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一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置的制造方法

文檔序號:9921517閱讀:536來源:國知局
一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn),在當(dāng)前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位。目前廣視角顯示技術(shù)成為人們研究的熱點(diǎn)。
[0003]廣視角液晶顯示器按照顯示模式可以分為:平面轉(zhuǎn)換(In Plane Switching,IPS)型和高級超維場開關(guān)(Advanced Super Dimens1n Switch,ADS)型。其中,ADS模式液晶顯示器通過液晶顯示器中同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場,該多維電場使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn),從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-LCD的畫面品質(zhì),具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。
[0004]而ADS模式液晶顯示器,其陣列基板中由像素電極與公共電極交疊區(qū)域形成存儲電容Cs t ,Cst = E S/43ikd,其中,ε表示介電常數(shù),S表示兩電極正對面積,k表示靜電力常數(shù),d表示兩電極之間的距離,像素電極與公共電極的交疊面積越大,存儲電容也越大,導(dǎo)致TFT充電時困難,目前一般通過增加像素電極與公共電極之間的絕緣層厚度(即增加厚度d)或者減小開口率(即減小開口面積S)實(shí)現(xiàn)降低存儲電容,而增加像素電極與公共電極絕緣層厚度的方案會增加顯示器的厚度,不利于顯示器減薄,減小開口率的方案會降低顯示器的開口率,從而影響產(chǎn)品的品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本申請實(shí)施例提供了一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置,用以降低ADS模式顯示器的存儲電容。
[0006]本申請實(shí)施例提供的一種陣列基板包括:襯底基板、在所述襯底基板上交叉布置的掃描線、數(shù)據(jù)線,以及由所述掃描線和數(shù)據(jù)線劃分出的呈矩陣排列的像素單元,所述像素單元內(nèi)設(shè)置有公共電極和位于所述公共電極之上的像素電極,其中,所述公共電極與所述像素電極成一夾角設(shè)置。
[0007]本申請實(shí)施例提供的陣列基板,包括:襯底基板、在所述襯底基板上交叉布置的掃描線、數(shù)據(jù)線,以及由所述掃描線和數(shù)據(jù)線劃分出的呈矩陣排列的像素單元,所述像素單元內(nèi)設(shè)置有公共電極和位于所述公共電極之上的像素電極,并且,所述公共電極與所述像素電極成一夾角設(shè)置,這樣可以減小像素電極與公共電極的交疊面積,從而能夠降低ADS模式顯示器的存儲電容。
[0008]較佳地,所述公共電極為狹縫狀電極。
[0009 ]較佳地,所述公共電極包括沿同一方向延伸的多條第一條狀電極。
[0010]較佳地,每一所述第一條狀電極的寬度大于或等于2微米且小于或等于10微米,相鄰的兩個所述第一條狀電極之間的間距大于或等于2微米且小于或等于10微米。
[0011]較佳地,所述像素電極為狹縫狀電極。
[0012]較佳地,所述像素電極包括沿同一方向延伸的多條第二條狀電極。
[0013]較佳地,每一所述第二條狀電極的寬度大于或等于2微米且小于或等于5微米,相鄰的兩個所述第二條狀電極之間的間距大于或等于4微米且小于或等于10微米。
[0014]較佳地,所述公共電極與所述像素電極之間的夾角大于或等于5度且小于或等于85度。
[0015]本申請實(shí)施例提供的一種液晶顯示面板,包括本申請實(shí)施例提供的上述的陣列基板。
[0016]由于本申請實(shí)施例提供的液晶顯示面板,采用上述的陣列基板,而上述的陣列基板包括:襯底基板、在所述襯底基板上交叉布置的掃描線、數(shù)據(jù)線,以及由所述掃描線和數(shù)據(jù)線劃分出的呈矩陣排列的像素單元,所述像素單元內(nèi)設(shè)置有公共電極和位于所述公共電極之上的像素電極,并且,所述公共電極與所述像素電極成一夾角設(shè)置,這樣可以減小像素電極與公共電極的交疊面積,從而能夠降低ADS模式顯示器的存儲電容。
[0017]本申請實(shí)施例提供的一種顯示裝置,包括本申請實(shí)施例提供的上述的液晶顯示面板。
[0018]由于本申請實(shí)施例提供的顯示裝置,采用上述的液晶顯示面板,并且,液晶顯示面板采用上述的陣列基板,而上述的陣列基板包括:襯底基板、在所述襯底基板上交叉布置的掃描線、數(shù)據(jù)線,以及由所述掃描線和數(shù)據(jù)線劃分出的呈矩陣排列的像素單元,所述像素單元內(nèi)設(shè)置有公共電極和位于所述公共電極之上的像素電極,并且,所述公共電極與所述像素電極成一夾角設(shè)置,這樣可以減小像素電極與公共電極的交疊面積,從而能夠降低ADS模式顯示器的存儲電容。
【附圖說明】
[0019]圖1為本申請實(shí)施例提供的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0020]圖2為本申請實(shí)施例提供的狹縫狀公共電極結(jié)構(gòu)示意圖;
[0021 ]圖3為本申請實(shí)施例提供的狹縫狀像素電極結(jié)構(gòu)示意圖;
[0022]圖4為沿圖1中A-A'方向的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0023]圖5為沿圖1中B-B'方向的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0024]圖6為本申請實(shí)施例提供的一種透過率隨電壓變化的曲線圖;
[0025]圖7為本申請實(shí)施例提供的一種歸一化存儲電容的柱形圖;
[0026]圖8為本申請實(shí)施例提供的另一種透過率隨電壓變化的曲線圖;
[0027]圖9為本申請實(shí)施例提供的另一種歸一化存儲電容的柱形圖;
[0028]圖10為本申請實(shí)施例提供的一種歸一化透過率隨像素電極與公共電極夾角變化的曲線圖;
[0029]圖11為本申請實(shí)施例提供的一種歸一化存儲電容隨像素電極與公共電極夾角變化的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]本申請實(shí)施例提供了一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置,用以降低ADS模式顯示器的存儲電容。
[0031]下面將結(jié)合本申請實(shí)施例中的附圖,對本申請實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本申請一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本申請中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本申請保護(hù)的范圍。
[0032]需要說明的是,本申請實(shí)施例提供的技術(shù)方案和附圖中的各結(jié)構(gòu)僅是用于解釋本申請,并不用于限定本申請,且附圖中各膜層的比例和大小不代表真實(shí)的比例和大小。
[0033]本申請實(shí)施例提供的一種陣列基板,參見圖1,圖1為本申請實(shí)施例提供的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖,該陣列基板包括:襯底基板(并未在圖1中示出)、在該襯底基板上交叉布置的掃描線11、數(shù)據(jù)線12,以及由掃描線11和數(shù)據(jù)線12劃分出的呈矩陣排列的像素單元,該像素單元內(nèi)設(shè)置有公共電極13和位于公共電極13之上的像素電極14,其中,公共電極13與像素電極14成一夾角設(shè)置。通過這種設(shè)置,可以減小像素電極14與公共電極13的交疊面積,從而能夠降低ADS模式顯示器的存儲電容。
[0034]其中,公共電極13與像素電極14之間的夾角為θ,θ可以大于或等于I度且小于或等于89度,可以表示為1° < Θ < 89°,較佳地,Θ的取值可以為5° < Θ < 85° ο
[0035]掃描線11的制作材料一般為鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)等非透明金屬及其合金。
[0036]數(shù)據(jù)線12的制作材料一般為非透明的金屬材料或其合金。
[0037]較佳地,像素電極14與公共電極13為透明金屬氧化物膜層,例如可以為銦錫氧化物ITO或銦鋅氧化物IZO等。
[0038]較佳地,公共電極13可以為狹縫狀電極,參見圖2,圖2為本申請實(shí)施例提供的狹縫狀公共電極結(jié)構(gòu)示意圖,圖2中虛線框表示公共電極13,該公共電極13包括沿同一方向延伸的多條第一條狀電極131,多條第一條狀電極131相互平行排列,相鄰的兩條第一條狀電極131之間的間距可以相同。
[0039]較佳地,像素電極14可以為狹縫狀電極,參見圖3,圖3為本申請實(shí)施例提供的狹縫狀像素電極結(jié)構(gòu)示意圖,圖3中虛線框表示像素電極14,該像素電極14包括沿同一方向延伸的多條第二條狀電極141,多條第二條狀電極141相互平行排列,相鄰的兩條第二條狀電極141之間的間距也可以相同。
[0040]當(dāng)然,本申請實(shí)施例提供的公共電極13和像素電極14也可為其它的結(jié)構(gòu),例如,公共電極為板狀電極,本申請實(shí)施例并不限定其結(jié)構(gòu)。
[0041]較佳地,參見圖4,圖4為沿圖1中A-A'方向的陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,每一第一條狀電極131的寬度為W2,W2可以大于或等于2微米且小于或等于10微米,可以表示為2μπι<¥2<1(^!11,相鄰的兩個第一條狀電極131之間的間距為52,52可以大于或等于2微米且小于或等于10微米,可以表示為2μ?
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