本申請享有以日本專利申請2015-164771號(申請日：2015年8月24日)為基礎(chǔ)申請的優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請而包括基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施方式是關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置的測定方法。

背景技術(shù)：

有時在半導(dǎo)體裝置中，使用接合線。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施方式是提供一種可精度良好地自動測定引線高度的半導(dǎo)體裝置的測定方法。

實施方式的半導(dǎo)體裝置的測定方法是將基板的斜率修正，將配置在所述基板之上的半導(dǎo)體芯片的斜率修正，且在配置于所述基板之上的電極與配置在所述基板之上的半導(dǎo)體芯片上的電極墊之間的接合線的所述半導(dǎo)體芯片的邊緣的正上方，設(shè)定第一局部坐標(biāo)系，且沿著所述第一局部坐標(biāo)系，多次地測定所述接合線的高度。

附圖說明

圖1是表示實施方式的測定裝置的構(gòu)成的示意性框圖。

圖2是表示實施方式的測定的整體流程的流程圖。

圖3是表示引線接合的坐標(biāo)數(shù)據(jù)文件的一例的圖。

圖4是示意性表示創(chuàng)建測定程序的測定程序創(chuàng)建用電子數(shù)據(jù)表的構(gòu)成的圖。

圖5是表示實施方式的測定方法的流程的流程圖。

圖6是說明實施方式的測定方法的俯視圖。

圖7是說明實施方式的測定方法的俯視圖。

圖8是說明實施方式的測定方法的俯視圖。

圖9是說明實施方式的測定方法的俯視圖。

圖10是說明實施方式的測定方法的俯視圖。

圖11是說明實施方式的測定方法的俯視圖。

圖12是說明實施方式的測定方法的俯視圖。

圖13是說明實施方式的測定方法的俯視圖。

圖14是說明實施方式的測定方法的剖視圖。

圖15是說明實施方式的測定方法的俯視圖。

圖16(A)是說明實施方式的測定方法的俯視圖，(B)是說明實施方式的測定方法的示意性剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖，對實施方式進行說明。在以下的說明中，對于大致相同的功能及構(gòu)成要素，標(biāo)注相同符號。另外，各圖中的尺寸或大小是參考。各圖為便于觀察，而將尺寸或長度等適當(dāng)?shù)刈兏蛘{(diào)整。

(實施方式說明)

圖1是說明本實施方式的測定裝置10的示意性框圖。

測定裝置10具有頭部20、載置臺50、控制器70、及顯示部80。

頭部20具有第一驅(qū)動部30、及攝像機40。第一驅(qū)動部30可使頭部20在Z軸方向(上下方向)上移動。即，第一驅(qū)動部30可使頭部20在載置臺50的方向上移動，從而可使頭部20與載置臺50的距離靠近或遠離。

攝像機40可拍攝例如載置臺50上的半導(dǎo)體芯片100及基板110。攝像機40具有例如未圖示的鏡頭。攝像機40是例如通過基于控制器70的輸入，調(diào)整鏡頭的高度，而拍攝使焦點聚焦的圖像。攝像機40將所拍攝的圖像數(shù)據(jù)向控制器70輸出。

載置臺50具有第二驅(qū)動部60。載置臺50可在其上部保持基板110及半導(dǎo)體芯片100。第二驅(qū)動部60使載置臺50在XY方向上移動。而且，第二驅(qū)動部60也可以使載置臺50在Z軸方向(上下方向)上移動。

控制器70對各部分進行控制。

控制器70例如可對第一驅(qū)動部30或第二驅(qū)動部60輸出信號，使頭部20或載置臺 50移動?？刂破?0例如對攝像機40輸出信號，使攝像機40的焦點聚焦。攝像機40將此時的鏡頭位置輸出至控制器70。控制器70根據(jù)該鏡頭位置的信息，運算至被攝體為止的距離?？刂破?0可根據(jù)至各個2點為止的距離之差，測定2點間的高度。另外，控制器70也可以根據(jù)2點的焦點已聚焦的鏡頭位置，直接運算2點間的高度。

而且，控制器70也可以通過使頭部20或載置臺50移動，而使焦點聚焦。在此情形時，控制器70可根據(jù)該頭部20或載置臺50的移動距離運算高度。

控制器70例如自攝像機40接收圖像數(shù)據(jù)，且將圖像數(shù)據(jù)向顯示部80輸出。控制器70可對于自攝像機40接收的圖像數(shù)據(jù)，進行圖像處理?？刂破?0可將經(jīng)該圖像處理的圖像數(shù)據(jù)向顯示部80輸出?？刂破?0例如可通過對所取得的整個畫面的圖像數(shù)據(jù)中由標(biāo)尺(顯示部80的畫面上的測量標(biāo)記)所指定的范圍的圖像數(shù)據(jù)施加處理，而測量所拍攝的圖像數(shù)據(jù)中的特定的長度或位置。

顯示部80具有未圖示的畫面。顯示部80顯示自控制器70輸入的圖像數(shù)據(jù)。顯示部80是例如顯示器、監(jiān)控器。

半導(dǎo)體芯片100是配置在基板110上。半導(dǎo)體芯片100通過下述接合線而連接于基板110。接合線是例如金引線?；?10是環(huán)氧玻璃基板或引線框架等任意的基板。

在以下的說明中，以自半導(dǎo)體芯片100朝向基板110進行接合的所謂「正接合」為例進行說明。也可以是自基板110朝向半導(dǎo)體芯片100進行接合的所謂「逆接合」。

而且，在以下的說明中，對于在基板110上裝載有2片半導(dǎo)體芯片100之例進行說明。也可以是將半導(dǎo)體芯片100階梯狀層壓而成的多段芯片，且半導(dǎo)體芯片100的片數(shù)為任意數(shù)。

圖2是表示測定的整體流程的流程圖。

測定者準(zhǔn)備將半導(dǎo)體芯片100與基板110之間接合時的坐標(biāo)數(shù)據(jù)文件(步驟S100)。該坐標(biāo)數(shù)據(jù)文件原本是用以指示接合于引線鍵合機時的坐標(biāo)的文件，此處將其沿用。因不存在為測定接合線而重新創(chuàng)建的文件，所以，幾乎不會成為測定者的負擔(dān)。

圖3是坐標(biāo)數(shù)據(jù)文件之例。

圖3的第一部分200記載有產(chǎn)品名稱、封裝名稱、對準(zhǔn)的點數(shù)、及接合線數(shù)等設(shè)定事項。圖3的第二部分210記載有獲得基板110對準(zhǔn)時的坐標(biāo)信息。例如，表示測定點為2處且對準(zhǔn)坐標(biāo)為(X、Y)＝(8000、8500)、(-8000、-8500)之例的情形。圖3的第三部分220及第四部分230記載有半導(dǎo)體芯片100對準(zhǔn)時的坐標(biāo)信息。

圖3的第五部分240記載有接合的坐標(biāo)信息。即，例如第1個接合線是半導(dǎo)體芯片100側(cè)的球形接合的坐標(biāo)為(-3300、3200)，且基板110側(cè)的針腳式接合坐標(biāo)為(-4500、 4500)。

另外，此時的坐標(biāo)值單位為微米。因存在測定裝置10中指示的坐標(biāo)的單位為毫米的情形，所以，圖2的步驟S110的「接合坐標(biāo)讀出」中，如有需要，則將單位以微米→毫米進行轉(zhuǎn)換。

回到圖2，繼續(xù)說明測定流程。

自坐標(biāo)數(shù)據(jù)文件，將符合圖3的第五部分240的引線接合坐標(biāo)的數(shù)據(jù)讀出(步驟S110)。測定者準(zhǔn)備基板110的對準(zhǔn)標(biāo)記坐標(biāo)的信息、半導(dǎo)體芯片的尺寸、半導(dǎo)體芯片的偏移量等設(shè)計數(shù)據(jù)(步驟S120)。

接著，以步驟S110中提取的引線接合坐標(biāo)的數(shù)據(jù)、及步驟S120中所準(zhǔn)備的基板110的對準(zhǔn)標(biāo)記坐標(biāo)的信息、半導(dǎo)體芯片100的尺寸、半導(dǎo)體芯片100的偏移量等設(shè)計數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，創(chuàng)建測定程序(步驟S130)。

測定程序通常大多是測定者逐一步驟地執(zhí)行實際的測定過程進行演示，從而創(chuàng)建消耗時間。

為減少測定程序創(chuàng)建時間，例如，以如下方式進行。

測定者準(zhǔn)備測定程序創(chuàng)建用電子數(shù)據(jù)表(附帶宏)。對預(yù)先設(shè)定于測定程序創(chuàng)建用電子數(shù)據(jù)表(附帶宏)中的接合坐標(biāo)值的列表，輸入自坐標(biāo)數(shù)據(jù)文件中提取的引線接合坐標(biāo)的數(shù)據(jù)。自設(shè)計數(shù)據(jù)中，將基板110的對準(zhǔn)標(biāo)記坐標(biāo)的信息、半導(dǎo)體芯片100的尺寸、半導(dǎo)體芯片100的偏移量等設(shè)計數(shù)據(jù)輸入到測定程序創(chuàng)建用電子數(shù)據(jù)表(附帶宏)。此后，通過執(zhí)行電子數(shù)據(jù)表內(nèi)的宏，而自動地創(chuàng)建測定程序。

圖4是表示測定程序創(chuàng)建用電子數(shù)據(jù)表(附帶宏)的構(gòu)成的圖。

測定裝置10中測定接合線時的過程固定而不取決于半導(dǎo)體裝置的品種，且相應(yīng)于因品種而變化的接合線位置，指示頭部及載置臺的移動位置及標(biāo)尺的顯示位置等的坐標(biāo)值、測定參數(shù)等進行變化。若重寫測定程序中寫入各程序行的坐標(biāo)值、測定參數(shù)等，則可設(shè)為其他品種的半導(dǎo)體裝置用的測定程序。圖4是表示相應(yīng)于半導(dǎo)體裝置的品種，重寫電子數(shù)據(jù)表內(nèi)各程序行所需的坐標(biāo)值及測定參數(shù)等的過程。

圖4的第一區(qū)域300是接合坐標(biāo)值的列表。用戶例如將接合坐標(biāo)值輸入到特定的區(qū)域。第二區(qū)域310是以測定程序的每1行為例進行表示。測定程序的每1行按照每一要素分為各個單元，且具有預(yù)先記入有測定命令等的單元、及參照第一區(qū)域300的單元。此處，第二區(qū)域310的參照第一區(qū)域300的單元也可以基于未圖示的對準(zhǔn)標(biāo)記坐標(biāo)的信息、半導(dǎo)體芯片100的尺寸、及半導(dǎo)體芯片100的偏移量等設(shè)計數(shù)據(jù)，將第一區(qū)域300的值轉(zhuǎn)換后進行參照。

例如，引線鍵合機中指示的接合坐標(biāo)值通常是半導(dǎo)體裝置的中心成為原點。即，自引線鍵合機用的坐標(biāo)數(shù)據(jù)文件中提取且寫入至圖4的第一區(qū)域300中的接合坐標(biāo)值也是半導(dǎo)體裝置的中心成為原點。

另一方面，測定裝置10中指示的接合坐標(biāo)值根據(jù)測定程序創(chuàng)建的情況，將對準(zhǔn)標(biāo)記(B)、半導(dǎo)體芯片100的轉(zhuǎn)角等設(shè)為原點。即，在被寫入到第一區(qū)域300的接合坐標(biāo)值與被寫入到第二區(qū)域310的接合坐標(biāo)值之間必須進行坐標(biāo)轉(zhuǎn)換。若在第一區(qū)域300與第二區(qū)域310之間，置入坐標(biāo)轉(zhuǎn)換用的計算式，則可轉(zhuǎn)換為將測定程序中所需的對準(zhǔn)標(biāo)記(B)及半導(dǎo)體芯片100的轉(zhuǎn)角等設(shè)為原點的接合坐標(biāo)值。

不僅接合坐標(biāo)值，而且測定者所記入的測定參數(shù)等也可以實際上轉(zhuǎn)換為測定程序行中所需的形式。

圖4的第三區(qū)域320是通過將第二區(qū)域310的單元值結(jié)合為字符串而獲得。圖4的第三區(qū)域320是表示對應(yīng)于一行的測定命令的例，但實際上僅與測定1條接合線所需的多個程序行×測定對象的接合線的條數(shù)對應(yīng)地產(chǎn)生第三區(qū)域320的數(shù)據(jù)。

通過以文本文件集中地寫出該第三區(qū)域320的數(shù)據(jù)，而創(chuàng)建測定程序。表示該情況的是第四區(qū)域330。

再次回到圖2，繼續(xù)說明測定的流程。

通過至步驟S130為止所創(chuàng)建的測定程序，測定裝置10測量接合線的各種數(shù)據(jù)(步驟S140)。測定裝置10將測定數(shù)據(jù)輸出(步驟S150)。

使用圖5，對于圖2的步驟S140，說明詳情。

圖5是說明測定裝置10的具體測定過程的流程圖。另外，該測定過程是基于所述測定程序，自動地進行處理。而且，測定過程是除了產(chǎn)生錯誤時等的應(yīng)對以外，自動地進行處理。

在步驟S200中，測定基板110的對準(zhǔn)標(biāo)記，將斜率修正。使用圖6，說明具體的處理。

如圖6(A)所示，在基板110上配置半導(dǎo)體芯片100a及100b。半導(dǎo)體芯片100a是例如存儲控制器，半導(dǎo)體芯片100b是例如NAND存儲器。半導(dǎo)體芯片100a是經(jīng)由接合線150而與基板110電性連接。

在基板110上，配置對準(zhǔn)標(biāo)記400a及400b。對準(zhǔn)標(biāo)記400的一例是示于圖6(B)及圖6(C)中。圖6(B)是圓環(huán)形狀之例，圖6(C)是圓狀之例。對準(zhǔn)標(biāo)記400是攝像機自上方進行拍攝，且如圖6(B)及圖6(C)所示看得見交界即可。對準(zhǔn)標(biāo)記400例如既可以是形成在基板110上的導(dǎo)電層等，也可以是將基板110貫通的孔。而且，即便不存在作為對準(zhǔn) 標(biāo)記400專用地配置的標(biāo)記，也可以使用基板110上的任意的圖案進行對準(zhǔn)。

另外，對準(zhǔn)標(biāo)記400也可以不是圖6(B)及圖6(C)所示的圓環(huán)、圓，而是十字、L字等形狀。但，測定十字、L字等對準(zhǔn)標(biāo)記的中心，則需要多個程序行。若為圓環(huán)狀、圓狀，則可使用下述圓標(biāo)尺410，以數(shù)行的程序進行測定。除了附近具有近似于對準(zhǔn)標(biāo)記的圖案，存在擔(dān)心測定失誤的情形以外，對準(zhǔn)標(biāo)記較理想的是圓環(huán)狀、圓狀。

此處，所謂圓標(biāo)尺410是用以在圖像上指示對于檢測存在于圖像中的圓形的被拍攝對象的邊緣且使用最小平方法等推定該邊緣的近似圓的中心坐標(biāo)的程序模塊的測定對稱位置的圓形光標(biāo)圖像。

首先，使用圖6(D)所示的圓標(biāo)尺410，測定對準(zhǔn)標(biāo)記400a及400b的位置。控制器70可通過將圖6(D)所示的圓標(biāo)尺410與自攝像機40輸入的圖像數(shù)據(jù)進行圖像處理，而測定例如對準(zhǔn)標(biāo)記的直徑與中心位置。

具體而言，如圖6(E)所示，將圓標(biāo)尺410與對準(zhǔn)標(biāo)記400重疊地配置?？刂破?0是自圓標(biāo)尺410中心放射狀地測量圓標(biāo)尺410內(nèi)的圖像的明暗度。通過測量圖像的明暗度，而檢測對準(zhǔn)標(biāo)記400的邊緣?？刂破?0根據(jù)所檢測的多個邊緣的位置，通過計算求出對準(zhǔn)標(biāo)記400的直徑與中心位置。另外，在對準(zhǔn)標(biāo)記400并非為完整的圓時，控制器70通過計算求出對準(zhǔn)標(biāo)記400的鄰近圓的直徑與中心位置。

控制器70是對于基板110，設(shè)定將計算所得的對準(zhǔn)標(biāo)記400a及400b的中心位置連結(jié)而成的直線設(shè)為X軸的局部坐標(biāo)系500。

在圖6中，例如表示在對準(zhǔn)標(biāo)記400a上配置有局部坐標(biāo)系500之例。在圖6中，對準(zhǔn)標(biāo)記400a與400b是與基板110的橫方向平行地配置，因此，此處設(shè)定的局部坐標(biāo)系500的X軸也和基板110的橫方向成為平行。此后的測定程序是對于局部坐標(biāo)系500，指定動作位置，所以，基板110即便相對于測定裝置10的載置臺傾斜地設(shè)置，也可以在預(yù)期的位置進行動作。

圖7是說明其他的對準(zhǔn)標(biāo)記400的配置之例的圖。對準(zhǔn)標(biāo)記400a及400c是相對于基板110傾斜地配置。

在將對準(zhǔn)標(biāo)記400a與400c連結(jié)而成的直線以和基板110的橫方向所成的角度順時針方向旋轉(zhuǎn)所得的方向上，設(shè)定局部坐標(biāo)系500的X軸。

另外，和基板110的橫方向所成的角度中，使用根據(jù)對準(zhǔn)標(biāo)記400a與400c的設(shè)計值計算所得的值。如此一來，即便對準(zhǔn)標(biāo)記400a及400c相對基板110傾斜地配置，也可以修正基板110相對載置臺的設(shè)置斜率。

接著，在圖5的步驟S210中，將半導(dǎo)體芯片100a對于基板110的裝載位置、及斜 率修正。對具體的處理內(nèi)容進行說明。

控制器70是載置臺及頭部朝向可拍攝包含有半導(dǎo)體芯片的的圖像的位置移動。移動目的地是作為對于圖6或圖7中所設(shè)定的局部坐標(biāo)系500的坐標(biāo)值，以測定程序行指示。

測定程序行中記載的移動目的地的坐標(biāo)值是在測定程序創(chuàng)建用電子數(shù)據(jù)表(附帶宏)中，根據(jù)半導(dǎo)體芯片100a的芯片尺寸、及與基板偏移的偏移量等信息進行計算。根據(jù)由攝像機40拍攝的圖像數(shù)據(jù)，運算或測定半導(dǎo)體芯片的邊緣。

控制器70是在例如半導(dǎo)體芯片100a為大致長方形形狀的情形時，在各邊中各2處進行測定。即，控制器70是例如在8處測定邊緣位置?？赏ㄟ^在各邊中各2處進行測定，而運算半導(dǎo)體芯片100a的各邊的邊緣位置。進而，控制器70設(shè)定對于半導(dǎo)體芯片100a的局部假設(shè)坐標(biāo)系510。

另外，相對于局部坐標(biāo)系500而言半導(dǎo)體芯片100a的邊緣測定位置包含于預(yù)先測定程序創(chuàng)建時(圖2的步驟S130)。

利用圖8，說明更具體的處理內(nèi)容。圖8是圖6中的區(qū)域A1的放大圖，且是說明各1處地檢測相對于半導(dǎo)體芯片100a的2個邊的邊緣位置的情況的圖。

另外，于圖8中，在半導(dǎo)體芯片100a上，配置金屬墊605。在金屬墊605上，配置金屬球600。金屬球600是接合線150(未圖示)的一部分。而且，接合線的引線部分在圖8～圖13的附圖中將圖示省略。

控制器70是使用攝像機40，拍攝圖8那樣的包含半導(dǎo)體芯片100a的邊緣(端部)的圖像。控制器70是根據(jù)攝像機40所拍攝的圖像數(shù)據(jù)，利用長方形標(biāo)尺420a及420b，運算或測定半導(dǎo)體芯片100a的邊緣位置。此處，所謂長方形標(biāo)尺420是用以在圖像上指示對于檢測存在于圖像中的被拍攝對象的直線狀邊緣且視需要可測定例如2點間的長度的程序模塊的測定對稱位置的長方形光標(biāo)圖像。

控制器70是與所述圓標(biāo)尺410同樣地，利用長方形標(biāo)尺420a，如下所述地檢測邊緣。即，控制器70是自長方形標(biāo)尺420的任意一邊朝向另一邊測量長方形標(biāo)尺420內(nèi)的圖像的明暗度?？刂破?0是通過測量圖像的明暗度而檢測半導(dǎo)體芯片100a的邊緣。

進而，根據(jù)所測定的半導(dǎo)體芯片100a的邊緣的信息，對于半導(dǎo)體芯片100a，設(shè)定將半導(dǎo)體芯片100a的轉(zhuǎn)角設(shè)為原點的局部假設(shè)坐標(biāo)系510。半導(dǎo)體芯片100a的邊緣存在因切割時的切割線偏移等而相對于半導(dǎo)體芯片100a內(nèi)的電極墊等出現(xiàn)偏差的情形。即，局部假設(shè)坐標(biāo)系510并非相對于半導(dǎo)體芯片100a內(nèi)的電極墊等，一定正確地設(shè)定。所以，為精度良好地設(shè)定局部假設(shè)坐標(biāo)系510，而進行以下的測定。

圖9是說明將局部假設(shè)坐標(biāo)系510重新設(shè)定在精度更佳的第一局部坐標(biāo)系520的情況的圖。

如圖9所示，控制器70是在對局部假設(shè)坐標(biāo)系510所指定的范圍內(nèi)，檢索標(biāo)尺430通過匹配檢索被預(yù)先存儲的圖像數(shù)據(jù)。此處，所謂檢索標(biāo)尺430是用以檢索對于檢測存在于圖像中的被拍攝對象的邊緣且使用最小平方法等搜索預(yù)先保存的檢索對象圖像(包括已加工將檢索對象圖像2值化所得的圖像等檢索對象圖像的數(shù)據(jù))或推定近似直線的交點的程序模塊的檢索對稱位置的光標(biāo)圖像。圖9中，作為一例，表示有檢索標(biāo)尺430檢索金屬墊605的角部的狀態(tài)。將檢索標(biāo)尺430所檢索的以金屬墊605的角部到半導(dǎo)體芯片100a的轉(zhuǎn)角為止的距離偏離的位置設(shè)為原點，再次設(shè)定局部假設(shè)坐標(biāo)系510作為第一局部坐標(biāo)系520。

另外，將半導(dǎo)體芯片100a的轉(zhuǎn)角設(shè)為第一局部坐標(biāo)系520的原點的目的在于，在測定程序創(chuàng)建用電子數(shù)據(jù)表(附帶宏)中，容易計算各金屬球600的坐標(biāo)值。

即，通過對于形成在半導(dǎo)體芯片100a上的圖案，設(shè)定第一局部坐標(biāo)系520，而無論切割時是否產(chǎn)生偏差、或半導(dǎo)體芯片100a對于基板110是否傾斜等，均可設(shè)定對于配置在半導(dǎo)體芯片100a的金屬墊等精度較佳的第一局部坐標(biāo)系520。

然而，因在半導(dǎo)體芯片100a，多個接近地配置有金屬墊605，所以，在攝像機40進行拍攝的范圍內(nèi)，存在有多個金屬墊605時，擔(dān)心誤檢索到與預(yù)期的金屬墊605不同的金屬墊605。在此情形時，也可以預(yù)先存儲附近無類似圖案的配線圖案作為檢索對象。在此情形時，因無法正確地獲知從所存儲的配線圖案到半導(dǎo)體芯片100a的轉(zhuǎn)角為止的距離，所以，第一局部坐標(biāo)系520的原點也不會準(zhǔn)確地到達半導(dǎo)體芯片100a的轉(zhuǎn)角。

當(dāng)對于以此方式設(shè)定的第一局部坐標(biāo)系520，指示測定金屬球600的圓標(biāo)尺410的測定位置時，產(chǎn)生金屬球600與圓標(biāo)尺410的位置偏移，但通過實物調(diào)整，將圓標(biāo)尺410的位置微調(diào)后，將測定程序重新保存則可避免所述位置偏移。

然而，當(dāng)對于第一局部坐標(biāo)系520指定所有的金屬球時，必須所有的圓標(biāo)尺中進行位置的微調(diào)，所以，在圖5的步驟S220中，設(shè)定對于第1個金屬球600的第二局部坐標(biāo)系530。

圖10是說明第二局部坐標(biāo)系530的設(shè)定的圖。

若對于金屬球600顯示圓標(biāo)尺410之前，部分地執(zhí)行測定程序，則如圖10所示，控制器70基于第一局部坐標(biāo)系520，顯示圓標(biāo)尺440。

雖存在金屬球600與圓標(biāo)尺410出現(xiàn)位置偏移的情形，但因第一局部坐標(biāo)系是對于半導(dǎo)體芯片100a上的電路圖案所設(shè)定，所以，即便存在切割線偏移等，位置偏移方向 及位置偏移量也一直成為相同等級。若將圓標(biāo)尺440相對于第一局部坐標(biāo)系的顯示位置進行微調(diào)，在金屬球600上，以出現(xiàn)圓標(biāo)尺440的方式修正測定程序，則此后，無論是否產(chǎn)生切割線偏移等，均可一直在正確的位置顯示圓標(biāo)尺440。

如果圓標(biāo)尺440相對于所有的金屬球600的顯示位置未被指定在第一局部坐標(biāo)系520，則必須對于所有的金屬球600，將圓標(biāo)尺440的顯示位置進行微調(diào)，所以微調(diào)作業(yè)變得龐大。

半導(dǎo)體芯片100a上的金屬墊彼此的位置關(guān)系是由芯片設(shè)計所決定，且與接合的位置或芯片的位置相比，幾乎不存在偏差，所以，若在第1個金屬球的中心設(shè)定第二局部坐標(biāo)系530，且以與第1個金屬球的距離指示圓標(biāo)尺對于第2個以后的金屬球的顯示位置，則無需進行圓標(biāo)尺對于第2個以后的金屬球的位置調(diào)整。測定程序的調(diào)整作業(yè)大幅地減輕。

圖10中說明的第二局部坐標(biāo)系530的設(shè)定較理想為對于半導(dǎo)體芯片100a的各邊進行。即，金屬球600與第一局部坐標(biāo)系520朝向與每一邊不同的方向產(chǎn)生偏移的可能性較小，但當(dāng)在第一芯片邊上的第1個金屬球上設(shè)定第二局部坐標(biāo)系530時，第二～第四芯片邊上的金屬球的坐標(biāo)值在每一金屬球中，X坐標(biāo)值、Y坐標(biāo)值這兩個值產(chǎn)生變化。若在各芯片邊上的第1個金屬球上，分別設(shè)定第二局部坐標(biāo)系，則X坐標(biāo)值及Y坐標(biāo)值中的任一個值一直為零，因此，變得容易指定坐標(biāo)值。因與第二局部坐標(biāo)系相距的距離相對較近，故也不容易產(chǎn)生圓標(biāo)尺顯示的誤差。

因此，較理想為在每一邊上對于金屬球600設(shè)定第二局部坐標(biāo)系530。

而且，該第二局部坐標(biāo)系530的設(shè)定是通過測定程序，基于各芯片邊的第1個金屬球的測定結(jié)果(金屬球位置)，自動地設(shè)定。

在顯示測定各芯片邊的第1個金屬球的圓標(biāo)尺之前，部分地執(zhí)行測定程序后，在金屬球上將圓標(biāo)尺的位置進行微調(diào)，且在微調(diào)后，重新保存測定程序。該作業(yè)在進入實測之前，可僅進行1次，即便多次進行半導(dǎo)體裝置(相同品種)的接合線測定，圓標(biāo)尺仍可正確地在金屬球上顯示。

接著，在圖5的步驟S230中，設(shè)定球體壓扁直徑、引線環(huán)高度測定的基準(zhǔn)點。

如圖11所示，對于未配置金屬球600的金屬墊605上的點測定高度，且設(shè)定為基準(zhǔn)點。圖11是作為具體例，在光標(biāo)460的點上使用激光使焦點聚焦，測定該高度。

而且，如圖12所示，存在金屬球600與金屬墊605大體上重疊的情形。在此情形時，在金屬墊605的周邊，測定半導(dǎo)體芯片100a的表面上的高度。半導(dǎo)體芯片100a的表面是由保護電路圖案的聚酰亞胺膜(未圖示)所覆蓋。而且，聚酰亞胺膜為半透明。此 處，存在測定值在實驗中獲得比實際高度高出半透明膜的厚度的大體上1/2左右的值的情形。即，如果將測定所得的高度值減去半透明膜的厚度的1/2的高度，則可獲得大體上正確的高度。

此處，獲得測定值為高出聚酰亞胺膜的厚度的大體上1/2左右的值的原因例如為如下所述。

當(dāng)使用激光使焦點聚焦時，可考慮激光在聚酰亞胺膜的表面被反射的情形、在聚酰亞胺膜的中途被反射的情形、及在聚酰亞胺膜的下層的電路圖案的上表面被反射的情形。此處，電路圖案的上表面位于與金屬墊605的表面大致相同的高度。而且，可設(shè)想所述3個情形以大致相同的概率發(fā)生。所以，測定值若加以平均則呈現(xiàn)比實際的金屬墊605高出聚酰亞胺膜的厚度的1/2左右的值。

另外，此處，設(shè)想聚酰亞胺膜比電路圖案厚數(shù)倍而達到數(shù)um，從而可忽視電路圖案自身的厚度的情形。3維存儲器等電路圖案較厚的情形時等，測定值并非必然厚達聚酰亞胺膜的1/2左右。

接著，在圖5的步驟S240中，對金屬球600，測定球體壓扁直徑、球形位置。

使用圖13及圖14，對球體壓扁直徑、球形位置的測定方法進行說明。圖14是被測定對象的金屬球600的示意性剖視圖。首先，如圖14所示，將金屬球600的Z方向的長度即h1稱作金屬球600的壓扁厚度h1。將球體壓扁厚度上的1/2的長度即h2稱作金屬球600的球體壓扁直徑測定高度h2。而且，將球體壓扁直徑高度h2上的金屬球600的直徑稱作球體壓扁直徑w1。

球體壓扁厚度h1既可利用激光實測，也可以預(yù)先在測定程序內(nèi)作為特定值而設(shè)定。而且，根據(jù)球體壓扁厚度h1運算球體壓扁直徑測定高度h2。

如圖13所示，在使攝像機40的焦點在球體壓扁直徑高度h2聚焦之后，使用圓標(biāo)尺470，測定球體壓扁直徑w1的長度。

而且，圖13中一邊測定球體壓扁直徑w1，一邊測定金屬球600的位置。

接著，在圖5的步驟S250中，對于接合線150的引線部分610，設(shè)定第三局部坐標(biāo)系540。

圖15(A)及圖15(B)分別為圖6的區(qū)域A2及A3的放大圖。即，圖15(A)及圖15(B)分別為相對于引線部分610而言金屬球600及接合位置630的附近的放大圖。另外，接合位置630是例如引線部分610針腳式接合于基板110上的電極620的接合位置。接合位置630例如可通過使用自引線接合的坐標(biāo)數(shù)據(jù)文件中所提取的值、或使用該值計算所得的值而求出。

接著，沿著將連接于被測定對象的引線部分610的金屬球600及接合位置630連結(jié)而成的直線，設(shè)定第三局部坐標(biāo)系540。第三局部坐標(biāo)系540是配置在半導(dǎo)體芯片100a的邊緣與引線部分610重疊的位置。

接著，在圖5的步驟S260中，對于引線部分610，沿著第三局部坐標(biāo)系540，測定引線部分610的高度。

如圖16(A)所示，在第三局部坐標(biāo)系540的原點，控制器70使用高度測定標(biāo)尺480a，測定接合線高度。此處，所謂測定標(biāo)尺480a是用以搜尋對于檢測存在于圖像中的被測定對象的邊緣且使用最小平方法等對于預(yù)先保存的測定對象圖像(此處為具有2條大致并排直線的測定對象)測定聚焦高度的程序模塊的測定對稱圖像的光標(biāo)圖像。即，控制器70測定半導(dǎo)體芯片100a的邊緣部中的引線部分610的高度。另外，將該引線部分610的高度與環(huán)邊緣高度一同地讀取。

如圖16(A)所示，控制器70是沿著第三局部坐標(biāo)系540，以設(shè)想接合線取最高值的點為中心，在金屬球方向、接合位置630方向上，逐一多處地進行測定，且將其中的最大值設(shè)為環(huán)高度。

在圖16中，作為一例，表示有以4點測定接合線的高度之例。當(dāng)然，也可以多于或少于4點地測定接合線的高度。

另外，接合線取最高值的點可根據(jù)正接合/逆接合、引線鍵合機的接合環(huán)模式等大體上進行推定。

控制器70是例如以下所述地測定被對象物、即引線部分610的高度。即，控制器70使攝像機40的鏡頭上下地移動，在高度標(biāo)尺480a～480d的內(nèi)部使焦點聚焦于被對象物、即引線部分610?？刂破?0計算圖11等中所求得的金屬墊的高度與以高度標(biāo)尺所求得的接合線高度之差。

此處，在測定引線部分610的高度時，較理想為攝像機40所拍攝的接合線上端的圖像數(shù)據(jù)的反差較大。即，若反差較小，則攝像機40難以在接合線上端使焦點聚焦，從而可能成為引線部分610的高度測定的誤差原因。

其次說明可將該反差更強化的構(gòu)成。圖16(B)是示意性表示頭部20的攝像機40的一部分的剖視圖。在攝像機40中所含的鏡頭720的周圍配置環(huán)形燈700。

接著，在測定引線部分610的高度時，環(huán)形燈700僅其一部分點亮。例如，環(huán)形燈700是環(huán)狀的光源，且其一半點亮。那么，光將自單向觸及引線部分610，故引線部分610的明暗度被強化。即，控制器70可容易地使攝像機40的焦點聚焦于引線部分610。

而且，有時因引線部分610的朝向或材質(zhì)，相較環(huán)形燈700配置在鏡頭720的更上 方的燈泡照明710將引線部分610的明暗度強化。在此情形時，也可以不使用環(huán)形燈700而使用燈泡照明710，照明接合線。

在引線部分610的粗度充分的時候，也可以使用激光位移計(激光測距計)等，直接地測定引線部分610的高度。

接著，按照圖5的步驟S260，控制器70將以上的測定數(shù)據(jù)輸出至文本文件等。

進而，按照圖5的流程，將測定所需的引線部分610的條數(shù)，進行步驟S230～步驟S270的處理，由此，測定所需的引線部分610的高度，且將測定結(jié)果輸出。

另外，以對于1個半導(dǎo)體芯片100a的測定過程為例進行了說明，但半導(dǎo)體芯片100a也可以多段層壓。即，當(dāng)在基板110上，配置有多個半導(dǎo)體芯片100的情形時，可通過對各個半導(dǎo)體芯片100，反復(fù)進行所述過程，而測定多個半導(dǎo)體芯片100的引線部分610的高度。

根據(jù)本實施方式，基于金屬球600與接合位置630，在所述引線部分610設(shè)定第三局部坐標(biāo)系540。接著，基于第三局部坐標(biāo)系540，測定引線部分610的高度。

引線部分610存在以各種斜率配置的情形。第三局部坐標(biāo)系540是基于金屬球600及接合位置630而配置，所以，可容易地配置圖16所示的高度測定標(biāo)尺480。

而且，根據(jù)本實施方式，可通過使用測定程序創(chuàng)建宏，而簡單地創(chuàng)建需要消耗大量工時進行創(chuàng)建的測定程序。進而，可通過將該測定程序讀入至測定裝置10，而自動地測定引線部分610的高度。

即，將測定裝置10設(shè)置在基板110后，對于大量的樣品，幾乎無需花費人工，便可自動地進行測定。進而，可通過實現(xiàn)測定作業(yè)省力化，且增加測定樣品數(shù)増，而更有效地進行不良品的檢測。

對本發(fā)明的實施方式進行了說明，但本實施方式是作為例示而提示，并非意在限定發(fā)明的范圍。該新穎的實施方式可利用其它各種方式而實施，且可在不脫離發(fā)明精神的范圍內(nèi)，進行各種省略、置換、變更。本實施方式或其變化包含于發(fā)明的范圍或主旨中，并且包含于專利申請的范圍中記載的發(fā)明及其均等的范圍中。

[符號的說明]

10 測定裝置

20 頭部

30 第一驅(qū)動部

40 攝像機

50 載置臺

60 第二驅(qū)動部

70 控制器

80 顯示部

100 半導(dǎo)體芯片

110 基板

120 步驟

150 接合線

400 對準(zhǔn)標(biāo)記

410 圓標(biāo)尺

420 長方形標(biāo)尺

430 檢索標(biāo)尺

440 圓標(biāo)尺

460 光標(biāo)

470 圓標(biāo)尺

480 測定標(biāo)尺

500 局部坐標(biāo)系

510 局部假設(shè)坐標(biāo)系

520 第一局部坐標(biāo)系

530 第二局部坐標(biāo)系

540 第二局部坐標(biāo)系

600 金屬球

605 金屬墊

610 引線部分

620 電極

630 接合位置

700 環(huán)形燈

710 燈泡照明

720 鏡頭