專利名稱：探測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使探測器與被檢查體的電極墊電接觸，測定該被檢查 體的電特性的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在半導體晶片(以下稱為晶片)上形成了IC芯片以后，為了調(diào)査 該IC芯片的電特性，在晶片的狀態(tài)下進行由探測裝置實施的探測試驗。如果簡單地說明該探測裝置中的晶片的流程，則首先利用搬送機構(gòu)從 收容有多個晶片的載體取出晶片，對該晶片進行稱為預對準工序的定位工序以及稱為OCR工序的取得在晶片上形成的例如ID等的工序。 然后，將晶片搬入到探測裝置本體內(nèi)，將該晶片載置在沿著X、 Y、 Z 方向移動自由且圍繞Z軸旋轉(zhuǎn)自由的晶片卡盤上，例如利用設置在晶 片卡盤上的下照相機和以與該晶片卡盤相對的方式設置在探測裝置本 體上方的上照相機，分別對例如形成在晶片上的電極墊和設置在晶片 卡盤上方的探測卡的探測器進行攝像，進行使該電極墊與探測器的位 置正確一致的精密對準工序。然后，使探測器例如探針與晶片的IC芯 片的電極墊接觸，通過從該探針向電極墊供給規(guī)定的電信號，進行上 述電特性的檢査。該電特性的檢查例如為了進行不同的內(nèi)容而需要很長時間。因此， 為了提高生產(chǎn)率，優(yōu)選盡量減少探測裝置本體的待機時間(沒有進行 檢查的時間)。因此，在上述搬送機構(gòu)中，獨立地進退自由地設置有用 于從載體將未檢査的晶片取出并搬入到探測裝置本體內(nèi)的搬入臂、和 用于從探測裝置本體內(nèi)取出檢査完畢的晶片并送回到載體的搬出臂， 在晶片的檢查過程中從載體取出未檢査的晶片，對于該晶片預先進行 上述的預對準工序或者OCR工序，在從探測裝置本體取出檢査完畢的 晶片以后，立即將未檢査的晶片搬入到探測裝置本體內(nèi)，由此能盡可 能縮短進行晶片交換時的探測裝置本體的待機時間。另外，在這樣的探測裝置中，為了減少裝置的設置面積(占地面 積)，己知有例如對于1臺搬送機構(gòu)設置多臺例如2臺探測裝置本體， 對于該2臺探測裝置本體，由1臺共同的搬送機構(gòu)搬送晶片的裝置。 具體而言，例如，如果說明例如在2臺探測裝置本體內(nèi)分別已經(jīng)進行 晶片檢查的例子，則例如從載體取出1個晶片，在對該晶片進行上述預對準工序以及OCR工序以后，將該晶片與例如一個探測裝置本體內(nèi)的檢査完畢的晶片進行交換。接著，在將檢查完畢的晶片送回到載體的同時，取出未檢查的晶片，同樣進行預對準工序和OCR工序，將該 晶片例如與另一個探測裝置本體內(nèi)的檢查完畢的晶片進行交換。在這 種結(jié)構(gòu)的探測裝置中，由于對于2臺探測裝置本體用1臺共同的搬送 機構(gòu)搬送晶片，因此能減小1臺份的搬送機構(gòu)的設置空間，從而能減 小探測裝置的設置面積。但是，在交換上述一個探測裝置本體內(nèi)的晶片以后直到交換另一 個探測裝置本體的晶片之前，由于需要進行對于載體的訪問或者上述 預對準工序或者OCR工序，因此需要很長時間。因此，例如在一個探 測裝置本體中檢查結(jié)束，進行該一個探測裝置本體內(nèi)的晶片的替換時， 在另一個探測裝置本體中檢査也結(jié)束的情況下，然后在直到交換該另 一個探測裝置本體的晶片的長時間內(nèi)，該另一個探測裝置本體處于待 機狀態(tài)，使得生產(chǎn)率降低。另一方面，已知在各個臂上設置驅(qū)動機構(gòu)，使得上述搬入臂和搬 出臂能分別獨立地移動，分別通過不同的臂進行晶片向載體的搬入搬 出和晶片向探測裝置本體的搬入搬出的方法。具體而言，搬出臂從載 體取出晶片，從該搬出臂向搬入臂轉(zhuǎn)移晶片，然后利用搬入臂將晶片 搬入到探測裝置本體內(nèi)。因此，由于在搬入臂訪問探測裝置本體的期 間搬出臂能從載體取出下一個晶片，因此晶片的搬送時間縮短，進而 探測裝置本體的待機時間縮短。但是，在這樣的結(jié)構(gòu)中，由于如上述 那樣需要在搬入臂和搬出臂中分別設置驅(qū)動機構(gòu)，因此探測裝置的成 本升高，另外臂的動作順序變得復雜。在專利文獻1中，記載了具備多個臂的基板搬送部，但是并沒有 討論上述探測裝置中的具體的臂的動作順序等。另外，在進行上述的精密對準時需要在探測裝置本體內(nèi)確保晶片卡盤的移動區(qū)域，但隨著晶片口徑增大，其移動區(qū)域也擴展，不可避 免地使裝置體積增大。進而，如果晶片卡盤的移動區(qū)域擴展，則其移 動時間也加長，對準所需要的時間也加長。另外，另一方面，從提高 生產(chǎn)率的要求出發(fā)，下了很多的工夫，構(gòu)成裝載部使得能搬入多個載 體，或者對于多個檢查部共用裝載部等，但是如果追求高生產(chǎn)率則裝置的占有面積增大這樣的折衷(tradeoff)關(guān)系也浮現(xiàn)出來?，F(xiàn)有作為以高生產(chǎn)率為目標的探測裝置，已知專利文獻2記載的 裝置。該裝置為在裝載部的兩側(cè)連接有包括晶片卡盤和探測卡等2臺 檢查部的結(jié)構(gòu)。然而由于檢査部自身沒有在小型化方面下功夫，因此 通過在裝載部的兩側(cè)設置檢査部而使裝置的占有面積增大，另外還由 于設置有在與搬入到裝載部的載體之間進行晶片轉(zhuǎn)移的沿裝載部的長 度方向進退自由的鑷子和在該鑷子與左右的檢査部之間分別進行晶片 轉(zhuǎn)移的2臺搖臂，因此難以說晶片的搬送效率高，另外，由于必須確 保這些搖臂的移動軌跡，因此不能解決裝置整體小型化的課題。專利文獻1特開2001-250767號公報:段落0031'第6圖專利文獻2特公平6-66365號公報第1圖發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是在這種情況下完成的，其目的在于提供一種通過提高晶 片的搬送效率來提高生產(chǎn)率，并且實現(xiàn)裝置的小型化以及通過該小型 化能夠得到高生產(chǎn)率的探測裝置。本發(fā)明的探測裝置，將排列有多個被檢査芯片的基板載置到沿著 水平方向以及鉛垂方向能夠移動的基板載置臺上，使上述被檢查芯片 的電極墊接觸探測卡的探測器，進行被檢查芯片的檢査，其特征在于，包括載置收容有多個基板的載體的裝載口 ；具有在下面形成有探測器的探測卡的多個探測裝置本體；構(gòu)成為圍繞鉛垂軸旋轉(zhuǎn)自由以及升降自由，在上述裝載口與上述 探測裝置本體之間進行上述基板的轉(zhuǎn)移的基板搬送機構(gòu)；和對上述探測裝置本體以及上述基板搬送機構(gòu)輸出控制信號的控制 部，其中，上述基板搬送機構(gòu)具備相互獨立地進退自由的至少3個基板保持 部件，上述控制部輸出控制信號，使得通過上述基板搬送機構(gòu)從載體接 收至少2個基板，利用空的基板保持部件將這些至少2個基板與多個 探測裝置本體內(nèi)的檢査完畢的基板依次交換。上述基板搬送機構(gòu)為了進行基板的定位，也可以具備由使從上述 基板保持部件接收的基板旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)部和在包括上述旋轉(zhuǎn)部上的基板 周邊部的區(qū)域照射光，接受通過該區(qū)域的光的檢測部構(gòu)成的預對準機 構(gòu)。本發(fā)明在具備載置收容有多個基板的載體的裝載口；具有在下 面形成有探測器的探測卡的多個探測裝置本體；和用于在上述裝載口 與上述探測裝置本體之間進行基板轉(zhuǎn)移的基板搬送機構(gòu)的探測裝置 中，在上述基板搬送機構(gòu)上設置有相互獨立地進退自由的至少3個基 板保持部件。而且，由于通過基板搬送機構(gòu)從載體接收至少2個基板， 因此能利用空的基板保持部件將這些至少2個基板與多個探測裝置本 體內(nèi)的檢查完畢的基板依次交換。從而，由于能減少探測裝置本體的 待機時間，因此能夠提高生產(chǎn)率。


圖1是表示本發(fā)明第1實施方式中的探測裝置的一個例子的整體的概觀立體圖。圖2是表示上述探測裝置的一個例子的概略平面圖。圖3是表示上述探測裝置的一個例子的縱截面圖。圖4是表示上述探測裝置中的裝載口的一個例子的立體圖。圖5是表示上述探測裝置中的晶片搬送機構(gòu)的一個例子的概略圖。圖6是表示上述探測裝置中的檢查部的一個例子的立體圖。圖7是表示上述檢査部的一個例子的概略圖。圖8是表示上述檢查部中的對準橋的位置的平面圖。圖9是表示上述檢查部中的晶片卡盤的移動沖程的一個例子的概略圖。圖IO是表示上述探測裝置的作用的一個例子的平面圖。圖11是表示上述探測裝置的作用的一個例子的平面圖。 圖12是表示上述探測裝置的作用的一個例子的平面圖。 圖13是表示上述探測裝置的作用的一個例子的平面圖。圖14是表示通過第2攝像單元對晶片上的特定點進行攝像時的晶片卡盤的移動范圍的平面圖。圖15是表示使用了現(xiàn)有的多次接觸(contact)用探測卡時的晶片卡盤的移動沖程的概略圖。圖16是表示第1實施方式的變形例中的探測裝置的縱截面圖。圖17是表示上述變形例中的晶片搬送機構(gòu)的概略圖。圖18是表示上述變形例中的探測裝置的作用的平面圖。圖19是表示上述檢査部中的探測卡的交換機構(gòu)的一個例子的探測卡的側(cè)視圖。圖20是表示上述探測卡的交換機構(gòu)的一個例子的探測卡的側(cè)視圖。圖21是表示上述探測卡的交換機構(gòu)的一個例子的探測卡的側(cè)視圖。圖22是表示現(xiàn)有的探測卡的交換機構(gòu)的一個例子的探測卡的側(cè)視圖。圖23是表示上述探測裝置的其它結(jié)構(gòu)例的平面圖。圖24是表示上述探測裝置的其它結(jié)構(gòu)例的平面圖。圖25是表示上述探測裝置的布局的一個例子的平面圖。圖26是表示上述探測裝置的布局的一個例子的平面圖。圖27是表示上述探測裝置的其它結(jié)構(gòu)例的平面圖。圖28是表示上述探測裝置的檢查部中的對準橋的位置的平面圖。圖29是表示上述探測裝置的其它結(jié)構(gòu)例的平面圖。圖30是表示上述探測裝置中的閘門(shutter)的一個例子的概略圖。圖31是表示上述檢查部的其它例子的概略圖。圖32是表示上述第1實施方式中的微型照相機的移動沖程的平面圖。圖33是表示上述其它結(jié)構(gòu)例中的微型照相機的移動沖程的平面圖。圖34是表示上述檢查部的其它例子的概略圖。圖35是表示交換上述探測裝置本體中的探測卡時的狀況的一個例 子的平面圖。圖36是表示由在上述實施方式中使用的晶片搬送機構(gòu)進行的晶片的搬送順序的說明圖。圖37是表示由在上述實施方式中使用的晶片搬送機構(gòu)進行的晶片 的搬送順序的說明圖。圖38是表示晶片搬送機構(gòu)具備2個臂時的晶片的搬送順序的說明圖。圖39是表示晶片搬送機構(gòu)具備2個臂時的晶片的搬送順序的說明圖。圖40是表示在上述實施方式中使用的控制部的結(jié)構(gòu)的一個例子的結(jié)構(gòu)圖。圖41是表示在控制部中使用的操作畫面的一部的例子的說明圖。 圖42是表示本發(fā)明實施方式涉及的對準橋的其它例子的平面圖。 圖43是表示使用上述對準橋時的晶片卡盤的移動狀況的說明圖。 圖44是表示使用上述對準橋時的X方向的晶片W的整體移動量 的說明圖。圖45是表示在對準橋上安裝有一個微型照相機時的X方向的晶片的整體移動量的說明圖。圖46是表示上述對準橋的微型照相機的使用方法的說明圖。 圖47是表示上述對準橋的微型照相機的使用方法的說明圖。 圖48是表示上述對準橋的微型照相機的使用方法的說明圖。 圖49是表示本發(fā)明實施例中的晶片搬送機構(gòu)的動作順序的一個例子的概略圖。圖50是按照時間序列排列表示在上述實施例中實際得到的晶片搬 送機構(gòu)的移動和處理等所需要的時間的概略圖。 符號的說明 1:裝載部2:探測裝置本體3:晶片搬送機構(gòu) 4A、 4B:晶片卡盤5A、 5B:對準橋 6A、 6B:探測卡10:搬送室11:第1裝載口12:第2裝載口21A、 21B:檢查部29:探針 30:臂3h上層臂32:中層臂 33:下段壁 36:卡盤部37、 38:光傳感器41:微型照相機 45:微型照相機具體實施方式
[第1實施方式]作為本發(fā)明第1實施方式的探測裝置，如圖1 圖3所示，具備用 于進行作為排列有多個被檢查芯片的基板的晶片W的轉(zhuǎn)移的裝載部1、 和對晶片W進行探測的探測裝置本體2。首先，簡單說明裝載部l以 及探測裝置本體2的整體的布局。裝載部1具備分別搬入作為收容有多個晶片W的搬送容器的第1 載體Cl以及第2載體C2的第1裝載口 11以及第2裝載口 12、和配 置在這些裝載口 11、 12之間的搬送室10。在第1裝載口 11以及第2 裝載口12上，以在Y方向相互隔開配置，第1裝載口C1以及第2裝 載口C2的轉(zhuǎn)移口 (前面的開口部)相互相對的方式，設置用于分別載 置這些載體C1、 C2的第1載置臺13以及第2載置臺14。另夕卜，在上 述搬送室10中，設置通過作為基板保持部件的臂30進行晶片W的搬送的晶片搬送機構(gòu)(基板搬送機構(gòu))3。探測裝置本體2具備以與裝載部1沿著X方向并列的方式鄰接配置于該裝載部l的，構(gòu)成探測裝置本體2的外裝部的筐體22。該筐體 22通過間隔壁20沿Y方向兩分割， 一個分割部以及另一個分割部別 相當于劃分形成第1檢查部21A以及第2檢査部21B的外裝體。第1檢査部21A具備作為基板載置臺的晶片卡盤4A、具有在該晶 片卡盤4A的上方區(qū)域沿著Y方向(連接裝載口 11、 12的方向)移動 的照相機的作為攝像單元的對準橋5A、設置在構(gòu)成筐體22的頂部的 頂板201的探測卡6A。關(guān)于第2檢查部21B也同樣構(gòu)成，具備晶片卡 盤4B、對準橋5B以及探測卡6B。其次，詳細敘述裝載部l。第l裝載口 11以及第2裝載口 12由于 構(gòu)成為相互對稱而且相同，因此圖4代表性地示出第1裝載口 11的構(gòu) 造。裝載部1如圖3以及圖4所示，通過間隔壁20a從上述搬送室10 隔開，在該間隔壁20a上設置閘門S和與該閘門S —起用于一體地開 閉第1載體Cl的轉(zhuǎn)移口的未圖示的開閉機構(gòu)。另外，第1載置臺13 構(gòu)成為利用設置在第1載置臺13下方側(cè)的未圖示的旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，能沿著 順時針以及逆時針方向分別各旋轉(zhuǎn)90度。艮P，該第1載置臺13構(gòu)成為例如如果從探測裝置的正面?zhèn)?圖中 的X方向右側(cè))，稱為FOUP (Front Opening Unified Pod:前開式晶片 盒)的密封型的載體C1，將前面的開口部朝向探測裝置側(cè)(X方向左 側(cè))，由潔凈室內(nèi)的未圖示的自動搬送車(AGV)載置到第1載置臺 13上，則該第1載置臺13順時針方向旋轉(zhuǎn)90度，使開口部與上述的 閘門S相對，另外同樣地，在從第1載置臺13搬出第1載體Cl時， 使第1載體Cl逆時針方向旋轉(zhuǎn)90度。通過使第1載體C1的開口部與閘門S側(cè)相對，利用已述的開閉機 構(gòu)20b—體地打開閘門S與第1載體C1的轉(zhuǎn)移口，使搬送室10與第 1載體C1內(nèi)連通，使晶片搬送機構(gòu)3相對于第1載體C1進退，由此 進行第1載體C1與晶片搬送機構(gòu)3之間的晶片W的轉(zhuǎn)移。晶片搬送機構(gòu)3，如圖5所示，具備搬送基臺35、使該搬送基臺 35在鉛垂軸周圍旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸3a、和使該旋轉(zhuǎn)軸3a升降的升降機構(gòu) 3b。在該搬送基臺35上進退自由地設置有頂端部被切開成矩形的3個臂30 (上層臂31、中層臂32、下層臂33)，各個臂30具有相互獨立 地進退，搬送晶片W的作用。旋轉(zhuǎn)軸3a的旋轉(zhuǎn)中心設定在第1載體 Cl與第2載體C2的中間，即，從第1載體C1或第2載體C2等距離 的位置。另外，晶片搬送機構(gòu)3構(gòu)成為能夠在用于在與第1載體Cl或 者第2載體C2之間轉(zhuǎn)移晶片W的上部位置，和用于在與第1檢査部 21A或第2檢査部21B之間轉(zhuǎn)移晶片W的下部位置之間升降。在該搬送室10內(nèi)的下方，在與上述晶片搬送機構(gòu)3的動作(旋轉(zhuǎn) 以及升降)不發(fā)生干涉的位置，例如從該晶片搬送機構(gòu)3的旋轉(zhuǎn)中心 離開的第2載置臺14側(cè)的位置，設置有用于進行晶片W的預對準的 預對準機構(gòu)39。該預對準機構(gòu)39具備載置晶片W，并使其在鉛垂 軸周圍旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)載置臺500、設置成上下夾持包括載置在該旋轉(zhuǎn)載置 臺500上的晶片W的周邊部的區(qū)域的由發(fā)光傳感器以及受光傳感器構(gòu) 成的作為檢測部的光傳感器37、在下方支撐這些旋轉(zhuǎn)載置臺500以及 光傳感器27的底座501。該旋轉(zhuǎn)載置臺500構(gòu)成為寬度尺寸比切口部 的開口尺寸細，使得該旋轉(zhuǎn)載置臺500進入到臂30的頂端的切口部內(nèi)。 另外雖然沒有圖示，然而在裝載部1上敷設有控制器，該控制器根據(jù) 來自光傳感器37的檢測信號，檢測晶片W的切口或定向平面 (orientation flat)等的方向基準部與晶片W的中心位置，根據(jù)該檢測 結(jié)果旋轉(zhuǎn)載置臺500旋轉(zhuǎn)，使得切口朝向規(guī)定方向。以下，簡單說明通過由光傳感器37和旋轉(zhuǎn)載置臺500構(gòu)成的預對 準機構(gòu)39進行的晶片W的朝向的調(diào)整(預對準)。首先，由晶片搬送 機構(gòu)3將晶片W載置到旋轉(zhuǎn)載置臺500上，由旋轉(zhuǎn)載置臺500旋轉(zhuǎn)晶 片W的同時，從光傳感器37的發(fā)光部通過包括晶片W的周邊部(端 部)的區(qū)域向受光部照射光。由該光傳感器37讀取晶片W的外周邊 的軌跡，掌握晶片W的朝向和中心位置。然后，以晶片W在旋轉(zhuǎn)載 置臺500上成為規(guī)定的朝向的方式使該旋轉(zhuǎn)載置臺500停止，接著， 通過將晶片W轉(zhuǎn)移到晶片搬送機構(gòu)3來調(diào)整晶片W的朝向。然后， 例如當將晶片W載置到第1檢査部21A的晶片卡盤4A上時，以修正 晶片W的偏心的方式調(diào)整晶片搬送機構(gòu)3的位置。這樣進行晶片W的 朝向以及偏心的調(diào)整。另外，雖然省略了圖示，然而例如在搬送室10內(nèi)，設置有例如用于判別形成在晶片W表面上的個體識別用標識等的ID的例如由照相 機等構(gòu)成的OCR機構(gòu)(盒)，例如構(gòu)成為能夠在上述的預對準工序以后，取得上述ID。接著，詳細敘述探測裝置本體2。在該探測裝置本體2的筐體22 上，在裝載部1側(cè)的側(cè)壁上，為了在第1檢査部21A與第2檢查部21B 之間轉(zhuǎn)移晶片W，開口有沿著橫方向(Y方向)延伸的帶狀的搬送口 22a。另外，由于這些第1檢查部21A和第2檢査部21B對于通過晶片 搬送機構(gòu)3的旋轉(zhuǎn)中心，與連接第1裝載口 11和第2裝載口 12的直 線正交的水平線HL，各自的晶片W的轉(zhuǎn)移位置、晶片W表面的攝像 位置以及探測卡6A的設置位置等成為左右對稱，而且成為相同的結(jié) 構(gòu)，因此為了避免重復說明，參照圖3、圖6以及圖7對第1檢査部 21A進行說明。檢查部21A具備基臺23，在該基臺23上，從下方開始按照以下 的順序，設置有例如沿著在Y方向延伸的導軌，例如由滾珠絲杠等在 Y方向驅(qū)動的Y工作臺24、和沿著在X方向延伸的導軌，例如由滾珠 絲杠在X方向驅(qū)動的X工作臺25。在該X工作臺25和Y工作臺24 上，分別設置有組合有編碼器的電動機，但在這里省略。在X工作臺25上設置有通過組合有編碼器的未圖示的電動機沿著 Z方向驅(qū)動的Z移動部26，在該Z移動部26上設置有在Z軸的周圍 旋轉(zhuǎn)自由的(在e方向移動自由的)作為基板載置臺的晶片卡盤4A。 從而，該晶片卡盤4A能沿著X、 Y、 Z、 8方向移動。X工作臺25、 Y工作臺24以及Z移動部26構(gòu)成驅(qū)動部，構(gòu)成為在與晶片搬送機構(gòu)3 之間用于進行晶片W的轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移位置、如后所述的晶片W表面的 攝像位置、與探測卡6A的探針29接觸的接觸位置(檢査位置)之間， 能驅(qū)動晶片卡盤4A。在晶片卡盤4A的移動區(qū)域的上方，探測卡6A裝卸自由地安裝在 頂板201上。另外，關(guān)于探測卡6A的安裝構(gòu)造和交換方法等在后面詳 細敘述。在探測卡6A的上面?zhèn)刃纬捎须姌O群，為了在該電極群與未圖 示的測試頭之間取得電導通，在探測卡6A的上方以與探測卡6A的電 極群的配置位置相對應的方式設置有在下面形成有多個作為電極部的 探針28a的探針部28。通常未圖示的測試頭位于該探針部28的上面，而在本例中，測試頭與探測裝置本體2配置在不同的位置，探針部28 和測試頭用未圖示的電纜連接。另外，在探測卡6A的下面?zhèn)?，分別與上面?zhèn)鹊碾姌O群電連接的相 對于探測器例如晶片w的表面鉛垂延伸的鉛垂針(線材探針)，與晶 片W的電極墊的排列相對應，例如設置在探測卡6A的全面。作為探 測器，可以是由相對于晶片W的表面向斜下方延伸的金屬線構(gòu)成的探 針29，或者是形成在柔軟的薄膜上的金凸塊電極等。探測卡6A在該 例子中構(gòu)成為能夠一并接觸晶片W表面的被檢查芯片(IC芯片)的所 有電極墊，從而，通過一次接觸結(jié)束電特性的測定。在上述的Z移動部26中的晶片卡盤4A的間隔壁20側(cè)的側(cè)面位置 上，通過固定板41a固定作為探針29攝像用的第1攝像單元的視野朝 上的微型照相機41。該微型照相機41作為包括CCD照相機的高倍率 照相機，構(gòu)成為能放大攝像探針29的針尖或者探測卡6A的對準標記。 該微型照相機41位于晶片卡盤4A中的X方向的大致中心點。另外， 微型照相機41為了調(diào)査對準時探針29的排列的朝向以及位置，對特 定的探針29例如X方向兩端的探針29以及Y方向兩端的探針29進 行攝像，另外，為了定期觀察各探針29的狀態(tài)，具有依次對所有探針 29進行攝像這樣的作用。另外，在固定板41a上，與微型照相機41鄰接，固定有用于在廣 域攝像探針29的排列的作為低倍率照相機的微型照相機42。進而，在 固定板41a上設置有靶(target) 44，使得相對于微型照相機41的對焦 面，通過進退機構(gòu)43能夠在與光軸交叉的方向進退。該耙44構(gòu)成為 能由微型照相機41以及后述的微型照相機45進行圖像識別，例如在透明的玻璃板上蒸鍍作為對準用的被攝體的圓形金屬膜、例如直徑為 140微米的金屬膜。圖7 (a)、 (b)是分別概略地表示晶片卡盤4A與 微型照相機41以及微型照相機42的位置關(guān)系的平面圖和側(cè)視圖。另 外，在該圖7中，省略上述的靶44或者進退機構(gòu)43的圖示。在晶片卡盤4A與探測卡6A之間的區(qū)域中的筐體22的內(nèi)壁面的X 方向的兩側(cè)(前面?zhèn)群秃竺鎮(zhèn)?，沿著Y方向設置有導軌47。沿著該 導軌47，如圖8圖示，作為攝像單元的對準橋5A在后述的標準位置 以及攝像位置之間，沿著Y方向移動自由地設置。在對準橋5A上，例如沿著X方向在一列中等間隔地設置有多個
例如3個構(gòu)成基板攝像用的第2攝像單元的視野朝下的微型照相機45。 3個微型照機45之中，中央的微型照相機45位于X方向中的晶片卡 盤4A的移動范圍的中央，兩端的微型照相機45與晶片卡盤4A的中 心和晶片W的最外邊的被檢查芯片的距離相同，或者比其短的距離， 例如從中央的微型照相機45離開晶片W的直徑的1 / 3的距離。另外， 微型照相機45作為包括CCD照相機的高倍率的照相機而構(gòu)成，能放 大攝影晶片W的表面。在該微型照相機45的側(cè)面中的對準橋5A上， 設置用于以寬闊的視野確認晶片W的低倍率照相機46。另外，關(guān)于低 倍率照相機46，除圖2以外省略圖示。
作為上述對準橋5A的停止位置的標準位置是在晶片卡盤4A與晶 片搬送機構(gòu)3之間進行晶片W的轉(zhuǎn)移時、晶片W接觸探測卡6A時以 及利用上述第1攝像單元(微型照相機41)進行探針29的攝像時，對 準橋5A以不干擾晶片卡盤4A或者晶片搬送機構(gòu)3的方式退避的位置。 此外，上述攝像位置是利用對準橋5A的微型照相機45以及低倍率照 相機46對晶片W的表面進行攝像時的位置。由該微型照相機45以及 低倍率照相機46進行的晶片W的表面的攝像，是通過在攝像位置固 定對準橋5A，使晶片卡盤4A移動來進行的。
而且，該攝像位置，如圖9的下側(cè)所述那樣，偏移到比探測卡6A 的中心位置更靠近Y軸方向的后側(cè)(探測裝置本體2的中心側(cè))。其理 由如下所述。
如上所述，微型照相機41設置在晶片卡盤4A的側(cè)面(Y軸方向 的前面?zhèn)?，在由該微型照相機41對探針29進行攝像時，如圖9的中 段所示，晶片卡盤4A的Y軸方向中的移動沖程D2 (晶片卡盤4A的 中心位置Ol的移動范圍)從探測卡6A的中心位置02偏移到Y(jié)軸方 向的后側(cè)。另一方面，如圖9的上段所示，接觸時(使晶片W與探針 29接觸時)的晶片卡盤4A的移動沖程D1，例如為了使晶片W與探 針29 —起接觸到探測卡6A的下面而形成有多個探針29，從而成為非 常短的距離。因此，如果使對準橋5A的攝像位置與探測卡6A的中心 位置02 —致，則由微型照相機45對晶片W表面進行攝像時的晶片卡 盤4A的移動沖程D3將從上述的移動沖程Dl的右側(cè)突出。因此，使對準橋5A的攝像位置偏移到Y(jié)方向的前面?zhèn)?，使移?br> 沖程D2、 D3重疊，使作為包括晶片卡盤4A的移動沖程D1 D3的區(qū) 域的可動沖程(可移動的范圍)D4縮短，即，使探測裝置本體2的Y 軸方向的長度縮短。另外，即使移動沖程D2、 D3不是相同的范圍， 對準橋5A的攝像位置從探測卡6A的中心位置02偏移到Y(jié)軸方向的 后側(cè)即可。
另外，如圖2所示，在探測裝置中設置有例如由計算機構(gòu)成的控 制部15，該控制部15具備程序、存儲器、由CPU構(gòu)成的數(shù)據(jù)處理部 等。該程序組合有步驟群，使得控制在載體C搬入到裝載口 11 (12) 以后，對晶片W進行檢查，然后將晶片W返回到載體C，搬出載體C 的一系列的各部的動作。該程序(也包括與處理參數(shù)的輸入操作或者 顯示有關(guān)的程序)例如存儲在軟盤、CD、 MO (磁光盤)、硬盤等存儲 介質(zhì)16中，安裝到控制部15。
其次，以下說明上述探測裝置的作用。首先，利用潔凈室內(nèi)的自 動搬送車(AGV)，從與裝載口 11 (12)中的探測裝置本體2相反側(cè)， 將載體C搬入到該裝載口 11。這時，載體C的轉(zhuǎn)移口朝向探測裝置本 體2，但載置臺13 (14)旋轉(zhuǎn)，與閘門S相對。然后，載置臺13前進， 載體C被按壓到閘門S側(cè)，卸下載體C的蓋和閘門S。
接著，從載體C內(nèi)取出晶片W，搬送到檢查部21A (21B)，但關(guān) 于在此之后的作用說明，說明2個晶片W1、 W2已經(jīng)分別由第l檢査 部21A以及第2檢查部21B進行了檢查，在該狀態(tài)下，從載體C取出 后續(xù)的晶片W3以及W4的一系列工序的狀況。
首先如圖10所示，上層臂31進入到第2載體C2內(nèi)，接收到晶片 W3以后后退。接著，同樣地中層臂32進入到第2載體C2內(nèi)，接收到 晶片W4以后后退。然后，晶片搬送機構(gòu)3下降到下位置，同時臂31 (32)以成為能對于旋轉(zhuǎn)載置臺500進行訪問的朝向的方式旋轉(zhuǎn)。接 著，如圖11所示，例如上層臂31伸出到旋轉(zhuǎn)載置臺500側(cè)，直到上 層臂31上的晶片W3位于旋轉(zhuǎn)載置臺500的上方位置為止，接著，晶 片搬送機構(gòu)3稍微下降，將晶片W3載置在旋轉(zhuǎn)載置臺500上。然后， 在旋轉(zhuǎn)載置臺500旋轉(zhuǎn)的同時，由光傳感器37向包括晶片W3的周邊 部的區(qū)域照射光，接受通過包括該周邊部的區(qū)域的光。根據(jù)該光傳感器37的檢測結(jié)果，在第1、第2檢查部21A、 21B之中，調(diào)整晶片W3 的朝向，使得成為與搬入該晶片W3的檢査部21A (21B)相對應的切 口的朝向，另外，對于偏心也進行檢測，進行預對準。然后，晶片搬 送機構(gòu)3上升，接收晶片W3。另外，同樣地關(guān)于晶片W4，也進行晶 片W4的朝向的調(diào)整和偏心的檢測，使得成為與搬入該晶片W4的檢 査部21A (21B)相對應的切口的朝向。然后，由上述的未圖示的OCR 機構(gòu)，取得在這些晶片W3、 4的表面上形成的ID。
接著，進行第1檢查部21A內(nèi)的晶片Wl與晶片搬送機構(gòu)3上的 晶片W3的交換。在后述的實施例中說明的圖49 (1)中，概略地表示 這時的晶片搬送機構(gòu)3的一系列動作。在晶片Wl的檢查結(jié)束的情況 下，晶片卡盤4A如圖12所示，移動到靠近間隔壁20的轉(zhuǎn)移位置。然 后，解除晶片卡盤4A的真空卡盤，晶片卡盤4A內(nèi)的升降銷上升，使 晶片W1上升。接著，空的下端臂33進入到晶片卡盤4A上，通過晶 片搬送機構(gòu)3上升來接收晶片Wl以后，后退。另外，晶片搬送機構(gòu)3 稍微下降，上層臂31進入到晶片卡盤4A上，在通過先前的預對準判 斷為晶片W3的中心位置發(fā)生偏移的情況下，通過未圖示的上述升降 銷與上層臂31的協(xié)作作用來修正晶片W3的偏心，將晶片W3載置到 晶片卡盤4A上。
然后，如圖13所示，將晶片W3轉(zhuǎn)移到第1旋轉(zhuǎn)部21A之后使成 為空的上層臂31迸入到第2檢査部21B,同樣從晶片卡盤4B接收檢 査完畢的晶片W2，在使其后退后，使中層臂32進入到晶片卡盤4B 上，將檢查前的晶片W4從中層臂32轉(zhuǎn)移到晶片卡盤4B。
然后，晶片搬送機構(gòu)3上升，使晶片Wl和晶片W2退回到例如 第1載體C1，另外關(guān)于以后的晶片W (晶片W5、 W6)也同樣，從載 體C各取出2個，同樣進行處理。
另一方面，在第1檢查部21A中，將晶片W3轉(zhuǎn)移到晶片卡盤4A 上以后，由設置在晶片卡盤4A上的微型照相機41，進行探測卡6A的 探針29的攝像。具體而言，例如對距離X方向最遠的兩端的探針29 以及距離Y方向最遠的兩端的探針29進行攝像，掌握探測卡6A的中 心和探針29的排列方向。在這種情況下，由設置在晶片卡盤4A上的 微型照相機42找出目標位置附近的區(qū)域，然后由微型照相機41檢測出目標探針29的針尖位置。另外，這時對準橋5A退避到圖8所示的
標準位置。
接著，使對準橋5A移動至晶片W3的攝像位置(參照圖8)，并 且使耙44 (參照圖6)突出到晶片卡盤4A側(cè)的微型照相機41與對準 橋5A側(cè)的微型照相機45之間的區(qū)域，以兩照相機41、 45的焦點以及 光軸與耙44的靶標記一致的方式使其與晶片卡盤4A的位置配合，進 行所謂的兩照相機41、 45的原點確定。
接著，在使靶44退避以后，使晶片卡盤4A位于對準橋5A的下 面?zhèn)?，移動晶片卡盤4A，使得能由對準橋5A的3個微型照相機45的 任一個對形成在晶片W3上的多個特定點進行攝像。另外，在這種情 況下，也根據(jù)微型照相機46的攝像結(jié)果，將晶片卡盤4A引導至晶片 W上的目標區(qū)域附近。如在該例子中所述的那樣，由于3個微型照相 機45的相互的間隔設定為晶片W3的直徑的1 / 3，因此即使假設由這 些微型照相機45依次對晶片W的全面進行攝像，晶片W3向X方向 的移動距離(為了使X工作臺25移動所需要的滾珠絲杠的驅(qū)動量)如 圖14所示，在一端側(cè)的微型照相機45與晶片W3的一端(該圖中的 周邊的面向它時的左端)重疊的位置和另一端側(cè)的微型照相機45與晶 片W3的另一端側(cè)重疊的位置之間，成為晶片卡盤4A的中心部移動的 距離L1，與晶片W3的直徑相比只要是大約1 / 3的距離就可以。從而， 即使晶片W3上的特定點位于晶片W3的周邊部，晶片卡盤4A的X方 向的移動距離也減小。
從這樣進行各攝像的晶片卡盤4A的位置以及當進行上述原點確 定時的晶片卡盤4A的位置，能夠計算出在控制部15側(cè)晶片W3上的 各電極墊與探測卡6A的各探針29接觸的晶片卡盤4A的坐標。然后， 使晶片卡盤4A移動到計算出的接觸坐標位置，使晶片W3上的各電極 墊與探測卡6A的各探針29 —起接觸。然后從未圖示的測試頭通過探 針單元28以及探測卡6A向晶片W3上的各IC芯片的電極墊發(fā)送規(guī)定 的電信號，由此進行各IC芯片的電特性的檢查。然后，與上述晶片 Wl相同，使晶片卡盤4B移動到轉(zhuǎn)移位置，由晶片搬送機構(gòu)3從晶片 卡盤4B搬出晶片W3。另外，關(guān)于搬入到第2檢查部21B中的晶片 W4也同樣進行檢査。根據(jù)上述實施方式，在晶片搬送機構(gòu)3上設置有3個臂30 (31
33)，由該晶片搬送機構(gòu)3從載體C接收2個未檢査的晶片W。因此， 由于能將晶片W依次搬送到2臺檢查部21，所以能減少檢査部21的 待機時間，能提高探測裝置的生產(chǎn)率。從而，例如即使在搬送晶片W1 以及晶片W2時(當在探測裝置中開始晶片W的檢查時)，由于也能 將晶片W依次搬送到2臺檢查部21，所以能迅速地開始在檢査部21 的檢查，其結(jié)果能提高生產(chǎn)率。另外，例如如上述例子那樣，當進行 晶片W的交換時，在檢查部21中檢査晶片W的期間，能夠預先對未 檢査的晶片W進行對準工序等，因此在檢查結(jié)束以后能立即交換晶片 W，能進一步縮短檢査部21的待機時間。
另外，如現(xiàn)有的例子那樣，不區(qū)別將晶片W搬送到檢査部21的 臂和從檢査部21回收晶片W的臂，利用在3個臂30之中沒有搬送晶 片W (空的)臂33回收檢查完畢的晶片W。 B卩，在上述的例子中， 在第1檢査部21A中，由于在下層臂33上沒有載置晶片W，因此能 利用該下層臂33接收晶片Wl，另外，由于更換該晶片W1，將上層 臂31上的晶片W3搬入到第1檢查部21A，因此在該上層臂31上沒 有晶片W，所以在第2檢査部21B中，能利用上層臂31接收檢查完畢 的晶片W2。因此，能像上述那樣提高晶片W的搬送效率(縮短晶片 W的搬送時間)。另外，通過這樣利用空的臂33，由于對所搬送的晶 片W的個數(shù)僅增加1個臂33的個數(shù)就能進行多個晶片W的交換，因 此能抑制晶片搬送機構(gòu)3的大型化。
另外，設置有用于以相互相對的方式分別載置2個載體C的第1 以及第2裝載口 11、 12、在這些裝載口 11、 12的中間位置具有旋轉(zhuǎn)中 心的晶片搬送機構(gòu)3、沿著這些裝載口 11、 12的排列配置而且相互對 稱的，即晶片W的轉(zhuǎn)移時的晶片卡盤4A、 4B的位置、晶片W攝像時 的晶片卡盤4A、 4B的移動區(qū)域以及探測卡6A、 6B的位置相對于上述 水平線HL (參照圖2)對稱的第l以及第2檢査部21A、 21B，而且， 構(gòu)成為在上述載體C與檢査部21A (或者21B)的晶片卡盤4A (或者 4B)之間，利用晶片搬送機構(gòu)3直接進行晶片W的轉(zhuǎn)移。因此，能實 現(xiàn)裝置的小型化，另外，能由第1以及第2檢査部21A以及21B同時 進行晶片W的檢查，并且能在載體C與晶片卡盤4A、 4B之間直接進行搬送，因此能提高基板的檢查效率和搬送效率，從而能實現(xiàn)高生產(chǎn)率。
另外，由于在對準橋5A (5B)上沿著X方向例如以晶片W的直 徑的1 / 3的間隔排列3個微型照相機45，因此如上所述那樣，在由這 些微型照相機45對晶片W的表面進行攝像時，可以減少晶片卡盤4A (4B)的移動區(qū)域。
可是，相對于進行上述的一起接觸的情況，例如在進行多次接觸 的情況下，如圖15所示，接觸時的晶片卡盤4A的移動沖程D1'的中 心位置幾乎與探測卡50的中心位置O2—致。另外，由于使對準橋5A 的攝像位置與該移動沖程Dl'的中心位置(探測卡6A的中心位置02) 一致，因此晶片W攝像時的移動沖程D3'成為與接觸時的移動沖程 Dl'相同的范圍。這時，由于探針29的排列區(qū)域狹窄，因此為了攝像 該探針29所需要的晶片卡盤4A的移動沖程D2'相當短，從而包括這 些移動沖程D1' D3'的晶片卡盤4A的可動沖程D4'成為與使用 上述的探測卡6A時的可動沖程D4大致相同的程度，其長度被抑制為 最小限度。
但是，在該狀態(tài)(接觸時的移動沖程Dl'與晶片W攝像時的移 動沖程D3'的中心位置一致的狀態(tài))下，如果想要對在與晶片W的 整個表面相對應的區(qū)域中形成的探針29進行攝像，則需要擴展晶片卡 盤4A的可動沖程D4'，使得包括對探針29進行攝像時的移動沖程D2， 其結(jié)果，探測裝置本體2增大。因此，在本實施方式中，如上述那樣， 使探針29攝像時的移動沖程D2與晶片W攝像時的移動沖程D3中的 晶片卡盤4A的中心位置一致，使得探測裝置本體2在一起接觸的探測 卡6A上特殊化，由此能縮短晶片卡盤4A的可動沖程D4，能減小探 測裝置本體2。
(第1實施方式的變形例) 其次，參照圖16、圖17對上述第1實施方式的變形例進行說明。 在該例子中，晶片搬送機構(gòu)3具備用于進行晶片W的預對準的預 對準機構(gòu)39。該預對準機構(gòu)39具備貫通搬送基臺35內(nèi)的升降且旋轉(zhuǎn) 自由的軸部36a、和設置在該軸部的頂部，通常時嵌入到搬送基臺35 表面的凹部，與該表面成為同一平面的作為旋轉(zhuǎn)臺的卡盤部36。該卡盤部36構(gòu)成為設定在與處于退縮到中途的狀態(tài)的臂30上的晶片W的
中心位置相對應的位置上，能使各段的臂30上的晶片W從該臂30稍
微抬起并旋轉(zhuǎn)。
另外，預對準機構(gòu)39具備檢測用卡盤部36旋轉(zhuǎn)的晶片W的周邊 的作為由發(fā)光傳感器以及受光傳感器構(gòu)成的檢測部的光傳感器37、 38。 該光傳感器37、 38通過搬送基臺35固定在從臂30的移動區(qū)域橫向偏 離的位置，在該例子中，由于將成為預對準對象的晶片W作為下層臂 33上的晶片W以及中層臂32上的晶片W，因此設定在由卡盤部36 抬起的各晶片W的周邊的上下且當晶片W的訪問時不干擾晶片W的 高度水平。
下面，以下層臂33上的晶片W為例，簡單說明包括由本實施方 式的預對準機構(gòu)39進行的晶片W的朝向調(diào)整(預對準)的作用。另 外，在該例子中，由于預對準以外的工序與上述例子的工序相同，因 此省略說明。
首先，例如下層臂33進入到載體C內(nèi)，接收晶片W，之后后退 到進行預對準的位置。然后，如圖18所示，由卡盤部36將下層臂33 上的晶片W稍微抬起，使晶片W旋轉(zhuǎn)，同時從光傳感器38的發(fā)光部 通過包括晶片W的周邊部(端部)的區(qū)域向受光部照射光。然后，根 據(jù)該光傳感器38的檢測結(jié)果，在第l、第2檢查部21A、 21B中，使 卡盤部36停止，以使得成為與搬入該晶片W的檢査部21A (21B)相 對應的切口的朝向，另外使卡盤部36下降，通過將晶片W轉(zhuǎn)移到下 層臂33上來調(diào)整晶片W的朝向。然后，例如當將晶片W載置到檢查 部21A(21B)晶片卡盤4A上時，調(diào)整晶片搬送機構(gòu)3的位置，由此 修正晶片W的偏心。這樣進行晶片W的朝向以及偏心的調(diào)整。另外， 圖16中省略了該光傳感器37、 38的圖示。
根據(jù)本實施方式，除了上述第1實施方式的效果以外，還可以得 到以下的效果。即，由于在晶片搬送機構(gòu)3上組合設置有用于進行預 對準的卡盤部36等的預對準機構(gòu)39，因此在晶片搬送機構(gòu)3取出晶片 W以后，可以不移動至設置預對準機構(gòu)39的位置，所以能提高晶片W 的搬送效率(縮短晶片W的搬送時間)。另外，由于可以不另外設置 預對準機構(gòu)39的設置空間，因此能抑制裝置的設置面積。這里，參照圖19 21說明用于交換探測卡6A的機構(gòu)以及探針單
元28的周邊部分。
在頂板201上，在用于進行晶片W的檢查的檢查位置(探測單元 28的正下方位置)與筐體22的外部(與間隔壁20相反側(cè)的側(cè)面部) 中的交換位置之間，以沿著Y方向延伸的方式設置成用于引導探測卡 6A的一對導軌80。托盤82的端部與該導軌80嵌合，該托盤82構(gòu)成 為能夠與固定在托盤82上的卡支架81—起沿著導軌80在Y方向移動。 另外，在該卡支架81上夾固探測卡6A，例如通過使探測卡6A和卡支 架81相對于托盤82沿著規(guī)定的朝向旋轉(zhuǎn)，能夠一體裝卸探測卡6A和 卡支架81，托盤82具備未圖示的裝卸機構(gòu)等。
另一方面，探針單元28構(gòu)成為利用設置于頂板201的開口部的升 降部83能夠在圖19所示的與探測卡6A接觸的位置和圖20所示的上 方位置之間升降。從而，在探測卡6A的交換時，在使探針單元28上 升以后，如圖21所示，將托盤82拉出到交換位置，使探測卡6A或者 探測卡6A和卡支架81旋轉(zhuǎn)到規(guī)定的朝向，卸下探測卡6A。然后，將 新的探測卡6A放入到托盤82中，沿著規(guī)定的朝向進行位置設定，按 照與卸下時相反的路徑通過托盤82，在導軌80上引導到檢査位置，使 探針單元28下降。
另外，探測卡6A交換時的卡支架81的移動區(qū)域和對準橋5A的 移動區(qū)域以互不干涉的方式上下分開，在探測卡6A交換時對準橋5A 設定在例如圖2所示的實線位置。這樣，由于對準橋5A與探測卡6A 不干擾，因此無論對準橋5A的位置，都能夠進行探測卡6A的交換。 另外，由于頂板201與探測卡6A的交換機構(gòu)(導軌80等)構(gòu)成為一 體，因此打開頂板201能進行對準。另外，在第2檢査部21B中，也 同樣設置有探測卡6B的交換機構(gòu)。
另外，除了這種探測卡6A的交換方法以外，例如如圖22所示， 具備在檢査位置與交換位置之間能沿水平方向轉(zhuǎn)向的搬送臺卯a(chǎn),而且 利用可升降的交換部件90，使位于檢查位置的探測卡6A下降，然后 使該交換部件90轉(zhuǎn)向到筐體22的外側(cè)，通過將探測卡6A取出到交換 位置，由此進行探測卡6A的交換也可以。但是，在這種情況下，由于 打開頂板201，進而如果沒有使交換部件90退避到外面則難以進行維修，因此使用圖19 圖21的交換機構(gòu)更有利。 (第1實施方式的應用例)
其次，圖23 圖26表示上述第1實施方式的應用例。另外，為了 避免圖示的繁雜，省略上述預對準機構(gòu)39的記載。對于以下的例子也相同。
在圖23的例子中，將第1實施方式的探測裝置本體2排列在裝載 部1的兩側(cè)(X軸方向)。晶片搬送機構(gòu)3的臂20的個數(shù)也可以是3 個，但在這種情況下，由于4個檢查部共同3個晶片搬送機構(gòu)3，因此 也可以使晶片搬送機構(gòu)3具有5個(4+1)臂，由晶片搬送機構(gòu)3取 出4個晶片W，依次搬入到4個檢查部中。這樣，也可以使晶片搬送 機構(gòu)3相對于多臺檢査部具有多個臂，進行多個晶片W的搬送。通過 在具備該多臺檢査部的探測裝置中使用本發(fā)明，能進一步提高晶片W 的搬送效率，另外能提高探測裝置的生產(chǎn)率。另外，在這種情況下， 也可以從載體C取出多個例如比臂的個數(shù)少l個的個數(shù)的晶片W。進 而，在圖24的例子中，設置兩組第1實施方式中的探測裝置本體2和 裝載部1，以各個探測裝置本體2側(cè)鄰接的方式排列。
進而，在圖25的例子中，沿著X方向隔開間隔，以探測裝置本體 2側(cè)相互相對的方式排列2臺第1實施方式的探測裝置300，并且沿著 Y方向隔開間隔排列該2臺的組。該探測裝置300、 300之間的空間， 例如在潔凈室內(nèi)，用作用于搬送載體C的未圖示的搬送單元的移動或 者用于探測卡6A、 6B的交換的空間。
另夕卜，在圖26的例子中，在進行晶片卡盤4A、 4B的溫度調(diào)整時， 在沿著X方向排列的2臺探測裝置300之間，相對于其分離區(qū)域的中 心點對稱地設置各自的冷機(chiller)等溫調(diào)器60、 60，通過溫調(diào)介質(zhì) 通路61連接該溫調(diào)器60和探測裝置300。如果使用這樣的布局，則能 抑制潔凈室內(nèi)的探測裝置300的設置空間。 (第2實施方式)
該實施方式如圖27所示，是將檢査部21的朝向改變90度，以使 對準橋5A、 5B的移動方向?qū)τ谏鲜鲆苿臃较虺蔀橹苯堑姆绞?，將?測裝置本體2連接到裝載部1上的結(jié)構(gòu)，除此以外的結(jié)構(gòu)與第1實施 方式相同。從而，在這種情況下，第1檢查部21A以及第2檢查部21B構(gòu)成為相對于上述水平線HL對稱。另外，在該探測裝置中，根據(jù)上述
圖22所示的轉(zhuǎn)向方式，進行探測卡6A的交換，在這種情況下，如上 述那樣，由于探測卡6A的交換部件90與對準橋5A相互干擾，因此 在探測卡6A的交換時，例如如圖28所示，使對準橋5A退避到靠近 裝載部1側(cè)的退避位置。200是探測卡6A的交換區(qū)。另外，如圖29 所示，在這樣構(gòu)成探測裝置中，也與上述圖23相同，可以將探測裝置 本體2排列在裝載部1的兩側(cè)(X軸方向)。在這種情況下，同樣也可 以將臂20的個數(shù)增加到5個。
另外，在上述的實施方式中，如圖30 (a)、 (b)所示，也可以設 置獨立地開閉探測裝置本體2的側(cè)面的2個搬送口 22a的閘門120。
具體而言，搬送口 22a，在裝載室1側(cè)其周圍由樹脂制的密封體 123包圍，閘門120構(gòu)成為通過升降軸122利用升降機構(gòu)121開閉搬送 口 22a。在這樣的例子中，除了搬送晶片W以外，如果通過密封體123 關(guān)閉搬送口22a，則能將檢查部21A、 21B彼此之間或者檢査部21A、 21B與裝載室1之間的氣氛(環(huán)境)的相互影響抑制為很小。因此， 在檢査部21A、 21B內(nèi)，當例如在一個檢査部21A (21B)中正在進行 晶片W的檢査時，在另一個檢査部21B (21A)中進行維修例如探測 卡6的交換的情況下，正在進行檢查的氣氛也不會受到正在進行維修 的氣氛的影響。另外，即使在改變檢査部21A、 21B內(nèi)的各自的溫度 和濕度等環(huán)境的情況下，也能夠維持該環(huán)境，此外在抑制相互環(huán)境的 影響的狀態(tài)下進行晶片W的檢查。 (其它的變形例)
在以上的例子中，如上述圖7所示，在晶片卡盤4A上分別設置有 1臺微型照相機41和1臺微型照相機42，但例如如圖31所示，也可 以以在兩側(cè)(X軸方向)夾著微型照相機41和微型照相機42的組的 方式，進一步設置多臺例如2臺微型照相機70。這些微型照相機70 與上述微型照相機41相同，用于確認探針29的針尖。
在這樣的結(jié)構(gòu)中，當對探針29進行攝像時，能使晶片卡盤4A沿 著X軸方向移動的區(qū)域變窄，其結(jié)果能減小探測裝置本體2的大小。 圖32以及圖33表示在分別設置有1臺微型照相機41情況和如圖31 那樣設置有3臺的情況下，對探測卡6A(6B)的X方向的兩端的探針29、 29進行攝像時的晶片卡盤4A (4B)的中心的移動沖程DIO、 D20。 可知后者情況的移動沖程D20與前者情況的移動沖程D10相比大幅度 縮短。另外，在圖31中省略靶44、進退機構(gòu)43的圖示。
另外，由于分開各個照相機(微型照相機41和微型照相機70)攝 像的探針29的區(qū)域，因此能減少對多個探針29進行攝像時的晶片卡 盤4A的移動量。
另外，如圖34所示，也可以以夾著晶片卡盤4A上的晶片W的載 置區(qū)域，相對于由微型照相機41和微型照相機42構(gòu)成的第1攝像單 元210，關(guān)于晶片卡盤4A (4B)的中心成為點對稱的方式配置與該第 1攝像單元210相同結(jié)構(gòu)的第2攝像單元211。在該例子中，由于沿著 X軸方向隔開配置第1攝像單元210的微型照相機41和第2攝像單元 211的微型照相機41，因此晶片卡盤4A(4B)的X方向的移動沖程減 小，并且2個微型照相機41、 41在Y方向相距與晶片卡盤4A (4B) 的直徑相當?shù)木嚯x，因此晶片卡盤4A(4B)的Y方向的移動沖程與第 1攝像單元210為1個的情況相比成為大約一半，能減小探測裝置本體 2的大小。另外，在圖34 (b)中為了明確配置關(guān)系，用實線表示雙方 (紙面背面?zhèn)纫约罢鎮(zhèn)?的第1攝像單元210和第2攝像單元211。
另外，也可以以在兩側(cè)(X軸側(cè))夾著該2臺微型照相機41和微 型照相機42的方式分別設置2臺如圖31所示的微型照相機70。
作為上述探測卡6A，不僅是進行一起接觸的情況，也可以是例如 以與根據(jù)晶片W的直徑2分割的區(qū)域的電極墊群的配置相對應的方式 設置探針29，分2次進行晶片W與探針29的接觸的情況，或者是以 與沿著圓周方向?qū)⒕琖分割成四份的區(qū)域的電極墊群的配置相對應 的方式設置探針29，使晶片W依次與該4分割的的區(qū)域接觸的情況等。 在這樣的情況下，通過使晶片卡盤4A旋轉(zhuǎn)，進行探針29與晶片W的 接觸。在本發(fā)明的探測裝置中，優(yōu)選適用于通過1次 4次的接觸來結(jié) 束晶片W的檢查的結(jié)構(gòu)。
另外，在上述的例子中，將微型照相機45設為3個，但也可以是 2個或者4個，在這種情況下，例如只要微型照相機45的個數(shù)是n個， 則優(yōu)選將相互的間隔設為晶片W的直徑的1 /n。
在上述的各個例子中，將臂30的個數(shù)設為3個，通過同時進行2個或者3個晶片W的搬送來縮短晶片W的搬送所需要的時間，但即 使在臂30的個數(shù)是比3個少例如是1個的情況下，與搬入到各檢査部
21的朝向相對應，也可以利用預對準機構(gòu)39進行晶片W朝向的調(diào)整 和偏心的修正。
另外，在按照設定時間結(jié)束探測裝置本體2中的各晶片W的處理 (精密對準或者電特性的評價試驗)的情況下，如上所述，對各晶片 W依次進行處理，但例如搬送預定的第1檢査部21A或者第2檢査部 21B中晶片W的處理例如由于故障等而進展緩慢，當不能搬送接著在 搬送預定的第1檢査部21A或者第2檢査部21B進行處理的預定的晶 片W等時，如上述的那樣，由于在晶片搬送機構(gòu)3上設置有預對準機 構(gòu)39，因此可以例如像以下那樣變更搬送目的地，使得不停止處理而 繼續(xù)進行。
作為這樣的狀況，具體而言，例如可以舉出為了在第1檢查部21A 中進行處理，晶片搬送機構(gòu)3在下位置保持未處理的晶片W，第1檢 查部21A內(nèi)的晶片W的處理沒有結(jié)束，另一方面，第2檢查部21B 內(nèi)的晶片W的處理結(jié)束的情況等。
保持在晶片搬送機構(gòu)3上的晶片W如上述的那樣，例如從第1載 體C1搬出，當晶片搬送機構(gòu)3下降時，根據(jù)預定的搬送目的地(第1 檢查部21A)，已經(jīng)調(diào)整晶片W的朝向。因此，如上所述，在變更晶 片W的搬送目的地的情況下，為了成為與該變更目的地(第2檢査部 21B)相對應的朝向，與從載體C取出時同樣，變更晶片W的朝向， 將晶片W搬入到變更目的地的第2檢査部21B中。這樣，通過根據(jù)實 際的晶片W處理所需要的時間來隨時變更搬送目的地，能節(jié)省探測裝 置本體2沒有進行處理而待機所浪費的時間。
其次，說明位于探針單元28上方的測試器(tester) 100的鉸鏈 (hinge)機構(gòu)的一個例子。圖35是表示在探測裝置本體2上設置測試 器100的狀態(tài)的平面圖。在各測試器100的側(cè)面連接有L字型的旋轉(zhuǎn) 用平板101。在這些旋轉(zhuǎn)用平板101中的從測試器100伸出的部分之間， 設置有通過電動機102圍繞水平軸旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動部件103。另外，在各個 平板101上，設置有能夠與驅(qū)動部件103連接的，能夠利用未圖示的 驅(qū)動部沿著Y方向進退的連接部件104。使該連接部件104的一個相對于驅(qū)動部件103前進，與驅(qū)動部件103連接，另外，使另一個連接
部件104后退，成為連接解除狀態(tài)，由此利用作為共同驅(qū)動部的1臺 電動機102， 一個測試器100以及另一個測試器100能在接觸探針單元 28的位置和離開探針單元28的位置之間開閉。
這里，圖36、圖37表示晶片搬送機構(gòu)3的晶片搬送的一個例子。 這些圖表示從載體C1 (C2)依次取出晶片，搬入到檢查部21A、 21B 中，進行檢查，然后返回到載體C1 (C2)的一系列的流程?？v向表示 時間的流程，左端的欄表示處理的狀態(tài)。左端欄中的"批量開始 (lotStart)"表示包括來自載體的晶片的搬出、檢査的一系列流程的開 始，"Waf.l開始(Waf.lStart)"表示利用測試器檢查Waf.l， "Waf.l結(jié) 束(Waf.lEnd)"表示W(wǎng)af.l的測試器的檢查結(jié)束。左起第2欄以及右 端的欄分別表示Stagel、 2，即晶片卡盤4A、 4B的狀態(tài)，"Waf.l"表 示W(wǎng)af.l被載置在相應的晶片卡盤上，"對準(Alignmgent)"表示對晶 片W和探針29進行攝像，直至進行接觸位置的計算的狀態(tài)，"Test" 表示對晶片進行檢査的狀態(tài)。另外"Waf.l"等號碼是為了方便起見， 對載體C1 (C2)內(nèi)的晶片按照取出的順序附加的號碼。
另夕卜，左起第3欄、第4欄以及第5欄分別表示UpperArm (上層 臂31)、 MiddleArm (中層臂32)以及LowerArm (下層臂33)的狀態(tài)， 在這些欄中，"Waf.l"表示保持Waf.l的狀態(tài)，Carrier表示在載體C1 (C2)內(nèi)轉(zhuǎn)移有所保持的晶片。
從而，各行表示某個時間帶中的晶片卡盤4A、 4B的狀態(tài)、各個 臂31 33的保持狀態(tài)，即順序(sequence)程序中的時間表(schedule) 的各步驟，其結(jié)果圖36表示裝置的流程。如果按照時間順序進行說明， 則首先從控制部15 (參照圖2)發(fā)出"批量開始"的指示，由晶片搬 送機構(gòu)3的上層臂31以及中層臂32，分別從例如載體Cl取出Waf.2 以及Waf.l。接著，將Waf.l轉(zhuǎn)移到臺1并進行對準，另一方面，將 Waf.2轉(zhuǎn)移到臺2。
接著，對Waf.l進行檢查的同時，對Waf.2進行對準，但這時由于 3個臂31 33處于空狀態(tài)，因此難以將下一個Waf.3以及Waf.4取入 到載體Cl中。其結(jié)果在上端臂31上保持Waf.4，在中層臂32上保持 Waf.3。而且，開始對Waf.2進行檢查，然后，先開始檢査的Waf.l的檢査結(jié)束。這時，由于下層臂33為空狀態(tài)，因此由該下層臂33將Waf.l 取出到臺1上，對該臺1轉(zhuǎn)移中層臂32上的Waf.3。
接著，對該Waf.3進行對準，另一方面，使下層臂33上的Waf.l 返回到載體C1，同時，由成為空狀態(tài)的中層臂32將下一個Waf.5取入 到載體Cl內(nèi)。然后，開始臺1上的WaO的檢查，進而，臺2上的 Waf.2的檢査結(jié)束。于是，由成為空狀態(tài)的下端臂33接收該Waf.2，將 保持在上端臂31上的Waf.4轉(zhuǎn)移到臺2。對于該Waf.4開始對準，另 一方面，將下端臂33上的Waf.2返回到載體Cl，同時，由成為空狀態(tài) 的上端臂31將下一個Waf.6取入到載體Cl內(nèi)。然后，對于Waf.4開 始檢査。到此為止是到Waf.4開始為止的說明。以后同樣，進行晶片 的搬送、檢査。
如由以上可知那樣，在該例子中，關(guān)于3個臂31 33，利用上層 臂31以及中層臂32進行從載體C1至臺1、 2的晶片搬送，利用下層 臂33進行從臺1、 2至載體C1的檢查完畢晶片的搬送。
其次，圖36下部中的框內(nèi)的步驟表示在臺1中發(fā)生故障，根據(jù)操 作員的對應解除的狀態(tài)。"發(fā)生臺1的輔助(StagelAssist發(fā)生)"以及 "解除臺1的輔助(StagelAssist解除)"分別相當于該故障發(fā)生以及 解除。該框內(nèi)的步驟是接著在此之前的Waf.lO開始(Waf.lOStart)的 步驟。進而圖37是圖36的后續(xù)步驟，由于這些步驟群較長，因此將 圖面分割為2個。而且，作為圖37中的"臺1產(chǎn)生錯誤(StagelError 發(fā)生)"(分離)表示在臺1中發(fā)生了操作員無法對應的故障，從系統(tǒng) 的運用分離該臺1的狀態(tài)。另外，初始啟動、結(jié)束在該順序表的情況 下，在臺1 (Stagel)中發(fā)生錯誤，為了將其解除而進行初始。(初始 是操作員通過開關(guān)進行的，作為處理，進行內(nèi)部數(shù)據(jù)的初始化、臺關(guān) 系的初始化。)將該初始的開始作為初始啟動，將結(jié)束作為初始結(jié)束。 另外"如果Waf.9已檢査(If Waf.9 Tested)"以及"如果Waf.9沒有檢 查(If Waf.9 Untested)"分別表示檢查了 Waf.9的情況以及沒有檢查的 情況。進而圖37的"臺1/2同時清洗(Stagel / 2同時Cleaning)"是 連續(xù)清洗臺1、 2，另外所謂清洗是指使用專用的晶片NPW研磨探針 的針尖(Polish)。
另外，圖38以及圖39是在實施圖36、圖37的順序的裝置，例如第1實施方式的裝置中，將晶片搬送機構(gòu)3的臂的數(shù)量取為2個時的
順序。從這些順序可知，在檢查部21A (21B)中有故障的情況下，例 如在臺1或者2上有故障，不能將晶片搬入到該臺上，然后如果有消 除該臺的故障的情況或者進行檢查部21A (21B)中的探針的清洗情況 等，則可知與晶片搬送機構(gòu)3的臂的數(shù)量是2個相比，3個時的生產(chǎn)率
這里，圖40表示圖2所示的控制部15的結(jié)構(gòu)的一個例子。151 是CPU， 152是用于進行探測裝置的一系列動作的程序，153是存儲由 檢查部21A (21B)進行的檢查的方案的方案存儲部，154是用于進行 探測裝置的參數(shù)或者運轉(zhuǎn)模式的設定，或者與運轉(zhuǎn)有關(guān)的各操作的操 作部，155是總線。操作部154例如由觸摸面板等畫面構(gòu)成，圖41表 示其操作畫面的一部分的一個例子。
圖41中，160是用于設定作為晶片取出功能之一的連續(xù)批量功能 的軟開關(guān)。如果打開該軟開關(guān)160則完成如以下那樣的運用。
艮口，依次取出與一個批量相對應的載體C1內(nèi)的晶片，如果例如利 用中層臂32取出最后的未檢查的晶片，則在該中層臂32上載置有上 述未檢查晶片的狀態(tài)下，例如利用上層臂31取出與下一個批量相對應 的載體C2內(nèi)的起始的未檢査晶片。如果進行簡要的說明，則假設圖 36中的Waf.9是載體C1內(nèi)的最后的晶片，那么Waf.lO可以與載體C2 內(nèi)的起始的未檢查芯片相當。
艮P，當晶片搬送機構(gòu)3的1個臂上裝載有前面的批量(例如載體 Cl)的晶片時，進行在將該晶片搬入到檢查部之前利用其它的臂取出 下一個批量(例如載體C2)的晶片這樣的運用。如果進行這樣的運用， 則在連續(xù)處理互不相同的批量時可以得到高生產(chǎn)率。
另外，當沒有設定該連續(xù)批量功能時，在晶片搬送機構(gòu)3的臂上 前一個批量(載體)的晶片搬入到檢查部以后，取出下一個批量(載 體)的晶片。
另外，161是用于設定作為一個晶片取出模式的連續(xù)搬入功能的軟 開關(guān)。如果接通該開關(guān)161，則完成以下那樣的運用。S卩，如果當在晶 片卡盤4A、 4B的一個上載置1個載體內(nèi)的晶片時，另一個晶片卡盤 為空的，則進行將其它載體內(nèi)的晶片搬入到該空的晶片卡盤的運用。例如，即使1個載體的最后的未檢查晶片在一個的晶片卡盤進行檢査， 也進行將另一個載體的起始的未檢査晶片搬入到另一個晶片卡盤上的 運用。
162是用于設定載體分配功能的軟開關(guān)。如果接通該開關(guān)162，則 顯示相對兩個裝載口 12、 13分配檢査部的畫面，能夠進行該分配。例 如能夠進行以下情形的分配放置在裝載口 12上的載體內(nèi)的晶片搬送 到第一檢查部21A、放置在裝載口 13上的載體內(nèi)的晶片搬送到第二檢 査部21B。
163是用于設定批量分配功能的軟開關(guān)。如果接通該開關(guān)163，則 將晶片從載置在一個裝載口 12 (13)的載體依次搬送到空的晶片卡盤 上。該功能可以應用于例如裝載口 12、 13這兩者中，也可以通過另外 的畫面僅將該功能應用于一個裝載口 。
164是用于設定檢查部中的方案的軟開關(guān)。如果接通該開關(guān)164， 則顯示方案設定畫面，能夠在每一個檢查部中設定方案。在檢查部21A、 21B中，既能設定共同的方案也能設定互不相同的方案。作為方案的 設定例，例如能舉出晶片卡盤的溫度的設定、檢査晶片上所有的芯片 或僅檢査一部分的晶片例如判定為不良的晶片這樣的設定等。
165是用于設定連續(xù)檢査功能的軟開關(guān)。如果接通該開關(guān)165，則 顯示詳細設定畫面，決定檢查部的順序，根據(jù)該順序，晶片從2個檢 查部21A (21B)的一個搬送到另一個。例如，晶片由檢查部21A進行 檢查，接著，不是返回到載體，而是由檢査部21B進行檢查。在這種 情況下，例如能舉出在檢查部21A對所有的芯片進行檢査，在檢査部 21B檢査在檢查部21A中判斷為不良的芯片的例子。另外，在這種情 況下，例如，也能進行由檢査部21B對不良晶片進行標記這樣的運用。 此外，也有在檢查部21A中以第l溫度進行檢查，在檢査部21B中以 第2溫度進行檢查的情況。另外，如果斷開開關(guān)165，則晶片僅在一個 檢查部中進行檢査。
166是用于設定晶片卡盤代替功能的軟開關(guān)。如果接通該開關(guān)166， 則在-一個檢查部21A (21B)中發(fā)生了不良時，進行由另一個檢查部 21B (21A)代替處理的運用。
進而，在本發(fā)明中，也可以對2個檢査部21A、 21B使用共同的測試器，在2個晶片卡盤4A、 4B上載置晶片，通過上述測試器同時
進行檢查。在這種情況下，例如采用以下結(jié)構(gòu)，在探測裝置主體2之 外設置共同的測試器，由電纜連接各個探測卡6A、 6B和測試器。
這里，對于在圖2、圖3以及圖5等中記載的對準橋5A、 5B上搭 載的第2攝像單元說明最佳的例子。在前面的例子中，例如，如圖14 等所示，設置有3個作為高倍率照相機的微型照相機45，但在以下的 例子中設置有2個微型照相機。對準橋5A、 5B由于是相同的結(jié)構(gòu)， 因此對一個的對準橋5A進行敘述。在以下的說明中，為了方便，令X 方向(參照圖2)為左右方向。
如圖42所示，在對準橋5A上設置有相對于將該對準橋5A左右2 等分的中心線300對稱的設置微型照相機301、 302和低倍照相機401、 402。微型照相機301、 302如果用圖2表示，則位于比低倍照相機401、 402更靠近作為第1檢查部21A以及第2檢査部21B的邊界的水平線 HL側(cè)。另夕卜，微型照相機301、302與中心線300的距離1例如是73mm， 低倍照相機401 、 402與中心線300的距離r例如是45mm。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，如下述所示晶片卡盤4A的移動區(qū)域變窄。作為 用于進行晶片W與探針29的對位的作業(yè)之一，有利用微型照相機301 、 302觀察晶片W的左右兩端部分的對準標記，或者在檢查以后觀察晶 片W上的針跡的情況，因此，有時使晶片W的左右兩端部位位于微 型照相機301、 302的正下方。圖43表示了進行這樣操作時的晶片卡 盤4A的移動狀況。現(xiàn)在，如圖43 (a)所示，晶片W以對準橋5A的 中心線300與晶片W的中心C重疊的方式位于對準橋5A的下方位置。 如果想要從這里朝向晶片W，由微型照相機301對左側(cè)區(qū)域進行攝像， 則如圖43 (b)所示，使晶片卡盤4A沿著X方向移動，使得朝向晶片 W，左端位于微型照相機301的正下方。這時圖43 (a)的晶片卡盤 4A的移動量成為Ml。這里，如果是300mm的晶片W，則Ml成為 77mm 。
圖44中表示X方向的晶片W的整體移動量。如圖44所示，以晶 片W的中心C位于對準橋5A的中心線300的狀態(tài)為基準，從該狀態(tài) 起，晶片W移動到左側(cè)區(qū)域以及右側(cè)區(qū)域的量分別是M1。在該例子 中，由于使用300mm晶片W，因此Ml是77mm，晶片W的整體移動量成為154mm。
圖45是在對準橋5A上安裝有1個微型照相機301的情況，在該 情況下，首先在使晶片W的中心位于微型照相機301的正下方以后， 使晶片卡盤4A沿著X方向移動，從而使晶片W的左右兩端部位分別 位于微型照相機301的正下方，因此如圖45所示，晶片W向左側(cè)區(qū) 域以及右側(cè)區(qū)域移動的量M2相當于該晶片W半徑份。在該例子中， 由于使用300mm晶片W，因此M2是150mm，晶片W的整體移動量 成為300mm。
此外，為了求得晶片W上的理想坐標(以晶片的中心為原點的各 芯片的電極墊的坐標)與晶片卡盤4A的驅(qū)動系統(tǒng)中的實際坐標(沿著 X、 Y方向移動規(guī)定量時的電動機的編碼器的脈沖數(shù))的關(guān)系，對晶片 W上的多個點進行攝像。在這種情況下，這些多個點例如是晶片W的 中心和沿著分別在X方向以及Y方向延伸的通過晶片W的直徑的割 線的芯片的邊緣部所設置的總計4個對準標記的總計5個點，通過由 微型照相機301、 302分擔攝像這些對位用的5個點，與使用l個微型 照相機的情況相比，可以減小晶片卡盤4A的移動量，另外移動所需要 的時間也縮短。
其次，圖46 圖48表示低倍照相機401、 402的使用方法。圖46 表示對晶片W的4個點E1 E4進行攝像并求得各個坐標位置，求得 這些4點之中，連接El與E3的2點的直線以及連接E2與E4的2點 的直線的交點的狀況，該交點成為晶片W的中心點(中心坐標)C。 另外，連接E1、 E3 (E2、 E4)的直線的長度成為晶片W的直徑。例 如，即使稱為300mm晶片W，但實際上晶片W的直徑相對于300mm 包括微小的誤差，因此為了正確生成晶片W上的芯片的圖(各電極墊 的坐標)，需要掌握晶片W的中心坐標和直徑。另外，晶片上的坐標 系(所謂的理想坐標系)中的各芯片的電極墊的登錄位置，由于按照 距晶片W的中心坐標的相對位置存儲，因此需要求得晶片W的中心 坐標。
如圖46所示，E2、 E3僅分開預先規(guī)定的距離，通過使晶片W沿 著Y方向移動，使該E2、 E3之間的線段沿著Y方向移動，該線段與 晶片W的周邊相交的點是E1、 E4。在該例子中，如圖47 (a)、 (b)所示，利用低倍照相機401、 402依次對晶片W的圖47中的下半部的 左右進行攝像，求得E2、 E3的位置。接著使晶片W沿著Y方向移動， 如圖48 (a)、 (b)所示，利用低倍照相機401、 402依次對晶片W的 圖48中的上半部的左右進行攝像，求得E1、 E4的位置。
另一方面，如果低倍照相機是1個，則必須使卡盤依次移動到與 晶片W上的4點的每個點相對應的位置，但在該例子中，通過切換低 倍照相機401、 402，能幾乎同時確認E1、 E3 (或者E2、 E4)的2個 點的組，晶片卡盤4A的移動在進行E1、 E3的確認以后，可以沿著Y 方向僅移動一次。從而，能在短時間內(nèi)進行作為晶片W的周邊位置的 4個點的攝像。而且，在使用2個低倍照相機401、 402的情況下，優(yōu) 選相對于上述中心線300左右對稱地設置。其理由是在利用低倍照相 機401、 402分別分擔晶片W的左右區(qū)域的攝像時，相對于中心線300 晶片卡盤4A的移動區(qū)域成為左右對稱，如果與利用微型照相機301、 302對晶片W進行攝像時的移動區(qū)域重合，則其結(jié)果，晶片卡盤4A 的移動區(qū)域與非對稱時相比變窄。另夕卜，低倍照相機401、 402的配置 也可以相對于上述中心線300不對稱。
另外，微型照相機301、 302在光學系統(tǒng)的光路上設置有變倍機構(gòu)， 通過控制變倍機構(gòu)，可以得到比作為高倍率照相機使用時的倍率少的 低倍率的視野(中級視野)。另外，所謂作為高倍率照相機使用時的倍 率是能確認電極墊上的針跡程度的倍率，例如是只有一個電極墊收容 在視野內(nèi)的倍率。在檢查以后，當操作員確認電極墊上的針跡時，通 過低倍照相機401、 402看不到針跡，另外，通過微型照相機301、 302 僅能確認一個電極墊，花費很長的時間，因此通過中級視野能一次看 到多個電極墊，能有效地確認針跡的有無。另外，在對上述的晶片W 上的對位用的例如5個點進行攝像時也可以利用該中級視野。
從以上可知，通過使用2組微型照相機以及低倍照相機的組，與1 組的情況相比，相對于探針29的進行晶片W的對位時的晶片卡盤4A 的移動量減少，實現(xiàn)生產(chǎn)率的提高并且實現(xiàn)裝置的小型化。另外，在 晶片卡盤的移動量少的裝置規(guī)格的情況下，微型照相機以及低倍照相 機的組是1組，不能觀察晶片的整個區(qū)域，而通過使用2組，能夠適 用于這樣的裝置規(guī)格中。(實施例)
關(guān)于在上述的第1實施方式中說明過的晶片w交換時的晶片搬送 機構(gòu)3的動作順序，將臂30的個數(shù)是3個的情況(本發(fā)明)與2個的 情況(現(xiàn)有例)的差別進行了比較。另外，關(guān)于臂30的個數(shù)以外的裝 置等也采用了同樣的結(jié)構(gòu)。
如上所述，在臂30的個數(shù)是3個的情況下，沒有借助盒C或者預 對準機構(gòu)39，對于第1檢査部21A和第2檢查部21B能連續(xù)依次搬送 晶片W，而在臂30是2個的情況下，在將晶片W搬入到第1檢查部 21A以后，在將晶片W搬送到第2檢查部21B之前，需要訪問盒C或 者預對準機構(gòu)39。圖49模式地表示了此時的晶片搬送機構(gòu)3的動作。 在該圖中，在左側(cè)的(1)中表示臂30的個數(shù)是3個的情況，右側(cè)的 (2)中表示臂30的個數(shù)是2個的情況。另外，從上段側(cè)向下段側(cè)(在 (1)中是(A) (F)，在(2)中是(a) (g))依次進行晶片W 的處理(搬送)。關(guān)于這時的晶片搬送機構(gòu)3的動作，在以下的例子中， 具體說明在2個晶片卡盤4A、 4B中分別進行晶片W1、 2的檢查，該 晶片W1、 2與后續(xù)的未檢査的晶片W3、 4交換時的流程。
如該圖49 (1)所示，在臂30的個數(shù)是3個的情況下，例如利用 上層臂31 (Upper)以及中層臂32 (Middle)分別搬送未檢查的晶片 W3以及晶片W4 (A)。這時，在晶片卡盤4A上的晶片Wl的檢査結(jié) 束之前，對于該晶片W3、 4進行上述預對準工序或者OCR工序。然 后，當晶片卡盤4A中的檢查結(jié)束時，例如由下層臂33 (Lower)回收 檢查完畢的晶片W1 (B)。然后，將上層臂31的晶片W3載置到該晶 片卡盤4A上(C)。接著，由上層臂31回收晶片卡盤4B中的檢査完 畢的晶片W2(D)，將中層臂32的晶片W4載置到晶片卡盤4B上(E)。 其結(jié)果，在晶片搬送機構(gòu)3中回收檢查完畢的晶片Wl、 2，在晶片卡 盤4A、 4B上載置未檢査的晶片W3、 4并進行檢查(F)。這樣，在晶 片搬送機構(gòu)3中設置3個臂30，通過在這些臂30上保持2個未檢査的 晶片，能依次將晶片W搬送到第1檢查部21A和第2檢查部21B。
另一方面，在臂30的個數(shù)是2個的情況下，如該圖(2)所示， 例如由上層臂31搬送未檢查的晶片W3 (a)。這時，在晶片卡盤4A 中的晶片Wl的檢査結(jié)束之前，也對晶片W3進行預對準工序或者OCR工序。然后，在晶片卡盤4A中的檢查結(jié)束的情況下，由下層臂33回
收檢查完畢的晶片W1 (b)。然后，將上層臂31的晶片W3載置到晶 片卡盤4A上(c)。接著，使晶片搬送機構(gòu)3上升到進行與載體C的轉(zhuǎn) 移的上方位置，將晶片W1返回到載體C的同時，例如由上層臂31取 出后續(xù)的晶片W4 (d)。然后，對于該晶片W4進行預對準工序或者 OCR工序(訪問OCR盒)(e)。然后，回收晶片卡盤4B中的檢查完 畢的晶片W2(f)，將上層臂31的晶片W4載置到晶片卡盤4B上(g)。 關(guān)于上述的晶片搬送機構(gòu)3的流程，圖50概略地表示搬送未檢査 的晶片Wl、 2時的經(jīng)過時間。在該例子中表示在上段側(cè)取臂30的個 數(shù)為3個的例子(1)，在下段側(cè)取臂30的個數(shù)為2個的例子(2)。在 該圖50中，左端的"3個臂"或者"2個臂"項目的右側(cè)項目("第1/ 第2晶片"、"第1晶片"、"第2晶片"、"第3晶片")分別表示對第幾 個晶片W進行處理，另外，從其右側(cè)的項目起，表示對該晶片W進 行處理的內(nèi)容。
另外，在該圖50中，在與上述的(A) (F)、 (a) g)相對應 的工序中預先附加這些字母。在該圖中，橫軸表示經(jīng)過時間。另外， 在該圖50中還示出了在上述的圖49中省略了圖示的預對準工序。另 外，在該圖中，"打開閘門(Shutter)"是打開設置于檢查部21的搬送 口 22a的未圖示的閘門的工序，"對準(Alignment)"是在檢查部21中 進行的精密對準工序，"裝載晶片(WaferLoad)"是向檢查部21的晶 片W的搬入工序，"取出晶片"是從載體C取出晶片W的工序，前(后) 臺(Front (Rear) Stage)是晶片卡盤4A (4B)。
如該圖50所示，可知通過將臂30的個數(shù)從2個增加到3個，晶 片W的搬送效率高，大量縮短了晶片W的搬送所需要的時間，能縮 短從動作開始到2個晶片W的搬送結(jié)束所需要的時間以及從第1個晶 片Wl的搬入開始到第2個晶片W2搬入結(jié)束所需要的時間。從而， 可知通過將臂30的個數(shù)增加到3個，能提高探測裝置的生產(chǎn)率。另外， 關(guān)于臂30的個數(shù)是2個的例子，各自分別分開顯示晶片Wl、 2、 3。 另外，如在上述圖49所說明的那樣，在進行晶片W的交換時，如圖 50的最下段所示，為了將晶片W1返回(收容)到載體C而需要額外 的時間。
權(quán)利要求
1.一種探測裝置，將排列有多個被檢查芯片的基板載置到沿著水平方向以及鉛垂方向能夠移動的基板載置臺上，使所述被檢查芯片的電極墊與探測卡的探測器接觸，進行被檢查芯片的檢查，其特征在于，包括載置收容有多個基板的載體的裝載口；具有在下面形成有探測器的探測卡的多個探測裝置本體；圍繞鉛垂軸旋轉(zhuǎn)自由以及升降自由地構(gòu)成的，用于在所述裝載口與所述探測裝置本體之間進行所述基板的轉(zhuǎn)移的基板搬送機構(gòu)；和對所述探測裝置本體以及所述基板搬送機構(gòu)輸出控制信號的控制部，其中，所述基板搬送機構(gòu)具備相互獨立地進退自由的至少3個基板保持部件，所述控制部輸出控制信號，使得通過所述基板搬送機構(gòu)從載體接收至少2個基板，利用空的基板保持部件將這些至少2個基板與多個探測裝置本體內(nèi)的檢查完畢的基板依次交換。
2.如權(quán)利要求l所述的探測裝置，其特征在于所述基板搬送機構(gòu)為了進行基板的定位，具備由使從所述基板保 持部件接收的基板旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)部，和在包括所述旋轉(zhuǎn)部上的基板周邊 部的區(qū)域照射光，接受通過該區(qū)域的光的檢測部構(gòu)成的預對準機構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種探測裝置，在使用探測卡來調(diào)查晶片上的IC芯片的電特性的探測裝置中，提高晶片的搬送效率，實現(xiàn)高生產(chǎn)率。在探測裝置上設置有載置收容有多個基板的載體的裝載口；具有在下面形成有探測器的探測卡的多個探測裝置本體；和圍繞鉛垂軸旋轉(zhuǎn)自由以及升降自由地構(gòu)成的，用于在上述裝載口與上述探測裝置本體之間進行上述基板的轉(zhuǎn)移的基板搬送機構(gòu)，該基板搬送機構(gòu)具備相互獨立地進退自由的至少3個基板保持部件。而且通過基板搬送機構(gòu)從載體接收至少2個基板，將這些至少2個基板依次搬入到多個探測裝置本體內(nèi)。
文檔編號G01R1/02GK101308193SQ20081009904
公開日2008年11月19日 申請日期2008年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月15日
發(fā)明者帶金正, 秋山收司 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社