專利名稱：晶片校角與研磨一體化的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶片的磨削加工方法和裝置，特別涉及一種晶片加工中校角與研磨一體化的方法和裝置。
晶體切片是制造晶體諧振器、濾波器、聲表面波器件的基本元件，但晶片的制做，從切片、校角到研磨，需經(jīng)過一系列的工藝過程。通常晶片的校角與研磨是分開的兩道工序，晶片切角誤差的校正常在單盤研磨機(jī)上用手工逐片進(jìn)行，然后再在雙軸研磨機(jī)、四軸研磨機(jī)或六軸研磨機(jī)上進(jìn)行研磨，由于手工操作，分兩道工序加工，致使晶片切角誤差校正精度不高，平面度差，加工薄的晶片且易碎。蘇聯(lián)專利SU779046公開了一種晶體切角修正裝置，對(duì)晶片的校角做了一定的改進(jìn)，使晶片的校角效率有一定提高，但是晶片的校角精度不高，研磨機(jī)在研磨晶片時(shí)，研磨盤常有磨損，需要經(jīng)常修盤，且只適用于方形晶片的加工，費(fèi)時(shí)、費(fèi)功、效率低。
本發(fā)明的目的是改革現(xiàn)有晶片的校角研磨方法和裝置，提供一種用于晶片校角與研磨加工的系列標(biāo)準(zhǔn)斜面基板，不易磨損，不需要經(jīng)常修正，晶片校角精度高、省時(shí)、省功、效率高的晶片校角與研磨一體化的方法和裝置。
本發(fā)明的方法是按如下方案實(shí)現(xiàn)的根據(jù)晶片切角誤差的大小采用相應(yīng)的傾斜度的系列標(biāo)準(zhǔn)斜面基板，用臘或其他沾貼劑將同樣切角誤差的晶片沾貼固定在相應(yīng)傾斜度的系列標(biāo)準(zhǔn)斜面基板上，將沾貼固定好晶片的標(biāo)準(zhǔn)斜面基板放在研磨機(jī)(雙軸研磨機(jī)、四軸研磨機(jī)或六軸研磨機(jī))的研磨盤上，把研磨機(jī)的鐵筆插在標(biāo)準(zhǔn)斜面基板的凹槽中，用以壓緊和撥動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)斜面基板，然后開機(jī)進(jìn)行研磨。由于標(biāo)準(zhǔn)斜面基板的傾斜度與需校角與研磨的晶片切角誤差大小相一致，先在研磨盤上加以粗研磨砂進(jìn)行研磨，使晶片磨成一個(gè)楔形，楔形的斜度等于標(biāo)準(zhǔn)斜面基板的傾斜度，繼而再用細(xì)研磨砂進(jìn)行研磨，使晶片的光潔度達(dá)到設(shè)計(jì)要求，這樣，晶片的校角與研磨一同完成。
晶片校角與研磨一體化的裝置是這樣制成的把平行度平面度都很好的瓷板或其他材料加工制成各種不同傾斜度的系列標(biāo)準(zhǔn)斜面基板，且在每塊標(biāo)準(zhǔn)斜面基板的背面制有供研磨機(jī)鐵筆壓緊和撥動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)斜面基板用的一個(gè)以上的凹槽。系列標(biāo)準(zhǔn)斜面基板的傾斜度在0～2°之間，可以在一塊標(biāo)準(zhǔn)斜面基板上只制有一個(gè)傾斜度的斜面或者分段制有不同的幾個(gè)傾斜度的斜面。系列標(biāo)準(zhǔn)斜面基板背面的凹槽可以是園形凹槽。根據(jù)晶片切角誤差的大小，將晶片沾貼固定在相應(yīng)傾斜度的標(biāo)準(zhǔn)斜面基板上，把固定好晶片的標(biāo)準(zhǔn)斜面基板放在普通研磨機(jī)(雙軸研磨機(jī)、四軸研磨機(jī)、六軸研磨機(jī))的研磨盤上，研磨機(jī)的鐵筆插在標(biāo)準(zhǔn)斜面基板的凹槽中，即構(gòu)成晶片校角與研磨一體化的裝置。
本發(fā)明改革了現(xiàn)有的晶片校角研磨方法和裝置，由于標(biāo)準(zhǔn)斜面基板表面的傾斜度與需校角與研磨的晶片切角誤差相一致，因之使校角與研磨一同完成，提高了晶片校角的精度和效率，省時(shí)、省功、解決了晶片大批量生產(chǎn)切角精度的同一性、穩(wěn)定性，并且系列標(biāo)準(zhǔn)斜面基板不易磨損，不需要經(jīng)常修正，不僅適用于方形晶片的加工，又特別適用于園形晶片的加工，進(jìn)一步提高了晶片加工效率，確保生產(chǎn)質(zhì)量，在大批量生產(chǎn)的情況下，其優(yōu)點(diǎn)是非常突出的。
下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明

圖1為本發(fā)明剖面結(jié)構(gòu)示意2為分段制有不同傾斜度的標(biāo)準(zhǔn)斜面基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖在圖1中，1為研磨機(jī)的鐵筆，2為標(biāo)準(zhǔn)斜面基板，3為標(biāo)準(zhǔn)斜面基板的凹槽，4為晶片，5為研磨機(jī)的研磨盤如圖1所示，把100個(gè)要加工的園形晶片4用白臘沾貼固定在標(biāo)準(zhǔn)斜面基板2上，將沾貼固定好晶片4的標(biāo)準(zhǔn)斜面基板2放在研磨機(jī)的研磨盤5上，并把研磨機(jī)的鐵筆1插在標(biāo)準(zhǔn)斜面基板2的凹槽3中，以壓緊和撥動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)斜面基板2，開機(jī)進(jìn)行研磨，只用半小時(shí)就可以使100個(gè)園形晶片校角與研磨一同完成，這比通常的晶片加工方法提高效率數(shù)倍。如果同時(shí)對(duì)不同角度誤差的晶片進(jìn)行校角和研磨，采用如圖2所示的分段制有不同傾斜度的標(biāo)準(zhǔn)斜面基板時(shí)，其工作效率更高。采用本發(fā)明已加工生產(chǎn)晶片5萬多片，供生產(chǎn)石英諧振器使用，比未采用本發(fā)明前晶片校角精度高，多創(chuàng)經(jīng)濟(jì)效益50多萬元，充分顯示出本發(fā)明的突出優(yōu)點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.一種晶片校角與研磨一體化的方法，其特征是根據(jù)晶片切角誤差的大小采用相應(yīng)的傾斜度的系列標(biāo)準(zhǔn)斜面基板固定晶片，使晶片的校角與研磨一同完成。
2.一種在普通研磨機(jī)上裝以基板組成的晶片校角與研磨一體化的裝置，其特征是基板是有各種不同傾斜度的系列標(biāo)準(zhǔn)斜面基板，且在每塊標(biāo)準(zhǔn)面基板的背面制有供研磨機(jī)鐵筆壓緊和撥動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)斜面基板用的一個(gè)以上的凹槽。
3.如權(quán)利要求2所述的晶片校角與研磨一體化的裝置，其特征是系列標(biāo)準(zhǔn)斜面基板的傾斜度在0～2°之間，可以在同一塊標(biāo)準(zhǔn)斜面基板上只制有一個(gè)傾斜度或者分段制有不同的幾個(gè)傾斜度的斜面。
4.如權(quán)利要求2所述的晶片校角與研磨一體化的裝置，其特征是所述的系列標(biāo)準(zhǔn)斜面基板是用瓷板或其他材料加工制成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種晶片的磨削加工方法和裝置，特別涉及一種晶片加工中校角與研磨一體化的方法和裝置，其特征是根據(jù)晶片切角誤差的大小采用相應(yīng)傾斜度的系列標(biāo)準(zhǔn)斜面基板固定晶片，使晶片的校角與研磨一同完成，提高了晶片校角的精度和效率，省時(shí)、省功、解決了晶片大批量生產(chǎn)切角精度的同一性、穩(wěn)定性，其優(yōu)點(diǎn)是非常突出的。
文檔編號(hào)B24B37/04GK1047998SQ90106569
公開日1990年12月26日 申請(qǐng)日期1990年8月3日 優(yōu)先權(quán)日1990年8月3日
發(fā)明者范正強(qiáng), 姚克, 孫瑞生, 劉秉權(quán) 申請(qǐng)人:航空航天工業(yè)部第二研究院二○三所