本發(fā)明涉及一種高溫壓力傳感器及其制作方法，屬于微機械制造領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

耐高溫壓力傳感器作為微機電系統(tǒng)(MEMS)的主要產(chǎn)品之一，已廣泛用于石油化工、汽車電子、航空航天等領(lǐng)域高溫環(huán)境下的壓力測量。目前商用的壓力傳感器主要是硅擴散型壓阻式壓力傳感器，因其以單晶硅為基片，在N型硅襯底上制作P型擴散電阻，依靠反偏PN結(jié)實現(xiàn)電學(xué)隔離，當(dāng)工作溫度超過120℃時，PN結(jié)漏電流加劇，傳感器的性能會嚴重惡化以至失效。

此外，耐高溫封裝工藝也是制約高溫壓力傳感器發(fā)展的另一關(guān)鍵因素。在壓力傳感器芯片的封裝工藝中，大多采用玻璃漿料低溫?zé)Y(jié)的方法將芯片與彈性元件結(jié)合為一體，或者采用芯片/玻璃靜電鍵合技術(shù)，兩種工藝中都存在材料間熱膨脹系數(shù)的匹配或應(yīng)力消除問題。并且，對于傳感器芯片和外圍的連接，主要還是將細金屬線焊接到傳感器芯片的金屬焊點上，然后再到管腳或印刷電路板上。這些細金線或焊接處容易因高振動或快速的壓力循環(huán)而產(chǎn)生疲勞，甚至出現(xiàn)故障。

為了解決壓力傳感器在高溫等惡劣條件下的漏電和性能失效問題，國內(nèi)外相關(guān)知名科研機構(gòu)和傳感器公司都投入大量資源對耐高溫壓力傳感器做了大量研究，并取得了不少研究成果。譬如，采用絕緣體上硅(SOI)襯底材料有利于改善壓力傳感器的高溫性能，相對于傳統(tǒng)的體硅壓力傳感器，SOI壓力傳感器利用絕緣埋氧層隔離來取代PN結(jié)隔離，使得器件忍耐高溫的能力大大增強。

再有，美國森薩塔公司研發(fā)了基于密封式硅應(yīng)變片MSG技術(shù)的汽油直噴軌壓傳感器，其采用壓阻技術(shù)，將硅應(yīng)變片通過玻璃微融貼在金屬隔膜上，經(jīng)過密封，工作溫度可達-40～140℃。然而，對于150℃以上更高溫度環(huán)境下的壓力測量，該傳感器還不適用。

又譬如，美國科萊特公司采用BESOI技術(shù)和“無焊接引線”設(shè)計封裝制備的SOI超高溫壓力傳感器，工作溫度可達-55～482℃。此外，科萊特還將傳感器芯片和保護層晶片通過靜電粘結(jié)技術(shù)組裝成傳感器膜片，再用高溫傳導(dǎo)玻璃在感應(yīng)芯片和特殊設(shè)計接頭之間作為電路連接，解決了傳統(tǒng)壓力傳感器的金線焊接點容易疲勞的問題，然而其鍵合封裝后的應(yīng)力平衡問題仍難以消除。

綜上所述，現(xiàn)有高溫壓力傳感器的封裝大多采用玻璃漿料低溫?zé)Y(jié)的方法或者采用單片硅片-玻璃靜電鍵合技術(shù)，存在著應(yīng)力平衡問題；傳統(tǒng)地傳感器將硅芯片和電路通過細金絲相連接，細金線或焊接處容易因高振動或快速的壓力循環(huán)而產(chǎn)生疲勞，甚至出現(xiàn)故障；現(xiàn)有技術(shù)方案中有些高溫壓力傳感器所能承受的溫度還不是很高，有待進一步提高耐高溫性能。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種可使應(yīng)力失配相互抵消，以達到應(yīng)力平衡的高溫壓力傳感器。

為達到上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種高溫壓力傳感器，包括硅襯底、設(shè)置在所述硅襯底上的敏感元件，還包括設(shè)置在所述硅襯底上的由耐高溫不導(dǎo)電材料所制成的中間基片及設(shè)置在所述中間基片上的上層硅片，所述硅襯底、中間基片和上層硅片依次鍵合，所述硅襯底與中間基片之間形成有收納所述敏感元件的腔體。

進一步的：所述硅襯底的厚度與上層硅片的厚度相同；或者，所述硅襯底與上層硅片的厚度偏差范圍在±10um。

進一步的：所述高溫壓力傳感器上形成有至少兩個通孔，每個所述通孔順次貫穿中間基片和上層硅片，每個所述通孔內(nèi)形成有導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱的一端與敏感元件電性連接，另一端暴露在所述上層硅片上。

進一步的：每個所述通孔包括貫穿所述中間基片的第一子通孔和貫穿所述上層硅片的第二子通孔；所述第一子通孔和第二子通孔的形狀相同，或者所述第一子通孔和第二子通孔的形狀不相同。

進一步的：所述中間基片上設(shè)有開口朝向所述硅襯底的凹槽，所述腔體由所述硅襯底封閉所述中間基片上的所述凹槽形成；或者，所述硅襯底上設(shè)有開口朝向所述中間基片的凹槽，所述腔體由所述中間基片封閉所述硅襯底上的所述凹槽形成；或者，所述中間基片上設(shè)有開口朝向所述硅襯底的上凹槽，所述硅襯底上開設(shè)有開口朝向所述中間基片的下凹槽，所述下凹槽和上凹槽對稱設(shè)置，所述腔體由所述下凹槽和上凹槽圍設(shè)形成。

進一步的：所述敏感元件為壓敏電阻或基于電容式的敏感膜片。

進一步的：所述中間基片為玻璃片。

本發(fā)明還提供了一種高溫壓力傳感器的制作方法，包括如下步驟：

S1：提供硅襯底，所述硅襯底從下至上依次設(shè)置有體硅層、絕緣層和體硅薄膜，所述硅襯底具有相背設(shè)置的上表面和下表面；

S2：在所述硅襯底的上表面上形成敏感元件和與所述敏感元件電性連接的金屬電極；

S3：提供一由耐高溫不導(dǎo)電材料所制成的中間基片，所述中間基片具有相背設(shè)置的正面和背面，在所述中間基片的背面上形成凹槽；所述中間基片的背面與所述硅襯底的上表面鍵合，密封凹槽以形成密封敏感元件的腔體；

S4：提供硅片，所述硅片包括相背設(shè)置的頂面和底面；將所述硅片的底面與中間基片的正面鍵合；

S5：引出金屬電極。

本發(fā)明還提供了一種高溫壓力傳感器的制作方法，包括如下步驟：

S1：提供硅襯底，所述硅襯底從下至上依次設(shè)置有體硅層、絕緣層和體硅薄膜，所述硅襯底具有相背設(shè)置的上表面和下表面，所述硅襯底的上表面上形成有下凹槽；

S2：在所述硅襯底的上表面上形成敏感元件和與所述敏感元件電性連接的金屬電極，所述敏感元件位于所述下凹槽內(nèi)；

S3：提供一由耐高溫不導(dǎo)電材料所制成的中間基片，所述中間基片具有相背設(shè)置的正面和背面，所述中間基片的背面與所述硅襯底的上表面鍵合，使下凹槽密封以形成密封敏感元件的腔體；

S4：提供硅片，所述硅片包括相背設(shè)置的頂面和底面；將所述硅片的底面與中間基片的正面鍵合；

S5：引出金屬電極。

進一步的：所述硅襯底的厚度與硅片的厚度相同；或者，所述硅襯底與硅片的厚度偏差范圍在±10um。

進一步的：所述步驟S4還包括：將硅片的底面與中間基片的正面進行陽極鍵合，并對硅片進行減薄使其厚度與硅襯底的厚度相同或使兩者的厚度偏差范圍在±10um。

進一步的：所述步驟S3還包括：在所述中間基片上形成貫通該中間基片的正面和背面的第一子通孔；當(dāng)所述中間基片與所述硅襯底鍵合時，所述金屬電極通過第一子通孔與外部連通；

所述步驟S4還包括：在所述硅片上形成貫通該硅片的頂面和底面的第二子通孔，當(dāng)所述硅片與中間基片鍵合時，所述第一子通孔與第二子通孔連通以形成通孔；

所述步驟S5具體為：在所述通孔內(nèi)注入金屬漿料以引出金屬電極。

進一步的：所述步驟S3還包括：在所述中間基片上形成貫通該中間基片的正面和背面的第一子通孔；當(dāng)所述中間基片與所述硅襯底鍵合時，所述金屬電極通過第一子通孔與外部連通；

所述步驟S4還包括：在所述硅片上形成貫通該硅片的頂面和底面的第二子通孔，當(dāng)所述硅片與中間基片鍵合時，所述第一子通孔與第二子通孔連通以形成通孔；

所述步驟S5具體為：在所述通孔內(nèi)注入金屬漿料以引出金屬電極。

進一步的：所述步驟S2具體包括：

S21：對硅襯底上的體硅薄膜進行濃硼摻雜，形成摻雜層；對所述摻雜層進行光刻、刻蝕，制備構(gòu)成惠斯通電橋的壓敏電阻和電阻層；

S22：在所述電阻層上通過金屬薄膜淀積和微納加工的方法制備形成金屬電極。

進一步的：所述硅襯底上設(shè)置有下凹槽，所述下凹槽與中間基片的凹槽對稱設(shè)置，在步驟S3中，當(dāng)所述硅襯底與中間基片鍵合時，所述腔體由下凹槽與中間基片的凹槽圍設(shè)形成。

進一步的：在所述步驟S1或者步驟S3中還包括：去除位于敏感元件下方的部分體硅層，以形成硅襯底的空腔及壓力敏感膜。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明的高溫壓力傳感器由于將硅襯底、中間基片和上層硅片依次疊加以形成“硅襯底-中間基片-硅片”的三明治結(jié)構(gòu)，使得應(yīng)力失配相互抵消，以達到應(yīng)力平衡；而該高溫壓力傳感器的制作方法所制成的高溫壓力傳感器由于形成了“硅襯底-中間基片-硅片”的三明治結(jié)構(gòu)，使得應(yīng)力失配相互抵消，以達到應(yīng)力平衡。

另外，由于本發(fā)明的高溫壓力傳感器采用在形成依次貫穿中間基片和上層硅片的通孔，且在通孔內(nèi)形成導(dǎo)電柱，由該導(dǎo)電柱將敏感元件的電連接引出，從而可以解決現(xiàn)有技術(shù)中“由于細金線或焊接而發(fā)生在細金線或焊接處容易因高振動或快速的壓力循環(huán)而產(chǎn)生疲勞，進而引發(fā)故障”的問題。

上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例所示的高溫壓力傳感器的的縱向剖面示意圖；

圖2至圖9為圖1所示的高溫壓力傳感器的工藝流程圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。

請參見圖1，本發(fā)明一較佳實施例所示的一種高溫壓力傳感器包括硅襯底1、設(shè)置在所述硅襯底1上的敏感元件21、設(shè)置在所述硅襯底1上且與所述敏感元件21電性連接的金屬電極3、設(shè)置在所述硅襯底1上的由耐高溫不導(dǎo)電材料所制成的中間基片4及設(shè)置在所述中間基片4上的上層硅片5。所述硅襯底1、中間基片4和上層硅片5依次鍵合，所述硅襯底1與中間基片4之間形成有收納所述敏感元件21的腔體(未標(biāo)號)，所述金屬電極3通過電引出件6引出。在現(xiàn)有技術(shù)中，目前高溫壓力傳感器的封裝技術(shù)大都采用一片硅片與一片玻璃鍵合，由于硅片與玻璃片的熱膨脹系數(shù)不匹配，存在著應(yīng)力失配而不平衡問題。而本實施例中，由于將硅襯底1、中間基片4和上層硅片5依次疊加以形成“硅襯底1-中間基片4-上層硅片5”的三明治結(jié)構(gòu)，使得應(yīng)力失配相互抵消，以達到應(yīng)力平衡，故克服了現(xiàn)有技術(shù)中所存在的應(yīng)力不平衡的問題，特別適用于高溫環(huán)境中。所述硅襯底1、中間基片4、上層硅片5依次鍵合。

為了達到最佳的應(yīng)力平衡，所述硅襯底1的厚度與上層硅片5的厚度相同；或者，硅襯底1與上層硅片5的厚度偏差范圍在±10um；其中，最佳效果是硅襯底1的厚度與上層硅片5的厚度相同，但是考慮到工藝制備過程中存在的誤差，可以使厚度偏差范圍在±10um?，F(xiàn)有的制備過程中采用減薄工藝控制硅襯底1和上層硅片5的厚度。為了實現(xiàn)極小化，硅襯底1的厚度為100～400um。所述硅襯底1為SOI硅，其晶向為<100>。所述硅襯底1從下至上依次設(shè)置有體硅層11、絕緣層12和體硅薄膜(未標(biāo)號)。所述硅襯底1具有相背設(shè)置的上表面(未標(biāo)號)和下表面(未標(biāo)號)，位于敏感元件21下方的部分體硅層11被去除以形成有空腔14及壓力敏感膜15，該壓力敏感膜15為體硅層11的一部分，空腔14自硅襯底1的下表面朝上表面延伸形成。所述敏感元件21可以為壓敏電阻或基于電容式的敏感膜片，但鑒于壓敏電阻具有靈敏度高、精度好的優(yōu)點，優(yōu)選為壓敏電阻，具體為惠斯通電橋的壓敏電阻。所述硅襯底1上還設(shè)置有電阻層22，所述敏感元件21和電阻層22為通過對所述體硅薄膜13進行濃硼摻雜和刻蝕而構(gòu)成。所述金屬電極3形成在電阻層22上，所述金屬電極3的材料為耐高溫的金屬材料，優(yōu)選為Ti、Ni、Pt、Cr等一種或多種耐高溫金屬材料的組合。

所述中間基片4可采用玻璃片。在本實施例中，所述中間基片4上設(shè)有開口朝向所述硅襯底1的凹槽41，所述腔體由所述硅襯底1封閉所述中間基片4上的所述凹槽41形成。誠然，所述硅襯底1上設(shè)有開口朝向所述中間基片4的凹槽，所述腔體由所述中間基片4封閉所述硅襯底1上的所述凹槽形成(未圖示)；或者，所述中間基片4上設(shè)有開口朝向所述硅襯底1的上凹槽，所述硅襯底1上開設(shè)有開口朝向所述中間基片4的下凹槽，所述下凹槽和上凹槽對稱設(shè)置，所述腔體由所述下凹槽和上凹槽圍設(shè)形成(未圖示)。

為了實現(xiàn)無引線封裝設(shè)計，所述高溫壓力傳感器上形成有至少兩個通孔，每個所述通孔順次貫穿中間基片4和上層硅片5，每個所述通孔內(nèi)形成有導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱的一端與敏感元件21電性連接，另一端暴露在所述上層硅片5上，該導(dǎo)電柱即為電引出件6。通過此種設(shè)計可以解決現(xiàn)有技術(shù)中“由于細金線或焊接而發(fā)生在細金線或焊接處容易因高振動或快速的壓力循環(huán)而產(chǎn)生疲勞，進而引發(fā)故障”的問題。所述導(dǎo)電柱6通過向通孔內(nèi)灌注金屬漿料而形成，以實現(xiàn)引出金屬電極3。

每個所述通孔包括貫穿所述中間基片4的第一子通孔42和貫穿所述上層硅片5的第二子通孔51；所述第一子通孔42和第二子通孔51的形狀可以相同，或者所述第一子通孔42和第二子通孔51的形狀也可以不相同。在本實施例中，所述第一子通孔42呈圓臺型，所述第二子通孔51呈圓柱型。

所述第一子通孔42的延伸形狀為直線，或者曲線，或者折彎狀，或者由至少一直線段和至少一曲線段連接形成的組合；所述第二子通孔51的延伸形狀為直線，或者曲線，或者折彎狀，或者由至少一直段和至少一曲線段連接形成的組合。在本實施例中，為了電性連接穩(wěn)定，傳導(dǎo)性更強，所述第一子通孔42的延伸形狀為直線，所述第二子通孔51的延伸形成為直線。所述中間基片4具有相背設(shè)置的正面(未標(biāo)號)和背面(未標(biāo)號)，所述上層硅片5具有相背設(shè)置的頂面(未標(biāo)號)和底面(未標(biāo)號)，所述上層硅片5的頂面背向中間基片4設(shè)置，所述第一子通孔42自所述正面朝背面延伸并貫穿背面，所述第二子通孔51自所述頂面朝底面延伸并貫穿底面。所述導(dǎo)電柱6暴露在所述上層硅片5上的一端為外露端61，為了便于外接電路，所述外露端61暴露在所述上層硅片5的頂面上。

實施例一，上述高溫壓力傳感器的制作方法包括如下包括如下步驟S1至S5。

請結(jié)合圖2，S1：提供硅襯底1，所述硅襯底1從下至上依次設(shè)置有體硅層11、絕緣層12和體硅薄膜13，所述硅襯底1具有相背設(shè)置的上表面16和下表面17。所述硅襯底1為晶向為<100>的SOI襯底。

請結(jié)合圖3和圖4，S2：在所述硅襯底1的上表面(未標(biāo)號)上形成敏感元件21和與所述敏感元件21電性連接的金屬電極3。所述敏感元件21為壓敏電阻或基于電容式的敏感膜片，但鑒于壓敏電阻具有靈敏度高、精度好的優(yōu)點，優(yōu)選為壓敏電阻，具體為惠斯通電橋的壓敏電阻。該步驟S2具體為：

請結(jié)合圖3，S21：對SOI襯底1上的體硅薄膜進行濃硼摻雜，形成摻雜層；并對該摻雜層進行光刻、刻蝕，制備構(gòu)成惠斯通電橋的壓敏電阻21和電阻層22；

請結(jié)合圖4，S22：在電阻層22上通過金屬薄膜淀積和微納加工的方法制備形成金屬電極3，該金屬電極3的材料為耐高溫的金屬材料，優(yōu)選為Ti、Ni、Pt、Cr等一種或多種耐高溫金屬材料的組合。

請結(jié)合圖5至8，S3：提供一由耐高溫不導(dǎo)電材料所制成的中間基片4，所述中間基片4具有相背設(shè)置的正面43和背面44，在所述中間基片4的背面44上形成凹槽41；所述中間基片4的背面44與所述硅襯底1的上表面鍵合，密封凹槽41以形成密封敏感元件21的腔體。所述中間基片4采用玻璃片。該步驟S3具體包括：

結(jié)合圖5，S31：提供一玻璃片4，對其背面44進行光刻、刻蝕以形成凹槽41；而后再采用激光或噴砂工藝在所述玻璃片4上形成貫穿該玻璃片4的正面43和背面44的第一子通孔42；

結(jié)合圖6，S32：將硅襯底1的上表面與玻璃片4的正面進行陽極鍵合，使凹槽41密封以形成密封壓敏電阻21的腔體；且當(dāng)所述中間基片4與所述硅襯底1鍵合時，金屬電極3通過玻璃片4上的第一子通孔42與外部連通；

結(jié)合圖7，S33：采用減薄工藝分別對鍵合后的玻璃片4的正面和硅襯底1的下表面進行減薄，再通過光刻、干法刻蝕或濕法腐蝕的方法去除位于壓敏電阻21下方的部分體硅層11，以形成硅襯底1的空腔14及壓力敏感膜15；

請結(jié)合圖8和圖9，S4：提供硅片5，所述硅片5包括相背設(shè)置的頂面52和底面53；將所述硅片5的底面53與中間基片4的正面鍵合。具體的：

請結(jié)合圖8，提供一硅片5，該包括相背設(shè)置的頂面52和底面53，其采用硅通孔技術(shù)在所述硅片5上形成貫通該硅片5的頂面52和底面53的第二子通孔51；

請結(jié)合圖9，將硅片5與玻璃片4的背面進行陽極鍵合，此時，所述第一子通孔42與第二子通孔51連通以形成通孔；并對硅片5進行減薄使其厚度與硅襯底1的厚度相同，從而形成“SOI硅-玻璃-硅”三明治結(jié)構(gòu)?？紤]到工藝制備過程中存在的誤差，可以允許最終硅片5與硅襯底1的厚度偏差范圍在±10um。

請結(jié)合圖1，S5：引出金屬電極3。具體為：在所述通孔內(nèi)注入金屬漿料形成導(dǎo)電柱6以引出金屬電極3。該金屬漿料優(yōu)選為銀漿。

除本實施例外，在具體制作高溫壓力傳感器時，可以在硅襯底上設(shè)置下凹槽，所述下凹槽與中間基片的凹槽對稱設(shè)置，在步驟S3中，當(dāng)所述硅襯底與中間基片鍵合時，所述腔體由下凹槽與中間基片的凹槽圍設(shè)形成。另外，硅襯底的腔體及壓力敏感膜可以在步驟S1中形成，即在所述步驟S1中包括：去除位于敏感元件下方的部分體硅層，以形成硅襯底的空腔及壓力敏感膜；又或者，步驟S1所提供的硅襯底已經(jīng)形成有空腔及壓力敏感膜。

實施例二，上述高溫壓力傳感器還可以采用如下制作方法：包括如下步驟：

S1：提供硅襯底，所述硅襯底從下至上依次設(shè)置有體硅層、絕緣層和體硅薄膜，所述硅襯底具有相背設(shè)置的上表面和下表面，所述硅襯底的上表面上形成有下凹槽；

S2：在所述硅襯底的上表面上形成敏感元件和與所述敏感元件電性連接的金屬電極，所述敏感元件位于所述下凹槽內(nèi)；

S3：提供一由耐高溫不導(dǎo)電材料所制成的中間基片，所述中間基片具有相背設(shè)置的正面和背面，所述中間基片的背面與所述硅襯底的上表面鍵合，使下凹槽密封以形成密封敏感元件的腔體；

S4：提供硅片，所述硅片包括相背設(shè)置的頂面和底面；將所述硅片的底面與中間基片的正面鍵合；

S5：引出金屬電極。

其中，所述步驟S4還可以包括：將硅片的底面與中間基片的正面進行陽極鍵合，并對硅片進行減薄使其厚度與硅襯底的厚度相同或使兩者的厚度偏差范圍在±10um。

其中，所述步驟S3還包括：在所述中間基片上形成貫通該中間基片的正面和背面的第一子通孔；當(dāng)所述中間基片與所述硅襯底鍵合時，所述金屬電極通過第一子通孔與外部連通；

所述步驟S4還包括：在所述硅片上形成貫通該硅片的頂面和底面的第二子通孔，當(dāng)所述硅片與中間基片鍵合時，所述第一子通孔與第二子通孔連通以形成通孔；

所述步驟S5具體為：在所述通孔內(nèi)注入金屬漿料以引出金屬電極。

上述本實施例二的高溫壓力傳感器的制作方法與實施例一的高溫壓力傳感器的制作方法除腔體的形成方式和時機不同外，基本相似，故在實施例一中可采用的方案及替代方法，在實施例二中同樣適用，如：在所述步驟S1或者步驟S3中還包括：去除位于敏感元件下方的部分體硅層，以形成硅襯底的空腔及壓力敏感膜；又或者，步驟S1所提供的硅襯底已經(jīng)形成有空腔及壓力敏感膜。

綜上所述：上述高溫壓力傳感器由于將硅襯底、中間基片和上層硅片依次疊加以形成“硅襯底-中間基片-硅片”的三明治結(jié)構(gòu)，使得應(yīng)力失配相互抵消，以達到應(yīng)力平衡；而該高溫壓力傳感器的制作方法所制成的高溫壓力傳感器由于形成了“硅襯底-中間基片-硅片”的三明治結(jié)構(gòu)，使得應(yīng)力失配相互抵消，以達到應(yīng)力平衡。

另外，由于本發(fā)明的高溫壓力傳感器采用在形成依次貫穿中間基片和上層硅片的通孔，且在通孔內(nèi)形成導(dǎo)電柱，由該導(dǎo)電柱將敏感元件的電連接引出，從而可以解決現(xiàn)有技術(shù)中“由于細金線或焊接而發(fā)生在細金線或焊接處容易因高振動或快速的壓力循環(huán)而產(chǎn)生疲勞，進而引發(fā)故障”的問題。

以上所述實施例的各技術(shù)特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術(shù)特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認為是本說明書記載的范圍。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。