本發(fā)明涉及納米科學和低維材料制備技術領域，特別是涉及一種轉移石墨烯的方法。

背景技術：

石墨烯是二維蜂窩狀晶格結構的單層二維納米材料，具有很多奇特的物理化學性質，其在能量儲存、晶體管、超級電容器、傳感器等電子器件方面有廣泛的應用前景。石墨烯具有高強度、高比表面積和良好的導熱性；在室溫下的量子霍爾效應、表面性質的尺寸效應；理想的石墨烯中每個碳原子都呈現(xiàn)sp²雜化鍵結構，同時多余的電子在二維尺度上形成大π鍵，π電子在二維平面的自由運動使得石墨烯具有優(yōu)異的導電性，其載流子遷移率高達20000cm²V^-1S^-1，是傳統(tǒng)硅材料的100倍。

保持石墨烯良好的本征特性是器件研究和應用開發(fā)的基礎。性能優(yōu)異的大面積石墨烯要獲得廣泛的應用,需要將其從金屬襯底上轉移至我們想要的絕緣介質、半導體襯底或柔性襯底上。但目前現(xiàn)有的濕法化學轉移技術在轉移石墨烯的過程中，不可避免的會帶來結構破損、表面褶皺、界面污染等弊端。大大影響了石墨烯的本征物理特性，降低了石墨烯載流子遷移率，制約了后期的石墨烯器件設計制備。理想的轉移技術應有以下特點：1)確保轉移后的石墨烯的宏觀結構完整、微觀尺寸的平整。2)轉移過程對石墨烯表界面無污染。3)轉移工藝穩(wěn)定，具有重復性。

因此，如何提供一種轉移石墨烯的方法，避免轉移過程對石墨烯的表面污損、避免轉移后石墨烯微觀結構的起伏不平，可獲得高質量大面積石墨烯，成為本領域技術人員亟待解決的一個重要技術問題。

技術實現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術，本發(fā)明的目的在于提供一種轉移石墨烯的方法，用于解決現(xiàn)有技術中濕法轉移制備的石墨烯結構破損、界面污染、表面褶皺等問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供一種轉移石墨烯的方法，包括以下步驟：

S1提供位于第一襯底上的石墨烯；

S2在所述石墨烯上覆蓋緩沖層；

S3在所述緩沖層上粘附熱釋放膠帶；

S4利用腐蝕液浸泡去除所述石墨烯下方的所述第一襯底；

S5將去除了所述第一襯底的所述石墨烯覆蓋到目標襯底上；

S6加熱使所述熱釋放膠帶失去粘性，然后揭去所述熱釋放膠帶；

S7利用溶解液浸泡去除所述石墨烯上方的緩沖層，得到位于所述目標襯底上的石墨烯，完成所述石墨烯的轉移。

可選地，在步驟S1中，所述石墨烯通過化學氣相沉積法生長在所述第一襯底上。

可選地，所述第一襯底的材料為Cu、Ni、Pt、Mo、Pd、Ge、Fe、Co中的一種，或為Cu、Ni、Pt、Mo、Pd、Ge、Fe、Co中的兩種或三種組成的合金。

可選地，在步驟S2中，所述緩沖層是通過機械旋涂方式覆蓋在所述石墨烯的上表面，旋涂轉速為2000-4000轉每分。

進一步可選地，所述機械旋涂方式為靜態(tài)涂層或動態(tài)涂層。

可選地，所述緩沖層的材料為甲基丙烯酸甲酯、聚甲基戊二酰亞胺、聚丁二烯中的一種或多種。

可選地，所述緩沖層的厚度為50～800nm。

可選地，在步驟S2中，在所述石墨烯上覆蓋緩沖層之后，還包括加熱固化所述緩沖層。

進一步可選地，加熱固化所述緩沖層的溫度為30～150℃，加熱時間為1～10分鐘。

可選地，在步驟S4中，所述腐蝕液為三氯化鐵溶液、過硫酸銨溶液、或鹽酸與硫酸銅混合溶液；浸泡溫度為20～80℃，浸泡時間為6～12小時。

可選地，所述目標襯底的材料為絕緣材料、半導體材料或柔性有機材料。

可選地，所述目標襯底的材料為石英、氧化鋁、氮化硅、硅、鍺、碳化硅、砷化鎵、氮化鋁、氧化鋅中的一種或多種；或者為聚乙烯對苯二甲酸脂PET、聚酰亞胺PI、乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA、聚萘二酸乙二醇酯PEN、聚醚酰亞胺PEI中的一種或多種。

可選地，在步驟S6中，加熱使所述熱釋放膠帶失去粘性的加熱溫度為80～150℃，加熱時間為2～10分鐘。

可選地，在步驟S7中，所述溶解液為丙酮、乙醇、三氯乙烯或聚乙二醇辛基苯基醚；浸泡溫度為10～80℃，浸泡時間為10～300秒。

可選地，在步驟S7中，利用溶解液浸泡去除所述石墨烯上方的緩沖層之后，還包括對所述石墨烯進行退火處理。

進一步可選地，所述退火處理的溫度為100～350℃，所述退火處理的保護氣氛包括氬氣、氮氣中的至少一種，退火時間為10～30分鐘。

可選地，所述石墨烯為單晶石墨烯或石墨烯連續(xù)膜。

可選地，所述石墨烯連續(xù)膜為單層或多層。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本發(fā)明還提供一種獲得多層石墨烯的方法，包括以下步驟：

以被轉移后的石墨烯為目標襯底，利用上述轉移石墨烯的方法，得到多層石墨烯。

如上所述，本發(fā)明的轉移石墨烯的方法，具有以下有益效果：

本發(fā)明利用緩沖層輔助連續(xù)轉移，得到上下表面褶皺密度較低且界面干凈的石墨烯，轉移方法條件簡單、成本低、重復性好、且對環(huán)境友好，這種利用緩沖層的干法轉移成功避免了濕法轉移過程中因對金屬生長襯底腐蝕所引入的金屬離子和化學基團，避免缺陷的引入，確保了石墨烯的宏觀結構完整、微觀尺寸的平整，更確保了石墨烯的有效使用面積。同時也避免了在去除PMMA膠等過程中對石墨烯表面形貌的破損更避免了殘膠的去除不干凈的可能性。本發(fā)明通過緩沖層干法轉移從金屬生長襯底上轉移剝離的石墨烯所需要的步驟少、程序快速便捷，石墨烯的上下表面干凈且無吸附物，降低微觀尺寸的褶皺，提高石墨烯的有效使用面積，為后期制備石墨烯的電子器件奠定了良好的基礎。

附圖說明

圖1顯示為本發(fā)明的轉移石墨烯的方法的工藝流程圖。

圖2顯示為本發(fā)明實施例一中將緩沖層旋涂于石墨烯表面的示意圖。

圖3顯示為本發(fā)明實施例一中在緩沖層上粘附熱釋放膠帶的示意圖。

圖4顯示為本發(fā)明實施例一中腐蝕第一襯底的示意圖。

圖5顯示為本發(fā)明實施例一中將去除了第一襯底的石墨烯覆蓋到目標襯底上的示意圖。

圖6顯示為本發(fā)明實施例一中揭去熱釋放膠帶的示意圖。

圖7顯示為本發(fā)明實施例一中溶解緩沖層的示意圖。

圖8顯示為本發(fā)明實施例一轉移得到的單晶石墨烯的光學顯微鏡圖像。

圖9顯示為本發(fā)明實施例一轉移得到的單晶石墨烯的拉曼圖。

圖10顯示為本發(fā)明實施例一轉移得到的石墨烯的AFM高度相圖。

圖11顯示為本發(fā)明實施例一轉移得到的石墨烯的AFM相圖。

圖12顯示為本發(fā)明實施例二轉移得到的連續(xù)石墨烯的光學顯微鏡圖像。

圖13顯示為本發(fā)明實施例二轉移得到的連續(xù)石墨烯的拉曼面掃描圖。

圖14顯示為本發(fā)明實施例三轉移得到的單晶石墨烯的光學顯微鏡圖像。

圖15顯示為本發(fā)明實施例四轉移得到的石墨烯的光學顯微鏡圖像。

圖16顯示為本發(fā)明實施例五轉移得到的雙層連續(xù)石墨烯的光學顯微鏡圖像。

圖17顯示為本發(fā)明實施例五轉移得到的雙層連續(xù)石墨烯的拉曼圖。

元件標號說明

S1～S6 步驟

1 緩沖層

2 石墨烯

3 第一襯底

4 熱釋放膠帶

5 腐蝕液

6 目標襯底

7 溶解液

具體實施方式

以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。需說明的是，在不沖突的情況下，以下實施例及實施例中的特征可以相互組合。

需要說明的是，以下實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復雜。

為了避免傳統(tǒng)濕法轉移石墨烯造成石墨烯結構破損、界面污染、表面褶皺等問題，請參閱圖1，本發(fā)明提供一種轉移石墨烯的方法，包括以下步驟：

S1提供位于第一襯底上的石墨烯；

S2在所述石墨烯上覆蓋緩沖層；

S3在所述緩沖層上粘附熱釋放膠帶，形成自上而下依次為熱釋放膠帶、緩沖層、石墨烯、和第一襯底的結構；

S4利用腐蝕液浸泡去除所述石墨烯下方的所述第一襯底，得到自上而下依次為熱釋放膠 帶、緩沖層和石墨烯的結構；

S5將去除了所述第一襯底的所述石墨烯覆蓋到目標襯底上，得到自上而下依次為熱釋放膠帶、緩沖層、石墨烯和目標襯底的結構；

S6加熱使所述熱釋放膠帶失去粘性，然后揭去所述熱釋放膠帶，得到自上而下依次為緩沖層、石墨烯和目標襯底的結構；

S7利用溶解液浸泡去除所述石墨烯上方的緩沖層，得到位于所述目標襯底上的石墨烯，完成所述石墨烯的轉移。

具體地，在步驟S1中，所述第一襯底可以是石墨烯的原生襯底，例如，所述石墨烯可以是通過化學氣相沉積法生長在所述第一襯底上，或通過其他制備石墨烯的方法形成于所述第一襯底上。然而本發(fā)明對第一襯底是否為石墨烯的原生襯底沒有限制，所述第一襯底也可以是其他適合承載石墨烯的非原生襯底。通常石墨烯的原生襯底為金屬襯底，本發(fā)明中，所述第一襯底的材料可以為Cu、Ni、Pt、Mo、Pd、Ge、Fe、Co等金屬中的一種，或為Cu、Ni、Pt、Mo、Pd、Ge、Fe、Co等金屬中的兩種或三種組成的合金，或者為其他適合承載石墨烯的材料。

在步驟S2中，所述緩沖層可以是通過機械旋涂方式覆蓋在所述石墨烯的上表面，旋涂轉速優(yōu)選為2000-4000轉每分。所述的機械旋涂方式可以為靜態(tài)涂層或動態(tài)涂層。所述緩沖層的材料優(yōu)選為甲基丙烯酸甲酯(Methyl methacrylate，MMA)、聚甲基戊二酰亞胺(Polymethylglutarimide，PMGI)、聚丁二烯(Polyhutadiene)中的一種或多種。形成的所述緩沖層的厚度優(yōu)選為50～800nm。此外，步驟S2中在所述石墨烯上覆蓋緩沖層之后，還可以包括加熱固化所述緩沖層的操作。加熱固化所述緩沖層時，溫度可以為30～150℃，加熱時間優(yōu)選為1～10分鐘。

在步驟S4中，所述腐蝕液優(yōu)選為三氯化鐵溶液、過硫酸銨溶液、或鹽酸與硫酸銅混合溶液或其他適合腐蝕所述第一襯底的液體；浸泡溫度可以為20～80℃，浸泡時間優(yōu)選為6～12小時。

所述的目標襯底，即轉移石墨烯的所至之處，根據(jù)轉移的實際需要，可以是單層結構、多層結構或其他需要的器件結構，所述目標襯底的材料可以為絕緣材料、半導體材料或柔性有機材料。例如，所述目標襯底的材料可以為石英、氧化鋁、氮化硅、硅、鍺、碳化硅、砷化鎵、氮化鋁、氧化鋅等絕緣或半導體材料中的一種或多種；或者為聚乙烯對苯二甲酸脂(PET)、聚酰亞胺(PI)、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)、聚醚酰亞胺(PEI)等柔性有機材料中的一種或多種。

在步驟S6中，加熱使所述熱釋放膠帶失去粘性的加熱溫度優(yōu)選為80～150℃，加熱時 間優(yōu)選為2～10分鐘。

在步驟S7中，所述溶解液可以為丙酮、乙醇、三氯乙烯、聚乙二醇辛基苯基醚，或其他適合溶解所述緩沖層的液體；浸泡溫度可以為10～80℃，浸泡時間優(yōu)選為10～300秒。此外，步驟S7中利用溶解液浸泡去除所述石墨烯上方的緩沖層之后，還可以包括對所述石墨烯進行退火處理，以去除所述石墨烯表面的污染物。所述退火處理的溫度優(yōu)選為100～350℃，所述退火處理的保護氣氛包括氬氣、氮氣中的至少一種，退火時間優(yōu)選為10～30分鐘。

本發(fā)明方法中所述的石墨烯可以為單晶石墨烯或石墨烯連續(xù)膜，所述石墨烯連續(xù)膜可以為單層或多層。

另外，利用上述轉移石墨烯的方法，本發(fā)明還提供一種獲得多層石墨烯的方法。該方法以被轉移后的石墨烯為目標襯底，利用上述轉移石墨烯的方法，得到多層石墨烯。

具體地，可以在轉移了一層石墨烯后，以轉移后的石墨烯為目標襯底利用本發(fā)明轉移石墨烯的方法，將另一層石墨烯轉移覆蓋至之前轉移得到的石墨烯的表面，從而得到雙層石墨烯。還可以繼續(xù)以該雙層石墨烯為目標襯底，再次利用本發(fā)明轉移石墨烯的方法，再將一層石墨烯轉移至雙層石墨烯上得到三層石墨烯。以此類推，以每次轉移后的石墨烯為目標襯底多次利用上述轉移石墨烯的方法進行石墨烯的轉移，即可得到所需層數(shù)的多層石墨烯?；蛘咴谵D移了一層石墨烯后，可以利用本發(fā)明轉移石墨烯的方法，將多層石墨烯轉移覆蓋至之前轉移得到的石墨烯的表面，從而得到多層石墨烯。

本發(fā)明的方法利用緩沖層輔助轉移石墨烯，所需要的步驟少、程序快速便捷，轉移后可得到上下表面褶皺密度較低且界面干凈的石墨烯。

下面通過具體的實施例來詳細說明本發(fā)明的技術方案。

實施例一

本實施例中，利用緩沖層將化學氣相沉積(CVD)法生長的單晶石墨烯轉移到目標襯底上。

首先請參閱圖2～圖3，執(zhí)行步驟S1和S2，在第一襯底3上的石墨烯2表面均勻覆蓋緩沖層1。

具體地，先在第一襯底3上制備石墨烯2。作為示例，所述第一襯底3選用厚度為25μm的銅箔。在其它實施例中，所述第一襯底3也可選用其它催化襯底，如Cu、Ni、Pt、Mo、Pd、Ge、Fe、Co或由其兩種或三種組成的合金襯底等。

化學氣相沉積法生長石墨烯的生長過程中生長溫度是1000℃～1050℃，腔室內的壓強是20Pa～102kPa，還原氣體是氫氣，惰性氣體是氬氣，且氫氣的流量是5sccm～200sccm，氬氣的流量是300sccm～2000sccm，氣態(tài)碳源的流量是5sccm～100sccm；生長時間是15min～45min。當然，生長條件可以根據(jù)實際情況進行調整，本發(fā)明對此不作限制。

接著即可進行利用緩沖層輔助轉移單晶石墨烯薄膜。如圖2所示，在選定單晶石墨烯范圍后，用緩沖層1將石墨烯2覆蓋住，形成自上而下依次為緩沖層1、石墨烯2和第一襯底3的結構。作為示例，將緩沖層1覆蓋石墨烯2的過程如下：

具體地，用氮氣將第一襯底3上生長的石墨烯2的表面吹干凈，在單晶石墨烯上以靜態(tài)涂層方式，覆蓋一層PMGI作為緩沖層1，厚度是300nm。在其它實施例中，緩沖層1也可選用其它，如MMA、Polyhutadiene等。旋涂結束后，加熱固化緩沖層的溫度是50℃，并保持該溫度10min。需要指出的是，在其它實施例中，在單晶石墨烯的表面旋涂緩沖層的工藝條件可以根據(jù)需要進行調整，本發(fā)明對此不作限制。

然后請參閱圖3，執(zhí)行步驟S3，如圖3所示，將熱釋放膠帶4粘附在表面有緩沖層1的一面，形成自上而下依次為熱釋放膠帶4、緩沖層1、石墨烯2、和第一襯底3的結構。

參閱如圖4所示，執(zhí)行步驟S4，將自上而下依次為熱釋放膠帶4、緩沖層1、石墨烯2、和第一襯底3的結構浸入過硫酸銨腐蝕液5中，浸泡溫度是30℃，浸泡時間是12hrs。在其它實施例中，所述的腐蝕液還可以是三氯化鐵、鹽酸與硫酸銅混合溶液等，溫度范圍是20～80℃，浸泡時間為6～12hrs。腐蝕去除第一襯底3后得到自上而下依次為熱釋放膠帶4、緩沖層1和石墨烯2的結構，經(jīng)過DI水(≥3)多次清洗后，用氮氣吹干石墨烯2的下表面，得到干凈的熱釋放膠帶-緩沖層-石墨烯結構。

參閱如圖5所示，執(zhí)行步驟S5，將熱釋放膠帶-緩沖層-石墨烯結構覆蓋到目標襯底6上，形成自上而下依次為熱釋放膠帶4、緩沖層1、石墨烯2和目標襯底6的結構。具體地，所述目標襯底6包括石英、氧化鋁、氮化硅、硅、鍺等絕緣襯底和半導體襯底，以及PET、PI、EVA、PEN、PEI等有機材質柔性襯底。

參閱如圖6所示，執(zhí)行步驟S6，加熱使所述熱釋放膠帶4失去粘性，然后揭去所述熱釋放膠帶4，得到自上而下依次為緩沖層1、石墨烯2和目標襯底6的結構。具體地，加熱使所述熱釋放膠帶4失去粘性的溫度范圍是80～200℃，加熱時間為2～30min。

需要指出的是，所述的熱釋放膠帶4其熱釋放溫度包括100℃、120℃、150℃等。本實施例中，選用的熱釋放膠帶規(guī)格是120℃，加熱熱釋放膠帶-緩沖層-石墨烯-目標襯底結構至120℃并維持15min，使得熱釋放膠帶自動脫落，不會產(chǎn)生殘留。

最后參閱圖7，執(zhí)行步驟S7，在溶解液中溶解緩沖層1，得到位于所述目標襯底6上的 石墨2。作為示例，溶解緩沖層1的過程如下：

具體地，用氮氣將緩沖層-石墨烯-目標襯底表面吹干凈后，選擇溶解液聚乙二醇辛基苯基醚，浸泡溫度是10℃，浸泡時間為10s。得到石墨烯-目標襯底，浸入異丙醇溶液5s，用氮氣吹干表面，得到干凈的石墨烯。在其它實施例中，所述溶解液也可選用其它，如丙酮、乙醇、三氯乙烯等。

至此，制備得到了位于目標襯底6上的石墨烯2。

為了獲得質量更好的石墨烯，可以進一步對所述石墨烯進行退火處理，以去除所述石墨烯表面的污染物。所述退火處理的溫度范圍是100～300℃，保護氣氛包括氬氣或氮氣中的至少一種，退火時間為10～30min。退火時，腔室內壓強為20Pa～102kPa，且所述保護氣體的流量是20～50sccm。本實施例中，所述退火溫度優(yōu)選為300℃，退火過程中將腔體維持在常壓，通入氬氣流量是50sccm，退火時間是30min。

請參閱圖8～圖11，顯示為本實施例中通過利用緩沖層輔助轉移得到的石墨烯的測試結果，其中，圖8顯示為所述單晶石墨烯的光學顯微鏡圖像，圖9顯示為所述單晶石墨烯的拉曼(Raman)圖。圖10顯示為所述石墨烯的AFM(原子力顯微鏡)高度相圖。圖11顯示為所述石墨烯的AFM相圖。拉曼測試特征峰表明本實施例利用緩沖層輔助轉移得到的石墨烯有良好的結構。AFM高度相說明本實施例中石墨烯的平整度很好，皺褶極少，AFM相圖說明石墨烯中雜質很少，有利于后期器件制備與性能測試。

本實施例中，通過利用緩沖層，對化學氣相沉積法生長的單晶石墨烯輔助轉移，轉移過程中避免了對金屬生長襯底的化學腐蝕，從而保證了單晶石墨烯具有干凈的上下表面，更保證了在微觀尺寸的平整度。

實施例二

本實施例與實施例一采用基本相同的技術方案，不同之處在于，實施例一中是利用緩沖層將CVD法生長的不連續(xù)石墨烯單晶轉移到目標襯底上。而本實施例中，是利用緩沖層將CVD法生長的連續(xù)石墨烯輔助轉移到目標襯底上，得到石墨烯連續(xù)薄膜。

圖12顯示為本實施例中通過利用緩沖層將化學氣相沉積法生長的連續(xù)石墨烯的光學顯微鏡圖像。圖13顯示為本實施例中通過利用緩沖層將化學氣相沉積法生長的連續(xù)石墨烯的拉曼面掃描圖像。

實施例三

本實施例與實施例一的區(qū)別在于：將實施例一中緩沖層改為甲基丙烯酸甲酯(MMA)，加 熱溫度提升至70℃，加熱時間延長為15min。其余工藝參數(shù)與實施例一相同。

相比于實施例一，隨著緩沖層的耐熱性提升，固化緩沖層過程中也要隨之提高加熱溫度。適當提高緩沖層的固化溫度不會對石墨烯性能產(chǎn)生太大影響。圖14顯示為本實施例緩沖層改為甲基丙烯酸甲酯(MMA)輔助轉移得到的單晶石墨烯的光學顯微鏡圖像。

實施例四

本實施例與實施例一的區(qū)別在于：將實施例一中熱釋放膠帶規(guī)格改為150℃，加熱溫度提升至150℃，加熱時間縮短為3min。其余工藝參數(shù)與實施例一相同。

相比于實施例一，隨著熱釋放膠帶的粘度增加，干法轉移過程中也要隨之提高加熱溫度。適當提高熱釋放膠帶的加熱溫度不會對石墨烯性能產(chǎn)生太大影響。圖15顯示為本實施例規(guī)格為150℃的熱釋放膠帶緩沖層輔助轉移得到的石墨烯的光學顯微鏡圖像。

實施例五

本實施例與實施例一～實施例四任意一項的區(qū)別在于：得到轉移的石墨烯之后，繼續(xù)在所述轉移的石墨烯表面利用緩沖層輔助轉移石墨烯，即采用多次轉移，得到多層石墨烯結構。每次轉移的石墨烯可以為單層或多層。

圖16顯示為本實施例中通過利用緩沖層將化學氣相沉積法生長的連續(xù)石墨烯的連續(xù)轉移得到雙層石墨烯的光學顯微鏡圖像。圖17顯示為本實施例中通過利用緩沖層將化學氣相沉積法生長的連續(xù)石墨烯的連續(xù)轉移得到雙層石墨烯的拉曼圖像。

綜上所述，本發(fā)明的轉移石墨烯的方法利用緩沖層輔助轉移的石墨烯，得到上下表面干燥且干凈的石墨烯，轉移方法條件簡單、成本低、重復性好、且對環(huán)境友好，這種利用緩沖層的干法轉移成功避免了濕法轉移過程中因對金屬生長襯底腐蝕所引入的金屬離子和化學基團，避免缺陷的引入，確保了石墨烯的宏觀結構完整、微觀尺寸的平整，更確保了石墨烯的有效使用面積。同時也避免了在去除PMMA膠等過程中對石墨烯表面形貌的破損更避免了殘膠的去除不干凈的可能性。本發(fā)明通過緩沖層干法轉移從金屬生長襯底上轉移剝離的石墨烯所需要的步驟少、程序快速便捷，石墨烯的上下表面干凈且無吸附物，降低微觀尺寸的褶皺，提高石墨烯的有效使用面積，為后期制備石墨烯的電子器件奠定了良好的基礎。。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。

上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉 凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發(fā)明的權利要求所涵蓋。