本實(shí)用新型涉及鍍膜領(lǐng)域，具體涉及一種鍍膜設(shè)備的多層多孔硅烷環(huán)。

背景技術(shù)：

進(jìn)行鍍膜一般是利用液體或氣體為媒介，利用氣體為媒介時(shí)，可將氣體電離成等離子體后，進(jìn)一步的沉積在待鍍物上。多晶硅太陽能電池利用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD) 技術(shù)，在硅片基板上連續(xù)鍍氮化硅減反射膜而廣泛應(yīng)用于大規(guī)模生產(chǎn)。如荷蘭OTB的鍍膜設(shè)備，該設(shè)備通過直流離子源產(chǎn)生等離子體，其特點(diǎn)是產(chǎn)生的等離子體束斑中心能量最高，離中心點(diǎn)越遠(yuǎn)的區(qū)域能量衰減越嚴(yán)重，等離子體束從噴口至腔體底部呈錐形分布。目前OTB鍍膜設(shè)備鍍膜沉積反應(yīng)發(fā)生在沉積腔內(nèi)，沉積腔內(nèi)有5個(gè)離子源，每個(gè)離子源下面都有一個(gè)硅烷環(huán)，用于SiH4氣體噴入。原廠硅烷環(huán)只有一層，有兩個(gè)出氣孔，開口為水平，朝離子源中心位置相對(duì)而出。離子源照射范圍為圓形光斑，等離子氣體(Ar/NH3)密度分布為正圓錐型，原廠設(shè)計(jì)硅烷環(huán)只有單層，且只有兩個(gè)開孔出氣；因此硅烷環(huán)噴出的氣體分布非常不均勻，不能充分利用離子源中心部分的全部能量，未反應(yīng)的Ar/NH3等離子體將對(duì)硅片表面造成損傷；導(dǎo)致等離子氣體的利用率有限，導(dǎo)致做出的膜的減反射效果和鈍化效果不能進(jìn)一步提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是硅烷環(huán)噴出的氣體分布非常不均勻，不能充分利用離子源中心部分的全部能量，目的在于提供一種鍍膜設(shè)備的多層多孔硅烷環(huán)，使用多層多孔硅烷環(huán)噴出的氣量將比使用常規(guī)單層雙孔硅烷環(huán)噴出的氣體分布更均勻。多層多孔硅烷環(huán)使硅烷在等離子體能量不變的情況下解離更充分，可以加大前三個(gè)硅烷環(huán)的硅烷流量，做出下層膜為高折射率薄膜，上層膜為低折射率薄膜的雙層減反射薄膜結(jié)構(gòu)，顯著提高了減反射效果和鈍化效果，最終使電池片轉(zhuǎn)換效率得到顯著提升。

本實(shí)用新型通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種鍍膜設(shè)備的多層多孔硅烷環(huán)，包括下層硅烷環(huán)、下層第一管道、下層第二管道、上層硅烷環(huán)、上層第一管道、上層第二管道、主管道和底座，所述主管道包括豎直主管道和水平主管道，所述水平主管道其一端與底座垂直連接，豎直主管道下端豎直連接在水平主管道另一端，所述下層第二管道中部與豎直主管道中部垂直貫通連接，下層第二管道兩端分別接有一根下層第一管道，每一根下層第一管道相對(duì)于與下層第二管道連接的另一端均接有下層硅烷環(huán)；所述上層第二管道中部與豎直主管道上端垂直連接，上層第二管道兩端分別接有一根上層第一管道，每一根上層第一管道相對(duì)于與上層第二管道連接的另一端均接有上層硅烷環(huán)；所述下層硅烷環(huán)、下層第一管道、下層第二管道處于第一水平面，所述上層硅烷環(huán)、上層第一管道、上層第二管道處于第二水平面，第一水平面處于第二水平面下方；同一側(cè)的所述下層第一管道與上層第一管道平行，所述下層第二管道與上層第二管道平行。離子源照射范圍為圓形光斑，等離子氣體(Ar/NH3)密度分布為正圓錐型；因此，使用雙層結(jié)構(gòu)，且每一層使用兩個(gè)硅烷環(huán)，使得硅烷環(huán)噴出的氣體分布更加均勻，提高了等離子氣體利用率。由于多層多孔硅烷環(huán)使硅烷在等離子體能量不變的情況下解離更充分，可以加大前三個(gè)硅烷環(huán)的硅烷流量，做出下層膜為高折射率薄膜，上層膜為低折射率薄膜的雙層減反射薄膜結(jié)構(gòu)，顯著提高了減反射效果和鈍化效果，最終使電池片轉(zhuǎn)換效率得到顯著提升。

進(jìn)一步地，上層硅烷環(huán)和下層硅烷環(huán)均由兩根支管構(gòu)成，且兩根支管之間形成的夾角為 30°；上層硅烷環(huán)與上層第一管道形成Y字型，下層硅烷環(huán)與下層第一管道形成Y字型。每個(gè)硅烷環(huán)有兩個(gè)氣孔，四個(gè)硅烷環(huán)一共8個(gè)氣孔，增大了流量。

進(jìn)一步地，兩側(cè)的下層硅烷環(huán)的兩根支管出口相對(duì)，兩側(cè)的上層硅烷環(huán)的兩根支管出口相對(duì)。

進(jìn)一步地，下層第一管道長于上層第一管道，下層第二管道長于上層第二管道。

進(jìn)一步地，下層第一管道與下層第二管道連接形成的角度為鈍角，所述上層第一管道與上層第二管道連接形成的角度為鈍角。

進(jìn)一步地，下層第一管道與下層第二管道為第一連接處，上層第一管道與上層第二管道為第二連接處，第一連接處和第二連接處的連線的延長線與第一水平面的夾角為45°下層的硅烷環(huán)比上層的硅烷環(huán)直徑更大，與等離子氣體(Ar/NH3)密度分布形成的正圓錐型匹配。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下的優(yōu)點(diǎn)和有益效果：本實(shí)用新型使用多層多孔硅烷環(huán)噴出的氣量將比使用常規(guī)單層雙孔硅烷環(huán)噴出的氣體分布更均勻。多層多孔硅烷環(huán)使硅烷在等離子體能量不變的情況下解離更充分，可以加大前三個(gè)硅烷環(huán)的硅烷流量，做出下層膜為高折射率薄膜，上層膜為低折射率薄膜的雙層減反射薄膜結(jié)構(gòu)，顯著提高了減反射效果和鈍化效果，最終使電池片轉(zhuǎn)換效率得到顯著提升。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的限定。在附圖中：

圖1為本實(shí)用新型俯視圖；

圖2為本實(shí)用新型正視圖；

圖3為本實(shí)用新型側(cè)視圖；

圖4為本實(shí)用新型的對(duì)比件-原廠硅烷環(huán)。

附圖中標(biāo)記及對(duì)應(yīng)的零部件名稱：

1-下層硅烷環(huán)，2-下層第一管道，3-下層第二管道，4-上層硅烷環(huán)，5-上層第一管道，6- 上層第二管道，7-主管道，8-底座，9-豎直主管道。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合實(shí)施例和附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施方式及其說明僅用于解釋本實(shí)用新型，并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。

實(shí)施例

如圖1、圖2、圖3所示，一種鍍膜設(shè)備的多層多孔硅烷環(huán)，包括下層硅烷環(huán)1、下層第一管道2、下層第二管道3、上層硅烷環(huán)4、上層第一管道5、上層第二管道6、主管道7和底座8，所述主管道7包括豎直主管道9和水平主管道，所述水平主管道其一端與底座8垂直連接，豎直主管道9下端豎直連接在水平主管道另一端，所述下層第二管道3中部與豎直主管道9中部垂直貫通連接，下層第二管道3兩端分別接有一根下層第一管道2，每一根下層第一管道2相對(duì)于與下層第二管道3連接的另一端均接有下層硅烷環(huán)1；所述上層第二管道6中部與豎直主管道9上端垂直連接，上層第二管道6兩端分別接有一根上層第一管道5，每一根上層第一管道5相對(duì)于與上層第二管道6連接的另一端均接有上層硅烷環(huán)4；所述下層硅烷環(huán)1、下層第一管道2、下層第二管道3處于第一水平面，所述上層硅烷環(huán)4、上層第一管道5、上層第二管道6處于第二水平面，第一水平面處于第二水平面下方；同一側(cè)的所述下層第一管道2與上層第一管道5平行，所述下層第二管道3與上層第二管道6平行。上層硅烷環(huán)4和下層硅烷環(huán)1均由兩根支管構(gòu)成，且兩根支管之間形成的夾角為30°；上層硅烷環(huán)4與上層第一管道5形成Y字型，下層硅烷環(huán)1與下層第一管道2形成Y字型。兩側(cè)的下層硅烷環(huán)1的兩根支管出口相對(duì)，兩側(cè)的上層硅烷環(huán)4的兩根支管出口相對(duì)。下層第一管道2長于上層第一管道5，下層第二管道3長于上層第二管道6。下層第一管道2與下層第二管道3連接形成的角度為鈍角，所述上層第一管道5與上層第二管道6連接形成的角度為鈍角。下層第一管道2與下層第二管道3為第一連接處，上層第一管道5與上層第二管道6為第二連接處，第一連接處和第二連接處的連線的延長線與第一水平面的夾角為45°

如圖4所示，原硅烷環(huán)為單層單孔結(jié)構(gòu)，而本實(shí)施例中將原硅烷環(huán)單一孔改為雙孔，兩出氣孔夾角為30°，相當(dāng)于每層氣孔數(shù)為原廠硅烷環(huán)的2倍。離子源照射范圍為圓形光斑，等離子氣體(Ar/NH3)密度分布為正圓錐型，在原廠硅烷環(huán)下方增加一層，且增加的第二層硅烷環(huán)直徑大于第一層，這樣每個(gè)硅烷特氣孔數(shù)總數(shù)達(dá)到8個(gè)，是原廠硅烷環(huán)開孔數(shù)的4倍。在特氣壓力相同的情況下，使用多層多孔硅烷環(huán)噴出的特氣量將比使用常規(guī)單層雙孔硅烷環(huán)噴出的氣體分步更均勻。雙層多孔設(shè)計(jì)符合離子氣體(Ar/NH3)密度分布，提高了等離子氣體利用率。在OTB沉積腔內(nèi)共有5個(gè)硅烷環(huán)，前排3個(gè)，后排2個(gè)，當(dāng)前排使用多層多孔硅烷環(huán)，后排使用原廠硅烷環(huán)，由于多層多孔硅烷環(huán)使硅烷在等離子體能量不變的情況下解離更充分，可以加大前三個(gè)硅烷環(huán)的硅烷流量，做出下層膜為高折射率薄膜，上層膜為低折射率薄膜的雙層減反射薄膜結(jié)構(gòu)，顯著提高了減反射效果和鈍化效果，最終使電池片轉(zhuǎn)換效率得到顯著提升。

以上所述的具體實(shí)施方式，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式而已，并不用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。