本發(fā)明涉及電致伸縮陶瓷材料領(lǐng)域，尤其是涉及一種鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷及其制備方法和應(yīng)用。

背景技術(shù)：

驅(qū)動(dòng)器和高精度位移傳感器需要高的應(yīng)變輸出，這種應(yīng)變通過(guò)材料的壓電效應(yīng)或電致伸縮效應(yīng)產(chǎn)生。電致伸縮效應(yīng)是指材料在電場(chǎng)下發(fā)生形變，當(dāng)電場(chǎng)撤除時(shí)，該形變隨即恢復(fù)。電致伸縮應(yīng)變和電致伸縮系數(shù)以及極化強(qiáng)度的平方成正比，表示為：s＝q33p²。電致伸縮效應(yīng)作為一種基本的機(jī)電耦合效應(yīng)而廣泛存在于介電材料中。對(duì)于具有中心對(duì)稱順電相結(jié)構(gòu)的鐵電材料而言，其電致應(yīng)變來(lái)自于電致伸縮的貢獻(xiàn)。與壓電效應(yīng)相比，電致伸縮效應(yīng)具有諸多優(yōu)勢(shì)，如無(wú)滯后，高溫度穩(wěn)定性和無(wú)需極化處理。

目前廣泛應(yīng)用的電致伸縮材料為鉛基弛豫鐵電材料，包括pb(mg1/3nb2/3)o3(pmn)和pb(zn1/3nb2/3)o3(pzn)陶瓷等，鉛基電致伸縮材料的電致伸縮系數(shù)q33值達(dá)到0.02m⁴/c²，且溫度穩(wěn)定性較好(j.kuwata,k.uchino,s.nomura,electrostrictivecoefficientsofpb(mg1/3nb2/3)o3ceramics,jpn.j.appl.phys.1980,19:2099-2103)。然而鉛為有毒元素，傳統(tǒng)鉛基電致伸縮陶瓷中pbo占原料總質(zhì)量的60％以上，在陶瓷制備過(guò)程中揮發(fā)的pbo會(huì)嚴(yán)重污染環(huán)境，并危害人體健康。近年來(lái)，環(huán)保主題日益引起世界各國(guó)的關(guān)注，開(kāi)發(fā)新型無(wú)鉛電致伸縮材料取代傳統(tǒng)鉛基材料變得十分迫切。

鈦酸鉍鈉((bi0.5na0.5)tio3，bnt)是一種具有abo3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的無(wú)鉛鐵電材料，bnt陶瓷具有優(yōu)異的鐵電性能(pr＝38μc/cm²)，被認(rèn)為是有望取代鉛基壓電陶瓷的候選材料之一。然而純bnt陶瓷的性能有限，其矯頑場(chǎng)高達(dá)73kv/cm，導(dǎo)致其難以極化而壓電性能不高，同時(shí)純bnt陶瓷的漏電流也較高，限制了bnt材料的應(yīng)用。通過(guò)引入batio3(bt)等第二組元形成固溶體可適當(dāng)改善bnt陶瓷的壓電和鐵電性能。

中國(guó)專(zhuān)利cn105837205a公開(kāi)了一種鈦酸鉍鈉體系無(wú)鉛壓電陶瓷及其制備方法，其原料組分及其摩爾百分比含量為0.96(bi0.5na0.44？xk0.06lix)tio30.04batio3，其中x＝0.005～0.065。先將bi2o3、k2co3、na2co3、tio2、li2co3、和ba2co3，混合配料，經(jīng)過(guò)球磨、烘干，于850℃預(yù)燒，再經(jīng)過(guò)二次球磨、烘干、造粒、成型、排膠后，于1100～1200℃燒結(jié)，再經(jīng)過(guò)被銀與極化后，制得無(wú)鉛壓電陶瓷。該專(zhuān)利主要通過(guò)a位li摻雜獲得高的應(yīng)變性能，而本專(zhuān)利開(kāi)創(chuàng)新地通過(guò)引入b位(fe0.5ta0.5)⁴⁺復(fù)合離子對(duì)來(lái)打破原體系的長(zhǎng)程鐵電有序性，在室溫附近誘導(dǎo)出遍歷弛豫相。該弛豫相和長(zhǎng)程鐵電相在外場(chǎng)激勵(lì)下可實(shí)現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)變，產(chǎn)生了無(wú)滯后的高電致伸縮性能，且該電致伸縮性能呈現(xiàn)優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種可獲得溫度穩(wěn)定高電致伸縮系數(shù)的鈦酸鉍鈉基陶瓷。

本發(fā)明的另一目的是提供鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的制備方法。

本發(fā)明的另一目的是提供鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的應(yīng)用。

本發(fā)明的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：

一種鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷，該鈦酸鉍鈉基陶瓷的化學(xué)組成為bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti1-x(fe0.5ta0.5)xo3，其中x＝0～0.03，作為優(yōu)選的技術(shù)方案，x＝0.02。

鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的制備方法，采用以下步驟：

(1)選取純度大于99％的bi2o3、na2co3、k2co3、srco3、tio2、fe2o3和ta2o5作為制備鈦酸鉍鈉基陶瓷的原料；

(2)按照bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti1-x(fe0.5ta0.5)xo3的化學(xué)配比稱取原料、經(jīng)過(guò)一次球磨后烘干；

(3)烘干后的原料在800-900℃下煅燒2-5h；

(4)煅燒后的粉料進(jìn)行二次球磨，烘干，造粒，并在50-100mpa壓力下壓制成陶瓷坯體，在500-600℃下進(jìn)行排膠，保溫5-12h；

(5)排膠后的坯體于1130～1160℃進(jìn)行燒結(jié)2-5h，自然隨爐冷卻到室溫后得到鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷。

步驟(2)與步驟(4)在球磨時(shí)采用無(wú)水乙醇和zro2球作為球磨介質(zhì)，zro2球與球磨料的質(zhì)量比為1.2～1.5:1，無(wú)水乙醇與原料的質(zhì)量比1.2～2.5:1。

步驟(2)與步驟(4)的球磨參數(shù)設(shè)置為：球磨轉(zhuǎn)速250-400r/min，球磨時(shí)間10-20h。

步驟(4)中的粉料造粒時(shí)使用8wt％的pva，壓制得到的陶瓷坯體尺寸為直徑10～14mm，厚度0.8～1mm。

步驟(5)中采用的燒結(jié)溫度優(yōu)選為1150℃，保溫時(shí)間優(yōu)選為3h。

該鈦酸鉍鈉基陶瓷具有無(wú)滯后電致伸縮性能，應(yīng)變相對(duì)極化強(qiáng)度平方為接近線性的關(guān)系。在驅(qū)動(dòng)器和高精度位移傳感器方面，該無(wú)滯后電致伸縮性能有助于控制極小尺寸位移的變化，具有響應(yīng)時(shí)間快、溫度穩(wěn)定性高和不需要極化等特點(diǎn)，具有極高的應(yīng)用價(jià)值。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)引入b位(fe0.5ta0.5)⁴⁺復(fù)合離子可有效打破原體系的長(zhǎng)程鐵電有序，(fe0.5ta0.5)⁴⁺復(fù)合離子含量達(dá)到0.02mol時(shí)可在室溫附近誘發(fā)產(chǎn)生非極性遍歷弛豫相，獲得了可以與鉛基材料相媲美的高電致伸縮系數(shù)，在室溫至150℃的較寬溫區(qū)內(nèi)電致伸縮系數(shù)能夠保持穩(wěn)定，體現(xiàn)了優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性。(fe0.5ta0.5)⁴⁺復(fù)合離子含量超過(guò)0.02mol時(shí)會(huì)使非極性弛豫相含量增多而降低了電致伸縮性能。本發(fā)明制備的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷可在驅(qū)動(dòng)器和高精度位移控制器中獲得應(yīng)用，該類(lèi)鈦酸鉍鈉基材料的發(fā)現(xiàn)對(duì)取代鉛基電致伸縮材料具有重大意義。

附圖說(shuō)明

圖1為實(shí)施例1制得的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的xrd圖譜；

圖2為實(shí)施例1制得的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的sem顯微結(jié)構(gòu)圖

圖3為實(shí)施例1制得的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的室溫和150℃下的電滯回線和電致應(yīng)變示意圖；

圖4為實(shí)施例1制得的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的室溫下電致伸縮示意圖；

圖5為實(shí)施例1制得的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的150℃下電致伸縮示意圖；

圖6為實(shí)施例1制得的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的電致伸縮系數(shù)隨溫度的變化。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。以下實(shí)施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)。這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

實(shí)施例1

一種具有溫度穩(wěn)定高電致伸縮系數(shù)的鈦酸鉍鈉基陶瓷，該鈦酸鉍鈉基陶瓷的化學(xué)組成為bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti1-x(fe0.5ta0.5)xo3，其中x＝0.02，其制備方法采用以下步驟：

(1)選取純度大于99％的bi2o3、na2co3、k2co3、srco3、tio2、fe2o3和ta2o5作為鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的原料；

(2)按照bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti0.98(fe0.5ta0.5)0.02o3的配方組成稱料、經(jīng)一次球磨后烘干，球磨時(shí)采用無(wú)水乙醇和zro2球作為球磨介質(zhì)，zro2球與原料的質(zhì)量比為1.2:1，無(wú)水乙醇與原料的質(zhì)量比為1.2:1，球磨轉(zhuǎn)速為250r/min，球磨時(shí)間為10h；

(3)烘干后的原料在850℃下預(yù)燒4h得到預(yù)合成粉體；

(4)預(yù)合成粉體進(jìn)行二次球磨時(shí)，采用無(wú)水乙醇和zro2球作為球磨介質(zhì)，zro2球與原料的質(zhì)量比為1.2:1，無(wú)水乙醇與原料的質(zhì)量比1.5:1，球磨轉(zhuǎn)速為250r/min，球磨時(shí)間為10h。然后烘干，加入8wt％的pva造粒，并在50mpa壓力下壓制成直徑10mm，厚度0.8mm的陶瓷坯體，在500℃下進(jìn)行排膠，保溫時(shí)間為12h；

(5)排膠后的坯體于1150℃進(jìn)行燒結(jié)3h，燒結(jié)時(shí)控制升溫速度為3℃/min，再隨爐冷卻到室溫，并將燒結(jié)成瓷的樣品進(jìn)行減薄、拋光，得到鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷?？梢詰?yīng)用于驅(qū)動(dòng)器和高精度位移傳感器中。

實(shí)施例2

一種鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷，該鈦酸鉍鈉基陶瓷的化學(xué)組成為bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti1-x(fe0.5ta0.5)xo3，其中x＝0.02，其制備方法采用以下步驟：

(1)選取純度大于99％的bi2o3、na2co3、k2co3、srco3、tio2、fe2o3和ta2o5作為鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的原料；

(2)按照bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti0.98(fe0.5ta0.5)0.02o3的配方組成稱量原料、經(jīng)過(guò)球磨后烘干，球磨時(shí)采用無(wú)水乙醇和zro2球作為球磨介質(zhì)，zro2球與原料的質(zhì)量比為1.3:1，無(wú)水乙醇與原料的質(zhì)量比1.5:1，球磨轉(zhuǎn)速為300r/min，球磨時(shí)間為12h；

(3)烘干后的原料在800℃下預(yù)燒2h；

(4)預(yù)燒后的粉料進(jìn)行二次球磨，球磨時(shí)采用無(wú)水乙醇和zro2球作為球磨介質(zhì)，zro2球與原料的質(zhì)量比為1.3:1，無(wú)水乙醇與原料的質(zhì)量比1.6:1，球磨轉(zhuǎn)速為300r/min，球磨時(shí)間為12h，然后烘干的料加入8wt％的pva進(jìn)行造粒，并在80mpa壓力下壓制成直徑10mm，厚度0.9mm的陶瓷坯體，在550℃下進(jìn)行排膠，保溫10h；

(5)排膠后的坯體于1140℃進(jìn)行燒結(jié)4h，燒結(jié)時(shí)控制升溫速度為3℃/min，再隨爐冷卻到室溫，并將燒結(jié)成瓷的樣品進(jìn)行減薄、拋光，得到鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷。該陶瓷可以應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)器和高精度位移傳感器中。

實(shí)施例3

一種鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷，該鈦酸鉍鈉基陶瓷的原料組成為bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti1-x(fe0.5ta0.5)xo3，其中x＝0.02，其制備方法采用以下步驟：

(1)選取純度大于99％的bi2o3、na2co3、k2co3、srco3、tio2、fe2o3和ta2o5作為鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的原料；

(2)按照bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti0.98(fe0.5ta0.5)0.02o3的配方組成稱量原料、經(jīng)過(guò)球磨后烘干，球磨時(shí)采用無(wú)水乙醇和zro2球作為球磨介質(zhì)，zro2球與原料的質(zhì)量比為1.4:1，無(wú)水乙醇與原料的質(zhì)量比2:1，球磨轉(zhuǎn)速控制在350r/min，球磨時(shí)間為15h；

(3)烘干后的原料在900℃下預(yù)燒3h；

(4)預(yù)燒后的粉料進(jìn)行二次球磨，球磨時(shí)采用無(wú)水乙醇和zro2球作為球磨介質(zhì)，zro2球與原料的質(zhì)量比為1.5:1，無(wú)水乙醇與原料的質(zhì)量比2.5:1，球磨轉(zhuǎn)速控制在350r/min，球磨時(shí)間為15h，然后烘干的料在造粒前加入8wt％的pva，并在100mpa壓力下壓制成直徑10mm，厚度1mm的陶瓷坯體，在600℃下進(jìn)行排膠，在排膠時(shí)控制升溫速率1℃/min，保溫8h；

(5)排膠后的坯體于1160℃進(jìn)行燒結(jié)5h，燒結(jié)時(shí)控制升溫速度為3℃/min，再自然冷卻到室溫，并將燒結(jié)成瓷的樣品進(jìn)行減薄、拋光，得到鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷。該陶瓷可以應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)器和高精度位移傳感器中。

實(shí)施例4

一種鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷，該鈦酸鉍鈉基陶瓷的原料組成為bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti1-x(fe0.5ta0.5)xo3，其中x＝0.02，其制備方法采用以下步驟：

(1)選取純度大于99％的bi2o3、na2co3、k2co3、srco3、tio2、fe2o3和ta2o5作為鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的原料；

(2)按照bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti0.98(fe0.5ta0.5)0.02o3的配方組成稱量原料、經(jīng)過(guò)球磨后烘干，球磨時(shí)采用無(wú)水乙醇和zro2球作為球磨介質(zhì)，zro2球與原料的質(zhì)量比為1.5:1，無(wú)水乙醇與原料的質(zhì)量比2.5:1，球磨轉(zhuǎn)速控制在400r/min，球磨時(shí)間為20h；

(3)烘干后的原料在900℃下預(yù)燒5h；

(4)預(yù)燒后的粉料進(jìn)行二次球磨，球磨時(shí)采用無(wú)水乙醇和zro2球作為球磨介質(zhì)，zro2球與原料的質(zhì)量比為1.5:1，無(wú)水乙醇與原料的質(zhì)量比2.5:1，球磨轉(zhuǎn)速控制在400r/min，球磨時(shí)間為20h，然后烘干，造粒，造粒前還加入8wt％的pva，并在100mpa壓力下壓制成直徑10mm，厚度1mm的陶瓷坯體，在600℃下進(jìn)行排膠，保溫5h；

(5)排膠后的坯體于1160℃進(jìn)行燒結(jié)5h，燒結(jié)時(shí)控制升溫速度為3℃/min，再自然冷卻到室溫，并將燒結(jié)成瓷的樣品進(jìn)行減薄、拋光，得到鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷。該陶瓷可以應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)器和高精度位移傳感器中。

圖1為本發(fā)明制備的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷實(shí)施例1的xrd圖譜，制備的陶瓷呈現(xiàn)純鈣鈦礦相結(jié)構(gòu)，無(wú)第二相產(chǎn)生，20～60^o角度范圍內(nèi)的衍射峰均為單峰，表明實(shí)施例1的組分為贗立方相結(jié)構(gòu)。

圖2為本發(fā)明制備的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷實(shí)施例1的sem顯微結(jié)構(gòu)圖。實(shí)施例1制備的陶瓷呈現(xiàn)致密的微觀結(jié)構(gòu)，晶粒尺寸在0.6μm左右。

圖3為本發(fā)明制備的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的室溫和150℃下的電滯回線和電致應(yīng)變示意圖，測(cè)試電場(chǎng)為6kv/mm。室溫時(shí)，實(shí)施例1制備的陶瓷呈現(xiàn)束腰狀電滯回線和萌芽型電致應(yīng)變曲線，表明其為非極性弛豫相結(jié)構(gòu)。溫度升至150℃時(shí)，飽和極化和應(yīng)變值有所降低，同時(shí)滯后也顯著降低。

圖4為實(shí)施例1制得的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的室溫下電致伸縮示意圖，在室溫下應(yīng)變和極化強(qiáng)度的平方幾乎為線性關(guān)系，對(duì)應(yīng)電致伸縮系數(shù)q33值達(dá)到0.024m⁴/c²，與傳統(tǒng)的鉛基電致伸縮材料相媲美。

圖5為實(shí)施例1制得的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的150℃下電致伸縮示意圖，在150℃時(shí)，應(yīng)變和極化強(qiáng)度的平方仍然保持線性關(guān)系，且電致伸縮系數(shù)q33值在150℃仍可達(dá)到0.0235m⁴/c²。

圖6為實(shí)施例1制得的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷的電致伸縮系數(shù)q33值隨溫度的變化，在室溫至150℃的較寬溫度范圍內(nèi)，q33值可保持在0.024m⁴/c²幾乎不變，呈現(xiàn)優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性。該性能與傳統(tǒng)鉛基pmn材料相媲美，這也是本發(fā)明的最大優(yōu)勢(shì)，表明制備的鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷能夠滿足實(shí)際應(yīng)用需求，有望取代鉛基的電致伸縮陶瓷在制動(dòng)器和高精度位移器中獲得應(yīng)用。

實(shí)施例5

一種鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷，該鈦酸鉍鈉基陶瓷的化學(xué)組成為bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti1-x(fe0.5ta0.5)xo3，其中x＝0.005。該中陶瓷采用固相反應(yīng)法制備得到，包括以下步驟：

(1)選取純度大于99％的bi2o3、na2co3、k2co3、srco3、tio2、fe2o3和ta2o5作為制備鈦酸鉍鈉基陶瓷的原料；

(2)按照bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti1-x(fe0.5ta0.5)xo3的化學(xué)配比稱取原料、經(jīng)過(guò)一次球磨后烘干，采用無(wú)水乙醇和zro2球作為球磨介質(zhì)，zro2球與球磨料的質(zhì)量比為1.2:1，無(wú)水乙醇與原料的質(zhì)量比1.2:1，球磨轉(zhuǎn)速250r/min，球磨時(shí)間20h；

(3)烘干后的原料在800℃下煅燒5h；

(4)煅燒后的粉料進(jìn)行二次球磨，采用無(wú)水乙醇和zro2球作為球磨介質(zhì)，zro2球與球磨料的質(zhì)量比為1.2:1，無(wú)水乙醇與原料的質(zhì)量比1.2:1，球磨轉(zhuǎn)速250r/min，球磨時(shí)間20h，再進(jìn)行烘干，造粒，造粒時(shí)使用8wt％的pva，并在50mpa壓力下壓制成直徑10mm，厚度0.8mm的陶瓷坯體，在500℃下進(jìn)行排膠，保溫12h；

(5)排膠后的坯體于1130℃進(jìn)行燒結(jié)5h，自然隨爐冷卻到室溫后得到鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷。

實(shí)施例6

一種鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷，該鈦酸鉍鈉基陶瓷的化學(xué)組成為bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti1-x(fe0.5ta0.5)xo3，其中x＝0.03。該中陶瓷采用固相反應(yīng)法制備得到，包括以下步驟：

(1)選取純度大于99％的bi2o3、na2co3、k2co3、srco3、tio2、fe2o3和ta2o5作為制備鈦酸鉍鈉基陶瓷的原料；

(2)按照bi0.495(na0.8k0.2)0.495sr0.01ti1-x(fe0.5ta0.5)xo3的化學(xué)配比稱取原料、經(jīng)過(guò)一次球磨后烘干，采用無(wú)水乙醇和zro2球作為球磨介質(zhì)，zro2球與球磨料的質(zhì)量比為1.5:1，無(wú)水乙醇與原料的質(zhì)量比2.5:1，球磨轉(zhuǎn)速400r/min，球磨時(shí)間10h；

(3)烘干后的原料在900℃下煅燒2h；

(4)煅燒后的粉料進(jìn)行二次球磨，采用無(wú)水乙醇和zro2球作為球磨介質(zhì)，zro2球與球磨料的質(zhì)量比為1.5:1，無(wú)水乙醇與原料的質(zhì)量比2.5:1，球磨轉(zhuǎn)速400r/min，球磨時(shí)間10h，然后進(jìn)行烘干，造粒，造粒時(shí)使用8wt％的pva，并在100mpa壓力下壓制成直徑14mm，厚度1mm的陶瓷坯體，在600℃下進(jìn)行排膠，保溫5h；

(5)排膠后的坯體于1160℃進(jìn)行燒結(jié)2h，自然隨爐冷卻到室溫后得到鈦酸鉍鈉基電致伸縮陶瓷。

以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。