本發(fā)明申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2013年2月18日、申請(qǐng)?zhí)枮?01380019395.3、發(fā)明名稱(chēng)為“陶瓷材料和包括陶瓷材料的電容器”的發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

提出一種適合于多層工藝中的電容器的陶瓷材料和一種包括該陶瓷材料的電容器，所述電容器優(yōu)選地適合于高功率應(yīng)用。電容器能夠在ac/dc-或dc/dc轉(zhuǎn)換器中用作為濾波元件。

背景技術(shù)：

陶瓷電容器包括至少兩個(gè)電導(dǎo)體，在所述電導(dǎo)體之間設(shè)置有介電的(絕緣的)陶瓷層。陶瓷電容器的特性主要通過(guò)陶瓷介電質(zhì)的極化特性來(lái)確定。作為熱電的表示下述材料，所述材料在不存在電場(chǎng)的情況下具有自發(fā)極性。如果通過(guò)施加電場(chǎng)(或機(jī)械應(yīng)力)，自發(fā)極性的方向能夠發(fā)生改變，那么材料稱(chēng)作為是鐵電的。當(dāng)從順電相中相位過(guò)渡時(shí)鐵電材料的離子并非相互平行地、而是相互反平行地移動(dòng)，那么該材料稱(chēng)作為反鐵電的。

迄今主要用于壓電元件的陶瓷材料是鋯鈦酸鉛體系(pb(zrxti1-x)o3或pzt)。所述體系表示反鐵電的鋯酸鉛(pbzro3)和鐵電的鈦酸鉛(pbzro3，pto)的固定的解決方案(無(wú)空位的混晶列)，其根據(jù)組成能夠具有鐵電的和反鐵電的特性。相位表(圖1)示出，pzt體系的居里溫度和晶體對(duì)稱(chēng)性與其組成相關(guān)。ft和fr是鐵電的四方晶相或菱面體相。pc表示順電的立方晶相。ao和at表示反鐵電的正交晶相或四方晶相。ht表示高溫晶相，lt表示低溫晶相?；趐to，居里點(diǎn)在鈦離子通過(guò)鋯離子取代的情況下從490℃(tc(pto)下降到230℃(tc(pzo)；在此，對(duì)稱(chēng)性從ft經(jīng)由fr改變至ao(在室溫下)。在tc之上，pzt是順電的。在低于居里溫度時(shí)，近似出現(xiàn)立方結(jié)構(gòu)的畸變，更確切地說(shuō)與zr/ti比例相關(guān)。這就是說(shuō)，富含ti的pzt混晶在室溫下是鐵電的和四方晶的，相反地，富含zr的pzt混晶是反鐵電正交晶的(o相)或鐵電菱面體的。pzt材料迄今主要用于壓電元件，例如壓電致動(dòng)器。對(duì)此所需要的壓電特性尤其表現(xiàn)在所謂的準(zhǔn)同型相界(“morphotropicphaseboundary”；mpb)，所述準(zhǔn)同型相界分開(kāi)兩個(gè)fe相(ft和fr)；在此，僅在zr/ti比例輕微變化之后形成兩個(gè)不同的晶體結(jié)構(gòu)。mpb位于pbzr0.6ti0.4o3和pbzr0.55ti0.45o3之間。

wo2011/085932a1公開(kāi)一種電容器，所述電容器包括加熱元件和介電層和包括在介電層之間設(shè)置的內(nèi)電極的電容器區(qū)域，其中加熱元件和電容器區(qū)域?qū)岬乇舜诉B接。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施方式的目的在于，提供一種適合用于多層工藝中的電容器的、具有改進(jìn)的特性的陶瓷材料。

該目的通過(guò)用于多層工藝中的電容器的陶瓷材料來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述陶瓷材料的通式為：

pb(1-1.5a-0.5b+1.5d+e+0.5f)aabb(zr1-xtix)(1-c-d-e-f)lidcefefsico3+y·pbo(i)，

其中：

a選自：la,、nd、y、eu、gd、tb、dy、ho、er和yb；

b選自na、k和ag；

c選自ni、cu、co和mn；并且

0<a<0.12；

0.05≤x≤0.3；

0≤b<0.12；

0≤c<0.12；

0≤d<0,12；

0≤e<0.12,

0≤f<0.12,

0≤y<1，

其中：

b+d+e+f>0。

根據(jù)本發(fā)明，尤其富含zr的pzt混晶相選自相位圖。此外，通過(guò)條件b+d+e+f>0確定，在根據(jù)本發(fā)明的陶瓷材料中，除了出自在獨(dú)立權(quán)利要求中限定的組a(稀土元素)中的摻雜劑之外，必須存在至少一種由li、na、k、ag、fe、ni、cu、co和mn構(gòu)成的組(鋰、鐵以及組b和c)中的元素。由此，能夠提供在1000℃至1120℃的溫度下能燒結(jié)的陶瓷材料，這在陶瓷材料的制造方法期間就已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)與其他的、在更高的溫度下不穩(wěn)定的物質(zhì)/材料的組合。例如，陶瓷材料與由非貴金屬、例如銀或銅構(gòu)成的內(nèi)電極進(jìn)行燒結(jié)(“共燒”方法)是可行的。此外，陶瓷材料與僅通過(guò)組a摻雜的pzt材料相比具有更高的切換場(chǎng)強(qiáng)和/或更高的相對(duì)電容率(介電常數(shù))。

此外，低的燒結(jié)溫度有助于形成陶瓷材料的小的晶粒大小，這有益地影響介電特性。更確切地說(shuō)，pzt陶瓷的介電特性通常也由主域大小確定。將主域理解成陶瓷中的具有相同極性的區(qū)域。主域大小與晶粒大小相關(guān)。每晶粒的主域的數(shù)量隨著晶粒大小增大而增大。改變的主域大小對(duì)陶瓷的材料特性產(chǎn)生影響。因此，值得期望的是，能夠控制晶粒大小或晶粒生長(zhǎng)。

典型地，根據(jù)本發(fā)明的摻雜的鋯鈦酸鉛陶瓷具有鈣鈦礦晶格，所述鈣鈦礦晶格能夠通過(guò)通式abo3來(lái)描述，其中a表示鈣鈦礦晶格的a位置并且b表示b位置。

鈣鈦礦晶格的特征在于相對(duì)于摻雜和空位的高的容差性。

鋯鈦酸鉛(pzt)的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)能夠通過(guò)通式abo3來(lái)描述。pzt晶格的單位晶胞能夠通過(guò)立方體來(lái)描述。a位置通過(guò)pb²⁺離子占據(jù)，其中所述pb²⁺離子位于立方體的角上。在每個(gè)立方體面的中部存在各一個(gè)o^2-離子。在立方體的中心存在ti⁴⁺離子和zr⁴⁺離子(b位置)。該結(jié)構(gòu)相對(duì)于金屬離子通過(guò)其他金屬離子取代和缺陷具有高的容差性，因?yàn)樗鼋Y(jié)構(gòu)能夠良好地?fù)诫s。

根據(jù)通過(guò)摻雜引入的離子和被取代的離子之間的大小差異，能夠出現(xiàn)高對(duì)稱(chēng)性的配位多面體的畸變。所述畸變能夠改變晶體的對(duì)稱(chēng)中心進(jìn)而影響極化能力。

摻雜的不同的可行性能夠根據(jù)摻雜離子的化合價(jià)來(lái)分類(lèi)。等價(jià)摻雜、即離子由相同化合價(jià)的其他離子取代不作用于陶瓷材料中的可能的空位。如果低化合價(jià)的陽(yáng)離子(受主)取代更高化合價(jià)的陽(yáng)離子，那么在陰離子晶格種產(chǎn)生空位。更高價(jià)陽(yáng)離子(施主)當(dāng)其取代更低化合價(jià)的陽(yáng)離子時(shí)造成陽(yáng)離子晶格中的空位。用受主和施主摻雜分別引起材料特性的特征性的改變。受主摻雜的陶瓷也稱(chēng)作為“硬”陶瓷，施主摻雜的陶瓷也稱(chēng)作為“軟”陶瓷。

在a位置上的例如用nd³⁺(或其他根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的組a中的其他稀土元素)的摻雜為施主摻雜。由于釹的離子半徑，所述釹嵌到pb²⁺位置上。電荷補(bǔ)償通過(guò)相應(yīng)地形成pb空位進(jìn)行。摻雜的影響是晶格的有規(guī)律的改變和單位晶胞之間的更長(zhǎng)時(shí)間作用的相互作用的影響。

在a或b位置上用k⁺或fe³⁺的摻雜是受主摻雜。由于鉀的離子半徑，所述鉀嵌到pb²⁺位置上，而fe³⁺嵌到zr⁴⁺或ti⁴⁺位置上。電荷補(bǔ)償通過(guò)減少pb²⁺空位(a空缺)和/或相應(yīng)地形成氧空位來(lái)進(jìn)行。摻雜的影響是晶粒生長(zhǎng)和促進(jìn)燒結(jié)緊湊性的氧空位形成，所述氧空位形成在燒結(jié)溫度下通過(guò)k受主產(chǎn)生。在冷卻過(guò)程中，與nd施主的復(fù)合在形成近似中性(nd/k)的缺陷對(duì)的情況下進(jìn)行，使得在制成的陶瓷中不存在或僅存在非常少的鉛或氧空位濃度。

所述摻雜作用于材料的晶粒生長(zhǎng)，所述晶粒生長(zhǎng)與引入的摻雜的濃度相關(guān)。小的摻雜量在此有助于晶粒生長(zhǎng)，相反地，過(guò)大量的摻雜離子能夠阻礙晶粒生長(zhǎng)。

如在nd占據(jù)pb位置的情況下存在的施主摻雜的pzt材料的特性基本上基于提高的主域可運(yùn)動(dòng)性，所述主域可運(yùn)動(dòng)性通過(guò)pb空位造成?？瘴灰?，已經(jīng)能夠由小的電場(chǎng)影響主域。這與未摻雜的pzt陶瓷相比引起主域邊界的更容易的可移動(dòng)性進(jìn)而引起更高的介電常數(shù)。

在根據(jù)本發(fā)明的陶瓷材料中，必要時(shí)同時(shí)存在受主和施主摻雜。這引起：在陶瓷例如僅由兩種摻雜類(lèi)型中的一種摻雜時(shí)出現(xiàn)的負(fù)面特性得到補(bǔ)償。如果例如僅存在受主摻雜，那么這通常引起下降的介電常數(shù)，這就是說(shuō)，所述常數(shù)低于未摻雜的陶瓷的介電常數(shù)。如果僅存在施主摻雜，那么阻礙晶粒生長(zhǎng)，并且陶瓷的本體沒(méi)有達(dá)到期望的大小。然而，根據(jù)本發(fā)明存在的摻雜組合在這些方面與未摻雜的陶瓷相比正面進(jìn)步。所述摻雜組合具有更高的介電常數(shù)，在更低的燒結(jié)溫度下也還得出所述更高的介電常數(shù)。

在一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，適用的是0.1≤x≤0.2,因?yàn)樵谠摲秶心軌蚋玫卣{(diào)整極化曲線。

在一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，適用的是0≤y<0.05。

在一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，適用的是，0.001<b<0.12，其中更優(yōu)選適用的是d＝e＝f＝0。

在另一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，適用的是，0.001<e<0.12，其中更優(yōu)選適用的是b＝d＝f＝0。

在另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，b是鈉(na)。由此，材料特性受到尤其有利的影響，尤其是燒結(jié)溫度與僅包含稀土元素的pzt材料相比降低，并且同時(shí)切換場(chǎng)強(qiáng)增大。

在另一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，在電場(chǎng)強(qiáng)度為1kv/mm、優(yōu)選為2kv/mm的情況下的相對(duì)電容率為在電場(chǎng)強(qiáng)度為0kv/mm的情況下的相對(duì)電容率的至少60％。更優(yōu)選地，陶瓷材料在場(chǎng)強(qiáng)為2至5kv/mm、優(yōu)選為1kv/mm至10kv/mm的情況下的相對(duì)電容率(介電常數(shù))是在電場(chǎng)強(qiáng)度為0kv/mm的情況下的相對(duì)電容率的至少60％。該測(cè)量?jī)?yōu)選在陶瓷材料的溫度為125℃的情況下執(zhí)行。

在另一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，陶瓷材料在電場(chǎng)強(qiáng)度為1kv/mm、優(yōu)選為2kv/mm的情況下具有至少為500、優(yōu)選至少為1500的相對(duì)電容率。更有選地，陶瓷材料在電場(chǎng)強(qiáng)度為2至5kv/mm、優(yōu)選為1kv/mm至10kv/mm的情況下具有至少為500、優(yōu)選至少為1500的相對(duì)電容率。測(cè)量?jī)?yōu)選在陶瓷材料的溫度為125℃的情況下執(zhí)行。

對(duì)極化滯后的測(cè)量是用于確定相對(duì)電容率(介電常數(shù))的標(biāo)準(zhǔn)方法。為了頻率相關(guān)地進(jìn)行測(cè)量，已知準(zhǔn)靜態(tài)的方法，其中點(diǎn)狀地測(cè)量滯后回線。例如，極化測(cè)量能夠借助于aixacctsystems有限公司的tfanalyser200來(lái)執(zhí)行。

在另一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式中，陶瓷材料是反鐵電的介電質(zhì)。對(duì)此，應(yīng)用優(yōu)選反鐵電正交晶相區(qū)域(o晶相)構(gòu)成的基礎(chǔ)材料pzt。反鐵電的排布的特征在于多個(gè)有極性的子晶格的疊加，所述子晶格的電偶極矩相互抵消。反鐵電的晶體因此不具有自發(fā)極化，但是具有特殊的介電特性。如果將電場(chǎng)施加到反鐵電材料上，所述反鐵電材料首先表現(xiàn)如線性介電質(zhì)。從特定的臨界場(chǎng)強(qiáng)開(kāi)始，引起突然過(guò)渡到鐵電相中并且之前反鐵電的偶極子翻轉(zhuǎn)到因此有能量的、更有益的、平行的取向中。反向的過(guò)渡相反地在電場(chǎng)強(qiáng)度較小的情況下發(fā)生。這引起所謂的雙滯后回線(參見(jiàn)圖4至6，所述圖分別僅示出在電場(chǎng)為正值下的滯后回線)。

反鐵電的陶瓷材料與鐵電的陶瓷材料相比具有表現(xiàn)得不那么強(qiáng)的極化場(chǎng)強(qiáng)滯后。這在應(yīng)用在電容器中時(shí)引起較小的有能量的損耗。出于該原因，應(yīng)用反鐵電的陶瓷材料根據(jù)本發(fā)明是優(yōu)選的。

為了制造純的和不同的摻雜的鋯鈦酸鉛(pzt)粉末，能夠應(yīng)用傳統(tǒng)的混合氧化物方法或也能夠應(yīng)用基于溶劑的方法，所述基于溶劑的方法也能夠稱(chēng)作為“溶膠-凝膠”方法。出發(fā)點(diǎn)例如是用于構(gòu)建的金屬的醋酸鹽或醇化物，所述醋酸鹽或醇化物經(jīng)由不同的干燥方法轉(zhuǎn)變成顆粒狀的干凝膠、陶瓷的先驅(qū)物質(zhì)(前質(zhì))。為了干燥，例如可用噴霧干燥和噴霧冷凍?；B同隨后的冷凍干燥。隨后，將前質(zhì)熱解成氧化物。這樣制造的粉末能夠以小的耗費(fèi)去聚結(jié)并且在其他的工藝中被時(shí)效處理。

在根據(jù)本發(fā)明的第二方面中，本申請(qǐng)涉及一種電容器，所述電容器包括至少一個(gè)由如在上文中限定的陶瓷材料構(gòu)成的陶瓷層和在至少一個(gè)陶瓷層上形成的導(dǎo)電電極。

在另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，導(dǎo)電電極設(shè)置在相鄰的陶瓷層之間。優(yōu)選地，電容器是多層電容器，所述多層電容器形成為由交替的陶瓷層和電極層構(gòu)成的單片的燒結(jié)體。

在另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，導(dǎo)電電極包括非貴金屬，優(yōu)選為ag或cu。更優(yōu)選地，內(nèi)電極包括cu。尤其優(yōu)選地，非貴金屬形成內(nèi)電極的主要部分。

在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，電容器在80℃至150℃的范圍中、優(yōu)選在-40℃至150℃的范圍中具有至少為1a/μf的載流能力。

為了制造根據(jù)本發(fā)明的陶瓷電容器，例如由未燒結(jié)的根據(jù)本發(fā)明的陶瓷粉末的懸浮物借助適當(dāng)?shù)恼辰Y(jié)劑得出薄的陶瓷膜。所述陶瓷膜以絲網(wǎng)印刷法借助金屬膏、即隨后的電極壓制。金屬膏能夠包含cu、ag或pd。優(yōu)選地，使用非貴金屬，例如ag和cu，因?yàn)檫@樣降低制造工藝的成本。壓制的層片在電容器所要求數(shù)量的層中相疊地堆疊并且通過(guò)擠壓固定。除了陶瓷的相對(duì)電容率(介電常數(shù))之外，相疊的層的數(shù)量和層厚度確定電容器的隨后的電容值。通過(guò)電極在堆疊中交替輕微彼此錯(cuò)開(kāi)地堆疊，能夠進(jìn)行壓制和堆層，借此所述電極能夠梳狀地在一側(cè)與連接面接觸。

層疊的和擠壓的堆疊隨后被分割成各個(gè)電容器。

在切割之后，從所分割的電容器中首先烤出粘結(jié)劑。此后，進(jìn)行燃燒過(guò)程。在此，陶瓷粉末在1000℃和1450℃之間的溫度下、優(yōu)選在1000℃至1120℃下被燒結(jié)并且得到其最終的、優(yōu)選結(jié)晶的結(jié)構(gòu)。首先通過(guò)所述燃燒工藝，電容器得到其期望的介電性能。燃燒工藝之后是清潔并且隨后對(duì)兩個(gè)外部電極進(jìn)行外部的金屬化。通過(guò)在陶瓷塊的端面上進(jìn)行所述金屬化來(lái)將內(nèi)電極并聯(lián)。

同時(shí)，金屬化部是外部的電連接面。

附圖說(shuō)明

在下文中，根據(jù)附圖闡述根據(jù)本發(fā)明的陶瓷材料的特殊的特性。

具體實(shí)施方式

圖1示出pbzro3-pbtio3混晶列的相位圖。ft和fr是鐵電的四方晶相或菱面體相。pc表示順電的立方晶相。ao和at表示反鐵電的正交晶相或四方晶相。ht表示高溫晶相，lt表示低溫晶相。

圖2示出用于陶瓷材料pb0.895-0.5xla0.07naxzr0.86ti0.14o3的參數(shù)x和燒結(jié)收縮的相關(guān)性，所述材料在1050℃下燒結(jié)。

圖3示出用于材料pb0.895+1.105xla0.07(1-x)(zr0.86ti0.14)1-xnixo3的參數(shù)x和燒結(jié)收縮的相關(guān)性，所述材料在1050℃下燒結(jié)。

圖4示出在1250℃下燒結(jié)的材料pb0.88-0.5xla0.08naxzr0.80ti0.20o3的滯后曲線的比較。滯后曲線針對(duì)x＝0，x＝0.005，x＝0.01，x＝0.03示出。

圖5示出在1050℃下燒結(jié)的材料pb0.895+1.105xla0.07(1-x)(zr0.86ti0.14)1-xnixo3的滯后曲線的比較。滯后曲線針對(duì)x＝0.04和x＝0.05示出。

圖6為陶瓷材料pb0.87la0.07na0.05zr0.86ti0.14o3示出具有cu電極的多層電容器的滯后曲線。

圖7為陶瓷材料pb0.87la0.07na0.05zr0.86ti0.14o3示出相對(duì)電容率(介電常數(shù))，所述相對(duì)電容率從圖6的滯后曲線的下部分支的積分得出。

圖2和3示出，燒結(jié)收縮能夠如何通過(guò)na或ni的相對(duì)量(參數(shù)x)來(lái)控制。

對(duì)于na，在溫度為1050℃的情況下，對(duì)于值x＝0.06，得出大于15％的燒結(jié)收縮。相似的燒結(jié)收縮在沒(méi)有na的情況下在1260℃的溫度下才達(dá)到(圖2)。因此，在陶瓷材料中存在na的情況下，能夠在低溫下燒結(jié)。

為燒結(jié)輔助劑ni得出類(lèi)似的結(jié)果。在圖3中，在1050℃的溫度下燒結(jié)陶瓷材料pb0.895+1.105xla0.07(1-x)(zr0.86ti0.14)1-xnixo3。對(duì)于參數(shù)x大于0.03的數(shù)值得出大于15％的最大燒結(jié)收縮。因此，在陶瓷材料中存在鎳的情況下，能夠在低溫下燒結(jié)。

在圖4中為在1250℃下燒結(jié)的材料pb0.88-0.5xla0.08naxzr0.80ti0.20o3示出參數(shù)x對(duì)極化能力和切換場(chǎng)強(qiáng)的影響。隨著x的值增大，即隨著na在陶瓷材料中的份額增大，得出更小的極化能力和切換場(chǎng)強(qiáng)的增大，這表現(xiàn)在滯后回線的展平中。

在圖5中為在1050℃下燒結(jié)的材料pb0.895+1.105xla0.07(1-x)(zr0.86ti0.14)1-xnixo3得到相似的結(jié)果。在此，示出具有0.04或0.05的參數(shù)x的比較，在ni在陶瓷材料中的份額增大的情況下，極化能力下降并且切換強(qiáng)度增大。

在圖6中示出具有cu電極的多層電容器的滯后曲線，所述多層電容器包括陶瓷材料pb0.87la0.07na0.05zr0.86ti0.14o3。陶瓷材料示出為大約8kv/mm的高的切換場(chǎng)強(qiáng)。高的切換場(chǎng)強(qiáng)能夠?qū)崿F(xiàn)，在電容器中存儲(chǔ)相對(duì)多的能量。此外，陶瓷材料具有表現(xiàn)為小的極化場(chǎng)強(qiáng)滯后，由此電容器僅具有小的能量損耗。

在圖7中示出相對(duì)電容率(介電常數(shù))，所述相對(duì)電容率從圖6的滯后曲線的下部分支的微分中得出。得出為反鐵電的材料描述特性的曲線。相對(duì)電容率在大約8kv/mm的情況下達(dá)到為3800的最大值。所述最大值相應(yīng)于切換場(chǎng)強(qiáng)。

根據(jù)所公開(kāi)的實(shí)施例，還公開(kāi)了以下附記：

1.一種用于多層工藝中的電容器的陶瓷材料，所述陶瓷材料的通式為：pb(1-1.5a-0.5b+1.5d+e+0.5f)aabb(zr1-xtix)(1-c-d-e-f)lidcefefsico3+y·pbo(i)，

其中：

a選自：la,、nd、y、eu、gd、tb、dy、ho、er和yb；

b選自na、k和ag；

c選自ni、cu、co和mn；并且

0<a<0.12；

0.05≤x≤0.3；

0≤b<0.12；

0≤c<0.12；

0≤d<0,12；

0≤e<0.12,

0≤f<0.12,

0≤y<1，

其中：

b+d+e+f>0。

2.根據(jù)附記1所述的陶瓷材料，其中0.1<x<0.2。

3.根據(jù)附記1或2所述的陶瓷材料，其中0.001<b<0.12,；并且優(yōu)選地d＝e＝f＝0。

4.根據(jù)附記1或2所述的陶瓷材料，其中0.001<e<0.12；并且優(yōu)選地b＝d＝f＝0。

5.根據(jù)附記1至4中任一項(xiàng)所述的陶瓷材料，其中b是na。

6.根據(jù)附記1至5中任一項(xiàng)所述的陶瓷材料，其中在電場(chǎng)強(qiáng)度為1kv/mm、優(yōu)選為2kv/mm的情況下的相對(duì)電容率為在電場(chǎng)強(qiáng)度為0kv/mm的情況下的相對(duì)電容率的至少60％。

7.根據(jù)附記1至6中任一項(xiàng)所述的陶瓷材料，其中在電場(chǎng)強(qiáng)度為2至5kv/mm、優(yōu)選為1kv/mm至10kv/mm的情況下的相對(duì)電容率是在電場(chǎng)強(qiáng)度為0kv/mm的情況下的相對(duì)電容率的至少60％。

8.根據(jù)附記1至7中任一項(xiàng)所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料在電場(chǎng)強(qiáng)度為1kv/mm、優(yōu)選為2kv/mm的情況下具有至少為500、優(yōu)選至少為1500的相對(duì)電容率。

9.根據(jù)附記1至8中任一項(xiàng)所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料在電場(chǎng)強(qiáng)度為2至5kv/mm、優(yōu)選為1kv/mm至10kv/mm的情況下具有至少為500、優(yōu)選至少為1500的相對(duì)電容率。

10.根據(jù)附記1至9中任一項(xiàng)所述的陶瓷材料，其中所述陶瓷材料是反鐵電的介電質(zhì)。

11.一種電容器，包括：

-至少一個(gè)由根據(jù)附記1至10中任一項(xiàng)所述的陶瓷材料構(gòu)成的陶瓷層；和

-導(dǎo)電電極，所述導(dǎo)電電極在至少一個(gè)所述陶瓷層上形成。

12.根據(jù)附記11所述的電容器，其中所述導(dǎo)電電極設(shè)置在相鄰的陶瓷層之間。

13.根據(jù)附記11或12所述的電容器，其中所述導(dǎo)電電極包括非貴金屬，優(yōu)選為ag或cu。

14.根據(jù)附記11至13中任一項(xiàng)所述的電容器，其中載流能力在100℃時(shí)至少為1a/μf。

15.根據(jù)附記11至14中任一項(xiàng)所述的電容器，其中載流能力在80℃至150℃的范圍中、優(yōu)選在-40℃至150℃的范圍中為至少1a/μf。