專利名稱：用于半導(dǎo)體晶片加工的壓敏粘合片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體晶片加工的壓敏粘合片。具體說，本發(fā)明涉及適用于半導(dǎo)體晶片真空加工的壓敏粘合片。
背景技術(shù)：
通常通過研磨表面上形成有電路的半導(dǎo)體晶片的背面，以除去背面上的氧化層或降低半導(dǎo)體晶片的厚度使其均勻。具體說，近幾年，通常將半導(dǎo)體晶片研磨至100μm或?qū)嶋H所需的更薄厚度，以減少晶片的厚度。在研磨半導(dǎo)體晶片的背面時(shí)，將壓敏粘合片粘附在半導(dǎo)體晶片的電路表面，以保護(hù)該電路或固定半導(dǎo)體晶片。
上述半導(dǎo)體晶片厚度的減少會(huì)破壞晶片的抗折疊強(qiáng)度，因?yàn)橛媚ナM(jìn)行機(jī)械研磨在半導(dǎo)體晶片表面產(chǎn)生了研磨痕跡。因此建議用干蝕刻除去半導(dǎo)體晶片表面上的研磨痕跡。
通常在10-3到10-4托(torr)真空進(jìn)行干蝕刻。但在此真空度下，當(dāng)用常規(guī)紫外光可固化的壓敏粘合片固定半導(dǎo)體晶片時(shí)，紫外光可固化的壓敏粘合片的紫外光可固化的壓敏粘合劑就會(huì)產(chǎn)生揮發(fā)性成分，結(jié)果從紫外光可聚合壓敏粘合劑層所含的揮發(fā)性成分產(chǎn)生的氣體陷入厚度被減少的半導(dǎo)體晶片和紫外光可固化的壓敏粘合片之間，從而會(huì)因?yàn)榘雽?dǎo)體晶片與壓敏粘合片粘附之內(nèi)和之外的壓力不同而導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片的變形。半導(dǎo)體晶片的變形偶爾會(huì)使壓敏粘合劑保持與半導(dǎo)體晶片變形部分(凹形部分)粘附(即使剝離壓敏粘合片后)，從而污染半導(dǎo)體晶片。
發(fā)明目的鑒于以前工藝的上述狀況提出了本發(fā)明。本發(fā)明的目的是提供一種用于半導(dǎo)體晶片加工的壓敏粘合片，即使半導(dǎo)體晶片是在真空加工的，也不會(huì)從壓敏粘合片產(chǎn)生氣體，從而避免了晶片的變形和粘合劑的轉(zhuǎn)移。
發(fā)明概述本發(fā)明用于半導(dǎo)體晶片加工的壓敏粘合層是一種用于在真空半導(dǎo)體晶片加工中固定半導(dǎo)體晶片的壓敏粘合層，其包括基片和疊加在基片一側(cè)或兩側(cè)的紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物的層，該組合物層包括具有作為側(cè)鏈的紫外光可聚合基團(tuán)的紫外光可固化的共聚物和磷光聚合引發(fā)劑。
在本發(fā)明中，較佳地磷光聚合引發(fā)劑是氧化?；?acylphosphine oxide)化合物，較佳地為分子中有CO-PO鍵的化合物，特別優(yōu)選的是為下式的化合物 其中R1代表可能含有取代基的芳族基團(tuán)，R2和R3各獨(dú)立代表苯基、烷基、烷氧基或芳族?；?可能帶有取代基)。
在本發(fā)明中，較佳地紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物，每100重量份紫外光可固化的共聚物重量中含有0.005到20重量份磷光聚合引發(fā)劑。
發(fā)明詳述以下將詳細(xì)描述本發(fā)明。本發(fā)明用于半導(dǎo)體晶片加工的壓敏粘合層是一種用于在真空半導(dǎo)體晶片加工中固定半導(dǎo)體晶片的壓敏粘合片，其包括基片和疊加在基片一側(cè)或兩側(cè)的紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物的層，該組合物層包括紫外光可固化的共聚物(A)，其具有作為側(cè)鏈的紫外光可聚合的基團(tuán)；和磷光聚合引發(fā)劑(B)。
紫外光可固化共聚物(A)不僅表現(xiàn)出粘性而且還表現(xiàn)紫外光可固化性。具有作為側(cè)鏈的紫外光可聚合基團(tuán)的紫外光可固化共聚物的詳細(xì)描述見如日本(Laid-open)公開專利出版物No.5(1993)-32946和8(1996)-27239。
例如，紫外光可固化共聚物(A)可以通過丙烯酸共聚物(a1)(含具有官能團(tuán)的單體單元)和化合物(a2)(含不飽和官能團(tuán)，它具有與上述官能團(tuán)反應(yīng)的取代基)反應(yīng)得到。
含有官能團(tuán)的單體指分子中不僅含有可聚合雙鍵還具有官能團(tuán)(如羥基、羧基、氨基、取代的氨基或環(huán)氧基)的單體。較佳地，使用具有羥基的不飽和化合物或具有羧基的不飽和化合物。
那些含官能團(tuán)的單體的優(yōu)選例子包括含羥基的丙烯酸酯，如2-羥基丙烯酸乙酯、2-羥基甲基丙烯酸乙酯、2-羥基丙烯酸丙酯或2-羥基甲基丙烯酸丙酯；和含羧基的化合物，如丙烯酸、甲基丙烯酸或衣康酸。
可以單獨(dú)或聯(lián)合使用上述含官能團(tuán)的單體。丙烯酸共聚物(a1)由從上述含官能團(tuán)的單體衍生的結(jié)構(gòu)單元和從(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物衍生的結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成。對(duì)(甲基)丙烯酸酯單體而言，可以使用環(huán)烷基(甲基)丙烯酸酯、芐基(甲基)丙烯酸酯或烷基(甲基)丙烯酸酯，其中烷基具有1-18個(gè)碳原子。其中特別優(yōu)選的是烷基中有1-18個(gè)碳原子的烷基(甲基)丙烯酸酯，例如丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯或甲基丙烯酸丁酯。
丙烯酸酯共聚物(a1)通常含有3-100％(重量)上述從含官能團(tuán)單體衍生的結(jié)構(gòu)單元，較佳地為5-40％(重量)，特別優(yōu)選的是10到30％(重量)。另外，丙烯酸酯共聚物(a1)通常含有0到97％(重量)上述從(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物衍生的結(jié)構(gòu)單體，較佳地為60-95％(重量)，且更佳地為70-90％(重量)。
按常規(guī)方法，將上述含官能團(tuán)的單體和上述(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物共聚得到丙烯酸共聚物。在此共聚中，除上述單體外也可添加少量(例如10％(重量)或更少，有效地是5％(重量)或更少)的另一種單體，如甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯或苯乙烯。
紫外光可固化的共聚物(A)可以通過將上述丙烯酸共聚物(a1)(含具有官能團(tuán)的單體單元)和化合物(a2)(含不飽和官能團(tuán)，它具有與上述官能團(tuán)反應(yīng)的取代基)反應(yīng)得到。
含不飽和基團(tuán)的化合物(a2)含有與丙烯酸共聚物(a1)的官能團(tuán)反應(yīng)的取代基。按上述官能團(tuán)的類型，取代基可以各種各樣。例如，當(dāng)官能團(tuán)是羥基或羧基時(shí)，取代基宜是異氰氧基、環(huán)氧基等。當(dāng)官能團(tuán)是氨基或取代的氨基時(shí)，取代基宜是異氰氧基等。當(dāng)官能團(tuán)是環(huán)氧基時(shí)，取代基宜是羧基。對(duì)這些取代基而言，在含不飽和基團(tuán)的化合物(a2)的各個(gè)分子中含有其中的一個(gè)。
另外，含不飽和基團(tuán)的化合物(a2)中含有1-5個(gè)(較佳地為1-2個(gè))紫外光可聚合的碳碳雙鍵。這些含有不飽和基團(tuán)的化合物(a2)的例子可以為甲基丙烯酰基氧乙基異氰酸酯、甲基(metha)-異丙基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯、甲基丙烯酰基異氰酸酯和異氰酸烯丙酯；通過二異氰酸酯或聚異氰酸酯化合物與羥乙基(甲基)丙烯酸酯反應(yīng)各得到的丙烯酰單異氰酸酯化合物；通過二異氰酸酯或聚異氰酸酯、多羥基化合物和羥乙基(甲基)丙烯酸酯混合物的反應(yīng)得到的丙烯酰單異氰酸酯化合物；縮水甘油基(甲基)丙烯酸酯；和(甲基)丙烯酸。
以每100份上述丙烯酸酯共聚物(a1)的含官能團(tuán)的單體計(jì)，通常所用的含不飽和基團(tuán)的化合物(a2)的量為20到100份，較佳地為40到95份，更佳地為60到90份。
通常在室溫大氣壓力下，讓丙烯酸酯共聚物(a1)與含有不飽和基團(tuán)的化合物(a2)進(jìn)行反應(yīng)約24小時(shí)。較佳地，此反應(yīng)在含催化劑(如月桂酸二丁基錫)的溶液(如乙酸乙酯溶液)中進(jìn)行。
結(jié)果，丙烯酸酯共聚物(a1)側(cè)鏈中存在的各官能團(tuán)與含不飽和基團(tuán)的化合物(a2)中的取代基反應(yīng)，從而將不飽和基團(tuán)引入丙烯酸酯共聚物(a1)的側(cè)鏈，而得到紫外光可固化的共聚物(A)。在此反應(yīng)中，官能團(tuán)和取代基的反應(yīng)比例通常至少為70％，較佳地為80％。未反應(yīng)的官能團(tuán)殘留在紫外光可固化的共聚物(A)中。
紫外光可固化的共聚物(A)的分子量至少為100,000，其較佳的范圍為150,000到1,500,000，更佳的范圍為200,000到1,000,00。通常紫外光可固化的共聚物(A)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度至多為20℃，較佳的為約-70到0℃。室溫(23℃)紫外光可固化的共聚物(A)表現(xiàn)出粘性。另外，紫外光可固化的共聚物(A)中，通常每100g含有1×1022到1×1024，較佳的為2×1022到5×1023，且更佳地為5×1022到2×1023紫外光可聚合的不飽和基團(tuán)。
在這種紫外光可固化的共聚物(A)中含有紫外光可聚合的不飽和基團(tuán)，因此當(dāng)用紫外光輻照時(shí)，紫外光可固化的共聚物(A)就聚合并硬化，從而喪失粘性。
用于本發(fā)明的紫外光可固化壓敏粘合劑組合物包括上述紫外光可固化的共聚物(A)和磷光聚合引發(fā)劑(B)。
磷光聚合引發(fā)劑(B)指分子中含磷的化合物，且當(dāng)暴露在紫外輻射時(shí)，其產(chǎn)生能引發(fā)聚合的基團(tuán)。這種磷光聚合引發(fā)劑(B)宜是氧化酰基膦，較佳的是分子中含有CO-PO鍵的化合物。磷光聚合引發(fā)劑(B)的分子量宜為100到2000，較佳的為200到1000。
對(duì)這種磷共聚物引發(fā)劑(B)而言，優(yōu)選的是使用如下公式所示的化合物 其中R1代表可能含取代基的芳族基團(tuán)。較佳地，為如二甲基苯基、三甲基苯基、三甲氧基苯基、二甲氧基苯基或苯基。
R2和R3各獨(dú)立代表苯基、烷基、烷氧基或芳族?；?可能帶有取代基)。
可能含有取代基的苯基宜是如二甲基苯基、三甲基苯基、三甲氧基苯基、二甲氧基苯基或苯基。特別優(yōu)選的是苯基。
可能含有取代基的烷基宜是如2-甲基丙基或2，4，4-三甲基苯基。特別優(yōu)選的是2，4，4-三甲基苯基。
特別優(yōu)選的是，可含取代基的烷氧基是乙氧基。
可能含有取代基的芳族酰基宜是式R1CO(R1的定義如上)的基團(tuán)。
因此，用于本發(fā)明特別優(yōu)選的磷光聚合引發(fā)劑可以是如下式的二(2，4，6-三甲基苯甲?；?-苯基氧化膦 下式的2，4，6-三甲基苯甲?；交趸?下式的二(2，6-二甲氧基苯甲?；?-2，4，4-三甲基-苯基氧化膦 可以單獨(dú)或聯(lián)合使用這些磷光聚合引發(fā)劑(B)。
在用于本發(fā)明的紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物中，以100重量份的紫外光可固化的共聚物(A)計(jì)，所含的磷光聚合引發(fā)劑(B)的量為0.005到20重量份，較佳的為0.01到10重量份，更佳地為0.05到1重量份。
紫外光可固化壓敏粘合劑組合物不含有任何有效量的揮發(fā)性低分子量的化合物。因此，即使高真空，也不會(huì)從壓敏粘合劑組合物發(fā)生組分的蒸發(fā)或升華。另外，即使將特別薄的半導(dǎo)體晶片粘附于此壓敏粘合劑組合物的層，也可支持此半導(dǎo)體晶片而不變形。
在用紫外光輻照前，這種紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物表現(xiàn)出與被粘物令人滿意的粘附效果，但在用紫外光輻照后，粘附力就明顯降低。即，在紫外光輻照前，紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物以令人滿意的粘附力將壓敏粘合層粘附于半導(dǎo)體晶片，從而支持和固定半導(dǎo)體晶片。用紫外光輻照后，可以輕易地從加工后的半導(dǎo)體晶片上剝落下壓敏粘合劑組合物片。
可以在紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物中添加交聯(lián)劑，以增加其彈性模數(shù)并令其具有令人滿意的粘附強(qiáng)度。交聯(lián)劑將紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物轉(zhuǎn)化成三維交聯(lián)結(jié)構(gòu)，從而使其具有令人滿意的彈性模數(shù)和粘聚力?？梢允褂贸Ｒ?guī)交聯(lián)劑如聚異氰酸酯化合物、聚環(huán)氧化合物、聚氮丙啶化合物和鰲合劑化合物。聚異氰酸酯化合物的例子包括甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷二異氰酸酯、己烯二異氰酸酯、異氟爾酮二異氰酸酯和這些聚異氰酸酯和多元醇的加合物。聚環(huán)氧化合物的例子包括乙二醇二環(huán)氧甘油醚和丙烯酸對(duì)苯二甲酸二環(huán)氧丙酯。聚氮丙啶化合物的例子包括三-2，4，6-(1-吖丙啶基)-1，3，5-三嗪和三[1-(2-甲基)吖丙啶基]三磷三嗪。螯合物化合物的例子包括乙基乙酰乙酸鋁二異丙醇和三(乙基乙酰乙酸)鋁?？梢詥为?dú)或聯(lián)合使用這些化合物。
較佳的，每100重量份紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物中加入0.005到20重量份，更佳地為0.01到10重量份的交聯(lián)劑。
一般通過適當(dāng)?shù)貙⑸鲜龀煞趾退璧钠渌煞只旌显谝黄鸬玫竭@種紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物。
本發(fā)明用于半導(dǎo)體晶片加工的壓敏粘合片包括涂覆有上述紫外光可固化壓敏粘合劑組合物的基片。壓敏粘合片可以是一面涂有壓敏粘合劑的片或兩面涂覆有壓敏粘合劑的片。
基片的類型沒有特別限制，且可以將各種薄片用作基片。例如可以使用合成樹脂膜制成的基片?？捎糜诒景l(fā)明的合成樹脂膜的例子包括聚烯烴膜如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜和聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、聚偏二氯乙烯膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚對(duì)苯二甲酸丁二酯膜、聚丁二烯膜、聚氨酯膜、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、離聚物膜、聚苯乙烯膜、聚酰胺膜、聚酰亞胺膜、聚醚砜膜和聚醚酮膜。
這些基片的厚度的范圍通常為5到300μm，較佳的為10到200μm。基片可以是單層的或是上述各種膜的層壓材料。當(dāng)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行干蝕刻時(shí)，可能發(fā)生約100到200℃的反應(yīng)熱。因此，基質(zhì)較佳地由耐熱膜構(gòu)成，如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、聚醚砜或聚醚酮。
要涂覆紫外光可固化壓敏粘合劑側(cè)的基片可能要進(jìn)行電暈處理，或者可能帶有另一層如其上所附著的底層來改善基片與紫外光可固化壓敏粘合劑的粘附。
可用常規(guī)技術(shù)，使用輥涂機(jī)、刮涂機(jī)、凹槽輥涂覆蓋機(jī)、口模式涂覆機(jī)、反向涂覆機(jī)等，用上述壓敏粘合劑涂覆適當(dāng)厚度的晶片，干燥該壓敏粘合劑，從而在晶片上形成壓敏粘合劑層來制得本發(fā)明用于半導(dǎo)體晶片加工的壓敏粘合片。紫外光可固化壓敏粘合劑組合物層的厚度范圍通常為1到100μm，較佳的為5到50μm。在涂覆和干燥后，若有必要，可在紫外光可固化的壓敏粘合層上施加一層剝落襯底起到保護(hù)作用。
以下將詳細(xì)描述本發(fā)明紫外線可固化壓敏片用于半導(dǎo)體晶片加工的方法，關(guān)于加工模式其中機(jī)械研磨半導(dǎo)體晶片的背面，然后干蝕刻底面。
在此加工模式中，首先用常規(guī)技術(shù)在半導(dǎo)體晶片表面上形成線路圖案。隨后，將上述壓敏粘合片的紫外光可固化壓敏粘合劑組合物層粘附在形成線路圖案的半導(dǎo)體晶片中，從而不僅保護(hù)半導(dǎo)體晶片的線路表面，而且也固定了半導(dǎo)體晶片。
如上所述的壓敏粘合片可以是一側(cè)涂覆或兩側(cè)都涂覆壓敏粘合劑的片。當(dāng)使用兩側(cè)涂覆壓敏粘合劑片時(shí)，較佳地，將壓敏粘合層粘附半導(dǎo)體晶片面的反面粘附于透明的硬板(如玻璃)上。當(dāng)使用兩側(cè)涂覆壓敏粘合劑片時(shí)，兩個(gè)壓敏粘合層都是由上述紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物涂覆的。
當(dāng)半導(dǎo)體晶片以上述方法粘附于壓敏粘合片時(shí)，即使半導(dǎo)體晶片非常薄，也保持了它的強(qiáng)度，從而避免在運(yùn)輸或存儲(chǔ)過程中對(duì)半導(dǎo)體晶片的損傷。
此后，用常規(guī)技術(shù)進(jìn)行半導(dǎo)體晶片背面的機(jī)械研磨。與干蝕刻相比，機(jī)械研磨能有效地研磨半導(dǎo)體晶片，從而在短時(shí)間內(nèi)減少半導(dǎo)體晶片的厚度。然而，由于例如使用磨石，研磨的痕跡(斷層)是不可避免的。這種研磨痕跡將降低半導(dǎo)體晶片和芯片的抗折疊強(qiáng)度，可能會(huì)導(dǎo)致其裂化。
因此，建議通過干蝕刻來除去這些研磨痕跡。干蝕刻是通過噴射氣體進(jìn)行的，例如在高真空(10-3到10-4托)用SF6噴射半導(dǎo)體晶片的背面。這種干蝕刻無需將半導(dǎo)體晶片上施加機(jī)械負(fù)載，就可減少半導(dǎo)體晶片的厚度并除去研磨痕跡，從而可以制得極薄的無暇的半導(dǎo)體晶片(100μm或更薄)。另外，在本發(fā)明半導(dǎo)體晶片加工中使用特定制劑的紫外光可固化壓敏粘合劑組合物，從而即使在高真空也無揮發(fā)性成分，因此可以避免因半導(dǎo)體晶片與壓敏粘合片粘附的內(nèi)部和外部蒸發(fā)的氣體壓力的不同而導(dǎo)致的變形。另外，如果半導(dǎo)體晶片變形，壓敏粘合劑就會(huì)從半導(dǎo)體晶片上脫落下，蝕刻氣體就會(huì)在剝落的壓敏粘合劑表面上作用，而改變壓敏粘合劑的特性，就可能有粘合劑轉(zhuǎn)移的結(jié)果。但使用本發(fā)明的用于半導(dǎo)體晶片加工的壓敏粘合片時(shí)，就可避免半導(dǎo)體晶片的變形，從而防止任何粘合劑的轉(zhuǎn)移。
另外，用本發(fā)明的用于半導(dǎo)體晶片加工的壓敏粘合片可以在真空形成薄膜。
在完成所需的步驟后，用紫外光輻照壓敏粘合片的紫外光可固化壓敏粘合層，從而使紫外光可固化壓敏粘合層中的紫外光可聚合成分聚合和固化。當(dāng)用紫外光輻照使壓敏粘合劑組合物層聚合和固化時(shí)，壓敏粘合劑組合物的粘力急劇下降，僅剩下很弱的粘性。因此可以輕易地從壓敏粘合片上剝離半導(dǎo)體晶片。
發(fā)明效果由于用特定成分構(gòu)成的壓敏粘合層固定半導(dǎo)體晶片，本發(fā)明的用于半導(dǎo)體晶片加工的上述壓敏粘合片，即使在高真空中也不會(huì)從壓敏粘合層中產(chǎn)生氣體，因此可以避免因蒸發(fā)的氣體成分的壓力不同而導(dǎo)致的半導(dǎo)體晶片的變形及由此導(dǎo)致的粘合劑的轉(zhuǎn)移。
實(shí)施例下面將參照實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明，這些實(shí)施例對(duì)本發(fā)明范圍不構(gòu)成限制。
將以下物質(zhì)用作紫外光可固化的共聚物、光聚合引發(fā)劑和其它成分。
A“紫外光可固化的共聚物”通過將100重量份的650,000均分子量的共聚物(此共聚物由85重量份丙烯酸正丁酯和15重量份丙烯酸2-羥基乙酯構(gòu)成)與16重量份的甲基丙烯?；跻一惽杷狨シ磻?yīng)，制得此紫外光可固化的共聚物。
B“光聚合引發(fā)劑”B1二(2，4，6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦，和B21-羥基環(huán)己基苯基酮C“紫外光可固化的壓敏粘合劑”得到由90重量份丙烯酸丁酯和10重量份丙烯酸構(gòu)成的平均分子量為500,000的共聚物。每100重量份(固體含量)的共聚物中加入150重量份(固體含量)的二季戊四醇六丙烯酸酯，作為紫外光可固化成分。
D“交聯(lián)劑”甲苯二異氰酸酯和三羥甲基丙烷的加合物實(shí)施例1
通過以表1所示的比例將所列的成分混合制得紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物。用制得的紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物涂覆剝離襯底(通過用聚硅酮脫落劑處理聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜制得，厚度為38μm)。將如此制得的紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物層轉(zhuǎn)移到基片(厚度為50μm的聚對(duì)苯二甲酸乙酯膜)的一側(cè)，從而得到單側(cè)涂覆有20μm紫外光可固化壓敏粘合劑的壓敏粘合層。可用相同的方法在基片的另一側(cè)上涂覆20μm的紫外光可固化的壓敏粘合劑層。從而制得兩側(cè)涂覆有壓敏粘合劑的片。
將8-英寸的硅片(厚度725μm)固定在一透明的硬板(厚度為700μm，直徑為200mm的鈉鈣玻璃)上，將制得的壓敏粘合劑雙側(cè)涂層的片置于它們的中間。用基片薄膜研磨機(jī)(DFG-840，Disco Corporation制造)機(jī)械研磨此硅片使其厚度為50μm。此后，在0.3托真空中將SF6噴射在硅片暴露的表面上，進(jìn)行干蝕刻。將硅片的厚度減至48μm。
用以下方法評(píng)估“破裂的數(shù)量”、“氣體”和“粘合劑的轉(zhuǎn)移”。
“破裂的數(shù)量”干蝕刻完成后，計(jì)數(shù)每個(gè)硅片上的所觀察到的破裂數(shù)量。
“氣體”從壓敏粘合劑雙側(cè)涂覆片上切下1cm2的樣品，在150℃的氦氣流(流速50ml/分鐘)中加熱10分鐘。由玻璃羊毛吸附劑(-60℃)吸收氦氣流所攜帶的氣體，然后用氣相色譜分析其排氣。在此測(cè)定中，使用Agilent Technologies Inc制造的HP-5柱(60mm×0.25mm×1.0μm)，且氦氣的流速為1.5ml/分鐘。分子量范圍為10到50m/z，加熱在50℃進(jìn)行2分鐘，升溫至280℃20分鐘(溫度的上升速度為10℃/分鐘)。所測(cè)定的排氣量以正-癸烷表示。
“粘合劑的轉(zhuǎn)移”制備10mm×10mm尺寸的片，以50倍放大倍數(shù)用顯微鏡觀察20個(gè)片的粘合劑表面，以觀察是否發(fā)生了粘合劑的轉(zhuǎn)移。
表1中列出了結(jié)果。
實(shí)施例2重復(fù)實(shí)施例1的相同步驟，但將50μm厚的聚萘二甲酸乙二酯膜作為基片。表1列出了結(jié)果。
比較例1重復(fù)實(shí)施例1的相同步驟，但以6重量份的化合物B2替代化合物B1用作光聚合引發(fā)劑。表1列出了結(jié)果。
比較例2重復(fù)實(shí)施例1的相同步驟，將與低分子量丙烯酸酯混合的紫外光可固化的壓敏粘合劑(c)替代紫外光可固化的共聚物(A)，用3重量份的化合物B2作為共聚物引發(fā)劑，且使用0.10重量份的交聯(lián)劑。表1列出了結(jié)果。
表1

權(quán)利要求
1.一種用于在半導(dǎo)體晶片真空加工中固定半導(dǎo)體晶片的壓敏粘合片，其特征在于，所述的壓敏粘合片包括基片和疊加在基片一側(cè)或兩側(cè)的紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物層，該組合物層包含具有作為側(cè)鏈的紫外光可聚合基團(tuán)的紫外光可固化的共聚物和磷光聚合引發(fā)劑。
2.如權(quán)利要求1所述的壓敏粘合片，其特征在于，所述的磷光聚合引發(fā)劑是氧化?；⒒衔?。
3.如權(quán)利要求2所述的壓敏粘合片，其特征在于，所述的氧化?；⒒衔锸欠肿又芯哂蠧O-PO鍵的化合物。
4.如權(quán)利要求3所述的壓敏粘合片，其特征在于，所述的氧化?；⒒衔锸侨缦率降幕衔?其中R1代表可含取代基的芳族基團(tuán)，和R2和R3各獨(dú)立代表可含有取代基的苯基、烷基、烷氧基或芳族酰基。
5.如權(quán)利要求1-4任一所述的壓敏粘合片，其特征在于，所述的紫外光可聚合壓敏粘合劑組合物層，含有0.005到20重量份的磷光聚合引發(fā)劑，按每100重量份紫外光可聚合共聚物計(jì)。
全文摘要
本文公開了一種用于在半導(dǎo)體晶片真空加工過程中固定半導(dǎo)體晶片的壓敏粘合片,其包括基片和疊加在基片一側(cè)或兩側(cè)的紫外光可固化的壓敏粘合劑組合物層,該組合物層包含具有作為側(cè)鏈的紫外光可聚合基團(tuán)的紫外光可固化的共聚物和磷光聚合引發(fā)劑。本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體晶片加工的壓敏粘合片,即使半導(dǎo)體晶片是在真空進(jìn)行加工的,也不會(huì)從壓敏粘合片產(chǎn)生氣體,從而避免了因蒸發(fā)的氣體成分導(dǎo)致的晶片變形和由此產(chǎn)生的粘合劑轉(zhuǎn)移。
文檔編號(hào)C09J201/00GK1386813SQ0211998
公開日2002年12月25日 申請(qǐng)日期2002年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月18日
發(fā)明者永元公市, 江部和義 申請(qǐng)人:琳得科株式會(huì)社