本發(fā)明屬于牙釉質(zhì)原位修復(fù)材料及牙科植入體表面抗菌材料領(lǐng)域，特別涉及多肽修飾的單寧酸素及其制備方法與應(yīng)用。

背景技術(shù)：

人類的牙釉質(zhì)由96％的無機(jī)材料和4％的有機(jī)材料組成，由納米棒高度有序排列成層次分明的微觀結(jié)構(gòu)的羥基磷灰石是牙釉質(zhì)的主要無機(jī)組成材料。研究表明，造釉細(xì)胞分泌的牙釉蛋白是形成牙釉質(zhì)有機(jī)成分的主要材料，約占在牙釉質(zhì)生物礦化過程中所有有機(jī)基質(zhì)的90％。雖然牙釉質(zhì)是人體中最堅(jiān)硬的組織，但牙釉質(zhì)依舊會(huì)受到口腔中細(xì)菌的侵蝕，或者會(huì)因其他機(jī)械力而受損。齲齒是一種細(xì)菌引起的疾病，主要表現(xiàn)為牙齒的脫礦現(xiàn)象，齲齒被認(rèn)為是最主要的人類口腔疾病，全世界大約有80％～90％的人口遭受過齲齒的困擾。為了修復(fù)受損的牙釉質(zhì)，用于填充齲齒患處的材料包括金屬材料、陶瓷材料和樹脂材料，然而由于牙齒基質(zhì)與填充材料之間性質(zhì)差異巨大，兩者界面間相互作用力不強(qiáng)，填充材料容易在首次治療后不久脫落。近年來，生物礦化手段成為修復(fù)受損牙釉質(zhì)的研究熱點(diǎn)，為了模仿自然生成牙釉質(zhì)，研究者采用牙釉蛋白、兩親化合物、樹枝狀大分子等新材料作為生物活性的有機(jī)基質(zhì)去誘導(dǎo)牙釉質(zhì)再生。

單寧酸為一種多酚類物質(zhì)，主要分布在茶葉和紅酒中，具有抗菌性。已有研究者單獨(dú)采用單寧酸，以及將單寧酸與三價(jià)鐵離子絡(luò)合體系用于修復(fù)牙本質(zhì)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)前者雖有一定作用，但效果不佳，而后者能快速封堵牙小管并誘導(dǎo)牙本質(zhì)再礦化再生羥基磷灰石(Oh DX,Prajatelistia E,Ju SW,et al..Scientific reports.2015；5:10884.)。單寧酸與三價(jià)鐵離子絡(luò)合體系主要依靠多酚與牙本質(zhì)上的蛋白質(zhì)的絡(luò)合作用于牙本質(zhì)表面，而與牙本質(zhì)相比，牙釉質(zhì)中的膠原等有機(jī)成分的含量明顯更低，因而單寧酸與三價(jià)鐵離子絡(luò)合體系無法牢固地作用于牙釉質(zhì)上，難以用于牙釉質(zhì)的修復(fù)。

基于以上技術(shù)現(xiàn)狀，若能對(duì)單寧酸的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)并利用單寧酸的抑菌特點(diǎn)，開發(fā)出對(duì)牙釉質(zhì)具有靶向特異性吸附效果、能有效提升新生釉質(zhì)層與受損釉質(zhì)層的界面間作用力且具有抑菌作用的牙釉質(zhì)原位修復(fù)材料，對(duì)于牙釉質(zhì)齲齒修復(fù)和牙科植入體表面抗菌都將產(chǎn)生重要的意義。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供多肽修飾的單寧酸及其制備方法，并證明所述多肽修飾的單寧酸可作為牙釉質(zhì)原位再礦化誘導(dǎo)劑以及牙科植入體表面抗菌材料應(yīng)用。

本發(fā)明提供的多肽修飾的單寧酸，結(jié)構(gòu)式如式(Ⅰ)、式(Ⅱ)或者式(Ⅲ)所示：

上述結(jié)構(gòu)式(Ⅰ)、(Ⅱ)、(Ⅲ)中，R₁、R₂、R₃分別為結(jié)構(gòu)式如式(Ⅳ)所示的單寧酸分子中的任意一個(gè)R₄、任意兩個(gè)R₄、任意三個(gè)R₄的酯基對(duì)位羥基被去掉后形成的基團(tuán)，式(Ⅳ)中，R₄＝，

本發(fā)明還提供了上述多肽修飾的單寧酸的制備方法，步驟如下：

(1)丙烯?；揎椀膯螌幩岬暮铣?/p>

①配制第一種溶液

將單寧酸溶解于二甲基甲酰胺中形成第一種溶液，第一種溶液中單寧酸的濃度為0.04～0.05g/mL；

②配制第二種溶液

將三乙胺溶解于第一種溶液中形成第二種溶液，所述三乙胺與第一種溶液中單寧酸的摩爾比為(1～3.2):1；

③合成

在氬氣保護(hù)條件下于-5～5℃將丙烯酰氯加入到第二種溶液中，在室溫反應(yīng)至少24h，然后經(jīng)透析、冷凍干燥，即得丙烯酰基修飾的單寧酸；所述丙烯酰氯與第二種溶液中單寧酸的摩爾比為(1～3.2):1；

(2)帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸的合成

①配制第三種溶液

以步驟(1)制備的丙烯?；揎椀膯螌幩釣槿苜|(zhì)，將所述溶質(zhì)溶解于去離子水中形成第三種溶液，所述去離子水的量以溶質(zhì)能在去離子水中完全溶解為限；

②配制第四種溶液

以結(jié)構(gòu)式如式(Ⅴ)所示的多肽為溶質(zhì)，將所述溶質(zhì)溶解于去離子水中形成第四種溶液，所述去離子水的量以溶質(zhì)能在去離子水中完全溶解為限；

③合成

將二甲基苯基磷加入第三種溶液中并混合均勻，然后加入第四種溶液并混合均勻，在密封條件下于室溫反應(yīng)至少24h，經(jīng)透析、冷凍干燥，即得帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸；

所述第四種溶液的加入量應(yīng)使第四種溶液中的巰基與第三種溶液中的碳碳雙鍵的摩爾比為(1～3.2):1，所述二甲基苯基磷與第四種溶液中的巰基的摩爾比為(0.000001～0.00001):1；

(3)多肽修飾的單寧酸的合成

①配制第五種溶液

將氨水、二氧六環(huán)、濃度為2～6mol/L的氫氧化鈉水溶液混合均勻得到第五種溶液，第五種溶液中，氨水、二氧六環(huán)、氫氧化鈉的摩爾比為(15～25):(4～14):(1～6)；

②合成

以步驟(2)制備的帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸為溶質(zhì)，將所述溶質(zhì)溶解于第五種溶液中并混合均勻，在密封條件下于室溫反應(yīng)至少24h，然后經(jīng)透析、冷凍干燥，即得多肽修飾的單寧酸；所述第五種溶液的量以溶質(zhì)能在第五種溶液中完全溶解為限。

上述方法中，制備結(jié)構(gòu)式如式(Ⅰ)所示多肽修飾的單寧酸時(shí)，步驟(1)的第二種溶液中三乙胺與第一種溶液中單寧酸的摩爾比為(1～1.2):1，丙烯酰氯與第二種溶液中單寧酸的摩爾比為(1～1.2):1；步驟(2)的第四種溶液的加入量應(yīng)使第四種溶液中的巰基與第三種溶液中的碳碳雙鍵的摩爾比為(1～1.2):1。制備結(jié)構(gòu)式如式(Ⅱ)所示多肽修飾的單寧酸時(shí)，步驟(1)的第二種溶液中三乙胺與第一種溶液中單寧酸的摩爾比為(2～2.2):1，丙烯酰氯與第二種溶液中單寧酸的摩爾比為(2～2.2):1；步驟(2)的第四種溶液的加入量應(yīng)使第四種溶液中的巰基與第三種溶液中的碳碳雙鍵的摩爾比為(2～2.2):1。制備結(jié)構(gòu)式如式(Ⅲ)所示多肽修飾的單寧酸時(shí)，步驟(1)的第二種溶液中三乙胺與單寧酸的摩爾比為(3～3.2):1，控制丙烯酰氯與第二種溶液中單寧酸的摩爾比為(3～3.2):1；步驟(2)的第四種溶液的加入量應(yīng)使第四種溶液中的巰基與第三種溶液中的碳碳雙鍵的摩爾比為(3～3.2):1。

上述方法中，在制備結(jié)構(gòu)式(Ⅰ)、(Ⅱ)、(Ⅲ)所示的多肽修飾的單寧酸時(shí)，位阻越小的R₄的酯基對(duì)位羥基越容易被丙烯?；揎棧M(jìn)而被所述多肽修飾形成多肽修飾的單寧酸的合成。

本發(fā)明提供了上述多肽修飾的單寧酸作為牙釉質(zhì)原位再礦化誘導(dǎo)劑以及作為牙科植入體表面抗菌材料的應(yīng)用。實(shí)驗(yàn)表明：本發(fā)明所述多肽修飾的單寧酸對(duì)羥基磷灰石具有牢固的吸附作用，并能在羥基磷灰表面吸附聚集成膜；本發(fā)明所述多肽修飾的單寧酸能在模擬唾液中誘導(dǎo)羥基磷灰石在磨損牙釉質(zhì)塊表面沉積和結(jié)晶，即具有促進(jìn)牙釉質(zhì)再礦化的能力，并且，將本發(fā)明所述多肽修飾的單寧酸與三價(jià)鐵離子配合使用，能進(jìn)一步提升所述多肽修飾的單寧酸在模擬唾液中對(duì)牙釉質(zhì)再礦化的能力，說明三價(jià)鐵離子可與本發(fā)明所述多肽修飾的單寧酸配合作為牙釉質(zhì)原位再礦化誘導(dǎo)劑應(yīng)用。本發(fā)明所述多肽修飾的單寧酸能有效防止細(xì)菌(包括死細(xì)菌和活細(xì)菌)在牙釉質(zhì)上粘附，阻止粘附的細(xì)菌在其上繁殖，從而體現(xiàn)出抑菌作用，基于該特性，本發(fā)明所述多肽修飾的單寧酸可作為牙科植入體表面抗菌材料應(yīng)用。

應(yīng)用時(shí)，將所述多肽修飾的單寧酸配制成水溶液使用，所述水溶液中，多肽修飾的單寧酸的濃度為500～5000ppm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

1.本發(fā)明提供了一類新型結(jié)構(gòu)的牙釉質(zhì)原位修復(fù)材料—多肽修飾的單寧酸，豐富了牙齒定點(diǎn)再礦化的材料的種類。

2.實(shí)驗(yàn)表明：本發(fā)明所述多肽修飾的單寧酸對(duì)羥基磷灰石具有牢固的吸附作用，并能在羥基磷灰表面吸附聚集成膜，所示多肽修飾的單寧酸能在模擬唾液中誘導(dǎo)羥基磷灰石在磨損牙釉質(zhì)塊表面沉積和結(jié)晶，即具有促進(jìn)牙釉質(zhì)再礦化的能力，并且，與三價(jià)鐵離子配合使用，能進(jìn)一步提升所述多肽修飾的單寧酸在模擬唾液中對(duì)牙釉質(zhì)再礦化的能力，可作為牙釉質(zhì)原位再礦化誘導(dǎo)劑中應(yīng)用(見實(shí)施例4～10)；本發(fā)明所述多肽修飾的單寧酸能有效防止細(xì)菌(包括死細(xì)菌和活細(xì)菌)在牙釉質(zhì)上粘附，阻止粘附的細(xì)菌在其上繁殖，表現(xiàn)出抑菌作用，可作為牙科植入體表面抗菌材料應(yīng)用(見實(shí)施例11)。

3.本發(fā)明所述多肽修飾的單寧酸在應(yīng)用時(shí)，直接配制水溶液即可，應(yīng)用方式簡(jiǎn)單、應(yīng)用濃度低，具有簡(jiǎn)化治療操作和降低治療成本的優(yōu)勢(shì)，容易在實(shí)際應(yīng)用中推廣。

4.本發(fā)明還提供了上述多肽修飾的單寧酸的制備方法，該方法采用常規(guī)原料及設(shè)備即可實(shí)現(xiàn)，易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明所述結(jié)構(gòu)式如式(Ⅰ)所示的多肽修飾的單寧酸的合成過程示意圖；

圖2是實(shí)施例1中單寧酸、步驟(1)和步驟(3)中合成的產(chǎn)物的紅外譜圖，其中，曲線a、b、c分別為單寧酸、步驟(1)和步驟(3)中合成的產(chǎn)物的紅外譜圖；

圖3是實(shí)施例1的步驟(1)和(3)中合成的產(chǎn)物的核磁氫譜圖，其中，圖(A)為步驟(1)合成的產(chǎn)物的核磁氫譜圖，圖(B)為步驟(3)合成的產(chǎn)物的核磁氫譜圖；

圖4是實(shí)施例1步驟(2)合成的產(chǎn)物的飛行時(shí)間質(zhì)譜圖；

圖5是實(shí)施例3中單寧酸、步驟(1)和步驟(3)中合成的產(chǎn)物的紅外譜圖，其中，曲線a、b、c分別為單寧酸、步驟(1)和步驟(3)中合成的產(chǎn)物的紅外譜圖；

圖6是實(shí)施例3的步驟(1)和(3)中合成的產(chǎn)物的核磁氫譜圖，其中，圖(A)為步驟(1)合成的產(chǎn)物的核磁氫譜圖，圖(B)為步驟(3)合成的產(chǎn)物的核磁氫譜圖；

圖7是實(shí)施例3步驟(2)合成的產(chǎn)物的飛行時(shí)間質(zhì)譜圖；

圖8是實(shí)施例4中不同濃度的SAP-1-TA在羥基磷灰石粉末上的吸附量匯總圖；

圖9是實(shí)施例5中不同濃度的SAP-3-TA在羥基磷灰石粉末上的吸附量匯總圖；

圖10是實(shí)施例6中SAP-1-TA在羥基磷灰石片上吸附成膜后SEM照片，其中，圖(A)～(C)是SAP-1-TA在羥基磷灰石片上吸附成膜后不同放大倍數(shù)的SEM照片；

圖11是實(shí)施例7中SAP-1-TA在羥基磷灰石片上吸附成膜后SEM照片，其中，圖(A)～(C)是SAP-1-TA在羥基磷灰石片上吸附成膜后不同放大倍數(shù)的SEM照片；

圖12是實(shí)施例8中酸蝕牙釉質(zhì)塊表面的熒光分布圖，其中，圖(A)、圖(B)分別為經(jīng)羅丹明B標(biāo)記的SAP-1-TA處理的酸蝕牙釉質(zhì)塊以及空白酸蝕牙釉質(zhì)塊表面的熒光分布圖；

圖13是實(shí)施例9中酸蝕牙釉質(zhì)塊表面的熒光分布圖，其中，圖(A)、圖(B)分別為經(jīng)羅丹明B標(biāo)記的SAP-3-TA處理的酸蝕牙釉質(zhì)塊以及空白酸蝕牙釉質(zhì)塊表面的熒光分布圖；

圖14是實(shí)施例10中空白組、對(duì)照組和實(shí)驗(yàn)組的牙釉質(zhì)塊的SEM照片，其中，圖(A1)(A2)(A3)、圖(B1)(B2)(B3)和圖(C1)(C2)(C3)分別為空白組、對(duì)照組和實(shí)驗(yàn)組的牙釉質(zhì)塊在模擬唾液中浸泡1天、1周和2周后的SEM圖；

圖15是實(shí)施例10中實(shí)驗(yàn)組和空白組在波長(zhǎng)600nm處測(cè)吸光度值柱狀圖；

圖16是實(shí)施例10中實(shí)驗(yàn)組和空白組的羥基磷灰石片表面的SEM照片，其中，圖A、圖B分別為實(shí)驗(yàn)組和空白組羥基磷灰石表面的SEM照片；

圖17是實(shí)施例10中空白組與實(shí)驗(yàn)組樣品的共聚焦顯微鏡圖，其中，圖A、圖B分別為空白組的樣品表面的活菌和死菌被染色后的共聚焦顯微鏡圖，圖C、圖D分別為實(shí)驗(yàn)組的樣品表面的活菌和死菌被染色后的共聚焦顯微鏡圖。

具體實(shí)施方式

以下通過實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明所述多肽修飾的單寧酸及其制備方法與應(yīng)用作進(jìn)一步說明。

下述實(shí)施例1～3中，步驟(2)中使用的多肽購(gòu)買自上海波泰生物科技有限公司，其結(jié)構(gòu)式如式(Ⅴ)所示：

實(shí)施例1

本實(shí)施例中，提供一條多肽鏈修飾單寧酸的制備方法，其合成路線如圖1所示，步驟如下：

(1)丙烯?；揎椀牡膯螌幩岬暮铣?/p>

①配制第一種溶液

在室溫、常壓條件下將4g單寧酸溶解于100mL無水二甲基甲酰胺形成第一種溶液，第一種溶液中單寧酸的濃度為0.04g/mL；

②配制第二種溶液

在室溫、常壓條件下將三乙胺(TEA)溶解于第一種溶液中形成第二種溶液，所述三乙胺與第一種溶液中單寧酸的摩爾比為1:1；

③合成

在0～5℃的冰水浴及氬氣保護(hù)條件下將丙烯酰氯(Acryloyl chloride)滴加到第二種溶液中，在室溫、常壓條件下反應(yīng)24h，然后在去離子水中用截留分子量為1000道爾頓的透析袋透析1天，再冷凍干燥，即得丙烯?；揎椀膯螌幩?；所述丙烯酰氯與第二種溶液中單寧酸的摩爾比為1:1。

(2)帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸的合成

①配制第三種溶液

以36.1mg步驟(1)制備的丙烯酰基修飾的單寧酸為溶質(zhì)，在常壓、室溫條件下將所述溶質(zhì)溶解于10mL去離子水中形成第三種溶液；

②配制第四種溶液

以40mg結(jié)構(gòu)式如式(Ⅴ)所示的多肽為溶質(zhì)，在室溫、常壓條件下將所述溶質(zhì)溶解于10mL去離子水中形成第四種溶液；

③合成

將二甲基苯基磷(Dimethylphenyl phosphine)加入第三種溶液中，在室溫、常壓攪拌混合均勻，然后加入第四種溶液并混合均勻，在密封條件下于室溫、常壓反應(yīng)24h，然后在去離子水中用截留分子量為2000道爾頓的透析袋透析1天，冷凍干燥，即得帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸；所述第四種溶液的加入量應(yīng)使第四種溶液中的巰基與第三種溶液中的碳碳雙鍵的摩爾比為1:1，所述二甲基苯基磷與第四種溶液中的巰基的摩爾比為0.000004:1。

(3)多肽修飾的單寧酸的合成

①配制第五種溶液

在室溫、常壓條件下將氨水、二氧六環(huán)、濃度為4mol/L的氫氧化鈉水溶液混合均勻得到第五種溶液，第五種溶液中，氨水、二氧六環(huán)、氫氧化鈉的摩爾比為20:9:1；

②合成

以38mg步驟(2)制備的帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸為溶質(zhì)，在室溫、常壓條件下將所述溶質(zhì)溶解于40mL第五種溶液中并混合均勻，在密封條件下于室溫、常壓反應(yīng)24h，然后在去離子水中用截留分子量為1000道爾頓的透析袋透析72h，冷凍干燥，即得一條多肽鏈修飾的單寧酸，記作SAP-1-TA。

單寧酸、上述步驟(1)和步驟(3)中合成的產(chǎn)物的紅外譜圖分別如圖2中曲線a、b、c所示，圖2的曲線b中新出現(xiàn)的在波數(shù)為1652.73cm^-1處的峰即為C＝C震動(dòng)峰，說明成功合成丙烯?；揎椀膯螌幩幔瑘D2的曲線c中出現(xiàn)在波數(shù)為1401.10cm^-1處的峰為酰胺鍵N-H鍵震動(dòng)峰，說明成功合成了多肽修飾的單寧酸。上述步驟(1)和步驟(3)中合成的產(chǎn)物的核磁氫譜圖分別如圖3的(A)(B)所示，圖(B)中在6～8ppm間新出現(xiàn)的峰為仲酰胺鍵上氫的峰，成功合成了多肽修飾的單寧酸。圖4為步驟(2)中合成的產(chǎn)物的飛行時(shí)間質(zhì)譜圖，其中分子離子峰為3076.079，恰好為一條帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸的分子量與質(zhì)子化過程中結(jié)合的鈉離子的相對(duì)分子質(zhì)量之和，表明成功合成了一條帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸。本實(shí)施例制備的一條多肽鏈修飾的單寧酸的結(jié)構(gòu)式如下式所示：

實(shí)施例2

本實(shí)施例中，提供兩條多肽鏈修飾單寧酸的制備方法，步驟如下：

(1)丙烯?；揎椀牡膯螌幩岬暮铣?/p>

①配制第一種溶液

在室溫、常壓條件下將5g單寧酸溶解于100mL無水二甲基甲酰胺形成第一種溶液，第一種溶液中單寧酸的濃度為0.05g/mL；

②配制第二種溶液

在室溫、常壓條件下將三乙胺溶解于第一種溶液中形成第二種溶液，所述三乙胺與第一種溶液中單寧酸的摩爾比為2.1:1；

③合成

在0～5℃的冰水浴及氬氣保護(hù)條件下將丙烯酰氯滴加到第二種溶液中，在室溫、常壓條件下反應(yīng)24h，然后在去離子水中用截留分子量為1000道爾頓的透析袋透析1天，再冷凍干燥，即得丙烯?；揎椀膯螌幩?；所述丙烯酰氯與第二種溶液中單寧酸的摩爾比為2.1:1。

(2)帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸的合成

①配制第三種溶液

以22mg步驟(1)制備的丙烯?；揎椀膯螌幩釣槿苜|(zhì)，在常壓、室溫條件下將所述溶質(zhì)溶解于10mL去離子水中形成第三種溶液；

②配制第四種溶液

以40mg結(jié)構(gòu)式如式(Ⅴ)所示的多肽為溶質(zhì)，在室溫、常壓條件下將所述溶質(zhì)溶解于10mL去離子水中形成第四種溶液；

③合成

將二甲基苯基磷加入第三種溶液中，在室溫、常壓攪拌混合均勻，然后加入第四種溶液并混合均勻，在密封條件下于室溫、常壓反應(yīng)24h，然后在去離子水中用截留分子量為3000道爾頓的透析袋透析1天，冷凍干燥，即得帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸；所述第四種溶液的加入量應(yīng)使第四種溶液中的巰基與第三種溶液中的碳碳雙鍵的摩爾比為2.1:1，所述二甲基苯基磷與第四種溶液中的巰基的摩爾比為0.000001:1。

(3)多肽修飾的單寧酸的合成

①配制第五種溶液

在室溫、常壓條件下將氨水、二氧六環(huán)、濃度為6mol/L的氫氧化鈉水溶液混合均勻得到第五種溶液，第五種溶液中，氨水、二氧六環(huán)、氫氧化鈉的摩爾比為25:4:6；

②合成

以38mg步驟(2)制備的帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸為溶質(zhì)，在室溫、常壓條件下將所述溶質(zhì)溶解于80mL第五種溶液中并混合均勻，在密封條件下于室溫、常壓反應(yīng)24h，然后在去離子水中用截留分子量為2000道爾頓的透析袋透析72h，冷凍干燥，即得兩條多肽鏈修飾的單寧酸，記作SAP-2-TA，其結(jié)構(gòu)式如下式所示：

實(shí)施例3

本實(shí)施例中，提供三條多肽鏈修飾單寧酸的制備方法，步驟如下：

(1)丙烯?；揎椀牡膯螌幩岬暮铣?/p>

①配制第一種溶液

在室溫、常壓條件下將4.5g單寧酸溶解于100mL無水二甲基甲酰胺形成第一種溶液，第一種溶液中單寧酸的濃度為0.045g/mL；

②配制第二種溶液

在室溫、常壓條件下將三乙胺溶解于第一種溶液中形成第二種溶液，所述三乙胺與第一種溶液中單寧酸的摩爾比為3.2:1；

③合成

在-5～5℃及氬氣保護(hù)條件下將丙烯酰氯滴加到第二種溶液中，在室溫室溫、常壓條件下反應(yīng)30h，然后在去離子水中用截留分子量為1000道爾頓的透析袋透析1天，再冷凍干燥，即得丙烯酰基修飾的單寧酸；所述丙烯酰氯與第二種溶液中單寧酸的摩爾比為3.2:1。

(2)帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸的合成

①配制第三種溶液

以12.8mg步驟(1)制備的丙烯?；揎椀膯螌幩釣槿苜|(zhì)，在常壓、室溫條件下將所述溶質(zhì)溶解于10mL去離子水中形成第三種溶液；

②配制第四種溶液

以40mg結(jié)構(gòu)式如式(Ⅴ)所示的多肽為溶質(zhì)，在室溫、常壓條件下將所述溶質(zhì)溶解于10mL去離子水中形成第四種溶液；

③合成

將二甲基苯基磷加入第三種溶液中，在室溫、常壓攪拌混合均勻，然后加入第四種溶液并混合均勻，在密封條件下于室溫、常壓反應(yīng)30h，然后在去離子水中用截留分子量為3000道爾頓的透析袋透析1天，冷凍干燥，即得帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸；所述第四種溶液的加入量應(yīng)使第四種溶液中的巰基與第三種溶液中的碳碳雙鍵的摩爾比為3.2:1，所述二甲基苯基磷與第四種溶液中的巰基的摩爾比為0.00001:1。

(3)多肽修飾的單寧酸的合成

①配制第五種溶液

在室溫、常壓條件下將氨水、二氧六環(huán)、濃度為2mol/L的氫氧化鈉水溶液混合均勻得到第五種溶液，第五種溶液中，氨水、二氧六環(huán)、氫氧化鈉的摩爾比為15:14:5；

②合成

以38mg步驟(2)制備的帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸為溶質(zhì)，在室溫、常壓條件下將所述溶質(zhì)溶解于120mL第五種溶液中并混合均勻，在密封條件下于室溫、常壓反應(yīng)30h，然后在去離子水中用截留分子量為2000道爾頓的透析袋透析72h，冷凍干燥，即得三條多肽鏈修飾的單寧酸，記作SAP-3-TA。

單寧酸、上述步驟(1)和步驟(3)中合成的產(chǎn)物的紅外譜圖分別如圖5中曲線a、b、c所示，圖5的曲線b中新出現(xiàn)的在波數(shù)為1651.26cm^-1處的峰即為C＝C震動(dòng)峰，說明成功合成丙烯?；揎椀膯螌幩?，圖5的曲線c中出現(xiàn)在波數(shù)為1403.15cm^-1處的峰為酰胺鍵N-H鍵震動(dòng)峰，說明成功合成了多肽修飾的單寧酸。上述步驟(1)和步驟(3)中合成的產(chǎn)物的核磁氫譜圖分別如圖6的(A)和(B)所示，圖(B)6～8ppm間新出現(xiàn)的峰為仲酰胺鍵上氫的峰，1～2ppm間出現(xiàn)新峰為鄰近羰基的亞甲基上的氫的峰，說明成功合成了多肽修飾的單寧酸。圖7為步驟(2)中合成的產(chǎn)物的飛行時(shí)間質(zhì)譜圖，該飛行時(shí)間質(zhì)譜圖中的最大峰值為5843.71(在圖上未標(biāo)出)，而三條帶保護(hù)基團(tuán)的多肽鏈修飾的單寧酸其理論分子量為5754.89，最大峰值為5843.71為三條帶保護(hù)基團(tuán)的多肽鏈修飾的單寧酸結(jié)合一個(gè)季銨鹽的分子量，說明步驟(2)成功合成了帶保護(hù)基團(tuán)的多肽修飾的單寧酸。本實(shí)施例制備的三條多肽鏈修飾的單寧酸的結(jié)構(gòu)式如下式所示：

實(shí)施例4

本實(shí)施例中，測(cè)定實(shí)施例1制備的SAP-1-TA在羥基磷灰石(HA)粉末上的吸附情況，所述羥基磷灰石粉末的規(guī)格為HA/M30，其含水量低于0.1％。

將SAP-1-TA分別在中性、堿性和酸性和條件下配制成水溶液，其中，中性條件直接用去離子水配制，堿性條件在去離子水的基礎(chǔ)上加氨水配制，酸性條件在去離子水的基礎(chǔ)上加鹽酸配制成SAP-1-TA濃度分別為0.25mg/mL、0.75mg/mL、1.25mg/mL、1.75mg/mL、2.25mg/mL的SAP-1-TA水溶液，分別用紫外可見分光光度計(jì)測(cè)量前述5個(gè)濃度的SAP-1-TA中性水溶液在波長(zhǎng)為348nm處的吸光度值，SAP-1-TA堿性水溶液在波長(zhǎng)為400nm處的吸光度值，SAP-1-TA酸性水溶液在波長(zhǎng)為338nm處的吸光度值，得到三種條件下SAP-1-TA濃度與吸光度值之間的線性關(guān)系，即標(biāo)準(zhǔn)曲線。

將SAP-1-TA分別在中性、堿性和酸性和條件下配制成水溶液，其中，中性條件直接用去離子水配制，堿性條件在去離子水的基礎(chǔ)上加氨水配制，酸性條件在去離子水的基礎(chǔ)上加鹽酸配制成SAP-1-TA濃度分別為0.25mg/mL、0.75mg/mL、1.25mg/mL、1.75mg/mL、2.25mg/mL、2.75mg/mL、3.25mg/mL及3.75mg/mL的SAP-1-TA水溶液。取量程為10mL的離心PE管24支，分別向其中加入50mg羥基磷灰石粉末，然后取中性、堿性、酸性條件下配制的各濃度的SAP-1-TA水溶液各1mL加入離心PP管中，加入轉(zhuǎn)子，在37℃振蕩攪拌24h，然后對(duì)各離心PP管中的混合液以10000r/min的轉(zhuǎn)速離心4min，取離心所得上清液用紫外分光光度計(jì)測(cè)量上清液中SAP-1-TA的濃度，對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)曲線，計(jì)算出吸附在羥基磷灰石粉末上的SAP-1-TA的量。

結(jié)果如圖8所示，在中性條件下，SAP-1-TA在羥基磷灰石粉末(50mg)上的飽和吸附量為2.9mg(在濃度為3.75mg/mL時(shí)達(dá)吸附飽和)；在堿性條件下，SAP-1-TA在羥基磷灰石粉末(50mg)上的飽和吸附量為1.5mg(在濃度為3.25mg/mL時(shí)達(dá)吸附飽和)；在酸性條件下，SAP-1-TA在羥基磷灰石粉末上的飽和吸附量為2.6mg(在濃度為3.75mg/mL時(shí)達(dá)吸附飽和)。

實(shí)施例5

本實(shí)施例中，測(cè)定實(shí)施例3制備的SAP-3-TA在羥基磷灰石粉末上的吸附情況，所述羥基磷灰石粉末的規(guī)格為HA/M30，其含水量低于0.1％。

將SAP-5-TA在中性條件下直接用去離子水配制成SAP-3-TA濃度分別為0.25mg/mL、0.75mg/mL、1.25mg/mL、1.75mg/mL、2.25mg/mL、2.75mg/mL及3.25mg/mL的SAP-3-TA水溶液，用紫外可見分光光度計(jì)測(cè)量前述7個(gè)濃度的SAP-3-TA水溶液在波長(zhǎng)為347nm處的吸光度值，得到SAP-3-TA濃度與吸光度值之間的線性關(guān)系，即標(biāo)準(zhǔn)曲線。

將SAP-3-TA溶解在去離子水中配制成SAP-3-TA濃度分別為0.25mg/mL、0.75mg/mL、1.25mg/mL、1.75mg/mL、2.25mg/mL、2.75mg/mL及3.25mg/mL的SAP-3-TA水溶液。取量程為10mL的離心PP管6支，分別向其中加入50mg羥基磷灰石粉末，然后取上述各濃度的SAP-3-TA水溶液各1mL加入離心PP管中，加入轉(zhuǎn)子，在37℃振蕩攪拌24h，然后對(duì)各離心PP管中的混合液以10000r/min的轉(zhuǎn)速離心4min，取離心所得上清液用紫外分光光度計(jì)測(cè)量上清液中SAP-3-TA的濃度，對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)曲線，計(jì)算出吸附在羥基磷灰石粉末上的SAP-3-TA的量。結(jié)果如圖9所示，SAP-3-TA在羥基磷灰石粉末(50mg)上的飽和吸附量為2.06mg(在濃度為2.75mg/mL時(shí)達(dá)吸附飽和)。

實(shí)施例6

本實(shí)施例中，測(cè)定實(shí)施例1制備的SAP-1-TA在羥基磷灰石片上聚集成膜的情況，所述羥基磷灰石片的尺寸為8mm*2mm且含水量低于0.1％。

采用掃描電鏡觀察SAP-1-TA在羥基磷灰石片片表面的聚集成膜情況。將SAP-1-TA溶解在去離子水中，配制成SAP-1-TA濃度為3.75mg/mL的SAP-1-TA水溶液，用移液槍量取25μL SAP-1-TA水溶液滴加到羥基磷灰石片上，重復(fù)4次，自然干燥后用掃描觀察SAP-1-TA在羥基磷灰石片表面的聚集成膜情況。結(jié)果如圖10所示，其中，圖(A)～(C)是SAP-1-TA在羥基磷灰石片上聚集成膜后不同放大倍數(shù)的掃描電鏡照片，由圖10可知，SAP-1-TA具有良好的在羥基磷灰石片上聚集成膜的性能。

實(shí)施例7

本實(shí)施例中，測(cè)定實(shí)施例3制備的SAP-3-TA在羥基磷灰石片上聚集成膜的情況，所述羥基磷灰石片的尺寸為8mm*2mm且含水量低于0.1％。

采用掃描電鏡觀察SAP-3-TA在羥基磷灰石片片表面的聚集成膜情況。將SAP-3-TA溶解在去離子水中，配制成SAP-3-TA濃度為4.25mg/mL的SAP-3-TA水溶液，用移液槍量取30μL SAP-3-TA水溶液滴加到羥基磷灰石片上，重復(fù)5次，自然干燥后用掃描觀察SAP-3-TA在羥基磷灰石片表面的聚集成膜情況。結(jié)果如圖11所示，圖11(A)～(C)是SAP-3-TA在羥基磷灰石片上聚集成膜后不同放大倍數(shù)的掃描電鏡照片，由圖11可知，SAP-3-TA具有在羥基磷灰石片上聚集成膜的性能。

實(shí)施例8

本實(shí)施例中，測(cè)定實(shí)施例1制備的SAP-1-TA在牙釉質(zhì)上的吸附情況，具體使用激光共聚焦顯微鏡觀察熒光標(biāo)記了的SAP-1-TA在牙釉質(zhì)表面的吸附情況。

(1)熒光標(biāo)記

熒光標(biāo)記物質(zhì)選擇羅丹明B，標(biāo)記方法為：將羅丹明B溶于10mL二甲基亞砜中，加入與羅丹明B等摩爾的SAP-1-TA、以及與羅丹明B等摩爾的EDC，在避光、25℃攪拌反應(yīng)72h，即得羅丹明B標(biāo)記的SAP-1-TA。

(2)酸蝕牙釉質(zhì)塊的制備

①取因正畸拔除的正常前磨牙，肉眼觀察大小均勻、色澤相近、無齲壞、無白斑、無隱裂，于30min內(nèi)除去牙根、牙髓，置于含0.1wt的％麝香草酚的生理鹽水溶液中，4℃保存?zhèn)溆谩?/p>

②用高速硬組織切割機(jī)將牙冠切成4×4×2mm大小的牙齒塊，切割牙釉質(zhì)面暴露，其余部分用甲基丙烯酸甲酯樹脂包埋，將暴露面用依次用800#、1200#、2400#碳化硅砂紙?jiān)诹魉履テ?、拋光，去除表層約150μm，以消除表面有機(jī)污染物和表面的不規(guī)則，自然干燥后置于含0.1wt的％麝香草酚的生理鹽水溶液中。使用前，在牙釉質(zhì)塊表面開窗約5×5mm大小，然后將樹脂包裹的牙釉質(zhì)塊置于去離子水中，用超聲波清洗器中處理30min，取出放入37wt％的磷酸中浸泡45s(每顆樹脂包埋的牙釉質(zhì)塊用10mL磷酸浸泡)，再將其置于去離子水中，用超聲波清洗器中處理5min，將得到的酸蝕牙釉質(zhì)塊保存于去離子水中待用。

(3)用移液槍量取1mL羅丹明B標(biāo)記的SAP-1-TA溶液滴加在酸蝕牙釉質(zhì)塊上，室溫自然干燥24h后用PBS沖洗3遍，干燥后用激光共聚焦顯微鏡觀察酸蝕牙釉質(zhì)塊表面的熒光分布情況，結(jié)果如圖12所示。圖(A)、圖(B)分別為經(jīng)羅丹明B標(biāo)記的SAP-1-TA處理的酸蝕牙釉質(zhì)塊以及空白酸蝕牙釉質(zhì)塊表面的熒光分布圖，由圖12可知，經(jīng)羅丹明B標(biāo)記的SAP-1-TA處理的酸蝕釉質(zhì)塊表面有明顯的紅色熒光分布，說明SAP-1-TA在牙釉質(zhì)表面的吸附性能良好。

實(shí)施例9

本實(shí)施例中，測(cè)定實(shí)施例3制備的SAP-3-TA在牙釉質(zhì)上的吸附情況，具體使用激光共聚焦顯微鏡觀察熒光標(biāo)記了的SAP-3-TA在牙釉質(zhì)表面的吸附情況。

(1)熒光標(biāo)記

熒光標(biāo)記物質(zhì)選擇羅丹明B，標(biāo)記方法為：將羅丹明B溶于10mL二甲基亞砜中，加入與羅丹明B等摩爾的SAP-3-TA、以及與羅丹明B等摩爾的EDC，在避光、25℃攪拌反應(yīng)72h，即得羅丹明B標(biāo)記的SAP-3-TA。

(2)酸蝕牙釉質(zhì)塊的制備

具體操作與實(shí)施例8的步驟(2)相同。

(3)用移液槍量取1mL羅丹明B標(biāo)記的SAP-3-TA溶液滴加在酸蝕牙釉質(zhì)塊上，室溫自然干燥24h后用PBS沖洗3遍，干燥后用激光共聚焦顯微鏡觀察酸蝕牙釉質(zhì)塊表面的熒光分布情況，結(jié)果如圖13所示。圖(A)、圖(B)分別為經(jīng)羅丹明B標(biāo)記的SAP-3-TA處理的酸蝕牙釉質(zhì)塊以及空白酸蝕牙釉質(zhì)塊表面的熒光分布圖，由圖13可知，經(jīng)羅丹明B標(biāo)記的SAP-3-TA處理的酸蝕釉質(zhì)塊表面有明顯的紅色熒光分布，說明SAP-3-TA在牙釉質(zhì)表面的吸附性能良好。

實(shí)施例10

本實(shí)施例中，考察三價(jià)鐵離子對(duì)實(shí)施例1制備的SAP-1-TA對(duì)牙釉質(zhì)再礦化能力的促進(jìn)作用。

(1)酸蝕牙釉質(zhì)塊的制備

具體操作與實(shí)施例8的步驟(2)相同。

(2)①用去離子水將SAP-1-TA配制成濃度為3.75mg/mL的SAP-1-TA水溶液。

②按如下配方配制模擬唾液：CaCl₂ 0.1665g、KCl 9.685g、NaH₂PO₄0.1224g、NaN₃·0.065g、HEPES 4.766g，在37℃溶于用750mL去離子中，用1mol/L的KOH溶液調(diào)節(jié)pH至7.02，用去離子水定容至1000mL。

(3)配制Fe³⁺緩沖液

①配制Tris.HCl緩沖液，配方為：50mL 0.1mol/L Tris水溶液、45.7mL 0.1mol/L HCl水溶液用去離子水定容至100mL，用0.1mol/L的NaOH調(diào)節(jié)pH值至8；

②用Tris.HCl緩沖液將SAP-1-TA配制成SAP-1-TA濃度為6.25mg/mL的SAP-1-TA溶液，用Tris.HCl緩沖液將FeCl₃.6H₂O配制成Fe³⁺濃度為3.1mg/mL的Fe³⁺溶液。

③取300μL上述SAP-1-TA溶液于3mL PP離心管中，再加入86μL上述Fe³⁺溶液，補(bǔ)加Tris.HCl緩沖液至總?cè)芤后w積為500μL，用0.1mol/L的NaOH水溶液調(diào)節(jié)混合液的pH值至8，即得Fe³⁺緩沖液。

(4)①空白組：取3塊酸蝕牙釉質(zhì)塊，分別用移液槍移取25μL去離子水滴加至酸蝕牙釉質(zhì)塊上，重復(fù)4次并干燥，將所得牙釉質(zhì)塊浸泡于5mL模擬唾液中，每天更換一次模擬唾液，3塊牙釉質(zhì)塊分別在模擬唾液中浸泡1天、1周和2周。

②對(duì)照組：取3塊酸蝕牙釉質(zhì)塊，分別用移液槍移取25μL步驟(2)配制的SAP-1-TA水溶液滴加至酸蝕牙釉質(zhì)塊上，重復(fù)4次并干燥，將所得牙釉質(zhì)塊浸泡于5mL模擬唾液中，每天更換一次模擬唾液，3塊牙釉質(zhì)塊分別在模擬唾液中浸泡1天、1周和2周。

③實(shí)驗(yàn)組：取3塊酸蝕牙釉質(zhì)塊，分別用移液槍移取25μL步驟(3)配制的Fe³⁺緩沖液滴加至酸蝕牙釉質(zhì)塊上，重復(fù)4次并干燥，將所得牙釉質(zhì)塊浸泡于5mL模擬唾液中，每天更換一次模擬唾液，3塊牙釉質(zhì)塊分別在模擬唾液中浸泡1天、1周和2周。

用掃描電鏡觀察各組酸蝕牙釉質(zhì)塊表面羥基磷灰石的沉積和結(jié)晶的情況，結(jié)果如圖14所示，其中，圖(A1)(A2)(A3)、(B1)(B2)(B3)和(C1)(C2)(C3)分別為空白組、對(duì)照組和實(shí)驗(yàn)組的牙釉質(zhì)塊在模擬唾液中浸泡1天、1周和2周后的SEM圖，由圖14可知，空白組、對(duì)照組和實(shí)驗(yàn)組的牙釉質(zhì)塊的表面均有羥基磷灰石的沉積，隨著浸泡時(shí)間的增加，各組的沉積量都增加，然而，相對(duì)于空白組而言，對(duì)照組和實(shí)驗(yàn)組的牙釉質(zhì)塊表面羥基磷灰石沉積量更多，同時(shí)羥基磷灰石沉積的有序性明顯優(yōu)于空白組，相對(duì)于空白組和對(duì)照組，實(shí)驗(yàn)組顯示出更快的礦化速度，在相同的時(shí)間內(nèi)形成了明顯更致密的羥基磷灰石層，說明Fe³⁺能促進(jìn)SAP-1-TA誘導(dǎo)羥基磷灰石在酸蝕牙釉質(zhì)塊表面沉積和結(jié)晶的能力。

本實(shí)施例說明Fe³⁺可與本發(fā)明所述多肽修飾的單寧酸配合作為牙釉質(zhì)原位再礦化誘導(dǎo)劑應(yīng)用。

實(shí)施例11

本實(shí)施例中，考察實(shí)施例3制備的SAP-3-TA對(duì)口腔變異鏈球菌生物膜的抑制作用。

(1)將SAP-3-TA溶解在去離子水中，配制成SAP-3-TA濃度為2.75mg/mL的SAP-3-TA水溶液，用移液槍量取2mL的SAP-3-TA水溶液浸泡羥基磷灰石片1天，得到帶SAP-3-TA涂層的在羥基磷灰石片。

(2)以步驟(1)制備的帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片作為實(shí)驗(yàn)組試樣，以羥基磷灰石片作為空白組試樣，實(shí)驗(yàn)組和空白組的操作如下：

實(shí)驗(yàn)組：將帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片置于孔板中，將口腔變異鏈球菌接種到所述帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片表面，在厭氧培養(yǎng)箱中培養(yǎng)24h，然后將所述帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片移到新孔板，用PBS沖洗3次，將濃度為5mg/mL的MTT加入到放有所述帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片的孔板中，在厭氧培養(yǎng)箱中培養(yǎng)1h，將孔板中的MTT吸盡，加DMSO，放入搖床振搖至所述帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石上的甲瓚完全溶解，吸取所得溶液到96孔板中，用酶標(biāo)儀在波長(zhǎng)600nm下測(cè)吸光度值OD₆₀₀。

空白組：將羥基磷灰石片置于孔板中，將口腔變異鏈球菌接種到羥基磷灰石片表面，在厭氧培養(yǎng)箱中培養(yǎng)24h，然后將羥基磷灰石片移到新孔板，用PBS沖洗3次，將濃度為5mg/mL的MTT加入到放有羥基磷灰石片的孔板中，在厭氧培養(yǎng)箱中培養(yǎng)1h，將孔板中的MTT吸盡，加DMSO，放入搖床振搖至羥基磷灰石上的甲瓚完全溶解，吸取所得溶液到96孔板中，用酶標(biāo)儀在波長(zhǎng)600nm下測(cè)吸光度值OD₆₀₀。

實(shí)驗(yàn)組和空白組的實(shí)驗(yàn)結(jié)果如圖15所示，由圖15可知，空白組的吸光度值明顯大于實(shí)驗(yàn)組，說明SAP-3-TA具有抑菌作用。

(3)以步驟(1)制備的帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片作為實(shí)驗(yàn)組試樣，以羥基磷灰石片作為空白組試樣，實(shí)驗(yàn)組和空白組的操作如下：

分別將口腔變異鏈球菌接種到帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片和羥基磷灰石片表面，在厭氧培養(yǎng)箱中培養(yǎng)24h，用戊二醛固定過夜，然后分別依次用體積濃度分別為60％、70％、80％、90％的乙醇脫水10min分鐘。用掃描電鏡觀察，結(jié)果如圖16所示，其中，圖A、B分別為實(shí)驗(yàn)組的帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片和空白組的羥基磷灰石片表面的SEM照片，由圖16可知，與空白組相比，帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片表面粘附的變異鏈球菌數(shù)量明顯減少。

(4)以步驟(1)制備的帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片作為實(shí)驗(yàn)組試樣，以羥基磷灰石片作為空白組試樣，實(shí)驗(yàn)組和空白組的操作如下：

分別將口腔變異鏈球菌接種到帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片和羥基磷灰石片表面，在厭氧培養(yǎng)箱中培養(yǎng)24h，然后分別將細(xì)胞死活染染料滴到經(jīng)過上述處理的帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片和羥基磷灰石片上，染色15min，用共聚焦顯微鏡觀察，結(jié)果如圖17所示。

圖17中，圖A、B分別為空白組的羥基磷灰石片表面的活菌和死菌被染色后的共聚焦顯微鏡圖，圖C、D分別為實(shí)驗(yàn)組的帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片表面的活菌和死菌被染色后的共聚焦顯微鏡圖，將圖A與B，C與D比較可知，活菌和死菌的位置基本一致，說明活菌和死菌都會(huì)粘附在羥基磷灰石片上，將圖A與C、圖B與D比較可知，實(shí)驗(yàn)組帶SAP-3-TA涂層的羥基磷灰石片上比空白組的羥基磷灰石片上粘附的活細(xì)菌和死細(xì)菌數(shù)量都明顯減少，說明SAP-3-TA具有良好的抑菌作用是由于其能有效防止細(xì)菌粘附，進(jìn)而阻止粘附的細(xì)菌在其上繁殖。本實(shí)施例說明本發(fā)明所述多肽修飾的單寧酸可作為牙科植入體表面抗菌材料應(yīng)用。