磁控濺射靶材護(hù)罩及磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備的制作方法
【專利摘要】一種磁控濺射靶材護(hù)罩，包括絕緣柱、第一護(hù)罩和至少一第二護(hù)罩，第一護(hù)罩通過(guò)絕緣柱固定于鍍膜腔室內(nèi)壁，第一護(hù)罩開(kāi)設(shè)有第一通孔以引導(dǎo)沉積物等雜質(zhì)通過(guò)落入鍍膜腔室內(nèi)壁，第二護(hù)罩可拆卸地安裝于第一護(hù)罩端部，與第一護(hù)罩形成收容腔以收容陰極靶材；上述磁控濺射靶材護(hù)罩，鍍膜過(guò)程中產(chǎn)生的沉積物等雜質(zhì)從第一通孔落入鍍膜腔室內(nèi)壁，降低了清潔難度；第二護(hù)罩可拆卸下來(lái)進(jìn)行清潔，也降低了清潔難度，從而避免了陰極靶材打火現(xiàn)象，提高了產(chǎn)品的品質(zhì)。同時(shí)提供一種應(yīng)用該磁控濺射靶材護(hù)罩的磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備。
【專利說(shuō)明】磁控濺射靶材護(hù)罩及磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及磁控濺射領(lǐng)域，特別是涉及一種磁控濺射靶材護(hù)罩及應(yīng)用該磁控濺射靶材護(hù)罩的磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]觸摸屏是一種顯著改善人機(jī)操作界面的輸入設(shè)備，具有直觀、簡(jiǎn)單、快捷的優(yōu)點(diǎn)。觸摸屏在許多電子產(chǎn)品中已經(jīng)獲得了廣泛的應(yīng)用，比如手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PersonalDigital Assistant, PDA)、多媒體、公共信息查詢系統(tǒng)等。
[0003]觸摸屏的導(dǎo)電膜可以通過(guò)磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備來(lái)制備。磁控濺射是在陰極靶材的表面上方形成一個(gè)正交電磁場(chǎng)。當(dāng)濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速為高能電子后，并不直接飛向陽(yáng)極，而是在正交電磁場(chǎng)作用下作來(lái)回振蕩的近似擺線的運(yùn)動(dòng)。高能電子不斷與氣體分子發(fā)生碰撞并向氣體分子轉(zhuǎn)移能量使之電離，而高能電子本身變成低能電子。這些低能電子最終沿磁力線漂移到陰極附近的輔助陽(yáng)極而被吸收，避免高能電子對(duì)極板的強(qiáng)烈轟擊，消除了二極濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起損傷的根源，體現(xiàn)磁控濺射中極板“低溫”的特點(diǎn)。
[0004]然而在磁控濺射鍍膜過(guò)程中，容易產(chǎn)生沉積物等雜質(zhì)，產(chǎn)生的沉積物等雜質(zhì)落入靶材下方積累于水平護(hù)罩表面，濺射時(shí)間越長(zhǎng)，沉積物越多，清潔時(shí)該沉積物很難被清潔徹底。這些沉積物等雜質(zhì)顆粒在濺射鍍膜的過(guò)程中放電，放電時(shí)產(chǎn)生電火花，極易造成陰極靶材打火現(xiàn)象，嚴(yán)重影響產(chǎn)品品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要針對(duì)沉積物難以被清潔容易造成陰極靶材打火現(xiàn)象的問(wèn)題，提供一種沉積物容易被清潔的磁控濺射靶材護(hù)罩及應(yīng)用該磁控濺射靶材護(hù)罩的磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備。
[0006]一種磁控濺射靶材護(hù)罩，包括:
[0007]絕緣柱，所述絕緣柱的一端固定于鍍膜腔室內(nèi)壁；
[0008]第一護(hù)罩，呈板狀結(jié)構(gòu)，所述第一護(hù)罩與所述絕緣柱的另一端連接，以使所述第一護(hù)罩固定于所述鍍膜腔室內(nèi)壁，所述第一護(hù)罩開(kāi)設(shè)有第一通孔，所述第一通孔可引導(dǎo)沉積物等雜質(zhì)通過(guò)以落入所述鍍膜腔室內(nèi)壁；
[0009]第二護(hù)罩，呈板狀結(jié)構(gòu)，所述第二護(hù)罩的數(shù)量為至少一個(gè)，所述第二護(hù)罩可拆卸地安裝于所述第一護(hù)罩端部，所述第一護(hù)罩和所述第二護(hù)罩形成收容腔，所述收容腔用于收容陰極靶材。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一通孔為長(zhǎng)條形孔。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一通孔位于所述第一護(hù)罩的邊緣。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一護(hù)罩的側(cè)面為長(zhǎng)方形，所述第一通孔沿長(zhǎng)方形的長(zhǎng)邊延伸。[0013]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一護(hù)罩上還開(kāi)設(shè)有第二通孔，所述絕緣柱穿設(shè)所述第二通孔連接于所述陰極靶材。
[0014]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二護(hù)罩通過(guò)螺紋緊固件安裝于所述第一護(hù)罩的端部。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括楔形條，所述楔形條可拆卸地安裝于所述第二護(hù)罩遠(yuǎn)離所述第一護(hù)罩的一端，所述陰極靶材位于所述楔形條和所述第一護(hù)罩之間。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一護(hù)罩和所述第二護(hù)罩均為金屬護(hù)罩。
[0017]一種磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備，用于在柔性基材上濺射鍍膜，包括:
[0018]鍍膜輥，所述鍍膜輥用于卷繞基材；
[0019]至少兩個(gè)陰極靶材，相鄰兩個(gè)所述陰極靶材呈預(yù)定角度設(shè)置，所述陰極靶材包括濺射面和與所述濺射面相對(duì)的背面，所述陰極靶材通過(guò)所述濺射面濺射靶原子至基材；
[0020]定位裝置，為直三棱柱形，所述定位裝置位于相鄰兩個(gè)所述陰極靶材之間，所述定位裝置的兩相鄰側(cè)面分別垂直于相鄰兩個(gè)所述陰極靶材所在的平面；
[0021]至少兩個(gè)陰極靶材底座，所述陰極靶材卡嵌于所述陰極靶材底座，以支撐所述陰極靶材，及
[0022]至少如以上所述的磁控濺射靶材護(hù)罩，所述相鄰兩個(gè)磁控濺射靶材護(hù)罩分別位于所述定位裝置兩側(cè)，相鄰兩個(gè)所述第一護(hù)罩的一端固定于所述定位裝置的一側(cè)。
[0023]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述定位裝置的底部設(shè)有定位裝置底座，所述定位裝置底座為楔形塊狀，所述定位裝置底座的兩相對(duì)側(cè)面凹設(shè)有凹槽，相鄰兩個(gè)所述第一護(hù)罩分別插設(shè)于定位裝置底座兩側(cè)的凹槽。
[0024]上述磁控濺射靶材護(hù)罩工作時(shí)，濺射鍍膜過(guò)程中產(chǎn)生的大部分沉積物等雜質(zhì)隨時(shí)落在第一護(hù)罩上，落下時(shí)大部分經(jīng)由第一護(hù)罩的第一通孔掉落于鍍膜腔室內(nèi)壁；同時(shí)在濺射過(guò)程中，偏離預(yù)定方向而不向基材方向運(yùn)動(dòng)的粒子沉積于第二護(hù)罩上；在鍍膜完成后，可采用吸塵器等對(duì)鍍膜腔室內(nèi)壁進(jìn)行清潔，濺射陰極采用氣槍由陰極靶材旁邊的狹縫內(nèi)吹入，將沉積物等雜質(zhì)清潔干凈；因沉積物等雜質(zhì)通過(guò)第一護(hù)罩的第一通孔落入鍍膜腔室內(nèi)壁，而清潔鍍膜腔室內(nèi)壁的難度低于直接清潔第一護(hù)罩；又第二護(hù)罩可拆卸地安裝于第一護(hù)罩的端部，故而清潔時(shí)可將第二護(hù)罩拆卸下來(lái)；故而上述磁控濺射靶材護(hù)罩使沉積物等雜質(zhì)容易被清潔，從而避免了陰極靶材打火現(xiàn)象，提高了產(chǎn)品的品質(zhì)。
[0025]上述應(yīng)用該磁控濺射靶材護(hù)罩的磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備工作時(shí)，濺射鍍膜過(guò)程中定位裝置正對(duì)于鍍膜輥，位于定位裝置兩側(cè)的陰極靶材呈預(yù)定角度，保證陰極靶材正對(duì)于需要被鍍膜的基材表面；鍍膜時(shí)產(chǎn)生的沉積物等雜質(zhì)隨時(shí)落在第一護(hù)罩上，落下時(shí)大部分經(jīng)由第一護(hù)罩的第一通孔掉落于鍍膜腔室內(nèi)壁；同時(shí)濺射鍍膜過(guò)程中，偏離預(yù)定方向而不向基材方向運(yùn)動(dòng)的粒子沉積于第二護(hù)罩上；在鍍膜完成后，可采用吸塵器等對(duì)鍍膜腔室內(nèi)壁進(jìn)行清潔，濺射陰極采用氣槍由靶材旁邊的狹縫內(nèi)吹入，將沉積物等雜質(zhì)清潔干凈；因沉積物等雜質(zhì)通過(guò)第一護(hù)罩的第一通孔落入鍍膜腔室內(nèi)壁，而清潔鍍膜腔室內(nèi)壁的難度低于直接清潔第一護(hù)罩；又第二護(hù)罩可拆卸地安裝于第一護(hù)罩的端部，故而清潔時(shí)可將第二護(hù)罩拆卸下來(lái)；故而上述應(yīng)用該磁控濺射靶材護(hù)罩的磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備使沉積物等雜質(zhì)容易被清潔，從而避免了陰極靶材打火現(xiàn)象，提高了產(chǎn)品的品質(zhì)?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0026]圖1為磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為圖1中磁控濺射靶材護(hù)罩的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3為圖2中第一護(hù)罩的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本實(shí)用新型不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。
[0030]需要說(shuō)明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。
[0031]除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本實(shí)用新型的【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本實(shí)用新型的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本實(shí)用新型。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。
[0032]一實(shí)施方式的磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備100，包括鍍膜輥110、至少兩個(gè)陰極靶材120、定位裝置130、至少兩個(gè)陰極靶材底座140及至少兩個(gè)磁控濺射靶材護(hù)罩200。請(qǐng)參閱圖1，為包括鍍膜輥110、兩個(gè)陰極靶材120、定位裝置130、兩個(gè)陰極靶材底座140及兩個(gè)磁控濺射靶材護(hù)罩200的的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]具體地，鍍膜輥110用于卷繞基材300，可位于陰極靶材120上方。鍍膜輥110可為圓柱形?；?00可為PET薄膜。鍍膜時(shí)基材300卷繞于鍍膜輥110，陰極靶材120的濺射面122正對(duì)于基材300表面。當(dāng)然，在其它的實(shí)施例中，鍍膜輥110也可以位于陰極靶材120下方，只要保證陰極靶材120的濺射面122正對(duì)與鍍膜輥110即可，即陰極靶材120的濺射面122正對(duì)基材300表面。
[0034]兩個(gè)陰極靶材120呈預(yù)定角度設(shè)置，陰極靶材120包括濺射面122及與濺射面122相對(duì)的背面124，陰極靶材120通過(guò)濺射面122濺射靶原子至待鍍膜的基材300。在鍍膜過(guò)程中，基材300的一部分卷繞于鍍膜輥110，故基材300呈圓弧形狀。因?yàn)殛帢O靶材120正對(duì)基材300，故而位于定位裝置130兩側(cè)的陰極靶材120呈一定角度設(shè)置，角度隨基材300形成的弧度大小而定。基材300形成的弧度越大，則兩陰極靶材120形成的角度越大；基材300形成的弧度越小，兩陰極靶材120形成的角度越小。
[0035]陰極祀材底座140用以支撐陰極祀材120。陰極祀材120卡嵌于陰極祀材底座140。可在陰極靶材120背面124周緣凸設(shè)凸邊1242，在陰極靶材底座140凹設(shè)收容槽142，收容槽的側(cè)壁凹設(shè)卡槽1422。當(dāng)陰極靶材120安裝于陰極靶材底座140時(shí)，陰極靶材120周緣的凸邊1242卡嵌于卡槽1422，陰極靶材120收容于收容槽142。當(dāng)然，也可以在陰極靶材底座140表面凹設(shè)凹槽，在陰極靶材背面124凸設(shè)凸起，凸起插設(shè)于凹槽中，使陰極靶材120卡嵌于陰極靶材底座140上。[0036]具體地，定位裝置130為直三棱柱形。定位裝置130的橫截面可以為等腰三角形，三角形頂角的角平分線延長(zhǎng)線相交于鍍膜輥110的中心軸。即定位裝置130正對(duì)于鍍膜輥110。當(dāng)然，在其它的實(shí)施例中，定位裝置130的橫截面還可以為等邊三角形。定位裝置130位于相鄰兩個(gè)陰極靶材120之間，且定位裝置130的兩相鄰側(cè)面132分別垂直于相鄰兩個(gè)陰極靶材120所在的平面。設(shè)置定位裝置130的目的是為了保證陰極靶材120的濺射面122正對(duì)基材300，從而保證陰極靶材120濺射出的靶原子均勻地沉積于基材300表面。
[0037]具體地，還可以在定位裝置130的底部設(shè)有定位裝置底座160，定位裝置底座160為楔形塊狀，定位裝置底座160的兩相對(duì)側(cè)面凹設(shè)有凹槽162，兩個(gè)第一護(hù)罩220分別插設(shè)于定位裝置底座160兩側(cè)的凹槽162。凹槽162的開(kāi)口方向與第一護(hù)罩220的角度相同，保證第一護(hù)罩220正對(duì)于陰極靶材120的背面。
[0038]與至少兩個(gè)陰極靶材120對(duì)應(yīng)，磁控濺射靶材護(hù)罩200也可以設(shè)置至少兩個(gè)。請(qǐng)參閱圖2和圖3，分別為設(shè)置兩個(gè)磁控濺射靶材護(hù)罩200時(shí)，磁控濺射靶材護(hù)罩200和第一護(hù)罩220的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0039]磁控濺射靶材護(hù)罩200包括絕緣柱210、第一護(hù)罩220及第二護(hù)罩230。
[0040]絕緣柱210的一端固定于鍍膜腔室內(nèi)壁150。
[0041]第一護(hù)罩220呈板狀結(jié)構(gòu)，可正對(duì)于陰極靶材120的背面124。第一護(hù)罩220與絕緣柱210的另一端連接，以使第一護(hù)罩220固定于鍍膜腔室內(nèi)壁150。第一護(hù)罩220開(kāi)設(shè)有至少一第一通孔222。第一通孔222可引導(dǎo)沉積物等雜質(zhì)通過(guò)以落入鍍膜腔室內(nèi)壁150。
[0042]具體地，第一通孔222可以為長(zhǎng)條形孔，長(zhǎng)條形孔的開(kāi)口面積大，有利于引導(dǎo)沉積物等雜質(zhì)通過(guò)第一通孔222落入鍍膜腔室內(nèi)壁150上，減小了沉積物沉積在第一護(hù)罩220表面的概率，從而減小了清潔的難度。當(dāng)然，在其它的實(shí)施例中，還可以為其它形狀的孔，只要有利于沉積物等雜質(zhì)通過(guò)即可。
[0043]具體地，第一通孔222位于第一護(hù)罩220的邊緣。因?yàn)殛帢O靶材120在濺射鍍膜的過(guò)程中產(chǎn)生的沉積物等雜物一般落在第一護(hù)罩220上，而一般第一護(hù)罩220的橫截面積要稍大于陰極靶材120的橫截面積，故而沉積物等雜質(zhì)一般落在第一護(hù)罩220的邊緣部分，故而將第一通孔222設(shè)置在第一護(hù)罩220的邊緣，有利于提高沉積物等雜質(zhì)通過(guò)第一通孔222的概率，從而減小了清潔難度。當(dāng)然，在其它的實(shí)施例中，還可以在第一護(hù)罩220的中間部分也開(kāi)設(shè)有第一通孔222。
[0044]具體地，第一護(hù)罩220的側(cè)面為長(zhǎng)方形，第一通孔222沿長(zhǎng)方形的長(zhǎng)邊延伸。因?yàn)榈谝蛔o(hù)罩220的側(cè)面大致為長(zhǎng)方形，以第一護(hù)罩220的一條邊為例，長(zhǎng)條形的第一通孔222沿長(zhǎng)方形的長(zhǎng)邊延伸，形成與該邊平行的長(zhǎng)條形孔。在需要同等開(kāi)口面積的情況下，有利于降低第一通孔222的個(gè)數(shù)，從而降低工藝要求。當(dāng)然，在其它的實(shí)施例中，第一通孔還可以沿任意方向延伸設(shè)置。
[0045]具體地，可在第一護(hù)罩220開(kāi)設(shè)第二通孔224，絕緣柱210穿設(shè)第二通孔224連接于陰極靶材。第二通孔224可以為圓形孔，絕緣柱210為圓柱體狀。在其他的實(shí)施例中，第二通孔224還可以為其它形狀如矩形、正方形、長(zhǎng)方形等，而絕緣柱210的橫截面為與第二通孔224相同的形狀，使絕緣柱210與第二通孔224形狀匹配即可。當(dāng)然，還可以不設(shè)置第二通孔224，而使絕緣柱210與第一護(hù)罩220 —體成型，也能實(shí)現(xiàn)將第一護(hù)罩220固定于鍍膜腔室內(nèi)壁150。[0046]第二護(hù)罩230具體地可為板狀結(jié)構(gòu)，第二護(hù)罩230的數(shù)量可為至少一個(gè)。第二護(hù)罩230可拆卸地安裝于第一護(hù)罩220的端部，可垂直于陰極靶材120所在的平面，也可以與陰極靶材120所在的平面呈其它角度設(shè)置。當(dāng)?shù)谝蛔o(hù)罩220平行正對(duì)于陰極靶材120時(shí)，也垂直第一護(hù)罩220所在的平面。第一護(hù)罩220和第二護(hù)罩230形成一收容腔，陰極靶材120收容于該收容腔內(nèi)。當(dāng)?shù)诙o(hù)罩230的數(shù)量為一個(gè)時(shí)，可位于第一護(hù)罩220的左面、右面、前面或后面中的任意一面，且第二護(hù)罩230與陰極靶材120位于第一護(hù)罩220的同一側(cè)。第二護(hù)罩230可使偏離預(yù)定方向而不向基材300方向運(yùn)動(dòng)的粒子沉積于第二護(hù)罩230上，是為了防止濺射出的粒子往邊緣擴(kuò)散。第二護(hù)罩230的數(shù)量當(dāng)然還可以為兩個(gè)或三個(gè)。當(dāng)?shù)诙o(hù)罩230的數(shù)量為大于一個(gè)時(shí)，第二護(hù)罩230間可以可拆卸地連接，也可以一體成型。
[0047]當(dāng)?shù)诙o(hù)罩230的數(shù)量為三個(gè)時(shí)，三個(gè)第二護(hù)罩230可位于三個(gè)不同的面，第二護(hù)罩230、第一護(hù)罩220及位于第一護(hù)罩220側(cè)面的定位裝置130圍繞成一具有開(kāi)口面的盒狀結(jié)構(gòu)，陰極靶材120與陰極靶材底座140收容于盒狀結(jié)構(gòu)中。
[0048]第二護(hù)罩230可拆卸地安裝在第一護(hù)罩220的周緣，當(dāng)清潔時(shí)，可將第二護(hù)罩230拆卸下來(lái)清潔，降低了清潔難度。
[0049]具體地，第二護(hù)罩230可通過(guò)螺紋緊固件安裝于第一護(hù)罩220的一端。當(dāng)?shù)诙o(hù)罩230的數(shù)量為大于一個(gè)時(shí)，第二護(hù)罩230間也可以通過(guò)螺紋緊固件連接。螺紋緊固件可以為螺釘，當(dāng)然也可以為鉚釘、銷等。當(dāng)然，當(dāng)?shù)诙o(hù)罩230的數(shù)量為大于一個(gè)時(shí)，第二護(hù)罩230間也可以一體成型。
[0050]具體地，磁控濺射靶材護(hù)罩200還可以包括楔形條240，楔形條240可拆卸地安裝于第二護(hù)罩230遠(yuǎn)離第一護(hù)罩220的一端，陰極靶材120位于楔形條240和第一護(hù)罩220之間。具體到本實(shí)施例中，楔形條240可通過(guò)螺紋緊固件安裝于第二護(hù)罩230遠(yuǎn)離第一護(hù)罩220的一端，安裝方便。螺紋緊固件可以為螺釘，當(dāng)然也可以為鉚釘、銷等。楔形條240可以卡在陰極靶材120安裝座上，以避免第二護(hù)罩230發(fā)生傾斜。
[0051]在其它的實(shí)施例中，還可以設(shè)置三個(gè)或三個(gè)以上陰極靶材120，對(duì)應(yīng)地，每個(gè)陰極靶材120位于一個(gè)陰極靶材底座140上，相鄰兩個(gè)陰極靶材120之間設(shè)置定位裝置130。相鄰兩個(gè)陰極靶材120呈一定角度設(shè)置，角度隨基材300所成弧度大小而定。對(duì)應(yīng)地，設(shè)有三個(gè)或三個(gè)以上磁控濺射靶材護(hù)罩200。每個(gè)陰極靶材120收容于由第一護(hù)罩220和第二護(hù)罩230所形成的收容腔。
[0052]上述磁控濺射靶材護(hù)罩200和應(yīng)用該磁控濺射靶材護(hù)罩200的磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備100工作時(shí)，因?yàn)榈谝蛔o(hù)罩220開(kāi)設(shè)有第一通孔222，在濺射鍍膜過(guò)程中產(chǎn)生的沉積物等雜質(zhì)落在第一護(hù)罩220上，落下時(shí)大部分經(jīng)由第一護(hù)罩220的第一通孔222掉落于鍍膜腔室內(nèi)壁150 ;同時(shí)在濺射過(guò)程中，偏離預(yù)定方向而不向基材300方向運(yùn)動(dòng)的粒子沉積于第二護(hù)罩230上；在鍍膜完成后，可采用吸塵器等對(duì)鍍膜腔室內(nèi)壁150進(jìn)行清潔，濺射陰極采用氣槍由靶材旁邊的狹縫內(nèi)吹入，將沉積物等雜質(zhì)清潔干凈；因沉積物等雜質(zhì)通過(guò)第一護(hù)罩220的第一通孔222落入鍍膜腔室內(nèi)壁150，而清潔鍍膜腔室內(nèi)壁150的難度低于直接清潔第一護(hù)罩220 ;又第二護(hù)罩230可拆卸地安裝于第一護(hù)罩220的端部，故而清潔時(shí)可將第二護(hù)罩230拆卸下來(lái)；故而沉積物等雜質(zhì)容易被清潔，從而避免了陰極靶材120打火現(xiàn)象，提聞了廣品的品質(zhì)。
[0053]請(qǐng)參閱圖3，具體到本實(shí)施例中，相鄰兩第一通孔222可軸對(duì)稱地位于第二通孔224的兩側(cè)。第二通孔224用來(lái)穿設(shè)絕緣柱210以使第一護(hù)罩220固定于鍍膜腔室內(nèi)壁150,第一通孔222對(duì)稱地設(shè)置在第二通孔224兩側(cè),從而使第一通孔222均勻地分布,有利于鍍膜過(guò)程中產(chǎn)生的沉積物等雜質(zhì)均勻地通過(guò)第一通孔222。
[0054]具體到本實(shí)施例中，所述第一護(hù)罩220和第二護(hù)罩230均可以為金屬護(hù)罩。利用了金屬具有良好導(dǎo)電性這一特征。具體地，可以為鋁等金屬。
[0055]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射靶材護(hù)罩，其特征在于，包括: 絕緣柱，所述絕緣柱的一端固定于鍍膜腔室內(nèi)壁； 第一護(hù)罩，呈板狀結(jié)構(gòu)，所述第一護(hù)罩與所述絕緣柱的另一端連接，以使所述第一護(hù)罩固定于所述鍍膜腔室內(nèi)壁，所述第一護(hù)罩開(kāi)設(shè)有第一通孔，所述第一通孔可引導(dǎo)沉積物通過(guò)以落入所述鍍膜腔室內(nèi)壁； 第二護(hù)罩，呈板狀結(jié)構(gòu)，所述第二護(hù)罩的數(shù)量為至少一個(gè)，所述第二護(hù)罩可拆卸地安裝于所述第一護(hù)罩端部，所述第一護(hù)罩和所述第二護(hù)罩形成收容腔，所述收容腔用于收容陰極靶材。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射靶材護(hù)罩，其特征在于，所述第一通孔為長(zhǎng)條形孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁控濺射靶材護(hù)罩，其特征在于，所述第一通孔位于所述第一護(hù)罩的邊緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁控濺射靶材護(hù)罩，其特征在于，所述第一護(hù)罩的側(cè)面為長(zhǎng)方形，所述第一通孔沿長(zhǎng)方形的長(zhǎng)邊延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射靶材護(hù)罩，其特征在于，所述第一護(hù)罩上還開(kāi)設(shè)有第二通孔，所述絕緣柱穿設(shè)所述第二通孔連接于所述陰極靶材。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射靶材護(hù)罩，其特征在于，所述第二護(hù)罩通過(guò)螺紋緊固件安裝于所述第一護(hù)罩的端部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射靶材護(hù)罩，其特征在于，還包括楔形條，所述楔形條可拆卸地安裝于所述第二護(hù)罩遠(yuǎn)離所述第一護(hù)罩的一端，所述陰極靶材位于所述楔形條和所述第一護(hù)罩之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射靶材護(hù)罩，其特征在于，所述第一護(hù)罩和所述第二護(hù)罩均為金屬護(hù)罩。
9.一種磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備，用于在柔性基材上濺射鍍膜，其特征在于，包括: 鍍膜輥，所述鍍膜輥用于卷繞基材； 至少兩個(gè)陰極靶材，相鄰兩個(gè)所述陰極靶材呈預(yù)定角度設(shè)置，所述陰極靶材包括濺射面和與所述濺射面相對(duì)的背面，所述陰極靶材通過(guò)所述濺射面濺射靶原子至基材； 定位裝置，為直三棱柱形，所述定位裝置位于相鄰兩個(gè)所述陰極靶材之間，所述定位裝置的兩相鄰側(cè)面分別垂直于相鄰兩個(gè)所述陰極靶材所在的平面； 至少兩個(gè)陰極靶材底座，所述陰極靶材卡嵌于所述陰極靶材底座，以支撐所述陰極靶材，及 至少兩個(gè)如權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的磁控濺射靶材護(hù)罩，所述相鄰兩個(gè)磁控濺射靶材護(hù)罩分別位于所述定位裝置兩側(cè)，相鄰兩個(gè)所述第一護(hù)罩的一端固定于所述定位裝置的一側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁控濺射卷繞鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述定位裝置的底部設(shè)有定位裝置底座，所述定位裝置底座為楔形塊狀，所述定位裝置底座的兩相對(duì)側(cè)面凹設(shè)有凹槽，相鄰兩個(gè)所述第一護(hù)罩分別插設(shè)于定位裝置底座兩側(cè)的凹槽。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK203382815SQ201320390426
【公開(kāi)日】2014年1月8日 申請(qǐng)日期:2013年7月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月2日
【發(fā)明者】李晨光, 徐少東 申請(qǐng)人:南昌歐菲光科技有限公司, 深圳歐菲光科技股份有限公司, 蘇州歐菲光科技有限公司