技術(shù)編號(hào)：11279449
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于碳化硅材料領(lǐng)域，具體涉及一種基于物理氣相傳輸法生長(zhǎng)碳化硅多晶陶瓷的方法。背景技術(shù)碳化硅(SiC)材料主要包括單晶和陶瓷2大類。碳化硅單晶具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場(chǎng)高、介電常數(shù)低、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，在高頻、大功率、耐高溫、抗輻照半導(dǎo)體器件及紫外探測(cè)器和短波發(fā)光二極管等方面具有廣泛的應(yīng)用前景，用其制成的器件可在600℃以上的高溫環(huán)境中使用。碳化硅陶瓷具有高溫強(qiáng)度大，抗氧化性強(qiáng)，耐磨損性好，熱穩(wěn)定性佳，熱膨脹系數(shù)小，熱導(dǎo)率大，硬度高以及抗熱震和耐化學(xué)腐蝕等特...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。