一種掩膜板及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明設(shè)及有機(jī)光電領(lǐng)域，具體設(shè)及一種殷瓦掩膜板及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件（英文全稱化ganic Li曲t-血itting Device,簡(jiǎn)稱化抓）是主 動(dòng)發(fā)光器件，具有低功耗、色域廣、體積更薄等優(yōu)點(diǎn)，有望成為下一代主流照明和平板顯示 技術(shù)。當(dāng)前高像素密度的化抓顯示面板的生產(chǎn)需要采用厚度很薄、熱膨脹系數(shù)小的精細(xì)金 屬掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)來作為掩膜板(或稱蔭罩板），用來蒸鍛0L抓顯示面板像 素單元內(nèi)的有機(jī)發(fā)光體。
[0003] 化抓用精細(xì)金屬掩膜板通常使用殷瓦合金（INVAR,又稱殷鋼)一般通過濕法刻蝕 的方法來制備，首先在殷瓦合金表面涂覆感光膜，通過曝光的方式將掩膜板的精細(xì)圖案轉(zhuǎn) 移在感光膜上，再通過顯影和濕法刻蝕的方式最后制成精細(xì)金屬掩膜板。
[0004] 因?yàn)镮nvar材質(zhì)的掩膜板上的開孔都很小，濕法刻蝕的定位精準(zhǔn)度較差，容易導(dǎo)致 最后得到的開孔的位置和大小具有較大偏差，開孔公差達(dá)到±0.005mm，幅面為370mmX 470mm的掩膜板的孔間位置公差高達(dá)±0.008mm。同時(shí)，如圖1所示，刻蝕基于化學(xué)溶解，形成 的開孔表面毛糖，孔壁不光滑，且孔壁兩側(cè)傾斜角度不一致，使得蒸鍛陰影不一致，不利于 發(fā)光材料完全轉(zhuǎn)移。因此，再加上安裝偏差，極易導(dǎo)致FMM方法無法實(shí)現(xiàn)高分辨率屏體的蒸 鍛，使得FMM方法制備得到的屏體的最高分辨率僅為320PPI(Pixels Per Inch,每英寸所擁 有的像素?cái)?shù)目）左右。
[0005] 為此，如何提高精細(xì)金屬掩膜板的分辨率，同時(shí)降低制造成本是業(yè)界亟待解決的 問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有技術(shù)中精細(xì)金屬掩膜板分辨率低、成本高的問題， 進(jìn)而提供一種分辨率高、成本低的復(fù)合掩膜板及其制備方法。
[0007] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜板的制備方法，包括W下步驟： [000引在母版上形成第一光刻膠層，并圖案化形成包括第一骨架與第一縷空區(qū)域的第一 掩膜圖案層；
[0009] W所述第一掩膜圖案層為掩膜，在所述母版上形成嵌設(shè)在所述第一縷空區(qū)域中的 第一電鑄層；
[0010] 在所述第一電鑄層上形成第二光刻膠層，并圖案化形成包括第二骨架與第二縷空 區(qū)域的第二掩膜圖案層；
[0011] W所述第二掩膜圖案層為掩膜，在所述第一電鑄層上直接形成嵌設(shè)在所述第二縷 空區(qū)域中的第二電鑄層；
[0012] 去除所述第一掩膜圖案層與所述第二掩膜圖案層；
[0013] 將所述第一電鑄層與所述第二電鑄層從所述母板上剝離，即得。
[0014] 優(yōu)選地，所述第二掩膜圖案層在所述母版上的投影覆蓋所述第一掩膜圖案層在所 述母版上的投影。
[0015] 優(yōu)選地，所述第二光刻膠層的圖案化過程包括:曝光步驟、顯影步驟W及加熱塑形 步驟。
[0016] 優(yōu)選地，沿所述第二骨架的所在平面的垂直方向，所述第二骨架的截面為不連續(xù) 的若干倒置梯形。
[0017] 優(yōu)選地，所述母版為金屬母版，所述第一電鑄層和/或所述第二電鑄層通過電化學(xué) 沉積工藝形成。
[0018] 優(yōu)選地，所述第一電鑄層和/或所述第二電鑄層為殷瓦（invar)合金層。
[0019] 優(yōu)選地，所述第一電鑄層厚度為如m~20皿;所述第二電鑄層厚度為10皿~35皿。
[0020] 優(yōu)選地，所述第一光刻膠層為正性光刻膠層，厚度為如m~20WI1。
[0021] 優(yōu)選地，所述第二光刻膠層為負(fù)性光刻膠層，厚度為ΙΟμπι~35μπι。
[0022] 本發(fā)明實(shí)施例還提供一種所述的掩膜板的制備方法所制備的掩膜板。
[0023] 本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有W下優(yōu)點(diǎn)：
[0024] 1、本發(fā)明所述的一種掩膜板的制備方法，包括W下步驟:在母版上形成第一光刻 膠層，并圖案化形成包括第一骨架與第一縷空區(qū)域的第一掩膜圖案層；W所述第一掩膜圖 案層為掩膜，在所述母版上形成嵌設(shè)在所述第一縷空區(qū)域中的第一電鑄層;在所述第一電 鑄層上形成第二光刻膠層，并圖案化形成包括第二骨架與第二縷空區(qū)域的第二掩膜圖案 層；W所述第二掩膜圖案層為掩膜，在所述第一電鑄層上直接形成嵌設(shè)在所述第二縷空區(qū) 域中的第二電鑄層;去除所述第一掩膜圖案層與所述第二掩膜圖案層;將所述第一電鑄層 與所述第二電鑄層從所述母板上剝離，即得。所述掩膜板的制備方法步驟簡(jiǎn)單，無需使用刻 蝕工藝，工藝成本低;優(yōu)選使用電鑄法制備形成掩膜板，不但精度高，能夠有效提高所述掩 膜板的分辨率，而且工藝成熟，生產(chǎn)成本低。
[0025] 2、本發(fā)明所述的一種掩膜板，采用電鑄工藝制備，精度高，分辨率高，能夠有效提 高使用其的顯示設(shè)備的圖像質(zhì)量。
【附圖說明】
[0026] 為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合 附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中
[0027] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中通過刻蝕工藝制得的掩膜板截面圖；
[0028] 圖2a~2i是本發(fā)明所述的掩膜板的制備方法在制備過程中的剖視圖；
[0029] 圖3是本發(fā)明所述的掩膜板的制備方法的流程圖；
[0030] 圖中附圖標(biāo)記表示為：1-母版、2-第一光刻膠層、21-第一掩膜圖案層、22-第一骨 架、23-第一縷空區(qū)域、3-第一電鑄層、4-第二光刻膠層、41-第二掩膜圖案層、42-第二骨架、 43-第二縷空區(qū)域、5-第二電鑄層、6-掩膜板。
【具體實(shí)施方式】
[0031] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí) 施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0032] 本發(fā)明可WW許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實(shí)施例。 相反，提供運(yùn)些實(shí)施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給 本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見，會(huì)夸大層和區(qū) 域的尺寸和相對(duì)尺寸。
[0033] 下面將結(jié)合圖2a~2i與圖3詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一種掩膜板及其制備方 法。
[0034] 所述的一種掩膜板的制備方法，如圖3所示，包括W下步驟：
[0035] S1、如圖2a所示，在母版1上形成第一光刻膠層2,如圖化、2c所示，通過曝光和顯影 工藝對(duì)所述第一光刻膠層2進(jìn)行圖案化形成包括第一骨架22與第一縷空區(qū)域23的第一掩膜 圖案層21;所述母版1為金屬母版，所述第一光刻膠