1.一種低漂移DSOI壓力傳感器，采用正面平膜結(jié)構(gòu)，包括力敏電阻（5）、補(bǔ)償電阻（6）和邊框（9），其中，力敏電阻（5）包括橫向電阻條（501）和縱向電阻條（502），其特征是：
該壓力傳感器的上平面設(shè)置四個(gè)力敏電阻（5），橫向電阻條（501）為平行邊框（9）上邊沿設(shè)置的力敏電阻（5）；所述的縱向電阻條（502）為垂直邊框（9）上邊沿設(shè)置的力敏電阻（5）；
所述的橫向電阻條（501）與縱向電阻條（502）交錯(cuò)分布；
所述的橫向電阻條（501）與縱向電阻條（502）之間均串聯(lián)有用于內(nèi)部調(diào)零的兩個(gè)補(bǔ)償電阻（6），形成對稱電路；所述的補(bǔ)償電阻（6）設(shè)置在不受力的邊框（9）上；所述的補(bǔ)償電阻（6）上并聯(lián)有外接電阻，采用并聯(lián)調(diào)零法進(jìn)行精細(xì)調(diào)零。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低漂移DSOI壓力傳感器，還包括：襯底（1）、絕緣層（2）、硅單晶膜（3）、濃硼內(nèi)引線（7）、方形開口（10）、背島（11）和鋁壓焊腳（13），其特征是：以N-型或P-型單晶硅作為襯底（1），其正面覆蓋絕緣層（2），絕緣層（2）表面形成作為彈性膜的硅單晶膜（3）；硅單晶膜（3）上設(shè)置絕緣層（2）后設(shè)置力敏電阻（5）和濃硼內(nèi)引線（7）；襯底（1）下方設(shè)置有方形開口（10），方形開口（10）內(nèi)制作一個(gè)矩形背島（11）；方形開口（10）上方的硅單晶膜（3）形成彈性區(qū)（12）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低漂移DSOI壓力傳感器，其特征是：所述力敏電阻(5)和補(bǔ)償電阻(6)之間采用濃硼內(nèi)引線(7)連接，并在濃硼內(nèi)引線(7)上覆蓋鋁引線（8）和鋁壓焊腳(13)，形成雙導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
4.一種如權(quán)利要求1所述的低漂移DSOI壓力傳感器的制作工藝，其特征是：包含以下步驟：
S1.取襯底（1），采用SBD技術(shù)制作雙層DSOI絕緣硅片；
S2.采用氧化光刻工藝，在襯底（1）兩面先形成雙面光刻對準(zhǔn)記號，然后繼續(xù)氧化并在襯底（1）的背面光刻出方形開口（10），用TMAH腐蝕液腐蝕方形開口中的硅表面，以量程確定腐蝕深度；
S3.雙面氧化并淀積絕緣層（2）；
S4.光刻力敏電阻（5）、補(bǔ)償電阻（6）和作連接用濃硼內(nèi)引線（7）；
S5.采用離子束注入技術(shù)或熱擴(kuò)散技術(shù)，在硅單晶薄膜（4）中摻入硼原子，使其成為P型導(dǎo)電層，再用光刻和濕法或RIE干法刻蝕技術(shù)，在表面形成力敏電阻（5）、補(bǔ)償電阻（6）和作連接用濃硼內(nèi)引線（7）；
S6.背面光刻矩形背島（11）、正面光刻引線孔，并蒸鍍鋁膜反刻形成鋁引線（8），使力敏電阻（5）和補(bǔ)償電阻（6）之間形成閉環(huán)的惠斯頓電橋，在邊框（9）上引出四個(gè)壓焊腳（13）；
S7.對襯底背面方形開口區(qū)（10）進(jìn)行濕法腐蝕，直至對應(yīng)所需要量程的深度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作工藝，其特征是：所述的絕緣層（2）為二氧化硅或氮化硅。