技術(shù)編號(hào):12168857
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種直拉單晶生產(chǎn)中主加熱器的安裝方法,屬于硅單晶制備技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)半導(dǎo)體單晶硅大部分采用直拉法進(jìn)行制造,即切克勞斯基(Czochralski)法。該方法中,多晶硅由石墨制加熱器進(jìn)行加熱,熔化后,對(duì)熔體進(jìn)行一定的降溫,賦予過(guò)冷度,采用特定晶向的籽晶,伸入硅熔體。通過(guò)控制系統(tǒng),調(diào)節(jié)熔體的溫度及籽晶上升的速度,將晶體的直徑放大到所需的目標(biāo)直徑,再通過(guò)調(diào)節(jié)晶體生長(zhǎng)速度及信號(hào)系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)晶體的恒徑生長(zhǎng)。當(dāng)晶體生長(zhǎng)至所需的重量或長(zhǎng)度時(shí),提高晶體的生長(zhǎng)速度和對(duì)熔體進(jìn)行補(bǔ)溫,使得硅單晶體的直徑逐漸減...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。