專利名稱：疏水疏油涂層及其制備方法
疏水疏油涂層及其制備方法相關申請的交叉引用本申請要求于2006年10月3日提交的美國臨時申請第60/849，233號的優(yōu)先權 權益，該申請的內容以引用的方式全部引入。
背景技術：
許多聚合物/塑料材料具有理想的整體特性，例如低密度、低成本、良好的強度和 易處理性，這使得它們可以成為許多生活消費品和消費設備的整體構件。不過，對于特定用 途而言，具有理想整體特性的許多塑料品在表面特性諸如例如耐磨損性和潤濕性等方面有 所欠缺。因此，理想的是在聚合物/塑料上進行涂層以修飾其表面，從而使其有利的整體特 性能夠用于各種用途。在許多情況中，許多設備被設計為防止水進入該設備的內部從而維持適當的功能 性。制造商常常設計用于如下環(huán)境的設備，即水或其它液體材料可能會與設備和設備構件 相接觸。設備和設備構件可具有各種防護罩以保護設備和構件的內部。防護罩往往由多個 部分構成，結果造成各種接縫和開口，這些接縫和開口可能會使得內部受到液體的損害。許 多設備還需要在防護罩內有小的開口或空隙，從而允許空氣或其它氣體在設備的內部和外 部間自由流動，同時防止液體穿過該防護罩。例如，用于為電子裝置供電的電池容易受到水 分的損害，但又需要外部氧源來工作。另外，設備可能含有液體材料，所述液體材料需要在 該設備內容納一段較長時間，直至該液體被分配。例如，噴墨墨盒常常含有在該墨盒中容納 較長時間的液體墨水溶液。

發(fā)明內容
根據至少一個實施方式，一種方法可包括將第一硅烷沉積到表面上和將第二硅烷 沉積到第一硅烷上，所述第一硅烷包括官能性連接基團和硅烷基團，且所述第二硅烷包括 疏水性脂族基團和硅烷基團。在特定實施方式中，一種組合物可包括下述物質的反應產物包括羥基基團的基 材、包括官能性連接基團和硅烷基團的第一硅烷、以及包括疏水性脂族基團和硅烷基團的
第二硅烷。在各種實施方式中，一種涂層組合物可包括與表面結合的第一硅烷和通過硅氧烷 鍵與第一硅烷結合的第二硅烷，所述第一硅烷包括硅烷基團，且所述第二硅烷包括疏水性 脂族基團。在特定實施方式中，一種制品可包括具有表面的第一部分、與第一部分的表面結 合的第一硅烷、以及通過硅氧烷鍵與第一硅烷結合的第二硅烷，所述第一硅烷包括硅烷基 團，且所述第二硅烷包括疏水性脂族基團。在其它實施方式中，一種助聽裝置可包括具有表面部分的第一構件和與該第一構 件的表面部分結合的涂層組合物，所述涂層組合物包括與第一構件的表面部分結合的粘附 層和與粘附層結合的疏水層。
在至少一個實施方式中，一種方法可包括將粘附促進化合物(adhesion promoting compound)沉積到表面上，所述粘附促進化合物包括官能性連接基團和硅烷官 能團與鍺官能團中的至少一種。該方法還可包括將疏水層形成化合物(hydrophobic layer forming compound)沉積到粘附促進化合物上，所述疏水層形成化合物包括疏水性脂族基 團和硅烷官能團與鍺官能團中的至少一種。在各種實施方式中，一種組合物可包括下述物質的反應產物包括羥基基團的基 材、包括粘附促進化合物的粘附促進組合物和包括疏水層形成化合物的疏水層形成組合 物，所述粘附促進化合物包括官能性連接基團和硅烷官能團與鍺官能團中的至少一種，且 所述疏水層形成化合物包括疏水性脂族基團和硅烷官能團與鍺官能團中的至少一種。上述實施方式的特征可根據本文所描述的一般原理而彼此組合使用。當閱讀下述 詳細描述及所附附圖和權利要求時，將會更充分地理解這些和其它實施方式、特征及優(yōu)點。


附圖描述了許多示例性實施方式并構成說明書的一部分。這些附圖與下述說明共 同證明并解釋了本發(fā)明公開內容的各種原理。圖1是根據至少一個實施方式的包括涂層的示例性制品的一部分的截面圖；圖2是根據另外的實施方式的用于在表面上形成涂層的示例性方法的流程圖；圖3是根據另外的實施方式的用于在表面上形成涂層的示例性方法的流程圖；圖4是根據另外的實施方式的用于在表面上形成涂層的示例性方法的流程圖；圖5是根據另外的實施方式的用于在表面上形成涂層的示例性方法的流程圖；圖6是根據另外的實施方式的用于在表面上形成涂層的示例性方法的流程圖；圖7是根據另外的實施方式的用于在表面上形成涂層的示例性方法的流程圖；圖8是根據另外的實施方式的用于在表面上形成涂層的示例性方法的流程圖；圖9是根據另外的實施方式的用于在表面上形成涂層的示例性方法的流程圖；圖10A是根據另外的實施方式的在其一部分上形成有涂層的示例性助聽裝置；圖10B是根據另外的實施方式的在其一部分上形成有涂層的示例性助聽裝置；圖10C是根據另外的實施方式的在其一部分上形成有涂層的示例性助聽裝置；圖10D是根據另外的實施方式的在其一部分上形成有涂層的示例性助聽裝置；圖11是根據另外的實施方式的在其一部分上形成有涂層的示例性硅基 (silicon-based)制品。在全部附圖中，相同的附圖標記和描述表示類似的、但不一定完全相同的構件。本 文中描述的示例性實施方式允許有各種修飾和變化方式，具體的實施方式已經由附圖中的 例子顯示，并將在本文中進行詳細描述。然而，本文中描述的示例性實施方式并非意圖限制 于所公開的特定形式。相反，本發(fā)明的公開內容涵蓋了所有落入所附權利要求范圍內的修 飾、等價物和替代物。
具體實施例方式本發(fā)明的公開內容中所表述的硅烷組合物可被沉積在制品上以使該制品具有各 種特性。在本發(fā)明的公開內容中也表述了將組合物施用于各種制品上的方法。本文中討論的組合物和方法還可提供各種其它特征和優(yōu)點。圖1是包括基材22和涂層沈的示例性制品20。如該圖所描述般，基材22可包括 表面M。另外，涂層沈可包括粘附促進層觀和疏水層30。制品20可包括任何合適的具 有表面部分的制品或裝置。制品20的例子可包括但不限于電子設備、硅晶片、硅芯片、噴墨 墨盒、塑料膜、電池、電池觸點、可充電電池、網狀遮蓋物、耳機及前述制品的構件。制品20 還可包括成型為任何形狀、尺寸、質地或構造的表面，包括例如平面、曲面、粗糙表面、平滑 表面和/或不規(guī)則表面。另外，制品20可包括各種助聽裝置、構件和/或附件，包括例如殼 體構件、蓋子、耳內穹隆物(例如用于助聽產品)、麥克風套(例如織物網狀套)、音量控制 器、開關、按鈕、麥克風端口、接收端口、管子、耳掛、聲阻尼元件、電池盒蓋(battery door), 電池、電池觸點、管口、DAI連接器、水分和/或蠟防護物、面板元件、耳模(例如用于標準耳 模和定制耳模)以及任何其它助聽裝置或構件?；?2可包括任何適于沉積下述硅烷化合物的材料或材料組合。適于形成基材 22的材料的例子包括但不限于聚合物材料、金屬材料、復合材料、硅基材料、半導體材料、絕 緣材料或前述材料的組合?；?2的表面M可包括基材22和/或制品20的外部和/或 內部。涂層沈可形成于完成的制品組件、制品的分組件(sub-assembliy)、單獨的制品、 裝置構件和/或殼體構件的部分上。涂層沈可具有相對于表面M而言基本一致的厚度。 作為選擇，涂層26也可間歇地、和/或以某些模式地來施用于表面M。另外，涂層沈可僅 施用于表面M的所需部分，例如，與限定在表面M中或者鄰接于表面M的接縫、孔、空隙 或其它開口相接觸或位于它們緊鄰的表面M的部分。涂層26可使表面M具有各種特性， 包括，例如，提高的疏水性、提高的疏油性、提高的耐磨損性、提高的防染色性和/或提高的 防變色性。涂層沈還可為表面M和/或基材22的部分提供透氣性，同時為表面M提供 液體不滲透性。另外，涂層26可包括超薄透明層，這能夠使要在表面M上形成的涂層沈 對制品20的功能性或美觀沒有或幾乎沒有影響。粘附促進層觀可以形成于表面M上。在某些實施方式中，粘附促進層觀可與表 面對結合。粘附促進層觀可用作將其它化合物結合并穩(wěn)固(ensure)在基材M上的粘附 促進劑。粘附促進層觀可包括具有至少兩個反應性基團的第一硅烷。另外，第一硅烷和/ 或粘附促進層觀可包括各種硅烷化合物的混合物。粘附促進層觀還可包括除了第一硅烷 之外的其它化合物。粘附促進層觀中的其它化合物可為粘附促進層觀賦予各種理想特性 (例如，抗微生物性)，而不會妨礙粘附促進層觀和/或第一硅烷用作粘附促進劑。在某些實施方式中，除硅烷化合物(例如，第一硅烷)之外或作為其替代，粘附促 進層觀可包括鍺基化合物(germanium based compound) 0鍺基化合物可以以與類似的硅 化合物相似的方式用作粘附促進劑。因此，以下列出作為第一硅烷的例子的硅化合物可由 類似的鍺化合物取代或替換。第一硅烷能夠形成包括硅氧烷(Si-O-Si)鍵的聚合物。在至少一個實施方式中， 第一硅烷可不受限制地包括下述基團中的至少一種異氰酸酯基團、酰氯基團、環(huán)氧化物基 團、縮水甘油基基團、氨基基團、甲酯基團、異硫氰酸根基團、羧基基團、活化羧基基團、烷基 氯基團、烷基溴基團、烷基碘基團、芐基氯基團、芐基溴基團、氯硅烷基團(如-SiCl3)、甲氧 基硅烷基團(例如，-Si (OCH3) 3)、乙氧基硅烷基團(例如，"Si (OCH2CH3) 3)和/或任何其它合適的反應性官能團。第一硅烷還可包括至少一個硅烷基團。在一個示例性實施方式中，第一硅烷上的 硅烷基團可由式⑴表示
R1(I)
-SiR2
I3
R3其中，R1、R2和R3各自獨立地是F、Cl.Br, I、H、OH、甲氧基、乙氧基、異丙氧基、烷氧
基、乙酰氧基、甲基、烷基、全氟烷基、部分氟化的烷基、二甲基氨基、二烷基氨基、乙基氨基、 單烷基氨基、氨基、苯基或甲氧基乙氧基乙氧基。在至少一個實施方式中，第一硅烷可由式(II)表示
1
2 (11) X-(CH2)n-Si-R2
I3
R3其中，X可為但不限于異氰酸酯基團、酰氯基團、環(huán)氧化物基團、縮水甘油基基 團、氨基基團、甲酯基團、異硫氰酸根基團、羧基基團、活化羧基基團、烷基氯基團、烷基溴基 團、烷基碘基團、芐基氯基團、芐基溴基團、氯硅烷基團(如-SiCl3)、甲氧基硅烷基團(例 如，-Si (OCH3) 3)、乙氧基硅烷基團(例如，-Si(OCH2CH3)3)和/或任何其它合適的反應性官 能團。在式(II)中，η可為0 32的整數。在另外的實施方式中，η可為1 18的整數。 在至少一個實施方式中，η可為3 4的整數。另外，在式(II)中，R1、! 2和R3可如上式⑴ 中所定義。第一硅烷的代表性例子包括但不限于3-異氰酸丙酯基三乙氧基硅烷、3-異氰 酸丙酯基三甲氧基硅烷、4-異氰酸丁酯基三乙氧基硅烷、4-異氰酸丁酯基三甲氧基硅烷、 3-異氰酸丙酯基二甲基氯硅烷、(異氰酸甲酯基)甲基二甲氧基硅烷、3-硫氰酸丙酯基三 乙氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、4-氨基丁基三乙氧基 硅烷、4-氨基丁基三甲氧基硅烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基-三甲氧基硅烷、N-(2-氨 基乙基)-3-氨基異丁基-甲基二甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基氨 基丙基三乙氧基硅烷、N-甲基氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基甲基二乙氧基 硅烷、N-乙基氨基異丁基三甲氧基硅烷、(N，N-二乙基-3-氨基丙基)三甲氧基硅烷、(N， N- 二乙基-3-氨基丙基)三乙氧基硅烷、正丁基氨基丙基三甲氧基硅烷、11-氨基i^一烷 基三乙氧基硅烷、11-氨基十一烷基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-氨基 丙基甲基二甲氧基硅烷、3-氨基丙基二甲基乙氧基硅烷、3-氨基丙基二甲基甲氧基硅烷、 3-氨基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、 N- (2-氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、 (氨基乙基氨基甲基)苯乙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基異丁基甲基二甲氧基硅烷、N- (2-氨基乙基)-3-氨基異丁基甲基二乙氧基硅烷、N- (2-氨基乙基)-3-氨基異 丁基二甲基甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基異丁基二甲基乙氧基硅烷、(3-縮水甘 油氧基丙基)三甲氧基硅烷、(3-縮水甘油氧基丙基)三乙氧基硅烷、(3-縮水甘油氧基丙 基)甲基二甲氧基硅烷、(3-縮水甘油氧基丙基)甲基二乙氧基硅烷、(3-縮水甘油氧基丙 基)二甲基乙氧基硅烷、(3-縮水甘油氧基丁基)三甲氧基硅烷、(3-縮水甘油氧基丁基) 三乙氧基硅烷、SiCl4, Si (CH3) Cl3、Si (CH3) 2C12、Si (OCH3) 4、Si (CH3) (OCH3) 3、Si (CH3) 2 (OCH3) 2、 Si (OCH2CH3)4^ Si (CH3) (OCH2CH3)3^ Si (CH3)2(OCH2CH3)2^ Si (N(CH3)2)4> SiH (N (CH3) 2) 3 和 Si (CH3) (N (CH3) 2) 3、SiCl (N (CH3) 2) 3、Si (CH3) H (N (CH3) 2) 2。能夠通過例如硅氧烷鍵或其它端基鍵與表面M結合的第一硅烷的其它例子包括 但不限于雙(二甲基氨基二甲基甲硅烷基)乙烷、雙(二甲基氨基)乙烯基甲基硅烷、 3-巰基丙基三乙氧基硅烷、乙酰氧基乙基三甲氧基硅烷、雙(氯甲基)二氯硅烷、雙(氯甲 基)甲基氯硅烷、雙(二氯甲硅烷基)甲烷、雙(甲基二氯甲硅烷基)乙烷、雙(三氯甲硅烷 基)己烷、雙(三氯甲硅烷基)甲烷、雙(三氯甲硅烷基)辛烷、1，3_雙(三氯甲硅烷基) 丙烷、雙(乙氧基甲硅烷基)乙烷、2-溴乙基三氯硅烷、1-氯乙基三氯硅烷、六氯二硅烷、甲 基三氯硅烷、十六烷基三氯硅烷、四溴硅烷、三氯甲基三氯硅烷、三(三氯甲硅烷基乙基)甲 基硅烷和三(對-三氯甲硅烷基丙基苯基)胺、雙(甲基二氯甲硅烷基)丁烷。疏水層30可形成于粘附促進層觀上。在某些實施方式中，疏水層30可與粘附促 進層觀結合。疏水層30可用作疏水和/或疏油層。另外，第二硅烷可用作疏水和/或疏 油化合物。疏水層30可包括具有至少一個全氟化脂族基團和至少一個硅烷基團的第二硅 烷。除第二硅烷之外，疏水層30還可以包括另外的化合物。疏水層30中的另外的化合物 可為疏水層30賦予各種理想特性(例如，抗微生物性)，而不會妨礙疏水層30和/或第二 硅烷用作疏水和/或疏油的層或化合物。為對涂層沈賦予疏水性，第二硅烷可包括長的烷基鏈、部分氟化的烷基鏈和/或 具有全氟化區(qū)域的烷基鏈，上述任何鏈可為直鏈或支鏈的。例如，第二硅烷可包括具有通式 CF3 (CF2) n (CF2) JiR1R2R3和 / 或 CF2H (CF2) n (CF2) JiR1R2R3 的烷基鏈，其中 η和 m為整數(η 彡 0， m > 0)。另外，第二硅烷和/或疏水層30可包括烷基、全氟烷基或部分氟化的烷基鏈的混 合物。第二硅烷能夠通過例如硅氧烷(Si-O-Si)鍵而與第一硅烷結合。另外，第二硅烷 能夠形成含有硅氧烷鍵的聚合物。在一個示例性實施方式中，第二硅烷上的硅烷基團可由 式(III)表示
權利要求
1.一種方法，其包括(a)將第一硅烷沉積到表面上，所述第一硅烷包括官能性連接基團和硅烷基團；(b)將第二硅烷沉積在所述第一硅烷上，所述第二硅烷包括疏水性脂族基團和硅烷基團。
2.如權利要求1所述的方法，其中所述第一硅烷的官能性連接基團包括下述基團中的 至少一種異氰酸酯基團； 酰鹵基團； 環(huán)氧化物基團； 縮水甘油基基團； 氨基基團； 甲酯基團； 異硫氰酸根基團； 羧基基團； 活化羧基基團； 烷基鹵基團； 芐基鹵基團； 氯硅烷基團； 甲氧基硅烷基團； 乙氧基硅烷基團。
3.如權利要求1所述的方法，其中所述第一硅烷的硅烷基團包括由下式表示的基團
4.如權利要求1所述的方法，其中所述第一硅烷包括由下式表示的結構
5.如權利要求1所述的方法，其中所述第二硅烷的疏水性脂族基團包括下述鏈中的至 少一種烷基鏈；部分氟化的烷基鏈；全氟烷基鏈。
6.如權利要求1所述的方法，其中所述第二硅烷的硅烷基團包括由下式表示的基團
7.如權利要求1所述的方法，其中所述第二硅烷包括由下式表示的結構
8.如權利要求1所述的方法，其中所述表面包括聚合物基材的表面。
9.如權利要求1所述的方法，其中所述表面包括硅基基材的表面。
10.如權利要求1所述的方法，其中所述表面包括羥基基團。
11.如權利要求10所述的方法，其中(a)包括通過將所述第一硅烷與所述表面的羥基 基團反應而使所述第一硅烷與所述表面結合。
12.如權利要求1所述的方法，其中所述表面包括含有硅烷醇基團的硅基基材的表面。
13.如權利要求12所述的方法，其中(a)包括通過使所述第一硅烷的硅烷基團與所述 硅基基材的硅烷醇基團反應形成硅氧烷鍵而使所述第一硅烷與所述表面結合。
14.如權利要求1所述的方法，其還包括在(a)之前的(C)將所述表面的一部分氧化。
15.如權利要求14所述的方法，其中(c)包括使所述表面與下述中的至少一種相接觸等離子體； 氧化劑；紫外光。
16.如權利要求1所述的方法，其還包括在(b)之前的(d)將所述第一硅烷水解。
17.如權利要求16所述的方法，其中(d)包括將所述第一硅烷上的硅烷基團水解形成硅烷醇基團。
18.如權利要求17所述的方法，其中(b)包括通過使所述第二硅烷的硅烷基團與所述 第一硅烷的硅烷醇基團反應形成硅氧烷鍵而使所述第二硅烷與所述第一硅烷結合。
19.如權利要求16所述的方法，其中(d)包括將所述第一硅烷與水分相接觸。
20.如權利要求1所述的方法，其還包括在(a)之前的(e)將所述第一硅烷蒸發(fā)形成汽化的第一硅烷。
21.如權利要求20所述的方法，其中(a)包括使所述基材與所述汽化的第一硅烷相接觸。
22.如權利要求1所述的方法，其還包括在(b)之前的(f)將所述第二硅烷蒸發(fā)形成汽化的第二硅烷。
23.如權利要求22所述的方法，其中(b)包括使所述第一硅烷與所述汽化的第二硅烷 相接觸。
24.如權利要求1所述的方法，其還包括(g)將下述物質中的至少一種交聯 所述第一硅烷；所述第二硅烷。
25.如權利要求1所述的方法，其還包括(h)將下述物質中的至少一種固化所述第一硅烷； 所述第二硅烷。
26.一種組合物，其包括下述物質的反應產物 包括羥基基團的基材；包括官能性連接基團和硅烷基團的第一硅烷； 包括疏水性脂族基團和硅烷基團的第二硅烷。
27.如權利要求沈所述的組合物，其中所述官能性連接基團包括下述基團中的至少一種異氰酸酯基團； 酰鹵基團； 環(huán)氧化物基團； 縮水甘油基基團；氨基基團； 甲酯基團； 異硫氰酸根基團； 羧基基團； 活化羧基基團； 烷基鹵基團； 芐基鹵基團； 氯硅烷基團； 甲氧基硅烷基團； 乙氧基硅烷基團。
28.如權利要求26所述的組合物，其中所述第一硅烷通過下述鍵中的至少一種與所述 基材結合氨基甲酸酯鍵； 酯鍵； 醚鍵； Si-O-C 鍵； 酰胺鍵； 亞胺鍵； 離子鍵； 硅氧烷鍵。
29.如權利要求26所述的組合物，其中所述第一硅烷的硅烷基團包括由下式表示的基團
30.如權利要求26所述的組合物，其中所述第一硅烷包括由下式表示的結構
31.如權利要求沈所述的組合物，其中所述第二硅烷的疏水性脂族基團包括下述鏈中 的至少一種烷基鏈；部分氟化的烷基鏈；全氟烷基鏈。
32.如權利要求沈所述的組合物，其中所述第二硅烷的硅烷基團包括由下式表示的基團
33.如權利要求沈所述的組合物，其中所述第二硅烷包括由下式表示的結構
34.如權利要求沈所述的組合物，其中所述基材包括聚合物基材。
35.如權利要求沈所述的組合物，其中所述基材包括硅基基材。
36.如權利要求沈所述的組合物，其中所述第一硅烷包括含有硅氧烷鍵的交聯部分。
37.如權利要求沈所述的組合物，其中所述第二硅烷包括含有硅氧烷鍵的交聯部分。
38.一種制品，其包括 具有表面的第一部分；與所述第一部分的表面結合的涂層組合物，所述涂層組合物包括與所述第一部分的表面結合的第一硅烷，所述第一硅烷包括硅烷基團；通過硅氧烷鍵與所述第一硅烷結合的第二硅烷，所述第二硅烷包括疏水性脂族基團。
39.如權利要求38所述的制品，其中所述第一硅烷通過下述鍵中的至少一種與所述第 一部分的表面結合氨基甲酸酯鍵； 酯鍵； 醚鍵； Si-O-C 鍵； 酰胺鍵； 亞胺鍵； 離子鍵； 硅氧烷鍵。
40.如權利要求38所述的制品，其中所述第一硅烷包括由下式表示的硅烷基團
41.如權利要求38所述的制品，其中所述第一硅烷包括由下式表示的結構
42.如權利要求38所述的制品，其中所述第二硅烷的疏水性脂族基團包括下述鏈中的 至少一種烷基鏈；部分氟化的烷基鏈；全氟烷基鏈。
43.如權利要求38所述的制品，其中所述第二硅烷包括由下式表示硅烷基團
44.如權利要求38所述的制品，其中所述第二硅烷包括由下式表示的結構
45.如權利要求38所述的制品，其還包括限定在所述第一部分的表面中的開口。
46.如權利要求45所述的制品，其中所述涂層組合物與所述第一部分的表面在與所述 限定在所述第一部分的表面中的開口鄰接的區(qū)域處結合。
47.如權利要求45所述的制品，其中所述開口具有限定延伸通過所述制品的一部分的 所述開口的一部分的開口表面，且其中所述涂層組合物與所述開口表面結合。
48.如權利要求45所述的制品，其中所述涂層組合物能夠防止液體穿過所述開口。
49.如權利要求38所述的制品，其中所述第一部分的表面包括網狀表面，所述網狀表 面包括限定在所述網狀表面中的開口。
50.如權利要求38所述的制品，其還包括具有表面的第二部分，其中開口限定在所述 第一部分的表面與所述第二部分的表面之間。
51.一種設備，其包括助聽裝置，所述助聽裝置包括 第一構件，所述第一構件具有表面部分；與所述第一構件的表面部分結合的涂層組合物，所述涂層組合物包括 與所述第一構件的表面部分結合的粘附層； 與所述粘附層結合的疏水層。
52.如權利要求51所述的設備，其中所述疏水層包括疏水性脂族基團，所述疏水性脂 族基團包括下述鏈中的至少一種烷基鏈；部分氟化的烷基鏈；全氟烷基鏈。
53.如權利要求51所述的設備，其中所述粘附層通過下述鍵中的至少一種與所述第一 構件的表面部分結合氨基甲酸酯鍵； 酯鍵； 醚鍵； Si-O-C 鍵； 酰胺鍵； 亞胺鍵； 離子鍵； 硅氧烷鍵。
54.如權利要求51所述的設備，其中所述疏水層通過下述鍵中的至少一種與所述粘附 層結合硅氧烷鍵； Si-O-Ge 鍵； Ge-O-Ge 鍵。
55.如權利要求51所述的設備，其中所述涂層組合物的多個部分是交聯的。
56.如權利要求51所述的設備，其中所述第一構件包括限定在所述第一構件的表面部 分中的開口。
57.如權利要求56所述的設備，其中所述涂層組合物與所述第一構件的表面部分在與 所述限定在所述第一構件的表面部分中的開口鄰接的區(qū)域處結合。
58.如權利要求56所述的設備，其中所述開口具有限定延伸通過所述第一構件的一部 分的所述開口的一部分的開口表面，且其中所述涂層組合物與所述開口表面結合。
59.如權利要求51所述的設備，其還包括具有表面部分的第二構件。
60.如權利要求59所述的設備，其還包括與所述第二構件的表面部分結合的涂層組合 物，所述涂層組合物包括與所述第二構件的表面部分結合的粘附層； 與所述粘附層結合的疏水層。
61.如權利要求59所述的設備，其中所述第一構件的表面部分位于所述第二構件的表 面部分附近；且其中開口限定在所述第一構件的表面部分與所述第二構件的表面部分之間。
62.如權利要求61所述的設備，其中所述涂層組合物以足以防止液體穿過所述開口的 量與所述第一部分的表面結合。
63.如權利要求62所述的設備，其中所述涂層組合物以足以允許氣體穿過所述開口的 量與所述第一部分的表面結合。
64.如權利要求51所述的設備，其中所述助聽裝置包括下述構件中的至少一種 殼體構件；音量控制器； 電池盒蓋； 麥克風套。
65.如權利要求51所述的設備，其中所述助聽裝置包括助聽器附件，所述助聽器附件 包括下述構件中的至少一種電池； 電池觸點。
66.一種方法，其包括(a)將第一硅烷沉積到助聽裝置的表面部分上，所述第一硅烷包括官能性連接基團和 硅烷基團；(b)將第二硅烷沉積到所述第一硅烷上，所述第二硅烷包括疏水性脂族基團和硅烷基團。
67.如權利要求66所述的方法，其中所述第一硅烷的官能性連接基團包括下述基團中 的至少一種異氰酸酯基團； 酰鹵基團； 環(huán)氧化物基團； 縮水甘油基基團； 氨基基團； 甲酯基團； 異硫氰酸根基團； 羧基基團； 活化羧基基團； 烷基鹵基團； 芐基鹵基團； 氯硅烷基團； 甲氧基硅烷基團； 乙氧基硅烷基團。
68.如權利要求66所述的方法，其中所述第一硅烷的硅烷基團包括由下式表示的基團
69.如權利要求66所述的方法，其中所述第一硅烷包括由下式表示的結構
70.如權利要求66所述的方法，其中所述第二硅烷的疏水性脂族基團包括下述鏈中的 至少一種烷基鏈；部分氟化的烷基鏈；全氟烷基鏈。
71.如權利要求66所述的方法，其中所述第二硅烷的硅烷基團包括由下式表示的基團
72.如權利要求66所述的方法，其中所述第二硅烷包括由下式表示的結構
73.如權利要求66所述的方法，其還包括在(a)之前的 (c)將所述表面的一部分氧化。
74.如權利要求66所述的方法，其中所述助聽裝置包括下述構件中的至少一種 殼體構件；音量控制器； 電池盒蓋； 麥克風套。
75.如權利要求66所述的方法，其中所述助聽裝置包括助聽器附件，所述助聽器附件 包括下述構件中的至少一種電池； 電池觸點。
76.一種方法，其包括(a)將粘附促進化合物沉積到表面上，所述粘附促進化合物包括官能性連接基團和下 述基團中的至少一種硅烷官能團； 鍺官能團；(b)將疏水層形成化合物沉積到所述粘附促進化合物上，所述疏水層形成化合物包括 疏水性脂族基團和下述基團中的至少一種硅烷官能團； 鍺官能團。
77.如權利要求76所述的方法，其中所述粘附促進化合物的官能性連接基團包括下述 基團中的至少一種異氰酸酯基團； 酰鹵基團； 環(huán)氧化物基團； 縮水甘油基基團； 氨基基團； 甲酯基團； 異硫氰酸根基團； 羧基基團； 活化羧基基團； 烷基鹵基團； 芐基鹵基團； 氯硅烷基團； 甲氧基硅烷基團； 乙氧基硅烷基團。
78.如權利要求76所述的方法，其中所述表面包括羥基基團。
79.如權利要求78所述的方法，其中(a)包括通過使所述粘附促進化合物的官能性連 接基團與所述表面的羥基基團反應而使所述粘附促進化合物與該表面結合。
80.如權利要求76所述的方法，其還包括在(a)之前的(c)將所述表面的一部分氧化。
81.如權利要求76所述的方法，其還包括在(b)之前的(d)將所述粘附促進化合物水解。
82.如權利要求76所述的方法，其還包括在(a)之前的(e)使所述粘附促進化合物蒸發(fā)形成汽化的粘附促進化合物。
83.如權利要求76所述的方法，其還包括在(b)之前的(f)使所述疏水層形成化合物蒸發(fā)形成汽化的疏水層形成化合物。
84.如權利要求76所述的方法，其還包括(g)將下述物質中的至少一種交聯 所述粘附促進化合物；所述疏水層形成化合物。
85.—種組合物，其包括下述物質的反應產物 包括羥基基團的基材；包括粘附促進化合物的粘附促進組合物，所述粘附促進化合物包括官能性連接基團和 下述基團中的至少一種 硅烷官能團； 鍺官能團；包括疏水層形成化合物的疏水層形成組合物，所述疏水層形成化合物包括疏水性脂族 基團和下述基團中的至少一種 硅烷官能團； 鍺官能團。
86.如權利要求85所述的組合物，其中所述粘附促進組合物和所述疏水層形成組合物 中的至少一種包括具有硅烷官能團的化合物；且其中所述粘附促進組合物和所述疏水層形成組合物中的至少一種包括具有鍺官能團 的化合物。
87.如權利要求85所述的組合物，其中所述粘附促進化合物的官能性連接基團包括下 述基團中的至少一種異氰酸酯基團； 酰鹵基團； 環(huán)氧化物基團； 縮水甘油基基團； 氨基基團； 甲酯基團； 異硫氰酸根基團； 羧基基團；活化羧基基團； 烷基鹵基團； 芐基鹵基團； 氯硅烷基團； 甲氧基硅烷基團； 乙氧基硅烷基團。
88.如權利要求85所述的組合物，其中所述粘附促進化合物通過下述鍵中的至少一種 與所述基材結合氨基甲酸酯鍵； 酯鍵； 醚鍵； Si-O-C 鍵； 酰胺鍵； 亞胺鍵； 離子鍵； 硅氧烷鍵。
89.如權利要求85所述的組合物，其中所述粘附促進化合物包括由下式表示的基團
90.如權利要求85所述的組合物，其中所述粘附促進化合物包括由下式表示的結構
91.如權利要求85所述的組合物，其中所述疏水層形成化合物的疏水性脂族基團包括 下述鏈中的至少一種烷基鏈；部分氟化的烷基鏈；全氟烷基鏈。
92.如權利要求85所述的組合物，其中所述疏水層形成化合物包括由下式表示的基團
93.如權利要求85所述的組合物，其中所述疏水層形成化合物包括由下式表示的結構
94.如權利要求85所述的組合物，其中所述粘附促進化合物包括由下式表示的基團
95.如權利要求85所述的組合物，其中所述粘附促進化合物包括由下式表示的基團
96.如權利要求85所述的組合物，其中所述疏水層形成化合物包括由下式表示的基團 其中，R10、R11和R12各自獨立地是F、Cl、Br、I、H、0H、甲氧基、乙氧基、異丙氧基、烷氧 基、乙酰氧基、甲基、烷基、全氟烷基、部分氟化的烷基、二甲基氨基、二烷基氨基、乙基氨基、 單烷基氨基、氨基、苯基或甲氧基乙氧基乙氧基。
97.如權利要求85所述的組合物，其中所述疏水層形成化合物包括由下式表示的結構
98.如權利要求85所述的組合物，其中所述基材包括聚合物基材。
99.如權利要求85所述的組合物，其中所述基材包括硅基基材。
全文摘要
本發(fā)明公開了方法(100)，該方法包括將第一硅烷沉積到表面(106)上和將第二硅烷沉積到第一硅烷(114)上，所述第一硅烷包括官能性連接基團和硅烷基團，且所述第二硅烷包括疏水性脂族基團和硅烷基團。本發(fā)明還公開了基于上述方法的組合物和助聽裝置。
文檔編號B05D5/00GK102137722SQ200780044753
公開日2011年7月27日 申請日期2007年10月3日 優(yōu)先權日2006年10月3日
發(fā)明者馬修·林福德, 高拉夫·塞尼 申請人:楊百翰大學