專利名稱：基材上的保護涂層及其制備方法
相關(guān)申請的交叉引用本申請要求于2004年7月7日提交、序列號為60/586059的美國臨時申請的權(quán)益。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體工業(yè)中，通常將裝置暴露于高溫下的腐蝕環(huán)境，諸如氨、氫和鹵素中。這種裝置的實例包括基材、襯里、蒸發(fā)器、坩堝、加熱元件、靜電卡盤(electrostatic chucks)、晶片載體、襯托器(susceptor)等等。就計算機集成電路(例如電腦芯片)的生產(chǎn)而言，通常將稱作靜電卡盤(ESC)的裝置用于支撐例如晶片等基材，在該工藝中，可以選擇性地對材料層進行沉積和從晶片上除去。
在晶片涂覆過程中，一些涂覆于晶片或芯片的材料也沉積在沉積室內(nèi)的裝置上。這就需要周期性地清洗該裝置，通常這是使用高能氣體等離子體進行處理的。腐蝕性的清潔劑通常使用例如三氟化氮(NF3)的帶鹵素的氣體來產(chǎn)生氟等離子體，其雖然清潔了該室，但是同時會侵蝕該裝置的部件，引起腐蝕。這一腐蝕限制了部件和裝置的使用壽命。因此，通過使用耐用的保護涂層來延長部件和裝置的使用壽命是合乎需要的。
日本公開專利申請?zhí)朖P62-123094A2公開了使用由熱化學(xué)氣相沉積法(CVD)形成于高純碳基材料基材上的AlN涂層的襯托器。日本公開專利申請?zhí)朒06-061335公開了一種具有保護涂層的靜電卡盤，該涂層包括AlN、Al2O3、AlON，并通過包括濺射法、離子電鍍法和CVD法的方法進行沉積，以保護置于下面的PBN層。PBN相對鹵素氣體和鹵素等離子體沒有抗腐蝕性能?，F(xiàn)有技術(shù)的保護涂層中，在涂層上已顯示出開裂，從而通常導(dǎo)致超過每分鐘5000埃(/min)的刻蝕速度。在現(xiàn)有技術(shù)的保護涂層中也會經(jīng)歷剝落。
對于多層結(jié)構(gòu)來說，膜內(nèi)應(yīng)力的測量使用了現(xiàn)有技術(shù)中的公知技術(shù)，例如在″Mechanical Properties of Thin Films，″W.D.Nix，MetallurgicalTransactions A，20A，2217(1989)；″The Mechanical Properties of ThinCondensed Films″R.W.Hoffman，Physics of Thin Films，Vol 3，Academic Press，New York，1966和P.H Townsend等人，J.Appl.Phys.62，4438(1987)中所闡述的。對于AlN涂膜來說，殘余(機械)應(yīng)力是由于AlN和基材之間的CTE(熱膨脹系數(shù))失配而產(chǎn)生的應(yīng)力和所沉積的AlN的內(nèi)部應(yīng)力的總和。膜的總機械應(yīng)力或殘余應(yīng)力可通過下述公式(1)加以概括應(yīng)力(殘余)s＝應(yīng)力sT(熱)+應(yīng)力si(內(nèi)部)(1)該等式中，si是內(nèi)部應(yīng)力，其是薄膜生長條件和方法的根本結(jié)果，并在很大程度上是膜結(jié)構(gòu)和雜質(zhì)存在的反映。術(shù)語sT系指由于膜與基材之間的CTE失配而產(chǎn)生的熱應(yīng)力。熱應(yīng)力sT依賴于各種因素，包括基材的CTE，保護膜的CTE，加工溫度(Tdep)和參考溫度(Tref)，該參考溫度可以是室溫或者是在所考慮的操作條件下裝置的溫度。
對于pBN基材上的AlN涂層來說，因為與包括例如氮化鋁、氧氮化鋁和其類似物等保護層的材料相比，PBN是一種具有低熱膨脹系數(shù)的材料，所以在高溫下制備并再在室溫下冷卻的保護層內(nèi)會形成有強的拉伸應(yīng)力。由于這一原因，在現(xiàn)有技術(shù)的工藝中形成的保護層內(nèi)預(yù)期會開裂和剝落。
因此，仍然需要使用于腐蝕環(huán)境中的裝置的保護涂層，其能牢固地附著到置于下面的基材上，該裝置例如是晶片支撐裝置，諸如ESC，襯托器，加熱器等等。也需要用于包括PBN、石墨或其組合的基材的保護涂層，以便在鹵素氣體/鹵素等離子體環(huán)境中具有優(yōu)異的抗腐蝕性能。
發(fā)明概述本發(fā)明涉及一種基材上的保護涂層及其制備方法。在一實施方式中，本發(fā)明涉及一種用于涂覆裝置的至少一個表面的保護涂層，該裝置使用于含鹵素的氣體和/或等離子體的環(huán)境中，該保護涂層具有小于280MPa的壓應(yīng)力，其中，所述表面包括熱解氮化硼、石墨、熱解石墨和它們的組合之一。
本發(fā)明進一步涉及一種用于涂覆裝置的至少一個表面的保護涂層，該裝置使用于含鹵素的氣體和/或等離子體的環(huán)境中，其中，當(dāng)設(shè)置在基材上時，該保護涂層處在大于或等于約50kg/cm2的壓應(yīng)力下，并且，其中通過Ar流速小于6sccm的反應(yīng)性離子電鍍法將涂層沉積在該裝置的表面上。在本發(fā)明的一個實施方式中，將Ar流速保持在0sccm。
最后，本發(fā)明涉及包括前述保護涂層的制品，以及由前述制備保護涂層的方法生產(chǎn)的制品。
附圖簡述

圖1例示了使用本發(fā)明的保護涂層的制品，即靜電卡盤的一實施方式的剖面圖。
圖2顯示了三張AlN涂層的照片，圖(a)是顯示由熱CVD法形成的AlN保護層(a)的掃描電子顯微(SEM)像。圖(b)是顯示由離子電鍍法形成的AlN層(b)的SEM像，其中Ar流速保持在大約15sccm。圖(c)是顯示由離子電鍍法形成的AlN層(c)的SEM像，Ar流速保持在0sccm。
圖3是例示離子電鍍法中AlN保護涂層的壓應(yīng)力與Ar流速之間的關(guān)系圖。
圖4包含兩幅圖，顯示了在拉應(yīng)力(a)和壓應(yīng)力下保護層的性能。
圖5是比較由本發(fā)明實施方式之一的離子電鍍法制備的AlN層與相對照的由其它方法形成的包括pBN和燒結(jié)AlN表面的保護層的柱狀圖。
優(yōu)選實施方式詳述如本文使用的術(shù)語“第一”、“第二”等等并不表示任何的順序和重要性，而只是用來將一個元件與另一個相區(qū)別，且術(shù)語“the”、“a”和“an”并不是表示數(shù)量的限定，而只是表示存在至少一個所涉及的名目。而且，本文公開的所有范圍都包括端值在內(nèi)，并且可獨立地進行組合。
如本文中所使用的，可將近似的術(shù)語用來修飾任何定量的表述，該表述可以進行變化而不會導(dǎo)致與其相關(guān)的基本功能的改變。因此，有時候用一個術(shù)語或多個術(shù)語，例如“大約”和“基本上”所修飾的數(shù)值并不限制于確定的精確數(shù)值上。至少在一些情況下，該近似的術(shù)語可能對應(yīng)了測量數(shù)值的設(shè)備的精確度。
如本文所用的，“基材”(“substrate”)或“多個基材”(“substrates”)可與“表面”(“surface”)或“多個表面”(“surfaces”)相互替換。
如本文所用的，“保護涂層”可與“涂層”或“涂膜”或“保護層”或“保護涂膜”相互替換。
如本文所用的，“無裂縫”或“基本上無裂縫”意指用10K的放大倍數(shù)借助光學(xué)顯微鏡或SEM觀察不到裂縫。裂縫(cracks)也包括空洞(holes)、穿孔(perforations)、微孔(pores)或裂紋(lines)。
粘合(adhesion)意指兩種不同的材料相粘接，而內(nèi)聚(cohesive)意指抗分開的一塊物質(zhì)。如本文所用的，具有優(yōu)異的粘合性或者具有無剝落的層或不會剝落的涂層的意思是指該涂層的粘合強度超過了置于下方的層或多個層的內(nèi)聚強度。通過使Tdep接近Tref，或者為一給定的固定δCTE(Delta CTE)而調(diào)整內(nèi)部應(yīng)力來降低在溫度Tref的應(yīng)力，其中應(yīng)力ST(熱)與((CTE基材-CTE膜)*(Tdep-Tref))成正比。
如現(xiàn)有技術(shù)中所公知的，膜內(nèi)應(yīng)力或機械應(yīng)力是在例如AlN的涂膜面內(nèi)作用在該膜橫截面的每單位面積上的力。該機械應(yīng)力性質(zhì)上可以是壓縮的或者是拉伸的。壓應(yīng)力可阻止裂縫的形成，從而增加制品的使用壽命。
在一實施方式中，本申請涉及了一種包括保護涂層的制品，該制品可有利地用于高溫下包含氨、氫和鹵素的苛刻的半導(dǎo)體制造環(huán)境中。在集成電路、半導(dǎo)體、硅片、化合物半導(dǎo)體晶片、液晶顯示設(shè)備和其玻璃襯底等的制備過程中，這些經(jīng)涂覆的制品可有利地用作靜電卡盤、加熱元件和晶片載體。
涂層特征 保護涂層包括AlN、AlON或其組合的至少之一。在一實施方式中，該保護涂層是AlN、AlON或其組合的單層。在另一實施方式中，它是經(jīng)連續(xù)涂覆的多層，或者是相同材料，例如AlN、AlON等的多個涂層，或者是AlN、AlON等的多個不同的層。
在一實施方式中，其上沉積該保護涂層的基材包括氮化硼(BN)、熱解氮化硼(PBN)、或摻碳熱解氮化硼(C-PBN)、石墨、熱解石墨(pG)或其組合。
當(dāng)設(shè)置在基材上時，該保護涂層也有利地處在壓應(yīng)力的狀態(tài)，從而便于保留尺寸穩(wěn)定性和機械強度，以及裂縫數(shù)量的減少。與由諸如熱化學(xué)氣相沉積法等方法制備的其它保護涂層相比，該保護涂層也具有顯著減少的裂縫數(shù)量。在一實施方式，該保護涂層具有與基材極好的粘合性并且沒有裂縫。減少的裂縫數(shù)量以及涂層的形態(tài)使裝置的周期性清洗過程中基材的任何刻蝕減到最小。
當(dāng)施用于基材上時，本發(fā)明的保護涂層顯著地增加了制品的壽命周期。壽命周期是指制品在作為保護涂層刻蝕掉的結(jié)果而不得不被替換之前所能經(jīng)受清洗環(huán)境的時間數(shù)量。合適的清洗環(huán)境實例包括鹵素基等離子體、產(chǎn)生自遠程等離子源的鹵素基基團、經(jīng)熱分解的鹵素基物質(zhì)、鹵素基氣體、氧等離子體、氧基等離子體等等。鹵素基等離子體的一個實例是三氟化氮(NF3)等離子體。諸如實例四氟化碳(CF4)的氟代烴可單獨地加以使用或者與氧結(jié)合使用。該制品也可以經(jīng)受反應(yīng)性的離子刻蝕環(huán)境，并且在這種環(huán)境中也應(yīng)該能提供抗刻蝕性。
在一實施方式中，與具有無保護的PBN作為基材的制品相比，該保護涂層將制品的壽命周期增加了大于或等于約5個小時的時間段。在一實施方式中，與具有無保護的PBN的相似制品相比，該保護涂層將制品的壽命周期增加了大于或等于約10個小時的時間段。在另一實施方式中，與具有無保護的PBN的相似制品相比，該保護涂層將制品的壽命周期增加了大于或等于約50個小時的時間段。在又另一實施方式中，與具有無保護的PBN的相似制品相比，該保護涂層將制品的壽命周期增加了大于或等于約100個小時的時間段。
保護涂層的厚度可依賴于應(yīng)用和清洗環(huán)境加以變化。雖然厚度約1-5μm的保護涂層通常允許在晶片和靜電卡盤之間有良好的熱接觸，但是并不能與具有較大厚度的涂層持續(xù)的一樣長。然而，厚度大于5μm的涂層比厚度小于5μm的涂層要具有較長的壽命周期。在一實施方式中，該涂層的厚度大于或等于約2微米(μm)。在另一實施方式中，該保護涂層的厚度大于或等于約10μm。在第三實施方式中，該保護涂層的厚度大于或等于約50μm。在又一實施方式中，該保護涂層的厚度大于或等于約75μm。
正如現(xiàn)有技術(shù)中所公知的，保護涂膜或涂層中的壓應(yīng)力會阻止裂縫的形成，因而增加了制品的使用壽命。當(dāng)沉積在包括PBN、PG或C-PBN的基材上時，本發(fā)明的保護涂層通常就處在壓應(yīng)力下。
在一實施方式中，該保護膜的壓應(yīng)力小于300Mpa。在第二實施方式中，該膜的壓應(yīng)力小于280Mpa。在第三實施方式中，該膜的壓應(yīng)力小于250Mpa。
該壓應(yīng)力允許保護涂層經(jīng)受熱循環(huán)而沒有裂縫。該保護涂層具有極少的裂縫，該特點提供了顯著的抗刻蝕性能。在一實施方式中，起始保護涂層可能具有裂縫，所述裂縫所占的體積要小于涂層總體積的10％。在另一實施方式中，起始保護涂層可能具有裂縫，所述裂縫所占的體積要小于涂層總體積的5％。在又一實施方式中，當(dāng)其最初制備成時，該保護涂層可以是完全沒有裂縫的。
該保護涂層的特點是，在包括鹵素的環(huán)境中或者當(dāng)暴露于等離子體刻蝕、反應(yīng)性離子刻蝕、等離子凈化和氣體凈化時，其具有耐蝕性，或者具有低的刻蝕速度。該保護涂層的刻蝕速度要比經(jīng)燒結(jié)的相同化學(xué)組成的涂層低得多。該保護涂層的刻蝕速度也低于PBN基材的刻蝕速度。這一低的刻蝕速度為PBN提供了保護，因而延長了制品的壽命。在一實施方式中，該刻蝕速度小于100埃/分鐘(/min)。在第二實施方式中，在該刻蝕速度小于50埃/分鐘(/min)。在第三實施方式中，在包含鹵素的清洗環(huán)境中或者當(dāng)暴露在反應(yīng)性離子刻蝕環(huán)境時，該速度小于或等于約40埃/分鐘(/min)。
沉積保護涂層的方法-IP 使用離子電鍍(IP)對保護涂層進行沉積。在離子電鍍中，使用射頻(RF)放電將鋁電離。電離和等離子體主要是通過由氮氣形成的氮離子加以維持。由等離子體放電產(chǎn)生電離，該電離不僅僅能通過射頻(RF)線圈加以維持，而且也能通過使用電容耦合等離子體或電感耦合等離子體加以維持。通常將沉積發(fā)生的室保持在真空條件下。將氮氣導(dǎo)入該室中，并通過射頻(RF)放電電離。通常將基材放置在陰極上或其附近，以導(dǎo)引電離氣體。將基材連同鋁金屬一起放置在氬氣/氮氣等離子體中，其加熱蒸發(fā)，并當(dāng)其擴散通過放電區(qū)域時變得部分電離(獲得帶電原子)，以形成保護涂層。
在離子電鍍過程中，將室內(nèi)的溫度保持在小于或等于約400℃。離子電鍍過程中的沉積速度要大于或等于約0.1μm/h。在一實施方式中，沉積速度大于或等于約0.15μm/h。在另一實施方式中，沉積速度大于或等于約0.2μm/h。在又一實施方式中，沉積速度大于或等于約0.25μm/h。
在離子電鍍方法中，可以將惰性氣體/非反應(yīng)性氣體，例如氬氣，導(dǎo)入到真空反應(yīng)器中。申請人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，對于無裂縫/最少或者無剝落(在涂層和PBN/PG基材之間的強粘合強度)的抗腐蝕性保護層來說，通過控制反應(yīng)器中的氬氣流量，可以對保護涂層的抗腐蝕性能加以控制。
在離子電鍍法的一實施方式中，當(dāng)氬氣流量減少到10sccm時，沿整個保護層有一些明顯的剝落。當(dāng)氬氣流量減少到5sccm時，在保護涂層的某個部分內(nèi)可觀察到剝落。在其中的氬氣流量保持在低于6sccm的實施方式中，該保護涂層顯示出小于280Mpa的壓應(yīng)力，并且很少或沒有剝落。在另一實施方式中，為獲得粘合到基材上(無剝落)且具有小于250Mpa壓應(yīng)力的無裂縫保護涂層，將氬氣流速保持在0sccm。
本發(fā)明的應(yīng)用 該保護涂層可有利用于半導(dǎo)體的加工部件，例如基材、襯里、蒸發(fā)器、坩堝、加熱元件、晶片載體、靜電卡盤、襯托器等。當(dāng)這些部件暴露于溫度大于或等于約200℃下的氨，氫和例如氟、氯、三氟化氮等鹵素中時，該保護涂層增加了前述半導(dǎo)體加工部件的壽命。
圖1例示了使用本發(fā)明保護涂層的制品的剖面圖。該制品可以是加熱元件、靜電卡盤或晶片載體，在晶片上沉積表面層的過程中可將它們用于定位和/或加熱硅晶片。在一實施方式中，制品8是靜電卡盤。該制品包括大約10mm的石墨芯1。該芯也可以由PBN、熱壓BN或復(fù)合材料制成。設(shè)置于石墨芯上的是約300μm的熱解氮化硼層(BN)2。在一實施方式中，該pBN層2可通過熱化學(xué)氣相沉積法(熱CVD)、熱壓法、燒結(jié)法或等離子增強化學(xué)氣相法(PECVD)加以沉積。
沉積在BN層2上的是熱解石墨(PG)層，該PG層通過化學(xué)氣相沉積法(CVD)或現(xiàn)有技術(shù)中的其它已知方法沉積到BN層2上。將該PG層加工成理想結(jié)構(gòu)，形成在制品上表面的卡盤電極3和在下表面的加熱電極(4)。經(jīng)加工的PG層3和4，連同第一pBN層2和石墨基材1一起形成制品的基體5。將熱解氮化硼(PBN)涂層6設(shè)置在制品基體上，以使其基本上覆蓋制品的基體。該pBN涂層6是在相對于1摩爾三氯化硼，具有3摩爾氨和2.4摩爾甲烷氣體的減壓壓力下，于1850℃的熱CVD爐內(nèi)加以制備的。在基體5的整個表面上，形成厚度約100μm的摻碳PBN絕緣層6，其電阻率為2.8×1012Ω-cm。
該PBN涂層6抗氧化，且提供電絕緣、化學(xué)和機械保護，并使晶片碳污染的機會最小。它在a-b方向上也具有很高的熱導(dǎo)率，從而使加熱器頂部上的任何熱量的不均勻性最小。然后在該PBN涂層6上設(shè)置AlN保護涂層7。
在一實施方式中，為了給靜電卡盤提供保護，以用于甚至腐蝕性的環(huán)境，例如鹵素氣體和/或鹵素等離子氣氛中，將AlN涂層7在反應(yīng)性離子電鍍過程中施用于靜電卡盤8之上，其中氬流速分別保持在0sccm(無氬氣)、5sccm、10sccm和15sccm。在離子電鍍過程中，氮和鋁在約400℃下進行反應(yīng)，形成相對鹵素氣體和鹵素等離子體具有抗腐蝕性能的本發(fā)明AlN保護層7。
作為對照靜電卡盤的比較實施例，使用熱CVD法在950℃下形成AlN保護層，而代替使用通過離子電鍍法的AlN保護涂層。圖2(a)-2(c)是SEM(掃描電子顯微鏡)照片，對本發(fā)明的AlN保護層與現(xiàn)有技術(shù)經(jīng)熱CVD制備的AlN涂層進行了比較。
圖2(a)顯示了由熱CVD法形成的AlN中的裂縫，證實了在腐蝕性環(huán)境中，使用該涂層是不現(xiàn)實的。圖2(c)是顯示由離子電鍍法形成的AlN涂層的SEM像，其中，氬流速減小為0，因而形成無裂縫的AlN層且沒有變形。圖2(b)顯示了當(dāng)氬流速減少到15sccm時的SEM像，盡管有一些剝落的出現(xiàn)，但是AlN層仍然沒有裂縫。
圖3是例示離子電鍍過程中AlN保護層的壓應(yīng)力與氬流速之間的關(guān)系圖。在一實施方式中，當(dāng)氬流量減小為0sccm時，其中形成的AlN保護層7的厚度為0.5μm，楊氏模量值為130GPa，由偏位法測量的泊松比為0.28，經(jīng)測量的壓應(yīng)力為248Mpa。當(dāng)氬流速保持在5sccm時，經(jīng)測量的壓應(yīng)力為267Mpa。當(dāng)氬流速設(shè)置在10sccm時，壓應(yīng)力為344Mpa。最后，當(dāng)氬氣流速為15sccm時，壓應(yīng)力為360Mpa。
應(yīng)該注意的是，由CVD法形成的AlN保護層，其SEM示于圖2(a)中，因為所有的樣品都顯示了裂縫的存在，所以不能測量出壓應(yīng)力。
圖4包括兩幅圖，顯示了在拉應(yīng)力(a)和壓應(yīng)力下保護層的性能。如前述，在現(xiàn)有技術(shù)由熱CVD法形成且發(fā)生裂縫的AlN涂層中，與包括諸如氮化鋁、氧氮化鋁或類似物等的保護層的材料相比，pBN的熱膨脹系數(shù)要小。因為熱膨脹系數(shù)的差異，所以有強烈的拉應(yīng)力，這一殘余拉應(yīng)力超過保護層自身的拉伸強度，使保護層斷裂，因而引起裂縫。這種情況示于圖4(a)中。如圖4(b)中所示，在由離子電鍍法形成的AlN保護層中，會形成壓應(yīng)力，從而減少或消除了裂紋的發(fā)生。
圖5是由離子電鍍法所形成的本發(fā)明AlN涂層與其他的保護表面的抗腐蝕性能比較圖，將該抗腐蝕性能作為在NF3等離子氣氛下的刻蝕速度加以例示，速度越低，抗腐蝕性能越高。在圖中，對由氬流量為0sccm的離子電鍍法形成的AlN保護層中所測的刻蝕速度，與燒結(jié)AlN、熱CVD法的PBN和硅晶片中所測的刻蝕速率進行了比較。本發(fā)明的離子電鍍AlN的刻蝕速度為4.8/min，作為對比，燒結(jié)AlN中的速率為33/min，硅晶片中為455/min，pBN中為大于10000/min。
權(quán)利要求
1.一種保護層，用來涂敷用于含鹵素氣體和/或等離子體環(huán)境的制品的至少一個表面，其中所述的至少一個表面包括熱解氮化硼、石墨、熱解石墨和其組合中的一種，其特征在于，所述保護層具有小于280Mpa的壓應(yīng)力。
2.如權(quán)利要求1所述的保護層，其特征在于，所述保護層具有小于250Mpa的壓應(yīng)力。
3.如權(quán)利要求1-2任一項所述的保護層，其特征在于，所述保護層包括氮化鋁、氧氮化鋁和其組合之一。
4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的保護層，其特征在于，將所述保護層通過離子電鍍法沉積到所述制品的至少一個表面上。
5.如權(quán)利要求1-4任一項所述的保護層，其特征在于，離子電鍍法包含作為非反應(yīng)性氣體的氬氣且其中的氬氣流量保持在低于10sccm的速度。
6.如權(quán)利要求1-5任一項所述的保護層，其特征在于，所述表面包括熱解氮化硼。
7.如權(quán)利要求1-6任一項所述的保護層，其具有3-200μm之間的厚度。
8.如權(quán)利要求1-7任一項所述的保護層，其特征在于，所述涂層基本上無裂縫。
9.如權(quán)利要求1-8任一項所述的保護層，當(dāng)暴露于含鹵素氣體和/或等離子體環(huán)境時，其耐刻蝕速度小于50/min。
10.一種包括如權(quán)利要求1-9任一項所述的保護涂層的制品。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種壓應(yīng)力小于280MPa的保護涂層，該涂層可用在使用于諸如含鹵素氣體或鹵素等離子體氣氛等腐蝕環(huán)境中的裝置，例如用在半導(dǎo)體加工裝配件中的晶片支撐裝置，譬如靜電卡盤，加熱器等等。在一實施方式中的保護涂層無裂縫且具有小于250MPa的壓應(yīng)力。將其通過離子電鍍法沉積在裝置的至少一個表面上，其中Ar流速保持在低于5sccm，為得到無裂縫的保護層，一個實施方式的Ar流速保持在0sccm。
文檔編號C23C16/458GK101048531SQ200580029774
公開日2007年10月3日 申請日期2005年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月7日
發(fā)明者江畑俊樹, 守川友治 申請人:通用電氣公司