專利名稱：帶有鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的三極碳納米管場致發(fā)射平面顯示器及其制作工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于真空科學(xué)技術(shù)、平面顯示技術(shù)、微電子技術(shù)、大規(guī)模集成電路技術(shù)以及納米科學(xué)技術(shù)的相互交叉領(lǐng)域，涉及到場致發(fā)射平板顯示器的器件制作，具體涉及到碳納米管陰極的三極結(jié)構(gòu)場致發(fā)射顯示器的器件制作方面的內(nèi)容，特別涉及到帶有鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的、碳納米管陰極的、三極結(jié)構(gòu)的場致發(fā)射平面顯示器件的制作工藝。
背景技術(shù)：
對于利用碳納米管作為陰極材料的場致發(fā)射平面顯示器件來說，顯示圖像質(zhì)量的好與壞是整體顯示器件制作成功與否的關(guān)鍵指標(biāo)之一。而實(shí)現(xiàn)碳納米管陰極能夠均勻、穩(wěn)定的發(fā)射大量的電子，對陽極面板上的熒光粉發(fā)光層進(jìn)行高能量轟擊，這是顯示良好顯示圖像的前提條件。碳納米管是一種特殊的冷陰極材料，能夠僅僅在外界電壓的作用下發(fā)射大量的電子，這是由于其特殊的結(jié)構(gòu)造型而決定的。在將碳納米管制作成陰極材料的過程中，受到具體制作工藝，制作漿料等各種因素的影響，其場致發(fā)射電子的能力已經(jīng)下降了許多，但這又是其所必需經(jīng)歷的過程。那么，如何采取有效的措施，能夠讓大面積的碳納米管陰極實(shí)現(xiàn)均勻、穩(wěn)定的發(fā)射電子，是研究人員們所面臨的一個(gè)現(xiàn)實(shí)問題。
對于印刷到陰極面板上的碳納米管陰極來說，其場致發(fā)射電子的能力要受到多種因素的影響，諸如碳納米管陰極導(dǎo)電層電阻阻值的影響，碳納米管陰極與陰極面板的附著力大小的影響，同一碳納米管陰極在不同外界條件下發(fā)射能力的變化，等等。隨著器件顯示面積的增大，相應(yīng)的位于同一導(dǎo)電層上碳納米管陰極的數(shù)量也在不斷的增加。對于距離相近的碳納米管陰極來說，由于受到外界因素的影響，其對應(yīng)的熒光粉的發(fā)光程度也有可能所有區(qū)別，這就需要進(jìn)行額外的電學(xué)調(diào)節(jié)，期望讓發(fā)光亮度比較弱的碳納米管陰極施加稍微高一些的電壓，發(fā)射更多的電子，提高該像素點(diǎn)的亮度，而讓發(fā)光亮度比較高的碳納米管陰極上的電壓稍微低一些，降低該像素點(diǎn)的亮度。而對于諸如此列問題還沒有得到完美的解決方案。
在盡可能不影響碳納米管陰極的場致電子發(fā)射能力的前提下，在引入改善處理工藝的同時(shí)，還需要進(jìn)一步降低器件的制作成本，能夠進(jìn)行大面積的器件制作，器件制作過程免于復(fù)雜化，有利于進(jìn)行商業(yè)化的大規(guī)模生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述場致發(fā)射顯示器中存在的缺點(diǎn)而提供一種帶有多晶硅鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的、制作過程穩(wěn)定可靠、結(jié)構(gòu)簡單、成品率高、成本低廉的帶有鎮(zhèn)流電阻的三極碳納米管場致發(fā)射平面顯示器及其制作工藝。
本發(fā)明包括有陰極面板、陽極面板以及玻璃圍框所構(gòu)成的密封真空腔，陽極面板上有銦錫氧化物薄膜導(dǎo)電層和熒光粉層，控制柵極，在陰極面板上制備有碳納米管陰極導(dǎo)電層，鎮(zhèn)流電阻層以及碳納米管陰極，在每一個(gè)像素點(diǎn)下對應(yīng)的碳納米管陰極都設(shè)置有一個(gè)鎮(zhèn)流電阻。本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的固定位置為安裝固定在陰極面板上；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的襯底材料為大型、具有相當(dāng)良好的耐熱性和可操作性、成本低廉的高性能絕緣材料；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中的襯底材料為玻璃，如鈉鈣玻璃，硼硅玻璃；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中的襯底玻璃上有錫銦氧化物薄膜層；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中的錫銦氧化物薄膜層可以通過光刻工藝來完成實(shí)現(xiàn)一定的圖案；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中需要在襯底材料玻璃上存在一個(gè)金屬導(dǎo)電層；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電金屬層可以采用濺射或者蒸鍍工藝來完成；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電金屬層可以為金屬鉻、鎳、金、銀、鋁層；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電金屬層可以采用光刻工藝來完成制作相應(yīng)的圖案；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中需要在導(dǎo)電金屬層上制作摻雜多晶硅層；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中的摻雜多晶硅層可以制作一層，也可以制作多層；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中的摻雜多晶硅層可以通過常規(guī)刻蝕工藝來完成制作相應(yīng)的圖案；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中的錫銦氧化物薄膜層和摻雜多晶硅層是相互連通的，但是和導(dǎo)電金屬層之間是相互絕緣的；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中的碳納米管陰極可以直接印刷在摻雜多晶硅層上面，也可以印刷在與摻雜多晶硅相連的錫銦氧化物層上面；本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)由襯底材料玻璃、錫銦氧化物導(dǎo)電條、金屬引線、摻雜多晶硅構(gòu)成。
本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)采用如下的工藝進(jìn)行制作1)襯底材料玻璃[1]的準(zhǔn)備對整體襯底材料玻璃進(jìn)行劃片，形成符合要求的形狀；2)錫銦氧化物薄膜層的制備在襯底材料玻璃[1]上制備出一層錫銦氧化物薄膜層；3)錫銦氧化物導(dǎo)電條[2]的制作按照錫銦氧化物層掩模版圖案的要求，結(jié)合光刻工藝，將錫銦氧化物薄膜層制作成所需要圖案的導(dǎo)電條[2]；4)金屬層的制作在整體襯底玻璃上再次蒸鍍上一層鉻層；
5)金屬引線[3]的制作按照鉻金屬層掩模版圖案的要求，結(jié)合光刻工藝，將鉻層制作成所需要圖案的金屬引線[3]，需要金屬引線和錫銦氧化物層不連接；6)摻雜多晶硅層的制作在襯底玻璃上面濺射上一層摻雜多晶硅層；7)摻雜多晶硅[4]圖案的制作按照摻雜多晶硅掩模版圖案的要求，結(jié)合常規(guī)的刻蝕工藝，將摻雜多晶硅層制作成所需要的圖案，需要摻雜多晶硅和錫銦氧化物層相連接；8)玻璃表面的處理對整體玻璃表面進(jìn)行清潔處理，除掉雜質(zhì)。
本發(fā)明中的帶有鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的碳納米管陰極場致發(fā)射平板顯示器按照如下的工藝進(jìn)行制作1、陰極板的制作1)碳納米管陰極[5]的印刷結(jié)合絲網(wǎng)印刷工藝，將碳納米管[5]印刷在襯底玻璃[1]的錫銦氧化物薄膜[2]層上，形成用于發(fā)射電子的碳納米管[5]陰極；2)碳納米管[5]陰極的后處理對印刷后的碳納米管[5]陰極進(jìn)行后處理，以改善碳納米管的場致發(fā)射特性。
2、陽極面板的制作
1)清潔平板玻璃[6]，除掉表面雜質(zhì)；2)在平板玻璃[6]上蒸鍍一層錫銦氧化物[7]薄膜；3)對錫銦氧化物[7]薄膜進(jìn)行光刻，形成一定圖案的導(dǎo)電條；4)結(jié)合絲網(wǎng)印刷工藝，在導(dǎo)電條的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料[8]層，用于防止寄生電子發(fā)射；經(jīng)過烘烤(烘烤溫度150℃，保持時(shí)間5分鐘)之后，放置在燒結(jié)爐中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)(燒結(jié)溫度580℃，保持時(shí)間10分鐘)；5)結(jié)合絲網(wǎng)印刷工藝，在導(dǎo)電條上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層[9]；在烘箱當(dāng)中進(jìn)行烘烤(烘烤溫度120℃，保持時(shí)間10分鐘)；6)制作出陽極引線[10]3、控制柵極[11]的制作在裁減后的天然云母片上制作出通道孔；按照設(shè)計(jì)要求，結(jié)合絲網(wǎng)印刷工藝，將銀漿印刷在通道孔的周圍，經(jīng)過烘烤(烘烤溫度150℃，保持時(shí)間5分鐘)之后，放置在燒結(jié)爐中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)(燒結(jié)溫度580℃，保持時(shí)間10分鐘)；制作出柵極引線；4、器件裝配將陰極面板、陽極面板、控制柵極以及玻璃圍框裝配到一起，并將消氣劑放入到空腔當(dāng)中，用低熔點(diǎn)玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔點(diǎn)玻璃粉，用夾子固定。
5、成品制作對已經(jīng)裝配好的器件進(jìn)行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當(dāng)中進(jìn)行烘烤；放入燒結(jié)爐當(dāng)中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)；在排氣臺(tái)上進(jìn)行器件排氣、封離，
在烤消機(jī)上對器件內(nèi)部的消氣劑進(jìn)行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
本發(fā)明具有如下積極效果在本發(fā)明中，首先在鈉鈣玻璃襯底上蒸鍍一層薄薄的金屬鉻層，它既可以作為碳納米管陰極的引線，使得外加電壓能夠順利地施加到碳納米管陰極上，迫使其發(fā)射大量的電子，同時(shí)金屬鉻層也可以作為鎮(zhèn)流電阻和玻璃襯底之間的緩沖層，避免了二者之間的熱膨脹系數(shù)差別，防止在高溫?zé)Y(jié)封裝工藝中龜裂現(xiàn)象的出現(xiàn)，提高了整體器件的制作成功率，簡化了整體器件的制作工藝過程。在金屬鉻層的上面制備了摻雜多晶硅層，利用摻雜多晶硅鎮(zhèn)流電阻的導(dǎo)電性能，能夠順利地將施加到金屬鉻層上的電壓傳遞到碳納米管陰極上面，同時(shí)又利用摻雜多晶硅鎮(zhèn)流電阻的半導(dǎo)體特性，對于施加到不同碳納米管陰極上的電勢進(jìn)行調(diào)節(jié)；當(dāng)某一像素點(diǎn)上的電流過大、像素點(diǎn)亮度過高的時(shí)候，那么經(jīng)過摻雜多晶硅鎮(zhèn)流電阻的電流也會(huì)相應(yīng)的增大，這樣摻雜多晶硅鎮(zhèn)流電阻上就會(huì)承擔(dān)更多的電壓，削弱了施加到碳納米管陰極上的電壓，達(dá)到了減小碳納米管發(fā)射電流的作用；既然碳納米管陰極發(fā)射的電子減小，相對應(yīng)的像素點(diǎn)的亮度也就會(huì)降低；當(dāng)某一像素點(diǎn)的電流過小、像素點(diǎn)亮度過低的時(shí)候，與前一種情況相類似，摻雜多晶硅鎮(zhèn)流電阻上所承擔(dān)的電壓也會(huì)相應(yīng)的減小，那么施加到碳納米管陰極上的電壓會(huì)有所增加，從而能夠提高碳納米管發(fā)射電子的數(shù)量，相對應(yīng)的像素點(diǎn)的亮度也就會(huì)增強(qiáng)。就這樣，通過調(diào)節(jié)經(jīng)過摻雜多晶硅鎮(zhèn)流電阻上電流的大小，來平衡各個(gè)碳納米管發(fā)射陰極上的電壓，從而也就調(diào)節(jié)了不同像素點(diǎn)下碳納米管陰極的場致發(fā)射能力，達(dá)到實(shí)現(xiàn)整體碳納米管陰極能夠均勻、穩(wěn)定的發(fā)射大量電子，以高能量轟擊熒光粉發(fā)光層，從而實(shí)現(xiàn)顯示圖像的均勻性和穩(wěn)定性。因此，本發(fā)明中的摻雜多晶硅鎮(zhèn)流電阻具有一種自調(diào)節(jié)的功能。
該帶有鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的三極碳納米管陰極場致發(fā)射平板顯示器包括有如下的主要組成部分陰極面板、陽極面板以及玻璃圍框所構(gòu)成的密封真空腔；陽極面板上有銦錫氧化物薄膜導(dǎo)電層和熒光粉層；控制柵極；在陰極面板上制備有碳納米管陰極導(dǎo)電層、鎮(zhèn)流電阻層以及位于鎮(zhèn)流電阻上面的碳納米管陰極。
本發(fā)明的鎮(zhèn)流電阻的主要目的為為每一個(gè)像素點(diǎn)下對應(yīng)的碳納米管陰極都制備了一個(gè)鎮(zhèn)流電阻，用于調(diào)整碳納米管場致發(fā)射電子的能力，從而達(dá)到使得整體碳納米管陰極能夠均勻、穩(wěn)定發(fā)射電子的作用，以期進(jìn)一步改善整體顯示器件的圖像顯示質(zhì)量。


圖1給出了鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的縱向結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2給出了鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的橫向結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3中給出了一個(gè)帶有鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的的碳納米管陰極場致發(fā)射平面顯示器的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步說明，但本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例。
如圖1、2、3所示，包括有陰極面板、陽極面板以及玻璃圍框所構(gòu)成的密封真空腔，陽極面板上有銦錫氧化物薄膜導(dǎo)電層7和熒光粉層9，控制柵極11，在陰極面板上制備有碳納米管陰極導(dǎo)電層2，鎮(zhèn)流電阻層4以及碳納米管陰極5，在每一個(gè)像素點(diǎn)下對應(yīng)的碳納米管陰極都設(shè)置有一個(gè)鎮(zhèn)流電阻。為每一個(gè)像素點(diǎn)下對應(yīng)的碳納米管陰極都制備了一個(gè)鎮(zhèn)流電阻，用于調(diào)整碳納米管場致發(fā)射電子的能力，從而達(dá)到使得整體碳納米管陰極能夠均勻、穩(wěn)定發(fā)射電子的作用，進(jìn)一步改善了整體顯示器件的圖像顯示質(zhì)量。
本發(fā)明中的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)由襯底材料玻璃1、錫銦氧化物導(dǎo)電條2、金屬引線3、摻雜多晶硅4構(gòu)成。
1、鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的制作1)襯底材料玻璃1的準(zhǔn)備對整體襯底材料玻璃進(jìn)行劃片，形成符合要求的形狀；2)錫銦氧化物薄膜層的制備在襯底材料玻璃1上制備出一層錫銦氧化物薄膜層；3)錫銦氧化物導(dǎo)電條2的制作按照錫銦氧化物層掩模版圖案的要求，結(jié)合光刻工藝，將錫銦氧化物薄膜層制作成所需要圖案的導(dǎo)電條2；4)金屬層的制作在整體襯底玻璃上再次蒸鍍上一層鉻層；5)金屬引線3的制作按照鉻金屬層掩模版圖案的要求，結(jié)合光刻工藝，將鉻層制作成所需要圖案的金屬引線3，需要金屬引線和錫銦氧化物層不連接；6)摻雜多晶硅層的制作在襯底玻璃上面濺射上一層摻雜多晶硅層；7)摻雜多晶硅4圖案的制作按照摻雜多晶硅掩模版圖案的要求，結(jié)合常規(guī)的刻蝕工藝，將摻雜多晶硅層制作成所需要的圖案，需要摻雜多晶硅和錫銦氧化物層相連接；8)玻璃表面的處理對整體玻璃表面進(jìn)行清潔處理，除掉雜質(zhì)。
2、陰極板的制作1)碳納米管陰極5的印刷結(jié)合絲網(wǎng)印刷工藝，將碳納米管5印刷在襯底玻璃1的錫銦氧化物薄膜2層上，形成用于發(fā)射電子的碳納米管5陰極；2)碳納米管5陰極的后處理對印刷后的碳納米管5陰極進(jìn)行后處理(在審核時(shí)可能會(huì)問你具體的后處理工藝，你要有所準(zhǔn)備)，以改善碳納米管的場致發(fā)射特性。
3、陽極面板的制作1)清潔平板玻璃6，除掉表面雜質(zhì)；2)在平板玻璃6上蒸鍍一層錫銦氧化物7薄膜；3)對錫銦氧化物7薄膜進(jìn)行光刻，形成一定圖案的導(dǎo)電條；4)結(jié)合絲網(wǎng)印刷工藝，在導(dǎo)電條的非顯示區(qū)域印刷絕緣漿料8層，用于防止寄生電子發(fā)射；經(jīng)過烘烤(烘烤溫度150℃，保持時(shí)間5分鐘)之后，放置在燒結(jié)爐中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)(燒結(jié)溫度580℃，保持時(shí)間10分鐘)；5)結(jié)合絲網(wǎng)印刷工藝，在導(dǎo)電條上面的顯示區(qū)域印刷熒光粉層9；在烘箱當(dāng)中進(jìn)行烘烤(烘烤溫度120℃，保持時(shí)間10分鐘)；6)制作出陽極引線10
4、控制柵極11的制作在裁減后的天然云母片上制作出通道孔；按照設(shè)計(jì)要求，結(jié)合絲網(wǎng)印刷工藝，將銀漿印刷在通道孔的周圍，經(jīng)過烘烤(烘烤溫度150℃，保持時(shí)間5分鐘)之后，放置在燒結(jié)爐中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)(燒結(jié)溫度580℃，保持時(shí)間10分鐘)；制作出柵極引線；5、器件裝配將陰極面板、陽極面板、控制柵極以及玻璃圍框裝配到一起，并將消氣劑放入到空腔當(dāng)中，用低熔點(diǎn)玻璃粉固定。在玻璃面板的四周涂抹好低熔點(diǎn)玻璃粉，用夾子固定。
6、成品制作對已經(jīng)裝配好的器件進(jìn)行如下的封裝工藝將樣品器件放入烘箱當(dāng)中進(jìn)行烘烤；放入燒結(jié)爐當(dāng)中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)；在排氣臺(tái)上進(jìn)行器件排氣、封離，在烤消機(jī)上對器件內(nèi)部的消氣劑進(jìn)行烤消，最后加裝管腳形成成品件。
權(quán)利要求
1.一種帶有鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的碳納米管陰極三極場致發(fā)射平面顯示器，包括有陰極面板、陽極面板以及玻璃圍框所構(gòu)成的密封真空腔，陽極面板上有銦錫氧化物薄膜導(dǎo)電層[7]和熒光粉層[9]，控制柵極[11]，在陰極面板上制備有碳納米管陰極導(dǎo)電層[2]，鎮(zhèn)流電阻層[4]以及碳納米管陰極[5]，其特征在于在每一個(gè)像素點(diǎn)下對應(yīng)的碳納米管陰極都設(shè)置有一個(gè)鎮(zhèn)流電阻。
2.如權(quán)利要求1所述的一種帶有鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的碳納米管陰極三極場致發(fā)射平面顯示器，其特征在于所述鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)由襯底材料玻璃[1]、錫銦氧化物導(dǎo)電條[2]、金屬引線[3]、摻雜多晶硅[4]構(gòu)成。其中，摻雜多晶硅[4]鎮(zhèn)流電阻對碳納米管陰極的電勢起到一個(gè)調(diào)節(jié)作用，金屬引線[3]既可以作為碳納米管陰極的引線，同時(shí)也可以作為鎮(zhèn)流電阻和玻璃襯底之間的緩沖層。
3.如權(quán)利要求1所述的一種帶有鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的碳納米管陰極三極場致發(fā)射平面顯示器，其特征在于所述鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的襯底材料為玻璃，如鈉鈣玻璃。
4.如權(quán)利要求1所述的一種帶有鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的碳納米管陰極三極場致發(fā)射平面顯示器，其特征在于所述鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電層可以采用濺射或者蒸鍍工藝來完成；導(dǎo)電層可以是金屬鉻層；導(dǎo)電層可以采用光刻工藝來完成制作相應(yīng)的圖案。
5.如權(quán)利要求1所述的一種帶有鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的碳納米管陰極三極場致發(fā)射平面顯示器，其特征在于所述鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)中需要在導(dǎo)電層上制作摻雜多晶硅層；摻雜多晶硅層可以制作一層，也可以制作多層；摻雜多晶硅層可以通過刻蝕工藝來完成制作相應(yīng)的圖案；碳納米管陰極印刷在與摻雜多晶硅相連的錫銦氧化物層上面。
6.一種帶有鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的碳納米管陰極三極場致發(fā)射平面顯示器的制作工藝，其特征在于所述的鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)按照如下的工藝進(jìn)行制作1)襯底材料玻璃[1]的準(zhǔn)備對整體襯底材料玻璃進(jìn)行劃片，形成符合要求的形狀；2)錫銦氧化物薄膜層的制備在襯底材料玻璃[1]上制備出一層錫銦氧化物薄膜層；3)錫銦氧化物導(dǎo)電條[2]的制作按照錫銦氧化物層掩模版圖案的要求，結(jié)合光刻工藝，將錫銦氧化物薄膜層制作成所需要圖案的導(dǎo)電條[2]；4)金屬層的制作在整體襯底玻璃上再次蒸鍍上一層鉻層；5)金屬引線[3]的制作按照鉻金屬層掩模版圖案的要求，結(jié)合光刻工藝，將鉻層制作成所需要圖案的金屬引線[3]，需要金屬引線和錫銦氧化物層不連接；6)摻雜多晶硅層的制作在襯底玻璃上面濺射上一層摻雜多晶硅層；7)摻雜多晶硅[4]圖案的制作按照摻雜多晶硅掩模版圖案的要求，結(jié)合常規(guī)的刻蝕工藝，將摻雜多晶硅層制作成所需要的圖案，需要摻雜多晶硅和錫銦氧化物層相連接；8)玻璃表面的處理。
全文摘要
本發(fā)明涉及到一種碳納米管陰極的場致發(fā)射顯示器的器件制作，特別涉及到帶有鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)的場致發(fā)射平板顯示器及其制作工藝，包括陰極面板、陽極面板以及玻璃圍框所構(gòu)成的密封真空腔；陽極面板上有銦錫氧化物薄膜導(dǎo)電層和熒光粉層；控制柵極；在陰極面板上制備有碳納米管陰極導(dǎo)電層、鎮(zhèn)流電阻層以及碳納米管陰極，該鎮(zhèn)流電阻結(jié)構(gòu)為每一個(gè)像素點(diǎn)下對應(yīng)的碳納米管陰極都制備了一個(gè)鎮(zhèn)流電阻，用于調(diào)整碳納米管場致發(fā)射電子的能力，提高了整體碳納米管陰極發(fā)射電子的均勻性和穩(wěn)定性，解決了碳納米管陰極材料和陰極面板之間粘結(jié)不牢固的缺點(diǎn)；改善了整體顯示器件的圖像顯示質(zhì)量，降低了整體器件的制作成本，具有結(jié)構(gòu)簡單、制作工藝簡單、制作成本低廉、制作過程穩(wěn)定可靠的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01J9/00GK1622272SQ20041006033
公開日2005年6月1日 申請日期2004年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月16日
發(fā)明者李玉魁, 高寶寧, 曾凡光, 劉興輝 申請人:中原工學(xué)院