技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種大尺寸電阻率可調(diào)的碳化硅多晶陶瓷的生長方法，采用石墨坩堝盛放碳化硅原料，其中石墨坩堝由石墨坩堝頂蓋和石墨坩堝體構(gòu)成，所述石墨坩堝內(nèi)表面上設(shè)置有碳膜層，將碳化硅原料置于石墨坩堝體內(nèi)，蓋上所述石墨坩堝頂蓋，放入生長爐中，并使所述石墨坩堝體的底部和/或下部位于加熱區(qū)以使石墨坩堝體的底部的溫度高于石墨坩堝頂蓋的溫度，采用物理氣相傳輸方法或者高溫化學(xué)氣相沉積法在所述碳膜層表面生長碳化硅多晶陶瓷材料。本發(fā)明生長方法簡易，所述碳化硅多晶陶瓷比傳統(tǒng)碳化硅陶瓷性能更優(yōu)異，其均勻性好，致密度更好，純度更高，熱導(dǎo)率更好。

技術(shù)研發(fā)人員：高攀;忻雋;陳輝;劉學(xué)超;鄭燕青;施爾畏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所;上海硅酸鹽研究所中試基地
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.01
技術(shù)公布日：2017.09.22