一種掩膜板及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)光電領(lǐng)域,具體涉及一種復(fù)合掩膜板及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(英文全稱Organic Light-Emitting Device,簡稱0LED)是主動發(fā)光器件,具有低功耗、色域廣、體積更薄等優(yōu)點(diǎn),有望成為下一代主流照明和平板顯示技術(shù)。當(dāng)前高像素密度的0LED顯示面板的生產(chǎn)需要采用厚度很薄、熱膨脹系數(shù)小的精細(xì)金屬掩膜板(Fine Metal Mask,F(xiàn)MM)來作為掩膜板(或稱蔭罩板),用來蒸鍍0LED顯示面板像素單元內(nèi)的有機(jī)發(fā)光體。
[0003]0LED用精細(xì)金屬掩膜板通常使用殷瓦合金(INVAR,又稱殷鋼)一般通過濕法刻蝕的方法來制備,首先在殷瓦合金表面涂覆感光膜,通過曝光的方式將掩膜板的精細(xì)圖案轉(zhuǎn)移在感光膜上,再通過顯影和濕法刻蝕的方式最后制成精細(xì)金屬掩膜板。
[0004]因?yàn)镮nvar材質(zhì)的掩膜板上的開孔都很小,濕法刻蝕的定位精準(zhǔn)度較差,容易導(dǎo)致最后得到的開孔的位置和大小具有較大偏差。另外,殷瓦合金材質(zhì)的掩膜板比較重,其固定在不銹鋼框架上隨著應(yīng)用時間越來越長,牢固性也越來越差,因此掩膜板上的開孔相對于基板的位置也可能會發(fā)生偏移;再加上安裝偏差,極易導(dǎo)致FMM方法無法實(shí)現(xiàn)高分辨率屏體的蒸鍍,使得FMM方法制備得到的屏體的最高分辨率僅為320PPI (Pixels Per Inch,每英寸所擁有的像素?cái)?shù)目)左右。
[0005]另外,在0LED的制備過程,每隔一段時間就必須通過清潔來阻止精細(xì)金屬掩膜板中的圖案因殘留物質(zhì)引起的缺陷,清潔過程極易導(dǎo)致精細(xì)金屬掩膜板中某些圖像單元的損壞,因此精細(xì)金屬掩膜板大約每兩個月就必須進(jìn)行更換,用于精細(xì)金屬掩膜板的成本相當(dāng)曰蟲印貝ο
[0006]為此,如何提高精細(xì)金屬掩膜板的分辨率,同時提高其強(qiáng)度、降低制造成本是業(yè)界亟待解決的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]為此,本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有技術(shù)中精細(xì)金屬掩膜板分辨率低、強(qiáng)度低、成本高的問題,進(jìn)而提供一種分辨率高、強(qiáng)度大、成本低的復(fù)合掩膜板及其制備方法。
[0008]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
[0009]本發(fā)明所述的一種掩膜板,包括層疊設(shè)置的骨架層、粘合劑層以及石墨烯層;所述骨架層中開設(shè)有若干貫通的第一開口,所述粘合劑層中開設(shè)有若干貫通的第二開口,所述石墨烯層中開設(shè)有若干貫通的第三開口 ;所述第一開口、所述第二開口、所述第三開口在垂直于所述掩膜板所在平面方向上貫通設(shè)置。
[0010]所述第一開口的開口面積大于等于所述第二開口的開口面積。
[0011 ] 所述第二開口的開口面積大于所述第三開口的開口面積。
[0012]所述石墨稀層厚度為0.01 μ m?5 μ m。
[0013]所述骨架層為殷瓦合金層,厚度為10 μπι?30 μπι。
[0014]所述粘合劑層為光刻膠層,厚度為0.5 μπι?15 μπι。
[0015]本發(fā)明所述的掩膜板的制備方法,包括如下步驟:
[0016]S1、制備骨架層,并在所述骨架層中開設(shè)若干貫通其的第一開口 ;
[0017]S2、在所述骨架層上形成粘合劑層,并在所述粘合劑層中開設(shè)若干貫通其的第二開口,所述第二開口設(shè)置在所述第一開口的垂直上方;
[0018]S3、在所述粘合劑層上形成石墨烯層,并在所述石墨烯層中開設(shè)若干貫通其的第三開口,所述第三開口設(shè)置在所述第二開口的垂直上方。
[0019]所述步驟S3中,所述石墨烯層通過壓合工藝形成在所述粘合劑層上。
[0020]所述步驟S1中,所述第一開口通過刻蝕工藝或者電鑄工藝形成。
[0021]所述步驟S2中,所述第二開口通過光刻工藝形成。
[0022]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0023]1、本發(fā)明所述的一種掩膜板,包括層疊設(shè)置的骨架層、粘合劑層以及石墨烯層;所述骨架層中開設(shè)有若干貫通的第一開口,所述粘合劑層中開設(shè)有若干貫通的第二開口,所述石墨烯層中開設(shè)有若干貫通的第三開口 ;所述第一開口、所述第二開口、所述第三開口在垂直于所述掩膜板所在平面方向上貫通設(shè)置。所述石墨烯層通過所述粘合劑層粘附在所述骨架層上,質(zhì)量輕、強(qiáng)度大、原料成本低,使用及清洗過程中不易損壞,有效降低了所述掩膜板的使用成本。所述掩膜板的開口大小由設(shè)置在所述石墨烯層中的第三開口控制,開口面積大、定位精確、分辨率高。
[0024]2、本發(fā)明所述的一種掩膜板,所述第一開口的開口面積大于等于所述第二開口的開口面積,所述第二開口的開口面積大于所述第三開口的開口面積;所述第一開口、所述第二開口面積大、制備精度要求低,有效提高了產(chǎn)品良率、同時降低了生產(chǎn)成本。
[0025]3、本發(fā)明所述的一種掩膜板,所述骨架層為殷瓦合金層,厚度為ΙΟμπι?30μηι,所述石墨稀層厚度為0.01 μπι?5 μm,所述粘合劑層為光刻膠層,厚度為0.5 μπι?15 μπι,為所述掩膜板提供了有效的使用強(qiáng)度。
[0026]4、本發(fā)明所述的掩膜板的制備方法,所述石墨烯層通過壓合工藝形成在所述粘合劑層上,所述第一開口通過刻蝕工藝或者電鑄工藝形成,所述第二開口通過光刻工藝形成,工藝簡單、精度要求低,有效降低了生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0027]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解,下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖,對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,其中
[0028]圖1是本發(fā)明所述的掩膜板結(jié)構(gòu)示意圖;
[0029]圖2是本發(fā)明所述的掩膜板的制備方法的流程圖;
[0030]圖中附圖標(biāo)記表示為:1_骨架層、2-粘合劑層、3-石墨烯層、4-第一開口、5-第二開口、6-第三開口。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0032]本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施,而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實(shí)施例。相反,提供這些實(shí)施例,使得本公開將是徹底和完整的,并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員,本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中,為了清晰起見,會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。