本發(fā)明涉及一種直拉單晶生產中主加熱器的安裝方法，屬于硅單晶制備技術領域。

背景技術：

半導體單晶硅大部分采用直拉法進行制造，即切克勞斯基(Czochralski)法。該方法中，多晶硅由石墨制加熱器進行加熱，熔化后，對熔體進行一定的降溫，賦予過冷度，采用特定晶向的籽晶，伸入硅熔體。通過控制系統(tǒng)，調節(jié)熔體的溫度及籽晶上升的速度，將晶體的直徑放大到所需的目標直徑，再通過調節(jié)晶體生長速度及信號系統(tǒng)，實現(xiàn)晶體的恒徑生長。當晶體生長至所需的重量或長度時，提高晶體的生長速度和對熔體進行補溫，使得硅單晶體的直徑逐漸減小，形成一倒圓錐結構，最后以點狀脫離硅熔體液面，完成單晶生長。

直拉單晶生長熱場中，主加熱器與電極相連接，電極接通直流電源后，主加熱器產生熱量。硅單晶在生長過程中，多晶料的熔化需要吸熱，硅單晶等徑，收尾過程需要補溫，直拉硅單晶的生長中，大部分過程是吸熱過程。

如圖1、2所示，主加熱器與電極之間現(xiàn)有的連接方式是二者連接部位的接觸面為圓弧狀，并用石墨螺絲進行連接。該連接方式不易安裝和拆卸，并且在使用過程中容易產生打火的現(xiàn)象。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種直拉單晶生產中主加熱器的安裝方法，以提高直拉單晶生產中主加熱器的安裝效率和結構穩(wěn)定性。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取以下技術方案：

一種直拉單晶生產中主加熱器的安裝方法，使主加熱器與電極之間以直接嵌入的方式連接。

具體地，將主加熱器和電極的接觸面均加工成直壁狀，其中主加熱器的接觸面的一側上部加工出斜面結構，電極內表面中相應側面的上部也加工出斜面結構，二者組裝后，利用主加熱器自身重力，主加熱器的外表面與電極內表面嚴密貼合，加熱過程中與傳統(tǒng)加熱器相比不易打火。

本發(fā)明的優(yōu)點在于：

本發(fā)明的方法中主加熱器與電極連接、拆卸簡便高效，發(fā)熱器件結構更加穩(wěn)定， 不易打火。

附圖說明

圖1為傳統(tǒng)的主加熱器與電極連接部分的主視圖(圖1a)和剖面圖(圖1b)。

圖2為傳統(tǒng)的電極的主視圖(圖2a)和剖面圖(圖2b)。

圖3為本發(fā)明中的主加熱器與電極連接部分的主視圖(圖3a)和剖面圖(圖3b)。

圖4為本發(fā)明中的電極的主視圖(圖4a)和剖面圖(圖4b)。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明做進一步說明，但并不意味著對本發(fā)明保護范圍的限制。

如圖3、圖4所示，主加熱器和電極的接觸面均加工成直壁狀，主加熱器端面a1上部(圖3a中A處)和電極內表面b1上部(圖4a中B處)做成斜面結構，與水平面成α角，二者組裝后，利用主加熱器自身重力，主加熱器的外表面與電極內表面嚴密貼合。主加熱器安裝效率提高，拆卸便利，并且與傳統(tǒng)加熱器相比，使用效果好，不易打火。