專利名稱：提供硫?qū)僭氐姆椒ê脱b置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在基板上，尤其是在用母體層制備并由任何期望材料組成 的平面基板上，優(yōu)選地在由浮法玻璃組成的基板上產(chǎn)生薄層形狀的硫?qū)僭?素的方法和裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種新的源(裝置組件)，其用于熱蒸發(fā)竭、石危、碲和它們 彼此之間的或與其他物質(zhì)的化合物或它們的混合物，這些物質(zhì)通常也稱為 硫?qū)僭?，以將它們沉積在大面積的基板上，這些基板先前已經(jīng)提供有鉬， 在其上提供有由銅/鎵或銦組成的金屬母體層。這些金屬層在進(jìn)一步的工藝 中在硫?qū)僭氐膸椭卤浑S后轉(zhuǎn)化為太陽(yáng)能組件的化合物半導(dǎo)體層。所述
基板具有用于光伏太陽(yáng)能組件的常規(guī)尺寸，例如1.25x1.1 m。
需要^5充屬元素作為工藝物質(zhì)將金屬母體層轉(zhuǎn)化為化合物半導(dǎo)體層。典 型的轉(zhuǎn)化溫度為500-600°C。在這種情況下，轉(zhuǎn)化溫度如此高，使得在大 約20。C的室溫下為固體物質(zhì)狀態(tài)的硫?qū)僭卦诠に囇b置內(nèi)蒸發(fā)。在這種情 況下，硫?qū)僭卦俅螐幕逭舭l(fā)或另外地進(jìn)料到處理室。在大氣壓力下即， 在大約1000 hpa下在金屬基板上操作產(chǎn)生硫?qū)僭貙拥脑础?br> 在利用高真空或大氣條件下用其他方法，接著使用含氫氣體，用硫?qū)?元素涂敷事先用母體層制備的基板的方法是已知的，如EP0318315A2所 述。迄今為止，在涂敷硫?qū)僭氐难芯炕蛟诠I(yè)應(yīng)用中沒(méi)有提供利用大氣 壓力(大約1000 hpa)的方法。用所述硫?qū)僭剡M(jìn)行涂敷在10-6-10-3之間的壓 力下實(shí)施，在這種情況下，硒或^^在高真空下熱蒸發(fā)。
高真空工藝的缺陷是設(shè)備昂貴，該設(shè)備包括真空室、閥和真空泵。長(zhǎng) 的泵時(shí)間是此處的原則，以及同樣需要長(zhǎng)時(shí)間將基板導(dǎo)入鎖和排出真空 室。通常在用竭、辟u或竭和石克的混合物涂敷的過(guò)程中，使用真空以避免元 素氧。在氧存在時(shí)，硒反應(yīng)生成有毒化合物(氧化硒)，其對(duì)進(jìn)一步的工藝，如在硫?qū)僭氐膸椭聦⒔饘賹愚D(zhuǎn)化為半導(dǎo)體層，即所謂的黃銅礦層具有 破壞作用，或者削弱半導(dǎo)體層的功能并大大降低其功效。
高度真空工藝在工藝大規(guī)^莫生產(chǎn)中通常造成高的成本。泵時(shí)間和鎖時(shí)
間造成循環(huán)時(shí)間增加并由此總是造成生產(chǎn)率下降以及長(zhǎng)的工藝時(shí)間。
一個(gè)解決方案是， 一是同時(shí)使用許多機(jī)器，但是這會(huì)需要高的投資，
或者加快工藝進(jìn)行。
本發(fā)明所要獲得的目標(biāo)在于提供非常快且成本有效的硫?qū)僭氐耐?br> 敷方法，具體地用于將范圍100nm-10pm內(nèi)的硫?qū)僭乇踊蜻@些材料的 混合物涂敷在平面基板上，以及適合進(jìn)行該方法的裝置。
在上面的介紹中所提及類型的方法的情況下，本發(fā)明的目標(biāo)是通過(guò)以 下步驟實(shí)現(xiàn)形成防氧關(guān)閉氣相沉積頭中的運(yùn)輸通道的進(jìn)氣側(cè)和出氣側(cè)的 氣幕,向運(yùn)輸通道導(dǎo)入惰性氣體用于置換空氣中的氧，將要被涂層的一種或 多種基板一所述基板的溫度被調(diào)節(jié)到預(yù)定的溫度一導(dǎo)入到處理室的運(yùn)輸 通道中，將硫?qū)僭貧?載氣混合物從源引入到基板上方的氣相沉積頭的運(yùn) 輸通道中，以預(yù)定的壓力通過(guò)PVD方法在基板上形成硒層，經(jīng)過(guò)預(yù)定的 處理時(shí)間后移去基板。
優(yōu)選地，在處理室中設(shè)定大約一個(gè)大氣壓士幾個(gè)帕斯卡的偏差的壓力。
為了保證均勻地涂敷硫?qū)僭?，在涂敷過(guò)程中，將基板相對(duì)于氣相沉 積頭移動(dòng)，基板以恒定的速度移動(dòng)。
如果在運(yùn)輸?shù)教幚硎业倪\(yùn)輸通道前將基板的溫度調(diào)節(jié)到200。C以下， 例如調(diào)節(jié)到20。C-5(TC或室溫下，會(huì)更加有利。
在本發(fā)明的形成過(guò)程中，通過(guò)在處理室的運(yùn)輸通道的進(jìn)氣側(cè)和出氣側(cè) 形成氣幕排出氧形成涂敷工藝，所述氣幕由惰性氣體，例如稀有氣體如氬 氣組成。
最后，硫?qū)僭貧?載氣混合物被直接導(dǎo)到基板的表面上。 本發(fā)明的目標(biāo)通過(guò)進(jìn)行該方法的裝置進(jìn)一步實(shí)施其中，處理室提供 有運(yùn)輸通道，該運(yùn)輸通道被布置到運(yùn)輸平面基板的運(yùn)輸裝置上，其中，運(yùn) 輸通道提供有由進(jìn)氣側(cè)和出氣側(cè)的惰性氣體或稀有氣體組成的防氧氣幕， 其中，運(yùn)輸通道裝有在氣幕之間的處理室中的載氣，其中，氣相沉積頭直 接布置在運(yùn)輸通道上方的基板上方，所述氣相沉積頭與用于硫?qū)僭貧?載氣混合物的進(jìn)料裝置相連。
在本發(fā)明的第一個(gè)構(gòu)造中，氣相沉積頭提供有槽-其橫穿基板的運(yùn)輸方 向布置，并指向后者-用于進(jìn)料硫?qū)僭貧?載氣混合物。
在蒸發(fā)室和槽之間的氣相沉積頭提供有多個(gè)壓縮后接擴(kuò)展區(qū)，它們一 個(gè)接一個(gè)，分布在所述槽的整個(gè)寬度，使得硫?qū)僭貧?載氣混合物在通向 槽的過(guò)程中被多次壓縮和擴(kuò)展，由此均一地分布在槽的整個(gè)寬度上。
在本發(fā)明的一個(gè)特定的構(gòu)造中，氣相沉積頭構(gòu)造設(shè)計(jì)為類似噴頭，并 提供有多個(gè)流出口。
包括結(jié)合的連接元件的氣相沉積頭和蒸發(fā)源可以用合適的加熱系統(tǒng) 例如電熱系統(tǒng)力口熱。
在本發(fā)明的形成過(guò)程中，能夠與硫?qū)僭貧饣蛄驅(qū)僭貧?載氣混合物 接觸的所有組件由耐受該混合物的材料如石墨組成。
另外，在處理室中的壓力可以^皮設(shè)定為大氣壓力。
基板的溫度可以在運(yùn)輸裝置上被調(diào)節(jié)為-50"-+100!:,或者室溫。
在涂敷硫?qū)僭剡^(guò)程中，也可能暫時(shí)增加處理壓力使在處理中基板不 與氧才妾觸。
在所稱謂氮幕的幫助下，排除氧是可能的。然而，迄今為止只使用真 空泵除去氧來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。
在涂敷過(guò)程中，必須絕對(duì)避免氧的進(jìn)入，否則氧也會(huì)包含到硫?qū)僭?的涂層中。氧與硒和硫化學(xué)反應(yīng)，在這種情況下，主要是硒和氧之間形成 的化合物會(huì)對(duì)隨后形成黃銅礦半導(dǎo)體的系統(tǒng)反應(yīng)有害。
該方法的優(yōu)點(diǎn)包括在工業(yè)工藝中，涂敷顯著地更快、循環(huán)時(shí)間更短， 并且由于較少的裝置，因此在產(chǎn)生的資本支出方面成本較低，所以更加經(jīng)
濟(jì)有效。
本發(fā)明涉及任何期望基板的新的工藝(方法)，在該方法中，在大氣 條件或在高真空和大氣壓力之間的壓力下將薄硫?qū)僭貙油糠蟮酱竺娣e 的基板上，例如由浮法玻璃構(gòu)成的基板上。
本發(fā)明的特定特征為不在高真空下工作，而是利用大氣環(huán)境壓力工 作，由此所述裝置工藝被大大簡(jiǎn)化。尤其當(dāng)在大氣條件下工作時(shí)，根本不 需要真空泵和真空閥。對(duì)于進(jìn)一步的方法步驟，進(jìn)行涂敷硫?qū)僭匦枰耆懦酢Ｔ诂F(xiàn)有 技術(shù)中，這種氧的排除通過(guò)使用真空方法實(shí)現(xiàn)。一種筒便的多的方法是使用利用所稱的氮?dú)饽换蚨栊詺饽还ぷ鞯倪B 續(xù)方法。在這種情況下，通過(guò)利用基板在通過(guò)實(shí)際的涂敷區(qū)域前先通過(guò)強(qiáng) 氮?dú)饣蚨栊詺饬?例如稀有氣體如氬氣)形式的氣幕，來(lái)避免或排除氧氣進(jìn) 入工藝裝置。在穿過(guò)氣幕后，基板置于在幾乎不含有氧氣的空間中。在這種情況下，沒(méi)有氧氣表示在殘余的氣體中，殘存的氧氣含量低于5ppm氧氣。在這些條件下，可以產(chǎn)生高質(zhì)量的硫?qū)僭赝繉印?基于具體實(shí)施方式
下面將更加具體的說(shuō)明本發(fā)明。


圖1顯示了進(jìn)行硫?qū)僭赝繉?，尤其是在大面積基板上涂敷這些材料 薄層的方法的裝置主視圖。圖2顯示了圖1的裝置的透視側(cè)視圖。圖3顯示了具有連"t妄的運(yùn)輸裝置的氣相沉積頭的示意圖，該運(yùn)輸裝置 運(yùn)輸大面積的基板通過(guò)氣相沉積頭中的運(yùn)輸通道。 附圖標(biāo)記清單1. 處理室2. 運(yùn)輸裝置3. 大面積、基4反4. 進(jìn)氣側(cè)鎖5. 出氣側(cè)鎖6. 運(yùn)輸通道7. 硫?qū)僭氐倪M(jìn)料裝置8. 槽9. 室10. 通道11. 氣相沉積頭12. 加熱裝置13. 容器714. 管道
15. 計(jì)量和鎖裝置
16. 閥
17. 提取和處理裝置
18. 收集容器
19. 硫?qū)僭厥占?br> 具體實(shí)施例方式
圖1顯示了處理室1，其適于連續(xù)工作并具有運(yùn)輸裝置2，該運(yùn)輸裝 置用于供給大面積基板3和用于將大面積基板3運(yùn)輸?shù)搅硗獾奶幚碚?，?如熱處理爐(沒(méi)有顯示)。處理室1，其裝備有氣相沉積頭11中的內(nèi)部運(yùn)輸 通道6，包括雙層壁的高級(jí)鋼腔。相反，由于小的熱膨脹，具有穿透其中 的運(yùn)輸通道6的氣相沉積頭11完全由石墨組成，石墨不與硒反應(yīng)并具有 良好的熱穩(wěn)定性，具有最適的溫度分布。
處理室1的運(yùn)輸通道6配備有進(jìn)氣側(cè)和出氣側(cè)的鎖4、 5,在每個(gè)鎖中， 包括由基板3的運(yùn)輸通道6中的氮?dú)饣蚨栊詺怏w組成的多級(jí)氣幕(圖3),使 得當(dāng)氣相沉積頭11和運(yùn)輸通道6中的內(nèi)部充有載氣時(shí)，位于其中的大氣 中的氧被排出(圖3)。氬氣也能夠用作惰性氣體。鎖4、 5每個(gè)的多級(jí)氣幕 包括兩個(gè)相鄰的氮?dú)饽唬瑑蓚€(gè)氣幕氣流方向相反，從頂部流向底部，由此 在鎖區(qū)中間產(chǎn)生小的余壓，另外在兩個(gè)氮?dú)饽恢g的頂部和底部的提取系 統(tǒng)也是如此。
為此，氣流口和提取嘴(未顯示)位于運(yùn)輸通道6的頂壁的上部和進(jìn)氣 側(cè)和出氣側(cè)的底部。
應(yīng)該指出的是，在一側(cè)開(kāi)口并提供有氣幕的運(yùn)輸通道6也可以配備有 并在本發(fā)明的氣相沉積頭11中工作，但是在這種情況下工作是間歇式的 而不是連續(xù)的。
位于兩個(gè)鎖4、 5之間的無(wú)氧區(qū)域的是用于硫?qū)僭乩缥倪M(jìn)料裝 置7，進(jìn)料借助載氣通過(guò)處理室1的運(yùn)輸通道6頂部的槽8進(jìn)行。所述槽 8與運(yùn)輸通道6上方的液體和氣體石西的氣相沉積頭11中的室9通過(guò)通道 IO相連，并提供有加熱裝置12(在圖3中示意性地指出)。硒氣的產(chǎn)生主要是溫度依賴性的，氣體的產(chǎn)生在350。C和550。C之間大大增加，使得所需 的加熱系統(tǒng)應(yīng)配備溫度調(diào)節(jié)裝置。
室9是穿過(guò)氣相沉積頭11的簡(jiǎn)易水平洞，其兩端關(guān)閉。 一個(gè)水平傳 感器(沒(méi)有顯示)可以布置在室9中。為了彌補(bǔ)作為氣體隨載氣離開(kāi)室9的 硒，將所述室與漏斗形狀的硒容器13通過(guò)管道14連接(圖1)。在室溫下硒 以固體狀態(tài)呈小球形狀貯存在容器13中，并且以該狀態(tài)供給室9并在此 處蒸發(fā)。
為了避免當(dāng)室9被填充時(shí)硒氣會(huì)通過(guò)管道14和容器13逃逸，將一個(gè) 計(jì)量和鎖裝置16置于容器13和室9之間(圖1)。
所述計(jì)量和鎖裝置16，其沒(méi)有具體說(shuō)明，其包括具有中心固定的旋轉(zhuǎn) 部分的圓柱箱體。所迷箱體具有兩個(gè)洞，準(zhǔn)確地說(shuō)， 一個(gè)在上部， 一個(gè)在 下部，每個(gè)洞都在同一節(jié)圓直徑上，但是偏角為180。。同樣旋轉(zhuǎn)部分具有 在同一節(jié)圓直徑上的兩個(gè)洞，偏角為180°。如果在箱體中的上部的洞在上 面與旋轉(zhuǎn)部分的洞之一對(duì)齊，那么硒球能夠從容器13落入洞中。如果旋 轉(zhuǎn)部分隨后旋轉(zhuǎn)180°，硒球能夠從旋轉(zhuǎn)部分的洞穿過(guò)箱體中的較低的洞通 過(guò)管道14，進(jìn)入室9。同時(shí)，將旋轉(zhuǎn)部分的另一個(gè)洞再次裝滿來(lái)自所述容 器的硒球。
另外包括具有完全開(kāi)口的球閥的閥16置于計(jì)量和鎖裝置與室9之間， 所述開(kāi)口只在計(jì)量所迷計(jì)量和鎖裝置15中的硒球期間短暫打開(kāi)。
通過(guò)這種方式，首先一個(gè)精確的符合要求的計(jì)量成為可能，而且其次， 也保證了沒(méi)有硒氣能夠逃逸。
為了實(shí)現(xiàn)在槽8的整個(gè)寬度上硒氣/載氣混合物的均一分布，多個(gè)壓縮 和擴(kuò)展一個(gè)接一個(gè)沿著通道10排列在氣相沉積頭11中，使得硒氣在通往 槽8的路徑中可以被積累并隨后在擴(kuò)展區(qū)中再次擴(kuò)展。該過(guò)程被重復(fù)幾次， 使得硒氣在期望的寬度上分布并接著離開(kāi)氣相沉積頭11通過(guò)槽8進(jìn)入運(yùn) 輸通道6。
不言而喻，必須通過(guò)加熱系統(tǒng)12將氣相沉積頭11恒定地保持在硒的 蒸發(fā)溫度以上。
除了以一個(gè)或多個(gè)槽8形狀的進(jìn)料裝置，將基板3上的運(yùn)輸通道中的 一個(gè)或多個(gè)硫?qū)僭?如硒)涂布頭(沒(méi)有顯示)布置在兩個(gè)鎖4、 5之間的運(yùn)
9輸通道6中的無(wú)氧空間也是可能的。
所述涂布頭構(gòu)造與淋浴器噴頭類似。因此涂布頭是具有許多硒氣流出 口的平+反元件。
作為替代物，涂布頭也可以表現(xiàn)為含有多個(gè)開(kāi)口的簡(jiǎn)易管，通過(guò)開(kāi)口 排出石危屬元素。
硫?qū)僭卦?，即?和氣相沉積頭11中的槽8的供給管溫度必須高 于硫?qū)僭氐恼舭l(fā)溫度，使得氣相硫?qū)僭貜牟?中冒出，并且所述蒸氣 能夠沉積在基板3上。這防止石克屬元素?zé)o目的地沉積在并阻塞槽8。
基板3穿過(guò)一個(gè)或多個(gè)在具有輥?zhàn)拥倪\(yùn)輸裝置2上的槽8的下面，所 述輥?zhàn)釉趥魉蛶Щ驓鈮|上?；?被冷卻，或者處于大約20。C的室溫下， 或者一皮加熱?；?優(yōu)選處于室溫下，其可以通過(guò)氣相沉積頭加熱。加熱 對(duì)于該方法相對(duì)不重要?；?涂敷硫?qū)僭睾?，被送到熱處理爐(沒(méi)有顯 示)中，在此處接著通過(guò)硫?qū)僭亟閷?dǎo)的方式按要求將金屬層轉(zhuǎn)變?yōu)榛衔?半導(dǎo)體層。
通過(guò)一個(gè)提取和處理裝置17將多余的硫?qū)僭?載氣混合物從處理室 1中除去，并且在處理過(guò)程中獲得的固體硫?qū)僭厝缥皇占谑占萜?18中。為此，硫?qū)僭貧?載氣混合物穿過(guò)所稱的硫?qū)僭夭东@器19傳導(dǎo)， 在該捕獲器中，硫?qū)僭剞D(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)物并從此處導(dǎo)入收集容器18。
根據(jù)本發(fā)明的裝置和方法不僅可以使硫?qū)僭爻练e在任何期望的基 板上例如玻璃或硅基板成為可能，而且也能夠毫無(wú)疑問(wèn)地用于任何其他涂 敷目的以及其他可蒸發(fā)的物質(zhì)。
權(quán)利要求
1.在基板上，尤其是在用母體層制備并由任何期望材料組成的平面基板上，優(yōu)選在由浮法玻璃組成的基板上，提供薄層硫?qū)僭氐姆椒?，其特征在?形成防氧關(guān)閉氣相沉積頭(11)中的運(yùn)輸通道(6)的進(jìn)氣側(cè)和出氣側(cè)的氣幕，-向運(yùn)輸通道(6)導(dǎo)入惰性氣體用于置換空氣中的氧，-將要被涂層的一種或多種基板(3)導(dǎo)入到處理室(1)的運(yùn)輸通道(6)中，其中所述基板的溫度被調(diào)節(jié)到預(yù)定的溫度，-將硫?qū)僭貧?載氣混合物從源導(dǎo)入到基板(3)上方的氣相沉積頭的運(yùn)輸通道(6)中，以預(yù)定的壓力通過(guò)PVD方法在基板上形成硒層，和，-經(jīng)過(guò)預(yù)定的處理時(shí)間后移去基板(3)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于在運(yùn)輸通道(6)中設(shè)定為一個(gè)大 氣壓。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于在運(yùn)輸通道(6)中設(shè)定大氣壓。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于在涂敷過(guò)程中基板(3)相對(duì)于氣 相沉積頭(ll)移動(dòng)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其特征在于基板(3)以恒定速度移動(dòng)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l-5任一項(xiàng)的方法，其特征在于基板(3)在被運(yùn)輸?shù)教?理室(1)的運(yùn)輸通道(6)前，被調(diào)節(jié)到200。C以下的溫度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征在于基板(3)被調(diào)節(jié)到2(TC-5(TC的 溫度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其特征在于基板(3)被調(diào)節(jié)到室溫。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1的涂布方法，其特征在于通過(guò)用在處理室(l)中的運(yùn) 輸通道(6)的進(jìn)氣側(cè)和出氣側(cè)上形成的氣幕排出氧氣形成所述涂布方法。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9的涂布方法，其特征在于所述氣幕由惰性氣體形成。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的涂布方法，其特征在于惰性氣體使用稀有氣體。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10的涂布方法，其特征在于稀有氣體使用氬氣。
13. 根據(jù)權(quán)利要求l-12任一項(xiàng)所述的涂布方法，其特征在于硫?qū)僭貧?載氣混合物從氣相沉積頭(ll)直接導(dǎo)入基板(3)的表面。
14. 用于進(jìn)行權(quán)利要求1-8的方法的裝置，其特征在于處理室(l)提供 有運(yùn)輸通道(6),該運(yùn)輸通道被布置到運(yùn)輸平面基板(3)的運(yùn)輸裝置(2)上， 其中，運(yùn)輸通道(6)在進(jìn)氣側(cè)和出氣側(cè)提供有由惰性氣體或稀有氣體組成的 防氧氣幕(4,5)，其中，運(yùn)輸通道(6)裝有在氣幕之間的處理室(1)中的載氣， 并且其中，氣相沉積頭(11)直接布置在運(yùn)輸通道中的基板(3)上方，所述氣 相沉積頭與用于硫?qū)僭貧?載氣混合物的進(jìn)料裝置(7)相連。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的裝置，其特征在于氣相沉積頭(ll)提供有槽-其橫穿基板(3)的運(yùn)輸方向布置，并指向后者-用于運(yùn)輸通道(6)進(jìn)料硫?qū)僭?素氣/載氣混合物。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15的裝置，其特征在于在氣相沉積頭(ll)中在蒸發(fā) 室(9)和槽(8)之間的通道(10)中布置一個(gè)接一個(gè)的多個(gè)壓縮后接擴(kuò)展區(qū)，分 布在所述槽的整個(gè)寬度，使得硒氣/載氣混合物在通向槽(8)的過(guò)程中被多次 壓縮和擴(kuò)展。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14的裝置，其特征在于在氣相沉積頭(ll)構(gòu)造設(shè)計(jì) 為類似噴頭，并提供有多個(gè)流出口。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14-17任一項(xiàng)的裝置，其特征在于包括結(jié)合連接元 件的氣相沉積頭(1 l)和室(9)能夠,皮加熱。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14-18任一項(xiàng)的裝置，其特征在于能夠接觸硫?qū)僭?素氣或硫?qū)僭貧?載氣混合物的所有組件由耐受該混合物的材料如石墨 組成。
20. 根據(jù)權(quán)利要求14-19任一項(xiàng)的裝置，其特征在于處理室(l)和運(yùn)輸 通道(6)中的壓力可以^皮調(diào)整到高真空和大氣壓力之間。
21. 根據(jù)權(quán)利要求14-20任一項(xiàng)的裝置，其特征在于基板(3)可以在運(yùn) 輸裝置(2)上被調(diào)節(jié)到-50"-+100"的溫度。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21的裝置，其特征在于基板(3)可以被調(diào)節(jié)到室溫。
全文摘要
本發(fā)明涉及在基板上，尤其是在用母體層制備并由任何期望材料組成的平面基板上，優(yōu)選地在由浮法玻璃組成的基板上產(chǎn)生薄層形狀的硫?qū)僭氐姆椒ê脱b置。本發(fā)明旨在提供很快速、成本有效的用于在平面基板上涂布硫?qū)僭氐姆椒?，特別是用于涂敷100nm-10μm范圍薄層的硫?qū)僭兀蛘哌@些材料的混合物，以及適于進(jìn)行這樣的方法的裝置。這可以通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn)形成防氧關(guān)閉氣相沉積頭(11)中的運(yùn)輸通道(6)的進(jìn)氣側(cè)和出氣側(cè)的氣幕，向運(yùn)輸通道(6)中導(dǎo)入惰性氣體用于置換空氣中的氧，將要被涂層的一種或多種基板(3)—所述基板的溫度被調(diào)節(jié)到預(yù)定的溫度—導(dǎo)入到處理室(1)的運(yùn)輸通道(6)中，將硫?qū)僭貧?載氣混合物從源引入到基板(3)上方的氣相沉積頭的運(yùn)輸通道(6)中，以預(yù)定的壓力通過(guò)PVD方法在基板上形成硒層，經(jīng)過(guò)預(yù)定的處理時(shí)間后移去基板(3)。
文檔編號(hào)C23C14/06GK101663414SQ200880013112
公開(kāi)日2010年3月3日 申請(qǐng)日期2008年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月11日
發(fā)明者羅伯特·邁克爾·阿通, 萊因哈德·倫茲, 迪特爾·施密德 申請(qǐng)人:森托塞姆光伏股份有限公司