專利名稱：獲取缺陷圖像的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種獲取缺陷圖像的方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中，污染物和直觀缺陷檢測(cè)對(duì)于獲得高的良率和工藝 控制是非常重要的，尤其是在圖案化工藝之后對(duì)晶圓進(jìn)行下一步工藝處理之前。此時(shí)， 可利用相關(guān)檢測(cè)工具來(lái)檢查晶圓上是否有顆粒污染物或其它缺陷。傳統(tǒng)的缺陷檢測(cè)工具首先使用缺陷檢視工具對(duì)需要進(jìn)行缺陷檢測(cè)的晶圓進(jìn)行逐 行掃描，確定晶圓上芯片(晶圓上的重復(fù)圖形稱為芯片)的尺寸，檢查是否存在缺陷，并 確定缺陷相對(duì)于其所處芯片一個(gè)頂點(diǎn)的位置。通常該缺陷檢視工具會(huì)建立兩種坐標(biāo)系， 以兩個(gè)坐標(biāo)四個(gè)參數(shù)來(lái)表征缺陷。第一種坐標(biāo)系是以晶圓中心為原點(diǎn)，以平行于晶圓大 邊的方向?yàn)闄M軸，以垂直于晶圓大邊的方向?yàn)榭v軸。缺陷的第一個(gè)坐標(biāo)(a，b)以晶圓上 從原點(diǎn)開(kāi)始橫向的芯片個(gè)數(shù)a為橫坐標(biāo)，以從原點(diǎn)開(kāi)始縱向的芯片個(gè)數(shù)b為縱坐標(biāo)。第 二種坐標(biāo)系是以芯片的一個(gè)頂點(diǎn)(例如，最靠近晶圓中心的那個(gè)頂點(diǎn))為原點(diǎn)，以平行于 第一種坐標(biāo)系的橫軸的方向?yàn)闄M軸，以平行于第一種坐標(biāo)系的縱軸的方向?yàn)榭v軸。缺陷 的第二個(gè)坐標(biāo)(c，d)以缺陷位置相對(duì)于該坐標(biāo)系的原點(diǎn)的橫向距離c為橫坐標(biāo)，以缺陷 位置相對(duì)于該坐標(biāo)系的原點(diǎn)的縱向距離b為縱坐標(biāo)。例如，如果在晶圓上橫向第17個(gè)芯 片縱向第20個(gè)芯片上檢測(cè)到一缺陷，并檢測(cè)到該缺陷位置與該芯片最靠近晶圓中心的頂 點(diǎn)的距離為橫向2μιη縱向3μιη，則該缺陷由兩個(gè)坐標(biāo)四個(gè)參數(shù)來(lái)定位，即(17，20)和 (2，3)。檢測(cè)到缺陷的具體位置之后，需要抓取該缺陷的圖片，供工作人員對(duì)該缺陷進(jìn) 行分析，以便確定該缺陷是在哪個(gè)工藝步驟中引入及其引入原因，并針對(duì)該原因解決可 能造成該缺陷的操作。從而，提高半導(dǎo)體制造中的良率。在得到缺陷的具體位置之后，即得到缺陷的兩個(gè)坐標(biāo)之后，傳統(tǒng)缺陷檢測(cè)工具 抓取缺陷圖片的過(guò)程包括以下步驟首先，根據(jù)缺陷的第一個(gè)坐標(biāo)來(lái)定位缺陷第二個(gè)坐標(biāo)的原點(diǎn)。具體來(lái)說(shuō)，缺陷 檢測(cè)工具利用檢視工具對(duì)晶圓進(jìn)行掃描時(shí)確定的芯片尺寸(e，f)以及缺陷的第一個(gè)坐標(biāo) (a, b)，即缺陷所處芯片的坐標(biāo)，找到第二個(gè)坐標(biāo)的原點(diǎn)。例如，從晶圓中心算起橫 向eXa縱向fXb的位置為第二個(gè)坐標(biāo)的原點(diǎn)，即缺陷所在芯片最靠近晶圓中心的那個(gè)頂點(diǎn)。然后，根據(jù)缺陷的第二個(gè)坐標(biāo)來(lái)定位缺陷。具體地，缺陷檢測(cè)工具再?gòu)乃_定 的第二個(gè)坐標(biāo)的原點(diǎn)算起橫向C縱向d的位置定位缺陷，如圖1所示。最后，通過(guò)以一定放大率進(jìn)行相鄰芯片的灰度比較，確定缺陷的具體位置，放 大該缺陷，并抓取該缺陷的圖片。之所以要進(jìn)行灰度比較，原因在于，缺陷檢視工具對(duì)晶圓進(jìn)行掃描時(shí)確定的芯 片尺寸(e，f)可能會(huì)與實(shí)際的芯片尺寸有微小的誤差。這樣，根據(jù)這種芯片尺寸以及缺陷的第一個(gè)坐標(biāo)(a，b)確定第二個(gè)坐標(biāo)的原點(diǎn)時(shí)，誤差就會(huì)被放大。根據(jù)第二個(gè)坐標(biāo)的 原點(diǎn)定位缺陷時(shí)也就會(huì)有誤差，如圖1所示。從圖1可以看出，缺陷檢測(cè)工具定位的缺 陷位于該圖片的中心，但是由于誤差，該圖片的中心并不是缺陷的實(shí)際位置，缺陷的實(shí) 際位置在所定位的缺陷的右上方。因此在基于定位的缺陷放大以抓取缺陷圖像時(shí)就很可 能掃描不到缺陷，因而無(wú)法抓取缺 陷的圖片。因此需要與相鄰的芯片進(jìn)行灰度比較，進(jìn) 一步確定缺陷的具體位置，然后放大缺陷并抓取圖片，如圖2所示。隨著半導(dǎo)體集成電路的關(guān)鍵尺寸逐漸減小，需要進(jìn)行檢測(cè)的缺陷也越來(lái)越小。 在以一定的放大率進(jìn)行相鄰芯片的灰度比較時(shí)，由于缺陷太小，在該放大率之下缺陷的 灰度與相鄰芯片上該處沒(méi)有缺陷的位置的灰度基本相等，因此無(wú)法確定缺陷的具體位 置。在這種情況下，也就無(wú)法抓取到缺陷的圖片。如果增加放大率進(jìn)行相鄰芯片的灰度 比較，則可能由于誤差太大，使得在定位缺陷之后無(wú)法掃描到缺陷，在進(jìn)行灰度比較時(shí) 也就無(wú)法得到缺陷的具體位置。在這種情況下，需要人工找出缺陷，并抓取圖片。這樣的缺陷檢測(cè)準(zhǔn)確率低， 并且花費(fèi)的時(shí)間長(zhǎng)，使得產(chǎn)量降低。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種獲取缺陷圖像的方法，提高缺陷檢測(cè)的準(zhǔn)確率和產(chǎn)量。該方法包括利用缺陷檢視工具確定芯片尺寸、缺陷所處芯片以晶圓中心為原 點(diǎn)的坐標(biāo)和缺陷以所處芯片的頂點(diǎn)為原點(diǎn)的坐標(biāo)；修正所確定的芯片尺寸；根據(jù)修正后 的芯片尺寸、缺陷所處芯片以晶圓中心為原點(diǎn)的坐標(biāo)和缺陷以所處芯片的頂點(diǎn)為原點(diǎn)的 坐標(biāo)，確定缺陷的具體位置并抓取缺陷的圖像。優(yōu)選地，所述修正所確定的芯片尺寸包括利用所確定的芯片尺寸以及以晶圓 中心為原點(diǎn)的任意坐標(biāo)，確定該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)；根據(jù)所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片 頂點(diǎn)與實(shí)際的最接近芯片的相應(yīng)頂點(diǎn)之間的距離，修正所確定的芯片尺寸。其中，所述根據(jù)所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)與實(shí)際的最接近芯片的相應(yīng)頂 點(diǎn)之間的距離來(lái)修正所確定的芯片尺寸包括判斷所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)是否 是實(shí)際的芯片頂點(diǎn)；在所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)不是實(shí)際的芯片頂點(diǎn)的情況下， 在所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)附近尋找最接近芯片的相應(yīng)頂點(diǎn)，并記錄找到的芯片 的相應(yīng)頂點(diǎn)與所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)之間的距離；利用所確定距離以及該坐標(biāo) 得到芯片尺寸誤差，根據(jù)該芯片尺寸誤差修正所確定的芯片尺寸。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，也可以使用多個(gè)坐標(biāo)來(lái)修正所確定的芯片尺寸。在 這種情況下，所述芯片尺寸誤差是使用多個(gè)坐標(biāo)獲得的芯片尺寸誤差的平均值。優(yōu)選地，該坐標(biāo)的橫坐標(biāo)是從晶圓中心算起芯片的橫向個(gè)數(shù)，縱坐標(biāo)是從晶圓 中心算起芯片的縱向個(gè)數(shù)；則所述利用所確定的距離以及該坐標(biāo)得到芯片尺寸誤差是 由所確定的距離的橫向分量除以所述橫坐標(biāo)得到橫向的芯片尺寸誤差，由所確定的距離 的縱向分量除以所述縱坐標(biāo)得到縱向的芯片尺寸誤差。如果所確定的芯片尺寸包括芯片的長(zhǎng)度和寬度；則所述根據(jù)該芯片尺寸誤差修 正所確定的芯片尺寸包括在所述長(zhǎng)度上加上或減去所述橫向的芯片尺寸誤差得到修正后的長(zhǎng)度，在所述寬度上加上或減去所述縱向的芯片尺寸誤差得到修正后的寬度。具體來(lái)說(shuō)，所述判斷所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)是否是實(shí)際的芯片頂點(diǎn)包括以所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)為頂點(diǎn)，以所確定的芯片尺寸的范圍獲取圖像； 判斷該圖像是否與預(yù)先存儲(chǔ)的芯片的圖像相匹配；不匹配，則判定所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng) 的芯片頂點(diǎn)不是實(shí)際的芯片頂點(diǎn)。其中，在該芯片附近尋找最接近芯片的相應(yīng)頂點(diǎn)包括在該芯片的附近尋找最 近的與預(yù)先存儲(chǔ)的芯片圖像一致的圖像；將找到的圖像的相應(yīng)頂點(diǎn)作為最接近芯片的相 應(yīng)頂點(diǎn)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，在利用缺陷檢視工具確定芯片尺 寸、缺陷所處芯片以晶圓中心為原點(diǎn)的坐標(biāo)和缺陷以所處芯片的頂點(diǎn)為原點(diǎn)的坐標(biāo)之 后，首先修正所確定的芯片尺寸，然后根據(jù)修正后的芯片尺寸、缺陷所處芯片以晶圓中 心為原點(diǎn)的坐標(biāo)和缺陷以所處芯片的頂點(diǎn)為原點(diǎn)的坐標(biāo)，確定缺陷的具體位置并抓取缺 陷的圖像。因此，本發(fā)明的技術(shù)方案在檢視工具確定的芯片尺寸存在誤差的情況下，也 能準(zhǔn)確地找到缺陷，并抓取缺陷的圖像，而不需要人參與，從而提高了缺陷檢測(cè)的準(zhǔn)確 率和產(chǎn)量。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中定位缺陷的示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中抓取缺陷圖像的示意圖；圖3為本發(fā)明的修正芯片尺寸的方法流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明提供的獲取缺陷圖像的方法，在利用缺陷檢視工具確定芯片尺寸、缺陷 所處芯片以晶圓中心為原點(diǎn)的坐標(biāo)和缺陷以所處芯片的頂點(diǎn)為原點(diǎn)的坐標(biāo)之后，修正所 確定的芯片尺寸，然后根據(jù)修正后的芯片尺寸、缺陷所處芯片以晶圓中心為原點(diǎn)的坐標(biāo) 和缺陷以所處芯片的頂點(diǎn)為原點(diǎn)的坐標(biāo)，確定缺陷的具體位置并抓取缺陷的圖像。其中，利用缺陷檢視工具確定芯片缺陷所處芯片以晶圓中心為原點(diǎn)的坐標(biāo)和缺 陷以所處芯片的頂點(diǎn)為原點(diǎn)的坐標(biāo)為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。以下參考附圖詳細(xì)描述 本發(fā)明中修正所確定的芯片尺寸的方法。本發(fā)明的技術(shù)方案中，建立坐標(biāo)系的方式與現(xiàn) 有技術(shù)相同，即建立兩種坐標(biāo)系，第一種以晶圓中心為原點(diǎn)，第二種坐標(biāo)系以芯片最接 近晶圓中心的頂點(diǎn)為原點(diǎn)。圖3為本發(fā)明的修正芯片尺寸的方法流程圖。如圖3所示，該方法包括以下步 驟步驟300:利用所確定的芯片尺寸以及以晶圓中心為原點(diǎn)的任意坐標(biāo)，確定該 坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)。例如，假設(shè)所確定的芯片尺寸為(e，f)，以晶圓中心為原點(diǎn)的坐標(biāo)為(a，b)， 即從晶圓中心算起，橫向第a個(gè)縱向第b個(gè)芯片，則該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)位于(eXa， fXb)處。確定該點(diǎn)之后，缺陷檢測(cè)工具聚焦于該點(diǎn)。
確定坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)之后，根據(jù)該芯片頂點(diǎn)與實(shí)際的最接近芯片的相應(yīng)頂 點(diǎn)之間的距離，修正所確定的芯片尺寸，具體包括步 驟301 判斷所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)是否是實(shí)際的芯片頂點(diǎn)。具體來(lái)說(shuō)，缺陷檢測(cè)工具以所確定的芯片頂點(diǎn)為頂點(diǎn)，以所確定的芯片尺寸的 范圍獲取圖像，然后判斷該圖像是否與預(yù)先存儲(chǔ)的芯片的圖像相匹配；如果不匹配，則 判定所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)不是實(shí)際的芯片頂點(diǎn)。步驟302:在所確定的芯片頂點(diǎn)不是實(shí)際的芯片頂點(diǎn)的情況下，在所確定的頂 點(diǎn)附近尋找最接近芯片的相應(yīng)頂點(diǎn)。具體來(lái)說(shuō)，缺陷檢測(cè)工具在該芯片頂點(diǎn)的附近尋找最近的與預(yù)先存儲(chǔ)的芯片圖 像一致的圖像；將找到的圖像的相應(yīng)頂點(diǎn)作為最接近芯片的相應(yīng)頂點(diǎn)。步驟303 記錄找到的芯片的相應(yīng)頂點(diǎn)與所確定的芯片頂點(diǎn)之間的距離。例如，該距離的橫向分量和縱向分量分別為g和h。步驟304:利用所確定的距離以及該坐標(biāo)得到芯片尺寸誤差，根據(jù)該誤差修正 所確定的芯片尺寸。如果步驟300中所選擇的坐標(biāo)的橫坐標(biāo)是從晶圓中心算起芯片的橫向個(gè)數(shù)，縱 坐標(biāo)是從晶圓中心算起芯片的縱向個(gè)數(shù)，則本步驟中，芯片尺寸誤差為(g+a，h+b)， 由所確定的芯片尺寸加上或減去芯片尺寸誤差，得到修正后的芯片尺寸(e士g+a，
f 士 h+b)。如果在附近找到的最接近芯片的相應(yīng)頂點(diǎn)比所使用的坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)更接 近第一種坐標(biāo)系的橫坐標(biāo)或縱坐標(biāo)，則在所確定的芯片尺寸e/f的基礎(chǔ)上減去芯片尺寸誤 差，反之則在所述確定的芯片尺寸e/f的基礎(chǔ)上加上芯片尺寸誤差。實(shí)際應(yīng)用中也可以使用多個(gè)坐標(biāo)來(lái)修正所確定的芯片尺寸，則需要對(duì)使用多個(gè) 坐標(biāo)得到的芯片尺寸誤差進(jìn)行平均，利用該平均值來(lái)修正芯片尺寸。在其它實(shí)施例中，也可以使用芯片的其它頂點(diǎn)作為第二種坐標(biāo)系的原點(diǎn)，只 是在確定坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)以及在確定芯片尺寸誤差時(shí)需要考慮與上述技術(shù)方案的 原點(diǎn)差異。例如，以遠(yuǎn)離晶圓中心的芯片頂點(diǎn)為第二種坐標(biāo)系的原點(diǎn)時(shí)，步驟300中 坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)應(yīng)當(dāng)是(eX(a+l)，fX(b+l))，芯片尺寸誤差應(yīng)當(dāng)為(g+(a+1)， h+(b+l))。由以上所述可以看出，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，在利用缺陷檢視工具確定芯 片尺寸、缺陷所處芯片以晶圓中心為原點(diǎn)的坐標(biāo)和缺陷以所處芯片的頂點(diǎn)為原點(diǎn)的坐標(biāo) 之后，首先修正所確定的芯片尺寸，然后根據(jù)修正后的芯片尺寸、缺陷所處芯片以晶圓 中心為原點(diǎn)的坐標(biāo)和缺陷以所處芯片的頂點(diǎn)為原點(diǎn)的坐標(biāo)，確定缺陷的具體位置并抓取 缺陷的圖像。因此，本發(fā)明的技術(shù)方案在檢視工具確定的芯片尺寸存在誤差的情況下， 也能準(zhǔn)確地找到缺陷，并抓取缺陷的圖像，而不需要人參與，從而提高了缺陷檢測(cè)的準(zhǔn) 確率和產(chǎn)量。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡 在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種獲取缺陷圖像的方法，包括利用缺陷檢視工具確定芯片尺寸、缺陷所處芯片以晶圓中心為原點(diǎn)的坐標(biāo)和缺陷以 所處芯片的頂點(diǎn)為原點(diǎn)的坐標(biāo)；修正所確定的芯片尺寸；根據(jù)修正后的芯片尺寸、缺陷所處芯片以晶圓中心為原點(diǎn)的坐標(biāo)和缺陷以所處芯片 的頂點(diǎn)為原點(diǎn)的坐標(biāo)，確定缺陷的具體位置并抓取缺陷的圖像。
2.如權(quán)利要求1所述的獲取缺陷圖像的方法，其特征在于，所述修正所確定的芯片尺 寸包括 利用所確定的芯片尺寸以及以晶圓中心為原點(diǎn)的任意坐標(biāo)，確定該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片 頂點(diǎn)；根據(jù)所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)與實(shí)際的最接近芯片的相應(yīng)頂點(diǎn)之間的距離， 修正所確定的芯片尺寸。
3.如權(quán)利要求2所述的獲取缺陷圖像的方法，其特征在于，所述根據(jù)所確定的該坐標(biāo) 對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)與實(shí)際的最接近芯片的相應(yīng)頂點(diǎn)之間的距離來(lái)修正所確定的芯片尺寸包 括判斷所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)是否是實(shí)際的芯片頂點(diǎn)；在所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)不是實(shí)際的芯片頂點(diǎn)的情況下，在所確定的該坐 標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)附近尋找最接近芯片的相應(yīng)頂點(diǎn)，并記錄找到的芯片的相應(yīng)頂點(diǎn)與所 確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)之間的距離；利用所確定的距離以及該坐標(biāo)得到芯片尺寸誤差，根據(jù)該芯片尺寸誤差修正所確定 的芯片尺寸。
4.如權(quán)利要求3所述的獲取缺陷圖像的方法，其特征在于，使用多個(gè)坐標(biāo)來(lái)修正所確 定的芯片尺寸；所述芯片尺寸誤差是使用多個(gè)坐標(biāo)獲得的芯片尺寸誤差的平均值。
5.如權(quán)利要求3或4所述的獲取缺陷圖像的方法，其特征在于，該坐標(biāo)的橫坐標(biāo)是從 晶圓中心算起芯片的橫向個(gè)數(shù)，縱坐標(biāo)是從晶圓中心算起芯片的縱向個(gè)數(shù)；所述利用所確定的距離以及該坐標(biāo)得到芯片尺寸誤差是由所確定的距離的橫向分 量除以所述橫坐標(biāo)得到橫向的芯片尺寸誤差，由所確定的距離的縱向分量除以所述縱坐 標(biāo)得到縱向的芯片尺寸誤差。
6.如權(quán)利要求5所述的獲取缺陷圖像的方法，其特征在于，所確定的芯片尺寸包括芯 片的長(zhǎng)度和寬度；所述根據(jù)該芯片尺寸誤差修正所確定的芯片尺寸包括在所述長(zhǎng)度上加上或減去所 述橫向的芯片尺寸誤差得到修正后的長(zhǎng)度，在所述寬度上加上或減去所述縱向的芯片尺 寸誤差得到修正后的寬度。
7.如權(quán)利要求3或4所述的獲取缺陷圖像的方法，其特征在于，所述判斷所確定的該 坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)是否是實(shí)際的芯片頂點(diǎn)包括以所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)為頂點(diǎn)，以所確定的芯片尺寸的范圍獲取圖像；判斷該圖像是否與預(yù)先存儲(chǔ)的芯片的圖像相匹配；不匹配，則判定所確定的該坐標(biāo)對(duì)應(yīng)的芯片頂點(diǎn)不是實(shí)際的芯片頂點(diǎn)。
8.如權(quán)利要求7所述的獲取缺陷圖像的方法，其特征在于，所述在該芯片附近尋找最 接近芯片的相應(yīng)頂點(diǎn)包括在該芯片的附近尋找最近的與預(yù)先存儲(chǔ)的芯片圖像一致的圖像； 將找到的圖像的相應(yīng)頂點(diǎn)作為最接近芯片的相應(yīng)頂點(diǎn)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種獲取缺陷圖像的方法，該方法在利用缺陷檢視工具確定芯片尺寸、缺陷所處芯片以晶圓中心為原點(diǎn)的坐標(biāo)和缺陷以所處芯片的頂點(diǎn)為原點(diǎn)的坐標(biāo)之后，首先修正所確定的芯片尺寸，然后根據(jù)修正后的芯片尺寸、缺陷所處芯片以晶圓中心為原點(diǎn)的坐標(biāo)和缺陷以所處芯片的頂點(diǎn)為原點(diǎn)的坐標(biāo)，確定缺陷的具體位置并抓取缺陷的圖像。因此，本發(fā)明的技術(shù)方案在檢視工具確定的芯片尺寸存在誤差的情況下，也能準(zhǔn)確地找到缺陷，并抓取缺陷的圖像，而不需要人參與，從而提高了缺陷檢測(cè)的準(zhǔn)確率和產(chǎn)量。
文檔編號(hào)G01N21/88GK102023161SQ20091019540
公開(kāi)日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月9日
發(fā)明者楊震濤, 黃輝 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司