1.一種半導體裝置的測定方法，其特征在于：
將基板的斜率修正，
將配置在所述基板之上的半導體芯片的斜率修正，
在配置于所述基板之上的電極與配置在所述基板之上的半導體芯片上的電極墊之間的接合線的所述半導體芯片的邊緣的正上方，設(shè)定第一局部坐標系，
沿著所述第一局部坐標系，多次地測定所述接合線的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的測定方法，其特征在于：
進而測定自上方觀察與所述半導體芯片的邊緣重疊的所述接合線的高度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的測定方法，其特征在于：
進行所述接合線所連接的球體的壓扁直徑、及所述球體的位置，且
所述球體的壓扁直徑通過測定特定高度處的直徑而進行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的測定方法，其特征在于：
在配置在所述半導體芯片的上部的半透明膜的上表面測定高度后，通過減少所述半透明膜的大致一半的膜厚，而運算測定所述接合線的高度時的基準點。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置的測定方法，其特征在于：
根據(jù)所述多次測定所得的所述接合線的高度，運算所述接合線的最高的高度。