液晶顯示面板、陣列基板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種液晶顯示面板、陣列基板及其制作方法。陣列基板的制作方法包括：在襯底上同時(shí)形成柵極圖案層和公共電極；在柵極圖案層、公共電極和襯底上覆蓋柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成源\漏極圖案層，同時(shí)在柵極絕緣層上形成像素電極和數(shù)據(jù)線；在源\漏極圖案層、半導(dǎo)體層、像素電極和數(shù)據(jù)線上覆蓋鈍化層。陣列基板包括襯底；襯底上的柵極圖案層和公共電極；柵極圖案層和公共電極上的柵極絕緣層；柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層；半導(dǎo)體層上的源\漏極圖案層及柵極絕緣層上的像素電極和數(shù)據(jù)線以及覆蓋于其上的鈍化層。液晶顯示面板包括上述陣列基板。本發(fā)明能提高像素開口率和穿透率，使得顯示效果更佳。
【專利說明】
液晶顯示面板、陣列基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種液晶顯示面板、陣列基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器是目前使用最廣泛的一種平板顯示器，已經(jīng)逐漸成為各種電子設(shè)備如移動電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕所廣泛應(yīng)用具有高分辨率彩色屏幕的顯示器。隨著液晶顯示器技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步，人們對液晶顯示器的顯示品質(zhì)、外觀設(shè)計(jì)、低成本和高穿透率等提出了更高的要求
[0003]IPS(平面控制模式)廣視角技術(shù)的液晶顯示讓觀察者任何時(shí)候都只能看到液晶分子的短軸，因此在各個(gè)角度上觀看的畫面都不會有太大差別，這樣就比較完美地改善了液晶顯示器的視角。第一代IPS技術(shù)針對TN模式的弊病提出了全新的液晶排列方式，實(shí)現(xiàn)較好的可視角度。第二代IPS技術(shù)(S-1PS即Super-1PS)采用人字形電極，引入雙疇模式，改善IPS模式在某些特定角度的灰階逆轉(zhuǎn)現(xiàn)象。第三代IPS技術(shù)(AS-1PSS卩Advanced Super-1PS)減小液晶分子間距離，提高開口率，獲得更高亮度。
[0004]如圖1和圖2所示，圖1是現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示面板的截面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)示意圖。現(xiàn)有的液晶顯示面板包括TFT基板1、彩膜基板2和設(shè)置在所述TFT基板I和彩膜基板2之間的液晶層3。其中，TFT基板I包括玻璃襯底11、設(shè)置在玻璃襯底11上的柵極12，覆蓋所述柵極12和玻璃襯底11之上的柵極絕緣層13，設(shè)置在所述柵極絕緣層13上的半導(dǎo)體層14和源\漏極圖案層15以及數(shù)據(jù)線16，覆蓋所述半導(dǎo)體層14、源\漏極圖案層15和所述數(shù)據(jù)線16的隔離層17，設(shè)置在所述隔離層17上的像素電極18和公共電極19?，F(xiàn)有技術(shù)中的TFT基板11的形成需要形成三層金屬，第一層金屬形成柵極12、第二層金屬形成源\漏極圖案層15和數(shù)據(jù)線16、第三層金屬形成像素電極18和公共電極19。圖2所示的像素中，TFT10、存儲電容101和數(shù)據(jù)線16設(shè)在柵極12之上，公共電極19和像素電極18設(shè)置在數(shù)據(jù)線16和存儲電容101之上，其中，像素電極18上還設(shè)有過孔105，以使像素電極18和TFTlO上的源極通過過孔106進(jìn)行連接。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中，像素電極與TFT橋接處需要設(shè)過孔，當(dāng)像素較小時(shí)，該過孔會影響像素開口率，導(dǎo)致液晶顯示器的穿透率過低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種液晶顯示面板、陣列基板及其制作方法，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)存在的過孔影響像素開口率導(dǎo)致液晶顯示器穿透率低的問題。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板的制作方法，該方法包括以下步驟:在襯底上同時(shí)形成柵極圖案層和公共電極;在所述柵極圖案層、所述公共電極和所述襯底上覆蓋柵極絕緣層;在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層;在所述半導(dǎo)體層上形成源\漏極圖案層，同時(shí)在所述柵極絕緣層上形成像素電極和數(shù)據(jù)線;在所述源\漏極圖案層、半導(dǎo)體層、像素電極和數(shù)據(jù)線上覆蓋鈍化層。
[0008]其中，在所述源\漏極圖案層、半導(dǎo)體層、像素電極和數(shù)據(jù)線上覆蓋第二絕緣層的步驟之后，還包括:在所述鈍化層上形成頂層電極。
[0009]其中，所述頂層電極為ITO電極，所述頂層電極與所述公共電極電連接。
[0010]其中，當(dāng)所述頂層電極為金屬電極，所述頂層電極與所述公共電極電連接;在所述鈍化層上形成頂層電極的步驟包括:在所述鈍化層上形成頂層金屬層;通過黃光制程將所述頂層金屬層圖案化形成頂層電極。
[0011]其中，在襯底上同時(shí)形成柵極圖案層和公共電極的步驟包括:在所述襯底上形成第一金屬層;通過黃光制程將所述第一金屬層圖案化形成柵極圖案層和公共電極層。
[0012]其中，在所述半導(dǎo)體層上形成源\漏極圖案層，同時(shí)在所述柵極絕緣層上形成像素電極和數(shù)據(jù)線的步驟包括:在所述半導(dǎo)體層和所述柵極絕緣層上覆蓋第二金屬層;通過黃光制程將所述第二金屬層圖案化形成源\漏極圖案層、像素電極和數(shù)據(jù)線。
[0013]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板，該陣列基板包括襯底;形成在所述襯底之上的柵極圖案層和公共電極;覆蓋在所述柵極圖案層和所述公共電極之上的柵極絕緣層;形成在所述柵極絕緣層之上的半導(dǎo)體層；形成在所述半導(dǎo)體層之上的源\漏極圖案層以及設(shè)置在所述柵極絕緣層之上的像素電極和數(shù)據(jù)線；覆蓋在所述源\漏極圖案層、半導(dǎo)體層、像素電極和數(shù)據(jù)線之上的鈍化層。
[0014]其中，所述陣列基板還包括形成在所述鈍化層之上的頂層電極。
[0015]其中，所述頂層電極為金屬電極或者ITO電極，所述頂層電極與所述公共電極電連接。
[0016]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的又一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種液晶顯示面板，該液晶面板包括上述陣列基板。
[0017]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過在形成柵極圖案層的同時(shí)形成公共電極，在形成源\漏極圖案層的同時(shí)形成像素電極和數(shù)據(jù)線，減少了一道制程，并且使像素電極與源\漏極圖案層位于同一平面上，從而使得像素電極和源電極之間的連接無需過孔，即使像素很小時(shí)，也不會發(fā)生因過孔影響像素開口率的問題，進(jìn)而提高了像素開口率和液晶顯示器的穿透率，從而使得顯示效果更佳。
【附圖說明】
[0018]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示面板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2是現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例的流程圖；
[0021]圖4是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例中形成柵極圖案層和公共電極的步驟的示意圖；
[0022]圖5是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例中形成柵極絕緣層的步驟的示意圖；
[0023]圖6是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例中形成半導(dǎo)體層的步驟的示意圖；
[0024]圖7是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例中形成源\漏極圖案層、像素電極和數(shù)據(jù)線的步驟的示意圖；
[0025]圖8是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例中形成鈍化層的步驟的示意圖；
[0026]圖9是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例最終形成的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0027]圖10是圖9的像素結(jié)構(gòu)中柵極圖案層和公共電極之后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖11是在圖10上形成半導(dǎo)體層后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖12是在圖11上形成像素電極和數(shù)據(jù)線之后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖13是本發(fā)明陣列基板的制作方法第二實(shí)施例的流程圖；
[0031]圖14是本發(fā)明陣列基板的制作方法第二實(shí)施例最終形成的像素結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0032]圖15是本發(fā)明液晶顯示面板實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖16是本發(fā)明液晶面板的彩膜基板制作過程中，形成黑矩陣后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖17是本發(fā)明液晶面板的彩膜基板制作過程中，形成了紅色色阻后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖18是本發(fā)明液晶面板的彩膜基板制作過程中，形成了綠色色阻后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖19是本發(fā)明液晶面板的彩膜基板制作過程中，形成了藍(lán)色色阻后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖20是本發(fā)明液晶面板的彩膜基板制作過程中，形成了支撐件后的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0039]請參閱圖3，圖3是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例的流程圖。本發(fā)明提供了一種陣列基板的制作方法，具體地，該方法包括以下步驟:
[0040]SlOl、在襯底31上同時(shí)形成柵極圖案層32和公共電極33。
[0041]請結(jié)合圖4，圖4是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例中形成柵極圖案層和公共電極的步驟的示意圖。步驟SlOl中，在襯底31上形成第一金屬層，然后通過黃光制程經(jīng)曝光、顯影和蝕刻形成柵極圖案層32和公共電極33。柵極圖案層32和公共電極33同時(shí)形成，并且位于同一平面中。柵極圖案層32和公共電極33采用鋁及鋁合金或者銅等材料形成。
[0042]S102、在柵極圖案層32、公共電極33和襯底31上覆蓋柵極絕緣層34。
[0043]其中，柵極絕緣層34可以是一層結(jié)構(gòu)，也可以是兩層結(jié)構(gòu)，如果采用兩層結(jié)構(gòu)，第一層為SiNx，S1或者AlO，厚度在175-300nm左右，第二層一般采用SiNx，厚度在300nm左右，如圖5所示，圖5是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例中形成柵極絕緣層的步驟的示意圖。柵極絕緣層34通過CVD或者PECVD的方式形成。
[0044]S103、在柵極絕緣層34上形成半導(dǎo)體層35。
[0045]如圖6所示，圖6是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例中形成半導(dǎo)體層的步驟的示意圖。半導(dǎo)體層35的厚度為150-350nm，例如250nm，半導(dǎo)體層35也通過該CVD工藝形成。
[0046]S104、在半導(dǎo)體層35上形成源\漏極圖案層36，同時(shí)在柵極絕緣層34上形成像素電極37和數(shù)據(jù)線38。
[0047]步驟S104中首先在半導(dǎo)體層35和柵極絕緣層34上形成第二金屬層，再通過黃光制程經(jīng)曝光、顯影和蝕刻形成源\漏極圖案層36、像素電極37和數(shù)據(jù)線38。請參閱圖7，圖7是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例中形成源\漏極圖案層、像素電極和數(shù)據(jù)線的步驟的示意圖。
[0048]第三金屬層可以由鋁合金或者金屬鋁或者金屬鉻制成。源\漏極圖案層的厚度為350nm-450nm，例如，427nm 或者400nm。
[0049]步驟S104中，在形成源\漏極圖案層36的同時(shí)，形成了像素電極37和數(shù)據(jù)線38，像素電極37和數(shù)據(jù)線38也是金屬，具體地，源\漏極圖案層36的一部分位于半導(dǎo)體層35的上方，一部分位34于柵極絕緣層上。像素電極37、數(shù)據(jù)線38、半導(dǎo)體層35以及一部分源\漏極圖案層36均位于柵極絕緣層34上，即位于同一平面上，因此，像素電極37與源電極之間無需經(jīng)過孔進(jìn)行連接，因而不會產(chǎn)生因過孔影響開口率導(dǎo)致液晶顯示器的穿透率過低的問題，提示像素開口率和穿透率。
[0050]并且，本實(shí)施例中，第一層金屬形成了柵極圖案層和公共電極，第二層金屬形成了源\漏極圖案層、像素電極和數(shù)據(jù)線，因而可以不用形成第三層金屬。整個(gè)液晶顯示面板的制作過程中，節(jié)省了一道制程，且光罩?jǐn)?shù)量由五道降為四道，節(jié)約了成本。
[0051]S105、在源\漏極圖案層36、半導(dǎo)體層35、像素電極37和數(shù)據(jù)線上38覆蓋鈍化層39。
[0052]本實(shí)施例的鈍化層39為氮化硅，其厚度為100nm-300nm，例如200nm或者250nm，該鈍化層39對其下方的元器件起保護(hù)作用，如圖8所示，圖8是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例中形成鈍化層的步驟的示意圖。
[0053]經(jīng)過上述步驟之后，最終形成的陣列基板的像素結(jié)構(gòu)如圖9所示，圖9是本發(fā)明陣列基板的制作方法第一實(shí)施例最終形成的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖10、圖11和圖12是圖9中的像素結(jié)構(gòu)的分層結(jié)構(gòu)圖。其中，圖10是圖9的像素結(jié)構(gòu)中柵極圖案層和公共電極之后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖11是在圖10上形成半導(dǎo)體層后的結(jié)構(gòu)示意圖。圖12是在圖11上形成像素電極和數(shù)據(jù)線之后的結(jié)構(gòu)示意圖。所形成的像素結(jié)構(gòu)中，柵極圖案層32和公共電極33位于同一平面上，TFT30設(shè)在柵極圖案層32之上，存儲電容370、像素電極37、TFT30中的源\漏極圖案層以及數(shù)據(jù)線38設(shè)置在柵極圖案層32和公共電極33之上，且同時(shí)形成，因而位于同一平面上，由于像素電極37和源\漏極圖案層中的源極位于同一平面，所以像素電極37和源極之間無需通過過孔進(jìn)行連接。
[0054]TFTlO、存儲電容101和數(shù)據(jù)線16設(shè)在柵極12之上，公共電極19和像素電極18設(shè)置在數(shù)據(jù)線16和存儲電容101之上，其中，像素電極18上還設(shè)有過孔105，以使像素電極18和TFTlO上的源極通過過孔106進(jìn)行連接。
[0055]區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過在形成柵極圖案層32的同時(shí)形成公共電極33，在形成源\漏極圖案層36的同時(shí)形成像素電極37和數(shù)據(jù)線38，減少了一道制程，并且使像素電極37與源\漏極圖案層36位于同一平面上，從而使得像素電極37和源電極之間的連接無需過孔，即使像素很小時(shí)，也不會發(fā)生因過孔影響像素開口率的問題，進(jìn)而提高了像素開口率和液晶顯示器的穿透率，從而使得顯示效果更佳。
[0056]請參閱圖13，圖13是本發(fā)明陣列基板的制作方法第二實(shí)施例的流程圖。
[0057]S201、在襯底31上同時(shí)形成柵極圖案層32和公共電極33。
[0058]請繼續(xù)參閱圖4。具體地，步驟S201包括:在襯底31上形成第一金屬層;通過黃光制程，經(jīng)曝光、顯影和蝕刻將第一金屬層圖案化形成柵極圖案層32和公共電極層33。
[0059]S202、在柵極圖案層32、公共電極33和襯底31上覆蓋柵極絕緣層34。
[0060]具體地，柵極絕緣層34通過CVD或者PECVD的方式形成，請繼續(xù)參閱圖5。
[0061]S203、在柵極絕緣層32上形成半導(dǎo)體層35。
[0062]請繼續(xù)參閱圖5，其中，半導(dǎo)體層35也通過該CVD工藝形成。
[0063]S204、在半導(dǎo)體層35上形成源\漏極圖案層36，同時(shí)在柵極絕緣層34上形成像素電極37和數(shù)據(jù)線38。
[0064]步驟S204包括:在半導(dǎo)體層35和柵極絕緣層34上覆蓋第二金屬層;通過黃光制程將第二金屬層圖案化形成源\漏極圖案層36、像素電極37和數(shù)據(jù)線38，如圖6所示。
[0065]S205、在源\漏極圖案層36、半導(dǎo)體層35、像素電極37和數(shù)據(jù)線38上覆蓋鈍化層39。
[0066]如圖7所示，鈍化層39可以是氮化硅保護(hù)膜，通過CVD工藝形成，對TFT等元器件進(jìn)行保護(hù)。
[0067]S206、在鈍化層39上形成頂層電極40。
[0068]具體地，頂層電極40為ITO電極或者金屬電極，頂層電極40與公共電極33電連接，通過公共電極33給頂層電極40進(jìn)行配電。本實(shí)施例的頂層電極40為ITO電極。當(dāng)頂層電極40為金屬電極時(shí)，步驟S206包括:在鈍化層39上形成頂層金屬層;通過黃光制程將頂層金屬層圖案化形成頂層電極40。
[0069]如圖14所示，圖14是本發(fā)明陣列基板的制作方法第二實(shí)施例最終形成的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。所形成的像素結(jié)構(gòu)中，柵極圖案層32和公共電極33位于同一平面上，TFT30設(shè)在柵極圖案層32之上，存儲電容370、像素電極37、TFT30中的源\漏極圖案層以及數(shù)據(jù)線38設(shè)置在柵極圖案層32和公共電極33之上，且同時(shí)形成，因而位于同一平面上，由于像素電極37和源\漏極圖案層中的源極位于同一平面，所以像素電極37和源極之間無需通過過孔進(jìn)行連接。在存儲電容370、像素電極37、TFT30中的源\漏極圖案層以及數(shù)據(jù)線38所在層之上還設(shè)有頂層電極40，頂層電極40與公共電極33連接。
[0070]本發(fā)明還提供了一種陣列基板，如圖8所示，該陣列基板包括襯底31、形成在襯底31之上的柵極圖案層32和公共電極33。覆蓋在柵極圖案層32和公共電極33之上的柵極絕緣層34。形成在柵極絕緣層34之上的半導(dǎo)體層35。形成在半導(dǎo)體層35之上的源\漏極圖案層36以及設(shè)置在柵極絕緣層34之上的像素電極37和數(shù)據(jù)線38。覆蓋在源\漏極圖案層36、半導(dǎo)體層35、像素電極37和數(shù)據(jù)線38之上的鈍化層39。
[0071]其中，柵極圖案層32和公共電極33位于同一平面上，由同一層金屬層形成。源\漏極圖案層36、像素電極37和數(shù)據(jù)線38位于同一平面上，由同一層金屬層形成，由于像素電極37和源\漏極圖案層36在同一平面上，因而，像素電極37與源極之間無需經(jīng)過孔連接，因而本發(fā)明的陣列基板的像素電極37上不用設(shè)置過孔，所以不會影響像素開口率，從而提高了穿透率。
[0072]在另一個(gè)實(shí)施例中，陣列基板還包括形成在鈍化層39之上的頂層電極40，如圖14所示。頂層電極40為金屬電極或者ITO電極，頂層電極40與公共電極33電連接。
[0073]本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板，請參閱圖15，圖15是本發(fā)明液晶顯示面板實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該液晶顯示面板包括彩膜基板50、陣列基板60以及設(shè)置在彩膜基板50和陣列基板60之間的液晶層70。其中，陣列基板60為上述任一實(shí)施例的陣列基板60。
[0074]具體地，陣列基板60可以通過本發(fā)明的陣列基板的制作方法制作而成。
[0075]彩膜基板50的形成過程如下:
[0076]在襯底51上形成黑矩陣52，如圖16所示，圖16是本發(fā)明液晶面板的彩膜基板制作過程中，形成黑矩陣后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0077]在襯底51和黑矩陣52上覆蓋不同顏色的色阻以形成色阻層53，例如，紅色色阻、綠色色阻和藍(lán)色色阻，不同的顏色的色阻之間的分界線形成在黑矩陣52之上，如圖17、18和19所示，圖17是本發(fā)明液晶面板的彩膜基板制作過程中，形成了紅色色阻后的結(jié)構(gòu)示意圖，圖18是本發(fā)明液晶面板的彩膜基板制作過程中，形成了綠色色阻后的結(jié)構(gòu)示意圖，圖19是本發(fā)明液晶面板的彩膜基板制作過程中，形成了藍(lán)色色阻后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0078]在色阻層53上形成支撐件54，支撐件54的作用是維持陣列基板60和彩膜基板50之間的間隔，如圖20所示，圖20是本發(fā)明液晶面板的彩膜基板制作過程中，形成了支撐件后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0079]當(dāng)陣列基板60和彩膜基板50形成之后，將陣列基板60和彩膜基板50對位組裝，并在陣列基板60和彩膜基板50之間形成液晶層70，從而形成本發(fā)明的液晶顯示面板。
[0080]綜上所述，本發(fā)明能提高像素開口率和穿透率，使得顯示效果更佳。
[0081]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 在襯底上同時(shí)形成柵極圖案層和公共電極； 在所述柵極圖案層、所述公共電極和所述襯底上覆蓋柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層； 在所述半導(dǎo)體層上形成源\漏極圖案層，同時(shí)在所述柵極絕緣層上形成像素電極和數(shù)據(jù)線； 在所述源\漏極圖案層、半導(dǎo)體層、像素電極和數(shù)據(jù)線上覆蓋鈍化層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述源\漏極圖案層、半導(dǎo)體層、像素電極和數(shù)據(jù)線上覆蓋第二絕緣層的步驟之后，還包括: 在所述鈍化層上形成頂層電極。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述頂層電極為ITO電極，所述頂層電極與所述公共電極電連接。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當(dāng)所述頂層電極為金屬電極，所述頂層電極與所述公共電極電連接； 在所述鈍化層上形成頂層電極的步驟包括: 在所述鈍化層上形成頂層金屬層； 通過黃光制程將所述頂層金屬層圖案化形成頂層電極。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在襯底上同時(shí)形成柵極圖案層和公共電極的步驟包括: 在所述襯底上形成第一金屬層； 通過黃光制程將所述第一金屬層圖案化形成柵極圖案層和公共電極層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體層上形成源\漏極圖案層，同時(shí)在所述柵極絕緣層上形成像素電極和數(shù)據(jù)線的步驟包括: 在所述半導(dǎo)體層和所述柵極絕緣層上覆蓋第二金屬層； 通過黃光制程將所述第二金屬層圖案化形成源\漏極圖案層、像素電極和數(shù)據(jù)線。7.一種陣列基板，其特征在于，包括: 襯底； 形成在所述襯底之上的柵極圖案層和公共電極； 覆蓋在所述柵極圖案層和所述公共電極之上的柵極絕緣層； 形成在所述柵極絕緣層之上的半導(dǎo)體層； 形成在所述半導(dǎo)體層之上的源\漏極圖案層以及設(shè)置在所述柵極絕緣層之上的像素電極和數(shù)據(jù)線； 覆蓋在所述源\漏極圖案層、半導(dǎo)體層、像素電極和數(shù)據(jù)線之上的鈍化層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括形成在所述鈍化層之上的頂層電極。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述頂層電極為金屬電極或者ITO電極，所述頂層電極與所述公共電極電連接。10.—種液晶顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求7至9任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1343GK106094372SQ201610383643
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月1日 公開號201610383643.8, CN 106094372 A, CN 106094372A, CN 201610383643, CN-A-106094372, CN106094372 A, CN106094372A, CN201610383643, CN201610383643.8
【發(fā)明人】郝思坤
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司