專利名稱：用于轉(zhuǎn)移石墨烯的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于將石墨烯轉(zhuǎn)移到基底的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
石墨烯指的是呈蜂巢晶格的二維(2D)平面材料，其中，碳連接成六邊形的形狀，石墨烯非常薄且透明，并具有高的導(dǎo)電率。石墨烯由于這些特性被越來越多地應(yīng)用在透明顯示器或可彎曲顯示器中。近來，進(jìn)行了各種嘗試以合成大尺寸的石墨烯。通常通過使用催化劑金屬通過使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法來合成石墨烯。為了將通過使用CVD方法在催化劑金屬的表面上合成的石墨烯轉(zhuǎn)移到基底膜，將熱分離帶附著到石墨烯上，通過蝕刻去除催化劑金屬，然后將附著到熱分離帶的石墨烯轉(zhuǎn)移到基底膜。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題當(dāng)蝕刻催化劑金屬時，轉(zhuǎn)移石墨烯的方法可能對石墨烯造成損壞。另外，當(dāng)將附著到熱分離帶的石墨烯粘合到基底膜且將熱分離帶分離時，石墨烯會因熱而被損壞。另外，當(dāng)將石墨烯附著到熱分離帶或從熱分離帶分離時，石墨烯可能發(fā)生諸如起皺的機(jī)械損壞或者其它損壞。解決方案本發(fā)明的一個或更多實施例提供一種轉(zhuǎn)移石墨烯的方法，其中，形成在催化劑金屬上的石墨烯被直接轉(zhuǎn)移到基底膜上，從而簡化石墨烯轉(zhuǎn)移操作并且增加石墨烯轉(zhuǎn)移操作的速度，并且防止石墨烯轉(zhuǎn)移操作期間對石墨烯的損壞。本發(fā)明還提供了一種能夠?qū)崿F(xiàn)上述石墨烯轉(zhuǎn)移方法的制造石墨烯的設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種轉(zhuǎn)移石墨烯的方法，所述方法包括:石墨烯合成操作，包括在催化劑金屬膜的至少一個表面上形成至少一層石墨烯；基底膜附著操作，包括使基底膜的粘性第一表面接觸石墨烯并通過使用第一輥將催化劑金屬膜和基底膜壓緊；基底膜分離操作，包括將基底膜與催化劑金屬膜分離，從而所述至少一層石墨烯和基底膜一起與催化劑金屬膜分離。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備，所述石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備包括:催化劑金屬膜，至少一層石墨烯形成在催化劑金屬膜的至少一個表面上，其中，催化劑金屬膜沿預(yù)定的方向傳送；第一解繞卷軸，設(shè)置為使具有粘性第一表面的基底膜繞第一解繞卷軸卷繞；第一輥，朝著催化劑金屬膜按壓基底膜，從而將從第一解繞卷軸解繞的基底膜的粘性第一表面附著到所述至少一層石墨烯；第一卷繞卷軸，將基底膜與已經(jīng)經(jīng)過第一輥的催化劑金屬膜分離并卷繞分離后的基底膜。本發(fā)明的有利效果按照根據(jù)本發(fā)明實施例的轉(zhuǎn)移石墨烯的方法，形成在催化劑金屬上的石墨烯被直接轉(zhuǎn)移到基底膜。因此，石墨烯轉(zhuǎn)移方法可以簡化且其速度可以增加，并且可以有效地降低石墨烯轉(zhuǎn)移操作期間發(fā)生的石墨烯的損壞。另外，可以通過使用用于根據(jù)本發(fā)明另一實施例的制造石墨烯的設(shè)備有效地執(zhí)行轉(zhuǎn)移石墨烯的方法。


通過參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它特征以及優(yōu)點將變得更加明顯，在附圖中:圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備的示意圖；圖2到圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的在圖1中示出的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備中將石墨烯從催化劑金屬膜轉(zhuǎn)移到基底膜的操作的剖視圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備的示意圖；圖6到圖8是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的通過使用圖5的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備將石墨烯從催化劑金屬膜轉(zhuǎn)移到基底膜的某些操作的剖視圖。
具體實施例方式以下，將參照附圖來描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備I的示意圖。圖2到圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的在圖1中示出的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備中將石墨烯從催化劑金屬膜轉(zhuǎn)移到基底膜的操作的剖視圖。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實施例的轉(zhuǎn)移石墨烯的方法包括石墨烯合成操作、基底膜附著操作和基底膜分離操作。在石墨烯合成操作中，通過使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法在催化劑金屬膜10的兩個表面11和12上形成石墨烯20。用于形成石墨烯20的催化劑金屬可以包括這樣的材料，所述材料包括選自于由鎳(Ni)、鈷(Co)、鐵(Fe)、鉬(Pt)、金(Au)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)、鎂(Mg)、錳(Mn)、銠(Rh)、硅(Si)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)、鈾(U)、釩(V)和鋯(Zr)組成的組中的至少一些。然而，催化劑金屬不限于此，并且可以包括除了上述元素之外的其它元素。通過將催化劑金屬膜10與烴和氫等一起放置到合成室中并在高溫下對其加熱，在催化劑金屬膜10的兩個表面11和12上形成石墨烯20。根據(jù)催化劑金屬的類型或合成室內(nèi)部的條件，石墨烯20可以形成為單層或者也形成為多層。將其上形成有石墨烯20的催化劑金屬膜10放入在圖1中示出的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備I中。參照圖1，石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備I包括第一解繞卷軸110、第二解繞卷軸120、第一輥310、第二棍320、第三棍330、第四棍340、第一卷繞卷軸210和第二卷繞卷軸220。具有粘性第一表面31的基底膜30繞第一解繞卷軸110和第二解繞卷軸120卷繞；第一解繞卷軸110和第二解繞卷軸120使基底膜30解繞到催化劑金屬膜10的兩個表面11和12中的每個上。通過繞第一解繞卷軸110和第二解繞卷軸120卷繞而設(shè)置的基底膜30可以包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)，并且可以經(jīng)等離子體處理或用粘性材料涂覆，從而第一表面31是粘性的。另外，基底膜30可以由內(nèi)部粘性材料來形成。這里，僅基底膜30的第一表面31被描述為具有粘性性質(zhì)，但是本發(fā)明的實施例不限于此；基底膜30還可以被設(shè)計成使得第一表面31和第二表面32具有粘性性質(zhì)。參照圖1，基底膜30在覆蓋膜35提前附著在粘性第一表面31上的同時通過繞第一解繞卷軸110和第二解繞卷軸120卷繞而設(shè)置。覆蓋膜35不是粘性的，并且因此可以防止基底膜30粘貼且防止外部異物滲透到基底膜30中。在將基底膜30放入第一輥310和第二輥320之間之前，使用覆蓋膜收集輥410和420將覆蓋膜35從基底膜30去除，如圖1中所示。第一輥310和第二輥320相對于催化劑金屬膜10的轉(zhuǎn)移路徑對稱地設(shè)置且彼此分開預(yù)定距離。第一輥310和第二輥320按壓從第一解繞卷軸110和第二解繞卷軸120朝著催化劑金屬膜10的表面11和12中的每個解繞的金屬膜30，用以使基底膜30的粘性第一表面31粘合到形成在表面11和12上的石墨烯20。S卩，第一輥310使從第一解繞卷軸110解繞的基底膜30粘合到形成在催化劑金屬膜10的表面11上的石墨烯20，第二輥320使從第二解繞卷軸120解繞的基底膜30粘合到形成在催化劑金屬膜10中的表面12上的石墨烯20，表面12與從第一解繞卷軸 110解繞的基底膜30粘合到的第一表面11相反。第一輥310和第二輥320可以在對基底膜30加熱的同時按壓基底膜30，以進(jìn)一步有效地將石墨烯20附著到基底膜30。同時，除了將催化劑金屬膜10和基底膜30彼此壓緊之外，第一輥310和第二輥320可以沿預(yù)定方向Dl傳送催化劑金屬膜10。第三輥330和第四輥340向著催化劑金屬膜10按壓位于第一輥310和第二輥320之間以及第一卷繞卷軸210和第二卷繞卷軸220之間的基底膜30。S卩，第三輥330和第四輥340設(shè)置為使得已經(jīng)已經(jīng)經(jīng)過第一輥310和第二輥320之間按壓的催化劑金屬膜10和基底膜30設(shè)置在第三輥310和第四輥320之間，從而再一次按壓已經(jīng)經(jīng)過第一輥310和第二輥320之間的催化劑金屬膜10和基底膜30，以壓緊催化劑金屬膜10和基底膜30。因此，形成在催化劑金屬膜10上的石墨烯20和基底膜30之間的粘合力可以進(jìn)一步增加。第三輥330和第四輥340還可以在對基底30加熱的同時按壓基底30。第一卷繞卷軸210和第二卷繞卷軸220使已經(jīng)在第一棍到第四棍310、321、330和340之間經(jīng)過的基底膜30分離并對其進(jìn)行卷繞。在下文中，將描述通過使用上面描述的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備I來執(zhí)行的根據(jù)本發(fā)明實施例的基底膜附著操作和基底膜分離操作。在基底膜附著操作中，將基底膜30設(shè)置在形成石墨烯20的催化劑金屬膜10的第一表面11和第二表面12上，并且將催化劑金屬膜10和基底膜30放在第一輥310和第二輥320之間，用以使用第一輥到第四輥310、320、330和340來壓緊催化劑金屬膜10的石墨烯和基底膜30。這里，將基底膜30設(shè)置成使得粘性第一表面31接觸石墨烯20。首先通過經(jīng)過第一輥310和第二輥320之間彼此壓緊的催化劑金屬膜10和基底膜30通過經(jīng)過第三輥330和第四輥340之間而被進(jìn)一步剛性地壓緊。S卩，如圖3中所示，在圖2中示出的分開的催化劑金屬膜10和基底膜30在使石墨烯20設(shè)置在它們之間的同時通過這個操作彼此粘合。接下來，執(zhí)行基底膜分離操作。在基底膜分離操作中，通過經(jīng)過第一輥到第四輥310、320、330和340之間而彼此粘合的催化劑金屬膜10和基底膜30再次分離，分離后的基底膜30繞第一卷繞卷軸210和第二卷繞卷軸220卷繞。基底膜30和石墨烯20之間的粘合力大于催化劑金屬膜10和石墨烯20之間的粘合力，因此通過將基底膜30與催化劑金屬膜10分離，石墨烯20和基底膜30 —起與催化劑金屬膜10分離，如圖4中所示。即，形成在催化劑金屬膜10上的石墨烯20被轉(zhuǎn)移到基底膜30。同時，由于與基底膜30的第一粘性表面31相對的第二表面32不是粘性的，因此即使當(dāng)基底膜30繞第一卷繞卷軸210和第二卷繞卷軸220卷繞時，基底膜30的部分不會彼此粘附，因此，石墨烯20可以穩(wěn)固地粘合到基底膜20。通過上面描述的操作，轉(zhuǎn)移有石墨烯20的基底膜30可以通過經(jīng)過諸如圖案化工藝的操作而用在各種電子產(chǎn)品的基底的制造中。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實施例的石墨烯轉(zhuǎn)移方法，不需要蝕刻，并且石墨烯20可以直接從催化劑金屬膜10轉(zhuǎn)移到基底膜30，而不使用熱分離帶。因此，可以進(jìn)一步簡化轉(zhuǎn)移石墨烯20的操作且可以增加操作速度。另外，在蝕刻操作期間或者當(dāng)將石墨烯20附著到熱分離帶或從熱分離帶分離時，可以防止對石墨烯20的損壞。結(jié)果，在轉(zhuǎn)移石墨烯20的操作中，可以有效地防止對石墨稀20的損壞。另外，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實施例的轉(zhuǎn)移石墨烯的方法，石墨烯20形成在催化劑金屬膜10的兩個表面11和12上，然后催化劑金屬膜10和石墨烯20同時被轉(zhuǎn)移到兩個基底膜30。因此，石墨烯轉(zhuǎn)移操作的速度快。接下來，將描述根據(jù)本發(fā)明另一實施例的轉(zhuǎn)移石墨烯的方法。這里，使用根據(jù)本發(fā)明另一實施例的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備2的示意圖。圖6到圖8是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的通過使用圖5的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備將石墨烯從催化劑金屬膜轉(zhuǎn)移到基底膜的某些操作的剖視圖。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實施例的轉(zhuǎn)移石墨烯的方法也包括石墨烯合成操作、基底膜附著操作和基底膜分離操作。如已經(jīng)參照本發(fā)明的前面的實施例所描述的，在石墨烯合成操作中，通過使用CVD方法在催化劑金屬膜10的兩個表面11和12上形成石墨烯20。根據(jù)當(dāng)前的實施例，為了在催化劑金屬膜10的表面11和12上形成多層石墨烯20,優(yōu)選地使用包括選自于由鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鉬(Pt)、銥(Ir)和銣(Rb)組成的組中的至少一種材料的催化劑金屬膜
10。這是由于使用包括這些材料中的至少一種的催化劑金屬膜10并使用CVD方法而合成的石墨烯通常具有多層結(jié)構(gòu)。通過石墨烯合成操作在第一表面11和第二表面12上形成多層石墨烯20的催化劑金屬膜10被放入到圖2中所示出的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備2中。參照圖5，除了與圖1中的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備I相同的元件之外，石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備2還包括第三解繞卷軸130、第四解繞卷軸140、第五輥到第八輥350、360、370和380、第三卷繞卷軸230以及第四卷繞卷軸240。通過將從第一解繞卷軸110和第二解繞卷軸120解繞的基底膜30和其上形成有多層石墨烯20的催化劑金屬膜10放置在第一輥310和第二輥320之間來執(zhí)行基底膜附著操作。雖然在圖5中未示出，但是如圖1中所示的覆蓋膜可以附著到繞第一解繞卷軸110和第二解繞卷軸120卷繞的基底膜30的第一粘性表面31 ;在這種情況下，在將基底膜30放到第一棍310和第二棍320之間之前去除覆蓋膜。如圖6中所示，彼此分開的基底膜30和催化劑金屬膜10通過使基底膜30和催化劑金屬膜10經(jīng)過第一輥到第四輥310、320、330和340之間而彼此壓緊。當(dāng)基底膜附著操作完成時，基底膜30繞第一卷繞卷軸210和第二卷繞卷軸220卷繞，用以執(zhí)行基底膜分離操作，其中，基底膜30與催化劑金屬膜10分離。由于多層石墨烯20的層間結(jié)合力弱，因此當(dāng)基底膜30與催化劑金屬膜10分離時，僅附著到基底膜30的第一粘性表面31的石墨烯20a與催化劑金屬膜10分離，如圖8中所示。即，接觸基底膜30的表面31和32的石墨烯20b保留在催化劑金屬膜10上。通過將在兩個表面31和32上留有石墨烯20b的催化劑金屬膜10與從第三卷繞卷軸130和第四卷繞卷軸140解繞的基底膜30 —起放置在第五棍350和第六棍360之間來再次執(zhí)行基底膜附著操作。雖然在5中未示出，但是覆蓋膜還可以附著到繞第三卷繞卷軸130和第四卷繞卷軸140卷繞的基底膜30的粘性第一表面31 ;并且在這種情況下，在將基底膜30放到第五輥350和第六輥360之間之前，去除覆蓋膜。第五輥到第八輥350、360、370和380將從第三卷繞卷軸130和第四卷繞卷軸140卷繞的基底膜30對著與從第一解繞卷軸110和第二解繞卷軸120解繞的基底膜30分離的催化劑金屬膜10進(jìn)行壓緊。因此，隨著設(shè)置在第五輥350和第六滾360之間的催化劑金屬膜10和基底膜30經(jīng)過第五輥到第八輥350、360、370和380之間，催化劑金屬膜10和基底膜30彼此壓緊，從而處于如圖3中所示的條件下。接下來，再次執(zhí)行基底膜分離操作，其中，基底膜30通過繞第三卷繞卷軸230和第四卷繞卷軸240卷繞而與催化劑金屬膜10分離。在這種情況下，基底膜30與催化劑金屬膜10分離，以去除保留在催化劑金屬膜10上的石墨烯20b，如圖4中所示。根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實施例的石墨烯轉(zhuǎn)移方法，形成在催化劑金屬膜10上的多層石墨烯20可以順序地與催化劑金屬膜10分離并被轉(zhuǎn)移到基底膜20。因此，僅合成石墨烯一次，石墨稀20就可以向基底I旲30轉(zhuǎn)移多次，因此可以有效地提聞轉(zhuǎn)移石墨稀20的速度。雖然在上面描述了根據(jù)本發(fā)明實施例的石墨烯轉(zhuǎn)移方法和石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備I和2，但是本發(fā)明的實施例不限于此，并且可以在不脫離本發(fā)明的技術(shù)的精神和范圍的情況下以各種方式實施。例如，雖然在上述實施例中以卷對卷方法轉(zhuǎn)移石墨烯，但是還可以通過下述操作轉(zhuǎn)移石墨烯:首先在平板型催化劑金屬上形成石墨烯并將平板型基底膜附著到石墨烯上然后將基底膜與石墨烯分離。另外，雖然石墨烯20與催化劑金屬膜10逐層地分開，但是包括多個層的石墨烯20還可以根據(jù)基底膜30的粘合力的強(qiáng)度而轉(zhuǎn)移到基底膜30。此外，在上述實施例中，雖然石墨烯20形成在催化劑金屬膜10的第一表面11和第二表面12上，但是石墨烯可以取代地僅形成在催化劑金屬膜10的單個表面上。在這種情況下，可以從石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備I和2中省去第二解繞卷軸120、第二卷繞卷軸220、第四解繞卷軸140和第四卷繞卷軸240。另外，雖然通過傳送帶沿預(yù)定方向傳送，但是可以僅通過使用第一輥310、第三輥330、第五輥350和第七輥370壓緊催化劑金屬膜10。按照根據(jù)本發(fā)明實施例的轉(zhuǎn)移石墨烯的方法，形成在催化劑金屬上的石墨烯被直接轉(zhuǎn)移到基底膜。因此，可以簡化石墨烯轉(zhuǎn)移方法且可以提高其速度，并且可以有效地減小石墨烯轉(zhuǎn)移操作期間造成的對石墨烯的損壞。另外，可以通過使用根據(jù)本發(fā)明另一實施例的制造石墨烯的設(shè)備有效地執(zhí)行轉(zhuǎn)移石墨烯的方法。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例具體地示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離由權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。工業(yè)應(yīng)用性本發(fā)明涉及一種用于將石墨烯轉(zhuǎn)移到基底的方法和設(shè)備。
權(quán)利要求
1.石墨烯合成操作，包括在催化劑金屬膜的至少一個表面上形成至少一層石墨烯；基底膜附著操作，包括使基底膜的粘性第一表面接觸石墨烯并通過使用第一輥將催化劑金屬膜和基底膜壓緊；基底膜分離操作，包括將基底膜與催化劑金屬膜分離，使得所述至少一層石墨烯和基底膜一起與催化劑金屬膜分離。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，催化劑金屬膜由包括從由下述元素組成的組中選擇的至少一種的材料形成:鐵、鎳、鈷、鉬、銥、金、鋁、鉻、銅、鎂、錳、硅、鈦和銣。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在石墨烯合成操作中，在催化劑金屬膜的所述至少一個表面上形成多層的石墨烯。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，催化劑金屬膜由包括從由下述元素組成的組中選擇的至少一種的材料形成:鐵、鎳、鈷、鉬、銥和銣。
5.如權(quán)利 要求3所述的方法，其中，重復(fù)基底膜附著操作和基底膜分離操作，以將多個石墨烯層與催化劑金屬膜順序地分離。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，石墨烯合成操作包括在催化劑金屬膜的兩個表面中的每個上形成所述至少一層石墨烯， 基底膜附著操作包括將基底膜附著到形成在催化劑金屬膜的兩個表面中的每個上的石墨烯， 基底膜分離操作包括將每個基底膜與催化劑金屬膜分離。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，基底膜附著操作包括:將催化劑金屬膜和設(shè)置在催化劑金屬膜的所述兩個表面上的基底膜放在第一輥和與第一輥分開的第二輥之間，以將催化劑金屬膜和基底膜壓緊。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，基底膜附著操作還包括通過使用第三輥將使用第一輥壓緊的催化劑金屬膜和基底膜壓緊。
9.一種石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備，包括: 催化劑金屬膜，至少一層石墨烯形成在催化劑金屬膜的至少一個表面上，其中，催化劑金屬膜沿預(yù)定的方向傳送； 第一解繞卷軸，設(shè)置為使具有粘性第一表面的基底膜繞第一解繞卷軸卷繞； 第一輥，朝著催化劑金屬膜按壓基底膜，從而將從第一解繞卷軸解繞的基底膜的粘性第一表面附著到所述至少一層石墨烯； 第一卷繞卷軸，將基底膜與已經(jīng)經(jīng)過第一輥的催化劑金屬膜分離并卷繞分離后的基底膜。
10.如權(quán)利要求9所述的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備，其中，所述至少一層石墨烯形成在催化劑金屬膜的兩個表面上，并且所述石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備還包括: 第二解繞卷軸，設(shè)置為使具有粘性第一表面的基底膜繞第二解繞卷軸卷繞； 第二輥，朝著催化劑金屬膜按壓基底膜，從而將從第二解繞卷軸解繞的基底膜的粘性第二表面附著到至少一層石墨烯； 第二卷繞卷軸，將基底膜與已經(jīng)經(jīng)過第二輥的催化劑金屬膜分離并卷繞分離后的基底膜。
11.如權(quán)利要求9所述的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備，所述石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備還包括第三輥，所述第三輥朝著催化劑金屬膜按壓位于第一輥和第一卷繞卷軸之間的基底膜。
12.如權(quán)利要求11所述的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備，所述石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備還包括第四輥，所述第四輥按壓基底膜和催化劑金屬膜，其中，基底膜和催化劑金屬膜設(shè)置在第三輥和第四輥之間。
13.如權(quán)利要求9所述的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備，其中，位于催化劑金屬膜上的石墨烯具有多個層。
14.如權(quán)利要求13所述的石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備，其中，所述石墨烯轉(zhuǎn)移設(shè)備還包括: 第三解繞卷軸，設(shè)置為使具有粘性第一表面的基底膜繞第三解繞卷軸卷繞； 第五輥，將從第三解繞卷軸解繞的第三基底膜對著與從第一解繞卷軸解繞的基底膜分離的催化劑金屬膜進(jìn)行壓緊； 第三卷繞卷軸，將第三基底膜與已經(jīng)經(jīng)過第五輥的催化劑金屬膜分離并卷繞第三基底 膜。
全文摘要
提供了用于轉(zhuǎn)移石墨烯的方法和設(shè)備。石墨烯轉(zhuǎn)移方法包括石墨烯合成操作，包括在催化劑金屬膜的至少一個表面上形成至少一層石墨烯；基底膜附著操作，包括使基底膜的粘性第一表面接觸所述至少一層石墨烯并通過使用第一輥將催化劑金屬膜和基底膜壓緊；基底膜分離操作，包括將基底膜與催化劑金屬膜分離，使得所述至少一層石墨烯和基底膜一起與催化劑金屬膜分離。
文檔編號B29C59/02GK103221335SQ201180055772
公開日2013年7月24日 申請日期2011年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月19日
發(fā)明者羅德和, 尹鐘赫, 宋榮日, 元棟觀 申請人:三星泰科威株式會社