專利名稱：具有減少的散射的用于led的陶瓷材料及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于發(fā)光器件、具體為用于LED的發(fā)光材料。
背景技術(shù)：
包括硅酸鹽、磷酸鹽(例如，磷灰石)和鋁酸鹽作為宿主材料的熒光體眾所周知， 其中過渡金屬或者稀土金屬作為激活材料添加到宿主材料。具體而言，由于藍(lán)色LED近年 來已經(jīng)變得實用，所以正在踴躍地追求將這樣的藍(lán)色LED與這樣的熒光體材料結(jié)合用來開 發(fā)白光源。隨著陶瓷發(fā)光材料的問世，藍(lán)色LED也可以幾乎完全轉(zhuǎn)換成綠色或者紅色。具體而言，基于所謂“SiAlON”系統(tǒng)的發(fā)光材料由于它們的良好光學(xué)特征而在業(yè)內(nèi) 成為關(guān)注焦點。然而，仍然持續(xù)需要如下發(fā)光材料，這些發(fā)光材料可用于廣泛應(yīng)用中并且尤其允 許制造發(fā)光效率和顯色性優(yōu)化的熒光體暖白色pcLED。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光學(xué)特征改進(jìn)而具有良好的可生產(chǎn)性和穩(wěn)定性的包 括發(fā)光材料的發(fā)光器件。這一目的通過根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求1的一種發(fā)光器件來實現(xiàn)。因而，提供一種 發(fā)光器件、具體為LED，該發(fā)光器件包括發(fā)射第一波長的至少一種第一發(fā)光材料和至少一種 陶瓷轉(zhuǎn)換器材料，該陶瓷轉(zhuǎn)換器材料至少部分地吸收第一波長并且隨后發(fā)射比第一波長更 大的第二波長的光，所述陶瓷轉(zhuǎn)換器材料具有在20°的散射強(qiáng)度SI (20)和在40°的散射 強(qiáng)度 SI (40)，其中 SI (20)/Si (40) > 1.5。術(shù)語“在Y。的散射強(qiáng)度SI (Y)”定義如下將100 μ m晶片拋光至光學(xué)質(zhì)量(Ra < 20nm)。在陶瓷轉(zhuǎn)換器材料上的法線入射 (=垂直于晶片)之下發(fā)射波長為λ的單色光，其中在吸收系數(shù)a < 30cm-1的可見光譜區(qū) 中選擇入。在0°角(=垂直于晶片)測量的散射強(qiáng)度(=在散射角的透射光)為100% (也 參見圖3)。然后在Y。角測量在Y。的散射強(qiáng)度SI (Y)。術(shù)語“陶瓷轉(zhuǎn)換器材料”就本發(fā)明而言具體意味著和/或包括孔數(shù)量受控制或者 無孔的晶體或者多晶密實材料或者復(fù)合材料。術(shù)語“多晶材料”就本發(fā)明而言具體意味著和/或包括如下材料，該材料的體積密 度大于主要組成的百分之九十，該主要組成包括多于百分之八十的單晶域，各域的直徑大 于0.5 μ m，并且該材料可以具有不同結(jié)晶定向。單晶域可以由非晶形材料或者玻璃狀材料 或者由附加結(jié)晶組成來連接。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的陶瓷轉(zhuǎn)換器材料對于許多應(yīng)用而言具有以下優(yōu)點中的至 少一個或者多個優(yōu)點-發(fā)現(xiàn)的光學(xué)散射增強(qiáng)器件的轉(zhuǎn)換效率，因為散射可能導(dǎo)致吸收損耗。頁_發(fā)現(xiàn)的光學(xué)散射增強(qiáng)轉(zhuǎn)換光與透射的非轉(zhuǎn)換光的混合并且提供高封裝效率。優(yōu)選地，陶瓷轉(zhuǎn)換器材料具有在20°的散射強(qiáng)度SI (20)和在40°的散射強(qiáng)度 SI (40)，其中 SI (20)/Si (40) > 1. 6，優(yōu)選地 SI (20)/Si (40) >1.8。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，陶瓷轉(zhuǎn)換器材料具有在30°的散射強(qiáng)度SI (30) 和在60°的散射強(qiáng)度SI (60)，其中SI (30)/Si (60) >1.9。這針對本發(fā)明內(nèi)的許多應(yīng)用進(jìn) 一步增加轉(zhuǎn)換效率。優(yōu)選地，陶瓷轉(zhuǎn)換器材料具有散射強(qiáng)度比SI (30) /Si (60) > 2. 5，優(yōu)選為SI (30) / SI (60) > 2. 9。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，陶瓷轉(zhuǎn)換器材料表明它的組成微晶顆粒的優(yōu)選定 向，該定向定義為它的紋理。為了檢測優(yōu)先定向，可以應(yīng)用X射線衍射技術(shù)。無優(yōu)先定向的陶瓷展現(xiàn)如下X射 線衍射圖案，這些圖案的相對峰值強(qiáng)度與針對對應(yīng)材料計算的相對峰值強(qiáng)度相同。對X射 線圖案的計算需要知道材料的晶體結(jié)構(gòu)，但是關(guān)于晶體形態(tài)的信息并非必需。紋理化陶瓷 的X射線衍射圖案表明峰值強(qiáng)度與理論圖案相比的顯著偏離，即一些反射表明增強(qiáng)的強(qiáng)度 而其他反射可能展現(xiàn)甚至降至檢測限以下的強(qiáng)度。由其Miller指標(biāo)表征的哪些反射表明 增加或者減少的強(qiáng)度一般依賴于測量幾何形狀(即陶瓷樣本相對于X射線束的對準(zhǔn))、樣本 內(nèi)的顆粒形態(tài)以及定向。優(yōu)選地，陶瓷轉(zhuǎn)換器材料表明它的組成微晶顆粒的優(yōu)選定向，從而Int峰Λα Int 彡3、優(yōu)選為彡5、更優(yōu)選為彡7并且最優(yōu)選為彡9，其中Inti4ttA Int峰義如下對于與宿主化合物SrSi2O2N2同型的一般組成為Sr1TyMxEuySi2O2N2的化合物，其中 M = Ca、Ba、Mg或者其混合物，Int ^a由(020)反射的強(qiáng)度(以(OkO)晶格平面平行于晶 體結(jié)構(gòu)中的[Si2O2N2]2-層這樣的方式選擇結(jié)晶設(shè)置)或者由(020)和(120)反射的強(qiáng)度之 和(如果峰值在XRD粉末圖案中未充分地分離以確定(020)反射的強(qiáng)度)給定，而1壯_值
(220)反射的強(qiáng)度或者由(220)和(2-10)反射的強(qiáng)度之和(如果峰值在XRD粉末圖案 中未充分地分離以確定(220)反射的強(qiáng)度)給定。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，陶瓷轉(zhuǎn)換器材料實質(zhì)上由d5(l > 5 μ m的顆粒制成。 已經(jīng)表明這在廣泛應(yīng)用中進(jìn)一步減少散射。術(shù)語“實質(zhì)上”在本發(fā)明的背景中具體意味著材料的> 75%、優(yōu)選為> 80%并且 最優(yōu)選為> 90%具有所需組成和/或結(jié)構(gòu)。術(shù)語“d5(l”就本發(fā)明而言為針對平均粒子尺寸的測量并且定義如下對應(yīng)樣本中 的粒子(例如顆粒)的數(shù)目的50%的尺寸等于或者小于給定d5(l值。術(shù)語“粒子尺寸”具體 代表其體積與具有任意形狀的所考慮的粒子的體積相等的球體的直徑。優(yōu)選地，陶瓷轉(zhuǎn)換器材料實質(zhì)上由d5(l彡7 μ m的顆粒制成。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，該材料實質(zhì)上具有以下組成Sri_y_zMySi202N2: Euz其中M選自于包括Ca、Ba、Mg或者其混合物的組，并且y彡0至彡1，而ζ彡0. 0001至彡0. 5。這樣的材料已經(jīng)表明由于以下原因而有利于廣泛應(yīng)用-材料的穩(wěn)定性與現(xiàn)有技術(shù)的材料相比通常 所改進(jìn)。材料通常具有很高的熱穩(wěn)定性、尤其是光熱穩(wěn)定性。_該材料的光譜通常相當(dāng)銳利，因此允許使用于本發(fā)明內(nèi)的許多應(yīng)用。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，在200°C、光功率強(qiáng)度為lOW/cm2而平均光子能量 為2. 75eV時將陶瓷轉(zhuǎn)換器材料曝光1000小時之后，陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的光熱穩(wěn)定性為初始 強(qiáng)度的彡80%至彡110%。術(shù)語“光熱穩(wěn)定性”就本發(fā)明而言具體意味著和/或包括在同時施加熱和高強(qiáng)度 激發(fā)之下發(fā)光強(qiáng)度的保持，即100%的光熱穩(wěn)定性表明材料實際上不受同時暴露于輻射和 熱所影響。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，在200°C、光功率強(qiáng)度為lOW/cm2而平均光子能 量為2. 75eV時將陶瓷轉(zhuǎn)換器材料曝光1000小時之后，陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的光熱穩(wěn)定性為 彡82. 5%至彡105%、優(yōu)選為彡85%至彡100%。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的導(dǎo)熱率為> Iff HT1Ir1至彡20W mt1。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，陶瓷轉(zhuǎn)換器材料表明對于波長范圍從> 550nm至 彡IOOOnm的光在空氣中法線入射時為彡10%至彡85%的透明度。優(yōu)選地，在空氣中法線入射時的透明度對于波長范圍從彡550nm至彡IOOOnm的光 為彡20%至彡80%、更優(yōu)選為彡30%至彡75%并且對于波長范圍從彡550nm至彡IOOOnm 的光最優(yōu)選為> 40%至< 70%。術(shù)語“透明度”就本發(fā)明而言具體意味著在空氣中法線入射(=垂直于表面)時經(jīng)過樣本透射波長不為材料所吸收的入射 光的彡10%、優(yōu)選為彡20%、更優(yōu)選為彡30%、最優(yōu)選為彡40%且< 85%。該波長的范圍 優(yōu)選為彡550nm和彡lOOOnm。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的密度為理論密度的>95%且 彡 101%。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的密度為理論密度的> 97%且 彡 100%。優(yōu)選地通過將陶瓷燒結(jié)至孔仍然存在于陶瓷基質(zhì)中的階段來獲得根據(jù)本發(fā)明上 述優(yōu)選實施例的低于100%的密度。更優(yōu)選范圍為>98. 0%且<99. 8%的密度而陶瓷基質(zhì) 中的總孔體積范圍為彡0. 2- < 2%。優(yōu)選平均孔直徑范圍為彡1000- ( 5000nm。本發(fā)明還涉及一種生產(chǎn)本發(fā)明材料的方法，該方法包括單軸地?zé)釅褐辽僖环N前體 化合物，該按壓步驟在彡1200°C至彡1800°C的溫度進(jìn)行。已經(jīng)出乎意料地表明通過這樣做，可以針對許多應(yīng)用而容易地和高效地生產(chǎn)具 有合乎需要和具創(chuàng)造性的特征的材料。優(yōu)選地，按壓步驟在彡1300°C至彡1700°C的溫度進(jìn)行。已經(jīng)出乎意料地發(fā)現(xiàn)對于在本發(fā)明內(nèi)的許多應(yīng)用，可以通過單軸熱壓引起多晶 陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的紋理。在單軸熱壓期間，板狀陶瓷顆粒優(yōu)先地定向成它們的表面法線在 單軸熱壓方向上。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，至少一種前體化合物實質(zhì)上包括縱橫比為 彡2 1的晶體顆粒。
術(shù)語“縱橫比”具體意味著粒子顆粒的最長與最短尺度之比。發(fā)現(xiàn)例如板狀和針 狀粒子有大的縱橫比。對于本發(fā)明內(nèi)的許多應(yīng)用已經(jīng)表明通過如上文所言那樣做，可以進(jìn)一步增強(qiáng)通 過本發(fā)明方法制作的陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的所需特征，尤其可以減少光返回入射方向的散射。優(yōu)選地，至少一種前體化合物實質(zhì)上具有彡3 1、更優(yōu)選為彡4 1的縱橫比。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，至少一種前體化合物實質(zhì)上由直徑> 500nm的板 和/或片制成。對于許多應(yīng)用已經(jīng)表明這也有助于制造工藝并且降低生產(chǎn)的陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的 散射。優(yōu)選地，至少一種前體化合物實質(zhì)上由直徑彡700nm、更優(yōu)選為彡1 μ m的板和/或 片制成。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，在> 50MPa的壓強(qiáng)進(jìn)行按壓步驟。包括根據(jù)本發(fā)明的陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的發(fā)光器件以及如利用本發(fā)明方法生產(chǎn)的陶 瓷轉(zhuǎn)換器材料可以使用于廣泛各種系統(tǒng)和/或應(yīng)用中，這些系統(tǒng)和/或應(yīng)用比如為以下各 項中的一項或者多項_辦公照明系統(tǒng)_家用應(yīng)用系統(tǒng)-商店照明系統(tǒng)，-家庭照明系統(tǒng)，-重點照明系統(tǒng)，-部位照明系統(tǒng)，-劇院照明系統(tǒng)，-光纖應(yīng)用系統(tǒng)，-投影系統(tǒng)，-自照亮顯示系統(tǒng)，-像素化顯示系統(tǒng)，-分段顯示系統(tǒng)，-警告標(biāo)記系統(tǒng)，_醫(yī)療照明應(yīng)用系統(tǒng)，-指示符標(biāo)記系統(tǒng)，以及_裝飾照明系統(tǒng)-便攜系統(tǒng)-汽車應(yīng)用-溫室照明系統(tǒng)。在描述的實施例中的前述組成以及要求保護(hù)的組成和將根據(jù)本發(fā)明來使用的組 成就它們的尺寸、形狀、材料選擇和技術(shù)概念而言無任何特例，從而可以無限制地應(yīng)用相關(guān) 領(lǐng)域中已知的選擇標(biāo)準(zhǔn)。


在從屬權(quán)利要求、附圖以及對相應(yīng)附圖和例子的下文描述中公開了本發(fā)明的目的 的附加細(xì)節(jié)、特征、特性和優(yōu)點，這些附圖和例子以舉例方式示出了根據(jù)本發(fā)明的用于在發(fā) 光器件中使用的材料的若干實施例和例子。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的例子I的用于材料的XRD圖案，圖2示出了根據(jù)比較例子I的用于材料的XRD圖案，圖3示出了本發(fā)明例子I和比較例子I的散射強(qiáng)度的角度分辨測量，圖4示出了本發(fā)明例子I和比較例子I的發(fā)射光譜，圖5示出了在研磨和拋光之后根據(jù)例子I的陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的結(jié)構(gòu)的光學(xué)顯微 圖，以及圖6示出了用于測量陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的紋理的頗具示意性的試驗設(shè)置。
具體實施例方式根據(jù)對例子I的下文具體描述將更好地理解本發(fā)明，該例子以僅為示例的方式作為 本發(fā)明的陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的一個例子。本發(fā)明例子I和比較例子I均涉及SrSi2O2N2 = Eu陶瓷。例子 I通過碾磨混合摻雜Eu的正硅酸鍶(Sra98Euatl2)2SiO4與氮化硅、在N2/H2氣氛中在 1400°C燃燒混合物并且最終碾磨和篩選原產(chǎn)品來合成公稱組成為Sra98Euatl2Si2O2N2的前體 粉末。在石墨按壓工具中填充約4克前體粉末、預(yù)硬化該粉末并且最終在氮范圍中在 1500°C和70Mpa將該粉末單軸地?zé)釅?小時。將所得陶瓷體切片、研磨和拋光至100 μ m的最終厚度。比較例子I (常規(guī)燒結(jié))通過在惰性氣體氣氛中碾磨混合摻雜Eu的正硅酸鍶(Sra98Euatl2)2SiO4與氮化 硅、在隊/吐氣氛中在1200°C燃燒混合物并且最終碾磨和篩選原產(chǎn)品來合成公稱組成為 Sr0.98Eu0.02Si2O2N2 的前體粉末。單軸和均衡地冷壓粉末，并且在氮氣氛中在環(huán)境壓力下在1550°C將所得盤形小球 燒結(jié)5小時。將所得陶瓷體研磨和拋光至100 μ m的最終厚度。圖1和圖2分別示出了本發(fā)明例子I和比較例子I的XRD圖案。針對θ = 0°用 與板法線垂直定位的入射X射線束獲得XRD圖案，其中板法線(a)平行于例子I的單軸熱 壓方向和(b)平行于比較例子I的單軸冷壓方向。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明例子I (實線)和比較例子I (虛線)、針對100 μ m厚度的 晶片、針對法線入射660nm激光束的透射光的正規(guī)化角度散射強(qiáng)度分布。將晶片的表面拋 光至光學(xué)質(zhì)量(Ra<20nm)。光散射因此歸因于僅在晶片內(nèi)的散射事件。清楚可見本發(fā)明的材料的散射明顯不同于比較例子的材料的散射。也就是說，在 20°的散射強(qiáng)度SI (20) >在40°的散射強(qiáng)度SI (40)的2倍，而在30°的散射強(qiáng)度SI (30) >在60°的散射強(qiáng)度SI(60)的3倍，而在比較例子中，這些比值小得多。圖4示出了本發(fā)明例子I (實線)和比較例子I (虛線)的藍(lán)色LED上的發(fā)射光譜。由于優(yōu)良的散射特征，本發(fā)明例子的發(fā)射度特性優(yōu)于比較例子的發(fā)射度特性。圖5示出了在研磨和拋光之后根據(jù)例子I的陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的結(jié)構(gòu)的光學(xué)顯微 圖?？梢娞沾赊D(zhuǎn)換器材料包括其中一些直徑為50 μ m或者更多的許多大顆粒和/或板。平 均d5(l約為4μπι。不限于任何理論，發(fā)明人認(rèn)為該非正統(tǒng)結(jié)構(gòu)至少部分地造成本發(fā)明的材 料的具創(chuàng)造性和合乎需要的優(yōu)點。下文討論根據(jù)例子I的材料的結(jié)構(gòu)以及根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選應(yīng)用的用于測量材料紋
理的主要設(shè)置?？梢越柚鶻射線衍射來量化陶瓷轉(zhuǎn)換器材料以內(nèi)的組成微晶顆粒的優(yōu)選定向。圖6示出了用于測量陶瓷轉(zhuǎn)換器材料的紋理的頗具示意性的試驗設(shè)置。在陶瓷樣 本3中，表明兩個板狀陶瓷微晶1和2，這些微晶的晶格平面幾乎垂直于或者——如針對高 度紋理化的陶瓷所希望的那樣——垂直于板法線。待考察的陶瓷板3受到入射X射線束6。 用X射線檢測器7測量衍射光束5。θ為衍射角。陶瓷板的表面法線與箭頭4所示的在單 軸熱壓期間的按壓方向重合?？梢匀缭谕ㄟ^引用完全結(jié)合于此的非專利文獻(xiàn)M.D. Vaudin等人的J.Mater. Res. 13(1998)2910中所述，通過組合越過優(yōu)選定向反射峰值的θ-2 θ掃描與θ掃描來完
成結(jié)晶紋理的量化確定。如果以針對θ =0°將入射X射線束與陶瓷的單軸熱壓方向垂直定位這樣的方 式進(jìn)行X射線衍射試驗，則針對與按壓方向垂直的板狀微晶顆粒的倒易晶格平面優(yōu)先地觀 測造成X射線輻射衍射最大值的結(jié)構(gòu)干涉。如果以針對θ =90°將檢測器與正交于陶瓷 樣本的平面平行定位這樣的方式進(jìn)行Bragg-Brentano幾何結(jié)構(gòu)中的X射線檢測器的對稱 θ-2 θ掃描，則極大增強(qiáng)如下反射，這些反射源于在與按壓方向垂直或者接近垂直定向的 晶格平面處的衍射，而極大削弱如下反射，這些反射源于在與按壓方向平行或者接近平行 定向的晶格平面處的衍射。對例子I的材料的進(jìn)一步考察給出以下結(jié)果。根據(jù)例如在通過引用全部結(jié)合于此的0. Oeckler、F. Stadler、T. Rosenthal、 W. Schnick的Solid State Sci.，2009，9 (2)，205-212中描述的晶體結(jié)構(gòu)確定結(jié)果，由拐角 共享[SiON3]四面體的片以及形成Sr或者摻雜物離子(這些離子位于[Si2O2N2]片之間) 的配位環(huán)境的末端氧離子來形成SrSi202N2。因此，可以針對SrSi2O2N2前體化合物觀測板狀 形態(tài)。對于包括板狀顆粒的熱壓SrSi2O2N2 = Eu型陶瓷，在例子章節(jié)中說明了細(xì)節(jié)。在以 下章節(jié)中說明一種用于盤形陶瓷樣本的一般適用測量幾何結(jié)構(gòu)(如在下述所有測量中應(yīng) 用的那樣)。關(guān)于該結(jié)構(gòu)，(OkO)倒易晶格平面與[Si2O2N2]片平行定向、因此也正交于 SrSi2O2N2板法線。對于具有顯著優(yōu)先定向的樣本，尤其是具有Miller指數(shù)(OkO)的反射表 明與其他反射相比增加的強(qiáng)度。在2Θ 12.6°發(fā)現(xiàn)SrSi2O2N2的(010)反射，而(020)峰 值在2 θ 25. 4°與(120)峰值重疊(兩個峰值之和將稱為峰值Α)。在2 θ 31. 8°發(fā) 現(xiàn)具有最大理論強(qiáng)度即(220)峰值的反射，并且該反射與(2-10)反射重疊(兩個峰值之和 將稱為峰值B)。比較熱壓(本發(fā)明例子I)和常規(guī)燒結(jié)(比較例子I)的材料的XRD圖案，變得清楚的是熱壓獲得如下陶瓷，這些陶瓷具有微晶的強(qiáng)優(yōu)先定向。即使在2 θ 12. 6°的峰值 仍然表明比峰值B更高的強(qiáng)度。根據(jù)比較例子I的陶瓷未展現(xiàn)顯著優(yōu)先定向并且表明強(qiáng)度比Int峰值Α Int^tte < 1(也參見圖7)，而Int_ttA Int_B> 1表明優(yōu)先定向的存在。具有強(qiáng)優(yōu)先定向的樣本應(yīng)當(dāng)展現(xiàn)Inti4ttA Int峰值B >3、優(yōu)選為>5的比值。對 于上述熱壓陶瓷(本發(fā)明例子I)，觀測到Int_ttA Int_ttB 9.4的強(qiáng)度比(基于本底校 正后的峰值高度)，這表明可以觀測到很強(qiáng)優(yōu)先定向。在上文詳述的實施例中的單元和特征的特定組合僅為舉例；也明確構(gòu)思這些教導(dǎo) 與在本專利和引用結(jié)合的專利/申請中的其他教導(dǎo)的互換和替換。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn) 識到的那樣，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以想到對這里所述內(nèi)容的變化、修改和其他實施而不 脫離如要求保護(hù)的本發(fā)明的精神和范圍。因而，前文描述僅為舉例而非作為限制。在所附 權(quán)利要求及其等效內(nèi)容中限定本發(fā)明的范圍。另外，在說明書和權(quán)利要求書中使用的參考 標(biāo)號并不限制如要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
一種用于發(fā)光器件、具體為LED的陶瓷轉(zhuǎn)換器材料，具有在20°的散射強(qiáng)度SI(20)和在40°的散射強(qiáng)度SI(40)，其中SI(20)/SI(40)＞1.6。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷轉(zhuǎn)換器材料，具有在30°的散射強(qiáng)度SI(30)和在60° 的散射強(qiáng)度 SI (60)，其中 SI (30)/Si (60) > 1.9。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的陶瓷轉(zhuǎn)換器材料，其中所述陶瓷轉(zhuǎn)換器材料表明它的 組成微晶顆粒的優(yōu)選定向。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一權(quán)利要求所述的陶瓷轉(zhuǎn)換器材料，其中所述材料實質(zhì) 上由d5Q彡5μπι的顆粒制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一權(quán)利要求所述的陶瓷轉(zhuǎn)換器材料，其中所述材料實質(zhì) 上具有如下組成SivyJVIySi2O2N2 Euz其中M選自于包括Ca、Ba、Mg或者其混合物的組， 并且y彡0至彡1，而ζ彡0. 0001至彡0.5。
6.一種生產(chǎn)根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一權(quán)利要求所述的材料的方法，包括單軸地?zé)?壓至少一種前體化合物，所述按壓步驟在> 120(TC至< 180(TC的溫度進(jìn)行。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述至少一種前體化合物實質(zhì)上具有>2 1的 縱橫比。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或者7所述的方法，其中所述至少一個前體化合物實質(zhì)上由直徑 彡500nm的板和/或片制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中的任一權(quán)利要求所述的方法，其中在>50MPa的壓強(qiáng)進(jìn)行所 述按壓步驟。
10.一種系統(tǒng)，包括根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一權(quán)利要求所述的材料和/或根據(jù)權(quán)利 要求6至9中的任一權(quán)利要求生產(chǎn)的材料，所述系統(tǒng)使用于以下應(yīng)用中的一個或者多個應(yīng) 用_辦公照明系統(tǒng) -家用應(yīng)用系統(tǒng) -商店照明系統(tǒng)， -家庭照明系統(tǒng)， -重點照明系統(tǒng)， -部位照明系統(tǒng)， -劇院照明系統(tǒng)， -光纖應(yīng)用系統(tǒng)， -投影系統(tǒng)， -自照亮顯示系統(tǒng)， -像素化顯示系統(tǒng)， -分段顯示系統(tǒng)， -警告標(biāo)記系統(tǒng)， -醫(yī)療照明應(yīng)用系統(tǒng)， -指示符標(biāo)記系統(tǒng)，以及_裝飾照明系統(tǒng) “便攜系統(tǒng) -汽車應(yīng)用 -溫室照明系統(tǒng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種通過單軸熱壓步驟來制作的具有減少的散射的用于LED的陶瓷發(fā)光材料。
文檔編號C09K11/79GK101883834SQ200880118932
公開日2010年11月10日 申請日期2008年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月3日
發(fā)明者A·蒂克斯, H-H·貝希特爾, P·J·施密特 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司