專利名稱：一種蒸鍍工藝用清潔板及采用該清潔板的蒸鍍工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種蒸鍍工藝用裝置及采用該裝置的蒸鍍工藝方法，尤其涉及一種蒸鍍工 藝用清潔板及采用該清潔板的蒸鍍工藝方法。
背景技術(shù)：
蒸鍍作為一種成膜方法，應(yīng)用廣泛，以有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)為例，在全彩元件的 制作上，仍是利用所謂的掩膜(shadowmask)的步進(jìn)式(side by side )移位分別在基底 上蒸鍍上紅、藍(lán)、綠三原色，來形成全彩的元件。圖1顯示現(xiàn)有面板以掩膜進(jìn)行紅、藍(lán)、 綠三原色像素蒸鍍的剖面示意圖，其中圖1同時(shí)顯示了以掩膜的步進(jìn)方式進(jìn)行紅、藍(lán)、綠 三原色有機(jī)材料24、 25、 26蒸鍍?cè)诨?1表面上。如圖1所示，通過熱蒸鍍，有機(jī)電致 發(fā)光材料經(jīng)由掩膜22上的開孔鍍于基板的透明電極23 (—般為ITO電極)表面上。 一般 而言，掩膜22上的開孔尺寸約為100至200微米左右，為保證蒸鍍過程的潔凈程度，原則 上蒸鍍不同材料使用同一掩膜，應(yīng)每蒸鍍一次，將掩膜取出清洗一次，以避免污染；但由 于此舉過程繁復(fù)，嚴(yán)重影響工藝進(jìn)度，因此，掩膜22通常在進(jìn)行數(shù)批產(chǎn)品的蒸鍍后抽出換 新，或者離線進(jìn)行濕式清洗，十分不便，而且掩膜經(jīng)多次清洗，會(huì)嚴(yán)重影響其使用壽命(此 舉亦降低生產(chǎn)效率)。此外，現(xiàn)有OLED面板的制造方法會(huì)產(chǎn)生微顆粒吸附在掩膜22上， 微顆粒并可能造成掩膜22的阻塞.若是微顆粒粘附在掩膜22上，在移位時(shí)即會(huì)產(chǎn)生重復(fù) 性缺陷，此重復(fù)性缺陷在OLED兩電極之間變成一導(dǎo)通路徑，造成電性短路現(xiàn)象，進(jìn)而造 成元件壞死或是不亮。若掩膜22阻塞，則會(huì)產(chǎn)生有機(jī)膜蒸鍍不均的情況。由上可知，現(xiàn)有 OLED面板制作技術(shù)顯然仍有實(shí)際實(shí)施上的缺陷，而猶待進(jìn)一步的改善。
然后，參照?qǐng)D2說明有關(guān)通過有機(jī)發(fā)光材料的蒸鍍形成圖案的方法。首先，圖2為利 用真空蒸鍍裝置進(jìn)行蒸鍍工藝方法示意圖，15為設(shè)于真空蒸鍍裝置中的排氣系統(tǒng)，16為設(shè) 置在真空蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)的支撐臺(tái)，在該支撐臺(tái)16上，載置有由鎳?yán)?Ni)或因瓦 (invar)合金(Fe64Ni36)等磁性材料所形成的掩膜12。在掩膜12的預(yù)定位置上設(shè)置有若
干個(gè)開口部。載置在支撐臺(tái)16上的掩膜12上配置有可上下移動(dòng)的磁鐵14。 ll為插入磁鐵 M與掩膜12之間且被稱為母玻璃的玻璃基板。13為配置在掩膜12下方且可沿著掩膜12 左右移動(dòng)的蒸鍍?cè)?。在圖la中，現(xiàn)在真空蒸鍍裝置的真空腔室內(nèi)通過排氣系統(tǒng)15保持在 真空狀態(tài)。因此，玻璃基板11通過未圖示的搬送機(jī)構(gòu)插入磁鐵14與掩膜12之間。然后， 如圖lb所示，通過搬送機(jī)構(gòu)使玻璃基板11載置在掩膜12上。其次，如圖lc所示，使磁 鐵14向下移動(dòng)至與玻璃基板11的上面相接觸的位置。這樣，掩膜12受到磁鐵14的磁力 而與玻璃基板11的下面、也即圖案形成面密接。其次，如圖ld所示，通過未圖示的移動(dòng) 機(jī)構(gòu)使蒸鍍?cè)?3沿水平方向從玻璃基板11左端移動(dòng)到右端，并同時(shí)通過掩膜12的開口部， 在玻璃基板11的表面進(jìn)行上述有機(jī)發(fā)光材料、陰極的材料(例如鋁)的蒸鍍。在此，蒸鍍 源13由沿著圖ld的紙面垂直方向細(xì)長延伸的坩堝所構(gòu)成，收納于柑堝內(nèi)的蒸鍍材料通過 加熱器加熱而蒸發(fā)。完成蒸鍍后，使磁鐵14朝上方移動(dòng)。這樣，玻璃基板11就通過搬送 機(jī)構(gòu)從掩膜12提起，被傳送至下一工序的作業(yè)位置，而下一基板被傳送至該位置，進(jìn)行同 一材料蒸鍍。這樣，能進(jìn)行有機(jī)發(fā)光元件的圖案形成。然后，當(dāng)在由ITO構(gòu)成的陽極上， 形成空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層時(shí)，采用多腔室方式，在各腔室內(nèi)，通過上述的蒸 鍍方法形成各層的圖案。
申請(qǐng)?zhí)枮?3121600. 5的中國專利申請(qǐng)公開了一種有機(jī)發(fā)光二極管面板的制作方法，其 針對(duì)有機(jī)發(fā)光二極管面板的制作方法中的掩膜(Shadowmask )清潔問題，在制作方法中 插入等離子體干式清潔步驟。提出分別于蒸鍍前和個(gè)別顏色的有機(jī)膜蒸鍍后，利用等離子 體對(duì)掩膜進(jìn)行等離子體清潔。其優(yōu)點(diǎn)是可在短時(shí)間內(nèi)完成掩膜的清潔，確保制作過程可靠 度及產(chǎn)品優(yōu)良率。以等離子體現(xiàn)場(chǎng)清洗掩膜不但可以大幅降低微顆粒的吸附現(xiàn)象，以及其 所造成的重復(fù)缺陷，并可以降低暗點(diǎn)發(fā)生的機(jī)率，同時(shí)也可以減少掩膜的孔洞被阻塞的現(xiàn) 象。但由于該方法實(shí)質(zhì)是削掩膜的表面，會(huì)使得掩膜表面凹凸不平，影響下次蒸鍍效果， 另外，對(duì)微顆粒同樣只是削的作用，對(duì)于稍大的顆粒，并不能完全去除。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用于蒸鍍工藝中提高蒸鍍產(chǎn)品成品率，提高蒸鍍用掩膜利用 率的清潔板。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種提高蒸鍍產(chǎn)品成品率，提高蒸鍍用掩膜利用率的蒸鍍工 藝方法。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明之用于蒸鍍工藝中的清潔板，其 特征在于，單面具有粘性。
所述清潔板不小于掩膜大小。
本發(fā)明的另一目的是通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明之蒸鍍工藝方法包括提供 一被蒸鍍體，及一蒸鍍用掩膜，其特征在于，還包括一單面具有粘性的清潔板，透過掩膜 上的開孔以步進(jìn)方式熱蒸鍍第一材料膜于被蒸鍍體上的第一位置；利用清潔板與掩膜對(duì)應(yīng) 被蒸鍍體的表面接觸，清潔該掩膜；以及透過該經(jīng)清潔過的掩膜上的開孔以步進(jìn)方式熱蒸 鍍第二材料膜于該被蒸鍍體上的第二位置。
本發(fā)明在不改變蒸鍍?cè)O(shè)備的前提下，有效并從根本上去除蒸鍍用掩膜上殘存的雜質(zhì)，從 而降低蒸鍍產(chǎn)品次品率；另外，掩膜經(jīng)過多次清洗，其使用壽命會(huì)大大降低，精確度也會(huì) 隨之降低，本發(fā)明在保證掩膜清潔度的基礎(chǔ)上，盡量減少清洗次數(shù)，以提高其使用壽命， 降低生產(chǎn)成本。


圖1為現(xiàn)有制作全彩有機(jī)電致發(fā)光二極管中以掩膜的步進(jìn)方式進(jìn)行紅、藍(lán)、綠三原色 蒸鍍的示意圖2為現(xiàn)有蒸鍍工藝方法示意圖； 圖3為本發(fā)明清潔板剖視圖4為采用本發(fā)明蒸鍍工藝方法進(jìn)行蒸鍍示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明，為方便說明，實(shí)施例均為蒸鍍彩色有 機(jī)電致發(fā)光器件的紅色、綠色、藍(lán)色發(fā)光材料蒸鍍工藝。 實(shí)施例1
參照?qǐng)D3、 4。本實(shí)施例采用環(huán)形蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行蒸鍍，蒸鍍紅色、綠色、藍(lán)色發(fā)光材料 均在同一蒸鍍腔室內(nèi)進(jìn)行，本實(shí)施例之有機(jī)電致發(fā)光顯示器件器件結(jié)構(gòu)為基板(玻璃)/
陽極(ITO) /空穴傳輸層(NPB) /發(fā)光層(R/G/B) /金屬陰極(Al)，所使用的掩膜清潔板， 參照?qǐng)D3，單面具有粘性，包括一板體本體31及一黏著層32。 本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光顯示器件制作過程為
將己有ITO (150nm)及鉻(160nm)的基板41清洗，經(jīng)過UV清洗和超聲波清洗； 然后進(jìn)行紫外線照射曝光、顯影；然后進(jìn)行刻蝕，刻蝕后進(jìn)行去膠處理，最后用純水清洗， 然后烘干；將已制備好圖形的基板41送到蒸鍍車間。將基板41放入到基片腔室內(nèi)的分層 籃筐內(nèi)的hoder上，腔室關(guān)閉后開始抽真空至lX10—3pa ，之后傳到預(yù)處理腔室，經(jīng)過臭氧 處理，去除基片上的雜質(zhì)，傳入A腔進(jìn)行蒸鍍空穴傳輸層NPB，蒸鍍速率為0.5nm/s，該層 膜厚為50nm，之后蒸鍍發(fā)光材料R/G/B，紅光材料可蒸鍍DCM系列熒光染料DCJTB，其分子 結(jié)構(gòu)如下
蒸鍍速率為0. 5nm/s，膜厚為50nni;蒸鍍？ s后，由擋板將蒸發(fā)源43遮擋，將已蒸鍍 完成紅光材料的基板41取出，傳入掩膜清潔板45，使其位于基板41的位置，保持粘性面 面向掩膜42，對(duì)位后與掩膜42接觸，同時(shí)壓下壓力裝置44,使掩膜清潔板45與掩膜42 充分接觸，數(shù)秒后，抬升壓力裝置44，取出掩膜清潔板45，重新傳入基板41，精確對(duì)位使 掩膜42鏤空部位與需要蒸鍍的綠光材料位置對(duì)應(yīng)后，打開綠光材料蒸鍍?cè)?3，蒸鍍速率為 0. 5nm/s,膜厚為50nm;本實(shí)施例中綠光材料使用喹吖啶系列的N， N-二甲基喹吖啶(DMQA)， 其分子結(jié)構(gòu)如下
<formula>formula see original document page 6</formula>
蒸鍍完成后，由擋板將蒸發(fā)源43遮擋，將已蒸鍍完成紅光、綠光材料的基板41取出， 傳入掩膜清潔板45，使其位于基板41的位置，保持粘性面面向掩膜，對(duì)位后與掩膜42接 觸，同時(shí)壓下壓力裝置44，使掩膜清潔板45與掩膜42充分接觸，數(shù)秒后，抬升壓力裝置 44，取出掩膜清潔板45，重新傳入基板41，精確對(duì)位使掩膜42鏤空部位與需要蒸鍍的藍(lán) 光材料位置對(duì)應(yīng)后，打開藍(lán)光材料蒸鍍?cè)?3，蒸鍍速率為0.5nm/s，膜厚為50nrn;本實(shí)施 例中藍(lán)光材料使用紅熒烯(Rubrene)，其分子結(jié)構(gòu)如下
蒸鍍陰極A1，膜厚15nm。如此器件基板制作完成。 實(shí)施例2
參照?qǐng)D3、 4。本實(shí)施例采用線形蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行蒸鍍，蒸鍍紅色、綠色、藍(lán)色發(fā)光材料 分別在三個(gè)蒸鍍腔室內(nèi)進(jìn)行，本實(shí)施例之有機(jī)電致發(fā)光顯示器件器件結(jié)構(gòu)為基板(玻璃) /陽極(ITO) /空穴傳輸層(NPB) /發(fā)光層(R/G/B) /金屬陰極(Al)。
本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光顯示器件制作過程為
將已有ITO (150nm)及鉻(160nm)的基板41清洗，經(jīng)過UV清洗和超聲波清洗； 然后進(jìn)行紫外線照射曝光、顯影；然后進(jìn)行刻蝕，刻蝕后進(jìn)行去膠處理，最后用純水清洗， 然后烘干；將己制備好圖形的基板41送到蒸鍍車間。將基板放入到基片腔室內(nèi)的分層籃筐 內(nèi)的hoder上，腔室關(guān)閉后開始抽真空至1X10—:iPa ，之后傳到預(yù)處理腔室，經(jīng)過臭氧處理， 去除基片41上的雜質(zhì)，傳入A腔進(jìn)行蒸鍍空穴傳輸層NPB，蒸鍍速率為0. 5nm/s，該層膜 厚為50腦，之后蒸鍍發(fā)光材料R/G/B，紅光材料的蒸鍍?cè)赗腔室進(jìn)行，同環(huán)形蒸堵設(shè)備類 似，R腔室內(nèi)對(duì)位待蒸鍍基片41與掩膜42，降低壓力裝置44，打開紅光材料蒸鍍?cè)?3， 紅光材料可蒸鍍DCM系列熒光染料DCJTB，其分子結(jié)構(gòu)如下
蒸鍍速率為0. 5nm/s，膜厚為50nm;蒸鍍完成后，由擋板將蒸發(fā)源43遮擋，將已蒸鍍 完成紅光材料的基板41取出，傳入下一G腔室，進(jìn)行綠光材料的蒸鍍；而R腔室此時(shí)并不 傳入下一待蒸紅光材料的基板41，而是傳入掩膜清潔板45，使其位于基板41的位置，保 持粘性面面向掩膜42，對(duì)位后與掩膜42接觸，同時(shí)壓下壓力裝置44,使掩膜清潔板45與 掩膜42充分接觸，數(shù)秒后，抬升壓力裝置44，取出掩膜清潔板45，傳入下一待蒸紅光材 料的基板41，過程與上一基板41相同。
而傳入G腔室的待蒸綠光材料的基板41，精確對(duì)位使掩膜42鏤空部位與需要蒸鍍的綠 光材料位置對(duì)應(yīng)后，打開綠光材料蒸鍍?cè)?3，蒸鍍速率為0.5nm/s，膜厚為50nm;本實(shí)施 例中綠光材料使用喹吖啶系列的N， N-二甲基喹吖啶(DMQA)，其分子結(jié)構(gòu)如下
R=4 QA; R=Me, ,A
蒸鍍完成后，由擋板將蒸發(fā)源43遮擋，將已蒸鍍完成紅光、綠光材料的基板41取出， 傳入B腔室，剛剛完成綠光材料蒸鍍的G腔室重復(fù)R腔室的步驟，傳入掩膜清潔板45，使 其位于基板41的位置，保持粘性面面向掩膜42，對(duì)位后與掩膜42接觸，同時(shí)壓下壓力裝 置44，使掩膜清潔板45與掩膜42充分接觸，數(shù)秒后，抬升壓力裝置44，取出掩膜清潔板 45，傳入下一待蒸紅光材料的基板41,精確對(duì)位使掩膜42鏤空部位與需要蒸鍍的藍(lán)光材料 位置對(duì)應(yīng)后，打開藍(lán)光材料蒸鍍?cè)?3，蒸鍍速率為0.5nm/s，膜厚為50nm;本實(shí)施例中藍(lán) 光材料使用紅熒烯(Rubrene)，其分子結(jié)構(gòu)如下
<formula>formula see original document page 9</formula>蒸鍍陰極A1，膜厚15mn。如此器件基板制作完成。 對(duì)比例
本對(duì)比例蒸鍍過程的基本原則為每蒸鍍完一片基板41，即進(jìn)行清潔板45與掩膜42的 接觸，對(duì)掩膜42進(jìn)行清潔，以防止下一基板41被污染。
參照?qǐng)Dl。本對(duì)比例采用環(huán)形蒸鍍?cè)O(shè)備進(jìn)行蒸鍍，蒸鍍紅色、綠色、藍(lán)色發(fā)光材料均在同 --個(gè)蒸鍍腔室內(nèi)進(jìn)行，本實(shí)施例之有機(jī)電致發(fā)光顯示器件器件結(jié)構(gòu)為基板(玻璃)/陽極(ITO) /空穴傳輸層(NPB) /發(fā)光層(R/G/B) /金屬陰極(Al)。
將已有ITO (150nm)及鉻(160;im)的基板ll清洗，經(jīng)過UV清洗和超聲波清洗；然后進(jìn) 行紫外線照射曝光、顯影；然后進(jìn)行刻蝕，刻蝕后進(jìn)行去膠處理，最后用純水清洗，然后烘 干；將已制備好圖形的基板送到蒸鍍車間。將基板放入到基片腔室內(nèi)的分層籃筐內(nèi)的hoder 上，腔室關(guān)閉后開始抽真空至1X10—3Pa ，之后傳到預(yù)處理腔室，經(jīng)過臭氧處理，去除基片ll 上的雜質(zhì)，傳入A腔進(jìn)行蒸鍍空穴傳輸層NPB，蒸鍍速率為0.5nm/s，該層膜厚為50nm，之后蒸 鍍發(fā)光材料R/G/B，紅光材料可蒸鍍DCM系列熒光染料DCJTB，其分子結(jié)構(gòu)如下<formula>formula see original document page 9</formula>
蒸鍍速率為0.5nm/s，膜厚為50nm;蒸鍍完成后，由擋板將蒸發(fā)源13遮擋，抬升壓力裝置 14，取出掩膜12，置入清洗裝置(圖中未示出)，先用液態(tài)清洗劑噴淋致其上附著的有機(jī)物完 全脫落，然后用去離子水或酒精沖凈清洗液。最后用壓縮空氣將水或酒精吹干。在此過程中 設(shè)備所起的作用要保證內(nèi)部潔凈度和所有動(dòng)作不損傷掩膜。之后，將掩膜12重新傳入蒸鍍腔 室，進(jìn)行綠光材料的蒸鍍。
將蒸鍍用掩膜板12移位，使其鏤空部位與將要蒸鍍的綠光材料位置對(duì)應(yīng)，準(zhǔn)確對(duì)位，打 開綠光材料蒸鍍?cè)?3，蒸鍍速率為0.5歷/s，膜厚為50nm;本實(shí)施例中綠光材料使用喹吖啶系 列的N， N-二甲基喹吖啶(DMQA)，其分子結(jié)構(gòu)如下
R=H, QA; R=Me,圃A
蒸鍍速率為0.5nm/s，膜厚為50nm;蒸鍍完成后，由擋板將蒸發(fā)源13遮擋，重復(fù)上述掩膜 12清洗過程，之后，掩膜12被傳入蒸鍍腔室，將蒸鍍用掩膜板12移位，使其鏤空部位與將要 蒸鍍的綠光材料位置對(duì)應(yīng)，準(zhǔn)確對(duì)位，打開綠光材料蒸鍍?cè)?3，蒸鍍速率為0.5nm/s，膜厚為 50nm;本實(shí)施例中綠光材料使用喹吖啶系列的N， N-二甲基喹吖啶(DMQA)，其分子結(jié)構(gòu)如下
之后蒸鍍陰極A1，膜厚15nm。如此器件基板制作完成。
對(duì)比對(duì)比例與實(shí)施例1的制備過程，對(duì)比例每蒸鍍一種材料之后，需將掩膜取出蒸鍍 設(shè)備，進(jìn)入到清洗設(shè)備中進(jìn)行清洗，步驟繁瑣，且極易污染蒸鍍腔室環(huán)境；另外，掩膜經(jīng) 過多次清洗，其使用壽命會(huì)大大降低，精確度也會(huì)隨之降低。
雖然以上描述了本發(fā)明的最佳實(shí)施例，但本發(fā)明的技術(shù)范圍并不局限于上述討論的范圍。 上述提供的實(shí)施例只是僅僅用于進(jìn)一步在發(fā)明內(nèi)容的基礎(chǔ)上解釋本發(fā)明。應(yīng)該理解的是，本 領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)上述過程做出多種改進(jìn)，但是所有的這類改進(jìn)也都屬于本發(fā)明的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種蒸鍍工藝用清潔板，其特征在于，單面具有粘性。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍工藝用清潔板，其特征在于，所述清潔板不小于掩膜 大小。
3. —種采用如權(quán)利要求1所述的清潔板的蒸鍍工藝方法，包括提供一被蒸鍍體， 及一蒸鍍用掩膜，其特征在于，還包括一單面具有粘性的清潔板，透過掩膜上的開孔以步進(jìn) 方式熱蒸鍍第一材料膜于被蒸鍍體上的第一位置；利用清潔板與掩膜對(duì)應(yīng)被蒸鍍體的表面接 觸，清潔該掩膜；以及透過該經(jīng)清潔過的掩膜上的開孔以步進(jìn)方式熱蒸鍍第二材料膜于該被 蒸鍍體上的第二位置。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種蒸鍍工藝用清潔板及采用該清潔板的蒸鍍工藝方法，清潔板單面具有粘性；蒸鍍工藝方法包括提供一被蒸鍍體，及一蒸鍍用掩膜，還包括一單面具有粘性的清潔板，透過掩膜上的開孔以步進(jìn)方式熱蒸鍍第一材料膜于被蒸鍍體上的第一位置；利用清潔板與掩膜對(duì)應(yīng)被蒸鍍體的表面接觸，清潔該掩膜；以及透過該經(jīng)清潔過的掩膜上的開孔以步進(jìn)方式熱蒸鍍第二材料膜于該被蒸鍍體上的第二位置。本發(fā)明在不改變蒸鍍?cè)O(shè)備的前提下，有效并從根本上去除蒸鍍用掩膜上殘存的雜質(zhì)，從而降低蒸鍍產(chǎn)品次品率；另外，掩膜經(jīng)過多次清洗，其使用壽命會(huì)降低，精確度也會(huì)隨之降低，本發(fā)明在保證掩膜清潔度的基礎(chǔ)上，盡量減少清洗次數(shù)，以提高其使用壽命。
文檔編號(hào)C23C14/24GK101338410SQ200710023738
公開日2009年1月7日 申請(qǐng)日期2007年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月6日
發(fā)明者粵 徐, 勇 邱, 高裕弟 申請(qǐng)人:昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司;清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司