1.一種用于晶體生長的加熱裝置，其特征在于，從中心向外依次包括：坩堝、發(fā)熱體、保溫材料和感應線圈，其中，
所述坩堝用于容納生長晶體的熔體且不具備發(fā)熱功能；
所述發(fā)熱體與所述坩堝相隔開，且接收所述感應線圈的信號來發(fā)熱而作為晶體生長的熱源。
2.根據(jù)權利要求1所述的用于晶體生長的加熱裝置，其特征在于，還包括位于所述坩堝和所述發(fā)熱體之間的填充介質。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的用于晶體生長的加熱裝置，其特征在于，所述坩堝的形狀和尺寸根據(jù)所生長的晶體的形狀和尺寸來確定。
4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的用于晶體生長的加熱裝置，其特征在于，所述坩堝的材質根據(jù)所生長的晶體的種類和生長氣氛來確定。
5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的用于晶體生長的加熱裝置，其特征在于，通過調整所述發(fā)熱體的形狀和尺寸來獲得晶體生長所需的溫度場。
6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的用于晶體生長的加熱裝置，其特征在于，所述發(fā)熱體的材質為能夠接收感應加熱的材料，并根據(jù)所生長的晶體的種類來確定。
7.根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的用于晶體生長的加熱裝置，其特征在于，通過調整所述保溫材料的形狀和尺寸來輔助構筑溫度場。
8.根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的用于晶體生長的加熱裝置，其特征在于，通過調整所述填充介質的形狀和尺寸來輔助構筑溫度場。
9.根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的用于晶體生長的加熱裝置，其特征在于，所述加熱裝置用于提拉法、布里奇曼法、泡生法、氣相輸運及其它采用感應加熱方式進行晶體生長的方法。
10.一種具備權利要求1至9中任一項所述用于晶體生長的加熱裝置的晶體生長爐。