yùn)行，則處理器根據(jù)校準(zhǔn)后的設(shè)定電壓和發(fā)光時(shí)間，控制發(fā)光體發(fā)光，從而實(shí)現(xiàn)模擬x射線曝光，進(jìn)行精準(zhǔn)控制。

當(dāng)待測(cè)試的x射線曝光檢測(cè)器件接收到光照，使用探針13觸發(fā)待測(cè)試器件，探針13探測(cè)到待測(cè)試器件產(chǎn)生感應(yīng)電流，則發(fā)出指示信號(hào)，實(shí)現(xiàn)測(cè)試。

可參考圖2，本實(shí)施例測(cè)試裝置還包括與所述探針連接的、用于在所述探針探測(cè)到所述待測(cè)試器件產(chǎn)生感應(yīng)電流時(shí)點(diǎn)亮的指示燈15。指示燈15可設(shè)置在測(cè)試盒外側(cè)。

進(jìn)一步的，本測(cè)試裝置還包括：

與所述光源板連接的、用于連接外部供電設(shè)備的usb接口16；

與所述光源板連接的、用于在被觸發(fā)時(shí)控制所述光源板開(kāi)啟運(yùn)行或者停止運(yùn)行的按鈕17。

通過(guò)usb接口16可將光源板與外部供電設(shè)備連接，或者與計(jì)算機(jī)連接。通過(guò)按鈕17來(lái)控制本測(cè)試裝置的開(kāi)啟運(yùn)行或者停止運(yùn)行。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種測(cè)試裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。