液晶顯示面板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種液晶顯示面板及其制作方法，采用石墨烯代替氧化銦錫制作公共電極與像素電極，利用石墨烯透明度高、導(dǎo)電性能好、柔韌性強且生產(chǎn)成本低的特點，提高液晶顯示面板的顯示性能并降低液晶顯示面板的生產(chǎn)成本；利用垂直取向劑和可聚合單體對液晶分子進行配向，省去配向膜，簡化液晶配向制程；進一步的，通過在石墨烯層的表面設(shè)置氧化石墨烯層，可提高垂直取向劑錨定基板的能力，從而提升液晶配向效果。
【專利說明】
液晶顯示面板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示面板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝 置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應(yīng)用于手機、電視、個人數(shù) 字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主 流。
[0003] 現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及 背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放 置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過通電與否來控制液晶 分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0004] 通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC，Liquid Crystal)及密 封膠框(Sealant)組成。
[0005] 針對常見的垂直配向（Vertically Aligned，VA)顯示模式而言，需要在CF基板、 TFT基板上同時設(shè)置一層透明導(dǎo)電膜，該透明導(dǎo)電膜的主要作用是在CF基板和TFT基板之間 形成電場，驅(qū)動液晶分子偏轉(zhuǎn)，從而實現(xiàn)亮暗顯示。目前傳統(tǒng)的透明導(dǎo)電膜使用的是由物理 氣相濺射(PVD)的方法制備出的氧化銦錫（ΙΤ0)薄膜。在PVD裝置中，強電流轟擊ΙΤ0靶材，在 基板上沉積得到透明導(dǎo)電ΙΤ0薄膜。但是由于ΙΤ0本身氧化物的物理特性，ΙΤ0薄膜并不能在 一定外力作用下展現(xiàn)彎折特性，這也限制了其在柔性面板、及可穿戴設(shè)備上的應(yīng)用。另一方 面，隨著國家政策的導(dǎo)向，銦的成本也逐漸漲高。因此尋找高導(dǎo)電性和高透光率、制備方法 簡單且資源豐富的ΙΤ0替代品具有很強的應(yīng)用價值。
[0006] 另外，在CF基板和TFT基板上，還分別設(shè)有一層薄膜，其主要作用是使液晶分子按 一定方向排列，我們稱之為配向膜，所述配向膜的材料主要包括摩擦配向型PI (聚酰亞胺） 材料和光配向型PI材料，但是，無論哪一種PI材料都會有各自的缺點，首先摩擦配向容易造 成粉塵顆粒、靜電殘留、及刷痕等問題，從而降低工藝良率，而光配向材料雖然可以避免這 些問題，但由于材料特性有限，耐熱性和耐老化性不佳，同時錨定液晶分子的能力也較弱， 從而影響面板的品質(zhì);其次，PI材料本身就具有高極性和高吸水性，存儲和運送過程中容易 產(chǎn)生變質(zhì)從而導(dǎo)致配向不均，并且PI材料價格昂貴，在TFT-LCD上成膜的工藝也較為復(fù)雜， 導(dǎo)致面板成本提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示面板，制作成本低，液晶配向效果好，且具有 較好的顯示性能。
[0008] 本發(fā)明的目的還在于提供一種液晶顯示面板的制作方法，省去配向膜，簡化液晶 配向制程，并提升液晶配向效果，制得的液晶顯示面板具有較好的顯示性能且生產(chǎn)成本低。
[0009] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，包括相對設(shè)置的CF基板與TFT基 板、分別設(shè)于所述CF基板與TFT基板相對側(cè)上的公共電極與像素電極、分別設(shè)于所述公共電 極與像素電極相對側(cè)上的第一聚合物層與第二聚合物層、以及設(shè)于所述第一聚合物層與第 二聚合物層之間的液晶層，所述液晶層包括液晶分子；
[0010] 所述公共電極與像素電極均包括石墨烯層；
[0011] 所述第一聚合物層與第二聚合物層均由垂直取向劑與可聚合單體聚合而成。
[0012] 所述公共電極與像素電極還包括設(shè)于所述石墨烯層上的氧化石墨烯層。
[0013] 所述垂直取向劑包括
[0014]
[0015]
[0016]
[0017] 所述可聚合單體包括'
中 的至少一種。
[0018] 本發(fā)明提供一種液晶顯示面板的制作方法，包括如下步驟：
[0019] 步驟1、提供CF基板與TFT基板，在所述CF基板與TFT基板上分別形成公共電極與像 素電極，所述公共電極與像素電極均包括石墨烯層；
[0020] 步驟2、提供液晶混合物，所述液晶混合物包括液晶分子、垂直取向劑、及可聚合單 體;將所述液晶混合物滴注到所述CF基板上設(shè)有所述公共電極的一面或者TFT基板上設(shè)有 像素電極的一面上；
[0021 ]步驟3、提供密封膠，在所述TFT基板或者CF基板上對應(yīng)所述液晶混合物的外圍涂 布密封膠；
[0022]將所述CF基板與TFT基板貼合在一起，對密封膠進行固化；
[0023]此時，位于所述CF基板與TFT基板之間的液晶混合物形成液晶層，所述液晶層中的 一部分垂直取向劑吸附于所述CF基板與TFT基板表面，并垂直于所述CF基板與TFT基板排 列，從而引導(dǎo)液晶分子垂直于所述CF基板與TFT基板排列；
[0024]步驟4、在所述液晶層兩側(cè)施加電壓，液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，在所述液晶層兩側(cè)繼續(xù) 施加電壓的同時，對液晶層進行第一次紫外光照射，所述液晶層中的垂直取向劑與可聚合 單體發(fā)生聚合反應(yīng)，沉積于所述CF基板與TFT基板上，在所述CF基板與TFT基板上分別形成 第一聚合物層與第二聚合物層；
[0025] 步驟5、撤去所述液晶層兩側(cè)的電壓后，在所述第一聚合物層與第二聚合物層的作 用下，液晶分子產(chǎn)生預(yù)傾角；
[0026] 對所述液晶層進行第二次紫外光照射，使所述液晶層中殘留的垂直取向劑與可聚 合單體完全反應(yīng)，得到一液晶顯示面板。
[0027] 所述步驟2中，所述液晶混合物中，所述液晶分子的質(zhì)量百分比為94.5~99.5%， 所述垂直取向劑的質(zhì)量百分比為0.1~5.0%，所述可聚合單體的質(zhì)量百分比為0.3~ 0.5%〇
[0028]所述垂直取向劑包括
>W.v.v；V
?-
[0032] 所述可聚合單體包括 中 的至少一種。
[0033] 所述步驟1中，在所述CF基板上形成公共電極的方法包括：
[0034] 步驟11、將石墨烯粉末和表面活性劑溶解于水中，得到石墨烯懸浮液；
[0035] 步驟12、將所述石墨烯懸浮液涂布在CF基板上，對所述CF基板進行烘烤加熱后，得 到石墨烯層，所述石墨烯層構(gòu)成公共電極；
[0036]所述步驟1中，在所述TFT基板上形成像素電極的方法包括：
[0037]步驟101、將石墨烯粉末和表面活性劑溶解于水中，得到石墨烯懸浮液；
[0038]步驟102、將所述石墨烯懸浮液涂布在TFT基板上，對所述TFT基板進行烘烤加熱 后，得到石墨烯層；
[0039] 步驟103、對所述石墨烯層進行圖形化處理，得到圖形化的像素電極。
[0040] 8、如權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述公共電極與像 素電極還包括設(shè)于所述石墨烯層上的氧化石墨烯層；
[0041 ]所述步驟1中，在所述CF基板上形成公共電極的方法包括：
[0042] 步驟11'、將石墨烯粉末和表面活性劑溶解于水中，得到石墨烯懸浮液；
[0043] 步驟12'、將所述石墨烯懸浮液涂布在CF基板上，對所述CF基板（10)進行烘烤加熱 后，得到石墨烯層；
[0044] 步驟13'、在所述石墨烯層上形成氧化石墨烯層，所述石墨烯層與氧化石墨烯層共 同構(gòu)成公共電極；
[0045] 所述步驟1中，在所述TFT基板上形成像素電極的方法包括：
[0046] 步驟101'、將石墨烯粉末和表面活性劑溶解于水中，得到石墨烯懸浮液；
[0047]步驟102'、將所述石墨烯懸浮液涂布在TFT基板上，對所述TFT基板進行烘烤加熱 后，得到石墨烯層；
[0048] 步驟103'、在所述石墨烯層上形成氧化石墨烯層；
[0049] 步驟104'、同時對所述石墨烯層與氧化石墨烯層進行圖形化處理，得到圖形化的 像素電極。
[0050] 所述步驟13'與步驟103'中，在所述石墨烯層上形成氧化石墨烯層的實施方式包 括：
[0051 ]采用臭氧對所述石墨烯層進行氧化處理，得到位于所述石墨烯層表面的氧化石墨 烯層；
[0052]或者，將氧化石墨烯粉末溶解到水中，得到氧化石墨烯懸浮液，將所述氧化石墨烯 懸浮液涂布到所述石墨烯層上，得到氧化石墨烯層。
[0053]所述步驟4中，在所述液晶層兩側(cè)施加的電壓為13~25V;所述第一次紫外光照射 的能量為85~100mW/cm2,照射時間為80~150s;
[0054] 所述步驟5中，所述第二次紫外光照射的能量為85~lOOmW/cm2,照射時間為90~ 120min〇
[0055] 本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種液晶顯示面板及其制作方法，采用石墨烯 代替氧化銦錫制作公共電極與像素電極，利用石墨烯透明度高、導(dǎo)電性能好、柔韌性強且生 產(chǎn)成本低的特點，提高液晶顯示面板的顯示性能并降低液晶顯示面板的生產(chǎn)成本;利用垂 直取向劑和可聚合單體對液晶分子進行配向，省去配向膜，簡化液晶配向制程;進一步的， 通過在石墨烯層的表面設(shè)置氧化石墨烯層，可提高垂直取向劑錨定基板的能力，從而提升 液晶配向效果。
[0056] 為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì) 說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0057] 下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案 及其它有益效果顯而易見。
[0058] 附圖中，
[0059]圖1為本發(fā)明的液晶顯不面板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0060] 圖2為本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法的流程圖；
[0061] 圖3為本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法的步驟1-3的示意圖；
[0062]圖4-5為本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法的步驟4的示意圖；
[0063]圖6為本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法的步驟5的示意圖。
【具體實施方式】
[0064]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施 例及其附圖進行詳細(xì)描述。
[0065] 請參閱圖1，本發(fā)明首先提供一種液晶顯示面板，包括相對設(shè)置的CF基板10與TFT 基板20、分別設(shè)于所述CF基板10與TFT基板20相對側(cè)上的公共電極11與像素電極21、分別設(shè) 于所述公共電極11與像素電極21相對側(cè)上的第一聚合物層31與第二聚合物層32、以及設(shè)于 所述第一聚合物層31與第二聚合物層32之間的液晶層40，所述液晶層40包括液晶分子41;
[0066] 所述公共電極11與像素電極21均包括石墨烯層111;
[0067]所述第一聚合物層31與第二聚合物層32均由垂直取向劑52與可聚合單體(RM)51 聚合而成。
[0068] 優(yōu)選的，所述公共電極11與像素電極21還包括設(shè)于所述石墨烯層111上的氧化石 墨烯層112,由于所述氧化石墨烯層112表面具有-OH、-C00H等極性基團，可在液晶配向過程 中提高垂直取向劑52對所述CF基板10與TFT基板20的吸附能力，從而提升液晶顯示面板的 配向效果。
[0069] 具體的，所述垂直取向劑52為一端含有一定長度的非極性基團，一端含有極性基 團的化合物。
[0070] 優(yōu)選的，所述垂直取向劑52包括 \????·'
[0074] 具體的，所述可聚合單體51主要是一類具有光反應(yīng)特性的小分子材料。
[0075] 優(yōu)選的，所述可聚合單體51包括、中 的至少一種。
[0076]具體的，所述液晶分子41的預(yù)傾角為0.5~2°。
[0077] 具體的，所述液晶顯示面板還包括設(shè)于所述CF基板10與TFT基板20之間且位于所 述液晶分子41外圍的密封膠60、以及設(shè)于所述CF基板10與TFT基板20之間且位于所述密封 膠60外圍的導(dǎo)電膠70。
[0078]請參閱圖2，本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板的制作方法，包括如下步驟：
[0079] 步驟1、請參閱圖3,提供CF基板10與TFT基板20,在所述CF基板10與TFT基板20上分 別形成公共電極11與像素電極21，所述公共電極11與像素電極21均包括石墨烯層111。 [0080]所述步驟1中，在所述CF基板10上形成公共電極11的方法包括：
[0081 ]步驟11、將石墨烯粉末和表面活性劑溶解于水中，得到石墨烯懸浮液。
[0082]具體的，所述步驟11還包括對所述石墨烯懸浮液進行超聲處理。
[0083]具體的，所述表面活性劑包括十二烷基硫酸鈉、十二烷基硫酸銨、十二烷基磺酸 納、十^?烷基苯橫酸納、及十四烷基硫酸納中的至少一種。
[0084] 步驟12、將所述石墨烯懸浮液涂布在CF基板10上，對所述CF基板10進行烘烤加熱 后，得到石墨烯層111，所述石墨烯層111構(gòu)成公共電極11。
[0085] 具體的，所述步驟12中，采用旋轉(zhuǎn)涂布的方式將所述石墨烯懸浮液涂布在CF基板 10上。
[0086]具體的，所述步驟12中，對所述CF基板10進行烘烤加熱的溫度為80-120°C。
[0087]所述步驟1中，在所述TFT基板20上形成像素電極21的方法包括：
[0088]步驟101、將石墨烯粉末和表面活性劑溶解于水中，得到石墨烯懸浮液。
[0089]具體的，所述步驟101還包括對所述石墨烯懸浮液進行超聲處理。
[0090] 具體的，所述表面活性劑包括十二烷基硫酸鈉、十二烷基硫酸銨、十二烷基磺酸 納、十^?烷基苯橫酸納、及十四烷基硫酸納中的至少一種。
[0091] 步驟102、將所述石墨烯懸浮液涂布在TFT基板20上，對所述TFT基板20進行烘烤加 熱后，得到石墨烯層111。
[0092] 具體的，所述步驟102中，采用旋轉(zhuǎn)涂布的方式將所述石墨烯懸浮液涂布在TFT基 板20上;對所述TFT基板20進行烘烤加熱的溫度為80-120 °C。
[0093] 步驟103、對所述石墨烯層111進行圖形化處理，得到圖形化的像素電極21。
[0094] 具體的，所述步驟103中，采用光刻法或者激光直寫法對所述石墨烯層111進行圖 形化處理。
[0095] 優(yōu)選的，所述公共電極11與像素電極21還包括設(shè)于所述石墨烯層111上的氧化石 墨稀層112。
[0096] 此時，所述步驟1中，在所述CF基板10上形成公共電極11的方法包括：
[0097] 步驟11'、將石墨烯粉末和表面活性劑溶解于水中，得到石墨烯懸浮液。
[0098]具體的，所述步驟11'還包括對所述石墨烯懸浮液進行超聲處理。
[0099] 具體的，所述表面活性劑包括十二烷基硫酸鈉、十二烷基硫酸銨、十二烷基磺酸 納、十^?烷基苯橫酸納、及十四烷基硫酸納中的至少一種。
[0100] 步驟12'、將所述石墨烯懸浮液涂布在CF基板10上，對所述CF基板10進行烘烤加熱 后，得到石墨烯層111。
[0101] 具體的，所述步驟12中，采用旋轉(zhuǎn)涂布的方式將所述石墨烯懸浮液涂布在CF基板 10上;對所述CF基板10進行烘烤加熱的溫度為80-120°C。
[0102] 步驟13'、在所述石墨烯層111上形成氧化石墨烯層112,所述石墨烯層111與氧化 石墨烯層112共同構(gòu)成公共電極11。
[0103] 所述步驟13'中，在所述石墨烯層111上形成氧化石墨烯層112的實施方式包括： [0104]采用臭氧對所述石墨烯層111進行氧化處理，得到位于所述石墨烯層111表面的氧 化石墨稀層112;采用臭氧對所述石墨稀層111進行氧化處理的時間為1~5min;
[0105] 或者，將氧化石墨烯粉末溶解到水中，得到氧化石墨烯懸浮液，將所述氧化石墨烯 懸浮液涂布到所述石墨烯層111上，得到氧化石墨烯層112;溶解過程中進行超聲處理，涂布 的方式為旋轉(zhuǎn)涂布。
[0106] 所述步驟1中，在所述TFT基板20上形成像素電極21的方法包括：
[0107] 步驟101'、將石墨烯粉末和表面活性劑溶解于水中，得到石墨烯懸浮液。
[0108] 具體的，所述步驟101'還包括對所述石墨烯懸浮液進行超聲處理。
[0109] 具體的，所述表面活性劑包括十二烷基硫酸鈉、十二烷基硫酸銨、十二烷基磺酸 納、十^?烷基苯橫酸納、及十四烷基硫酸納中的至少一種。
[0110]步驟102'、將所述石墨烯懸浮液涂布在TFT基板20上，對所述TFT基板20進行烘烤 加熱后，得到石墨烯層111。
[0111] 具體的，所述步驟102'中，采用旋轉(zhuǎn)涂布的方式將所述石墨烯懸浮液涂布在TFT基 板20上。
[0112] 具體的，所述步驟102'中，對所述TFT基板20進行烘烤加熱的溫度為80-120°C。
[0113] 步驟103'、在所述石墨稀層111上形成氧化石墨稀層112。
[0114] 所述步驟103'中，在所述石墨烯層111上形成氧化石墨烯層112的實施方式包括：
[0115] 采用臭氧對所述石墨烯層111進行氧化處理，得到位于所述石墨烯層111表面的氧 化石墨稀層112;采用臭氧對所述石墨稀層111進行氧化處理的時間為1~5min;
[0116] 或者，將氧化石墨烯粉末溶解到水中，得到氧化石墨烯懸浮液，將所述氧化石墨烯 懸浮液涂布到所述石墨烯層111上，得到氧化石墨烯層112;溶解過程中進行超聲處理，涂布 的方式為旋轉(zhuǎn)涂布。
[0117] 步驟104'、同時對所述石墨烯層111與氧化石墨烯層112進行圖形化處理，得到圖 形化的像素電極21。
[0118] 具體的，所述步驟104'中，采用光刻法或者激光直寫法對所述石墨烯層111與氧化 石墨烯層112進行圖形化處理。
[0119] 步驟2、請參閱圖3,提供液晶混合物，所述液晶混合物包括液晶分子41、垂直取向 劑52、及可聚合單體51;將所述液晶混合物滴注到所述CF基板10上設(shè)有所述公共電極11的 一面或者TFT基板20上設(shè)有像素電極21的一面上。
[0120]具體的，所述步驟2中，采用液晶滴下制程將所述液晶混合物滴加到TFT基板20或 CF基板10上。
[0121]具體的，所述步驟2中，所述液晶混合物中，所述液晶分子41的質(zhì)量百分比為94.5 ~99.5%，所述垂直取向劑52的質(zhì)量百分比為0.1~5.0%，所述可聚合單體51的質(zhì)量百分 比為0.3~0.5%。
[0122] 具體的，所述垂直取向劑52為一端含有一定長度的非極性基團、一端含有極性基 團的化合物。
[0123] 優(yōu)選的，所述垂直取向劑52包括
[0124] 1
[0126] 中的至少一種。
>：
[0127] 具體的，所述可聚合單體51主要是一類具有光反應(yīng)特性的小分子材料。
[0128] 優(yōu)選的，所述可聚合單體5 1包括
與
5的至少一種。
[0129] 優(yōu)選的，所述液晶混合物還包括光引發(fā)劑，所述光引發(fā)劑的質(zhì)量百分比為0.1~ 0.5%〇
[0130] 具體的，所述光引發(fā)劑包括偶氮類引發(fā)劑、過氧化二烷基類引發(fā)劑、過氧化二酰類 引發(fā)劑、以及過氧化脂類引發(fā)劑中的至少一種。
[0131] 步驟3、請參閱圖3,提供密封膠60,在所述TFT基板20或者CF基板10上對應(yīng)所述液 晶混合物的外圍涂布密封膠60;
[0132] 將所述CF基板10與TFT基板20貼合在一起，對密封膠60進行固化；
[0133] 此時，位于所述CF基板10與TFT基板20之間的液晶混合物形成液晶層40，所述液晶 層40中的一部分垂直取向劑52吸附于所述CF基板10與TFT基板20表面，并垂直于所述CF基 板10與TFT基板20排列，從而引導(dǎo)液晶分子41垂直于所述CF基板10與TFT基板20排列。
[0134] 當(dāng)所述公共電極11與像素電極21均包括石墨烯層111及位于石墨烯層111上的氧 化石墨稀層112時，由于氧化石墨稀層112表面具有-OH、-C00H等極性基團，可以增強液晶層 40中的垂直取向劑52錨定CF基板10與TFT基板20的能力，提高液晶分子41的配向效果。
[0135] 具體的，所述步驟3中，在真空環(huán)境中將所述TFT基板20與CF基板10貼合在一起;對 密封膠50進行固化的方式包括熱固化、及UV固化中的至少一種。
[0136] 具體的，所述步驟3還包括:在所述TFT基板20與CF基板10貼合之前，在所述CF基板 10或者TFT基板20上對應(yīng)密封膠60的外圍涂布導(dǎo)電膠70。
[0137] 步驟4、請參閱圖4-5，在所述液晶層40兩側(cè)施加電壓，液晶分子41發(fā)生偏轉(zhuǎn)，在所 述液晶層40兩側(cè)繼續(xù)施加電壓的同時，對液晶層40進行第一次紫外光照射，所述液晶層40 中的垂直取向劑52與可聚合單體51發(fā)生聚合反應(yīng)，沉積于所述CF基板10與TFT基板20上，在 所述CF基板10與TFT基板20上分別形成第一聚合物層31與第二聚合物層32。
[0138] 具體的，所述步驟4中，在所述液晶層40兩側(cè)施加的電壓為13~25V;所述第一次紫 外光照射的能量為85~100mW/cm 2，照射時間為80~150 s。
[0139] 步驟5、請參閱圖6,撤去所述液晶層40兩側(cè)的電壓后，在所述第一聚合物層31與第 二聚合物層32的作用下，液晶分子41產(chǎn)生預(yù)傾角；
[0140]對所述液晶層40進行第二次紫外光照射，使所述液晶層40中殘留的垂直取向劑52 與可聚合單體51完全反應(yīng)，得到一液晶顯示面板(如圖1所示）。
[0141] 具體的，所述步驟5中，所述第二次紫外光照射的能量為85~lOOmW/cm2,照射時間 為90~120min。
[0142] 具體的，所述步驟5中，所述液晶分子41產(chǎn)生的預(yù)傾角為0.5~2°。
[0143] 綜上所述，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板及其制作方法，采用石墨烯代替氧化銦 錫制作公共電極與像素電極，利用石墨烯透明度高、導(dǎo)電性能好、柔韌性強且生產(chǎn)成本低的 特點，提高液晶顯示面板的顯示性能并降低液晶顯示面板的生產(chǎn)成本;利用垂直取向劑和 可聚合單體對液晶分子進行配向，省去配向膜，簡化液晶配向制程;進一步的，通過在石墨 烯層的表面設(shè)置氧化石墨烯層，可提高垂直取向劑錨定基板的能力，從而提升液晶配向效 果。
[0144] 以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù) 構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的 保護范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種液晶顯示面板，其特征在于，包括相對設(shè)置的CF基板(10)與TFT基板(20)、分別 設(shè)于所述CF基板(10)與TFT基板(20)相對側(cè)上的公共電極(11)與像素電極(21)、分別設(shè)于 所述公共電極(11)與像素電極(21)相對側(cè)上的第一聚合物層(31)與第二聚合物層(32)、W 及設(shè)于所述第一聚合物層(31)與第二聚合物層(32)之間的液晶層(40)，所述液晶層(40)包 括液晶分子(41); 所述公共電極(11)與像素電極(21)均包括石墨締層(111); 所述第一聚合物層(31)與第二聚合物層(32)均由垂直取向劑(52)與可聚合單體(51) 聚合而成。2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述公共電極（11)與像素電極(21) 還包括設(shè)于所述石墨締層（111)上的氧化石墨締層（112)。3. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述垂直取向劑巧2)包括所述可聚合單體（51)包括中的至少一種。4. 一種液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1、提供CF基板(10)與TFT基板(20)，在所述CF基板（10)與TFT基板(20)上分別形成 公共電極(11)與像素電極(21)，所述公共電極(11)與像素電極(21)均包括石墨締層(111); 步驟2、提供液晶混合物，所述液晶混合物包括液晶分子(41)、垂直取向劑(52)、及可聚 合單體(51);將所述液晶混合物滴注到所述CF基板(10)上設(shè)有所述公共電極（11)的一面或 者TFT基板(20)上設(shè)有像素電極(21)的一面上； 步驟3、提供密封膠(60 )，在所述TFT基板(20)或者CF基板（10)上對應(yīng)所述液晶混合物 的外圍涂布密封膠(60); 將所述CF基板(10)與TFT基板(20)貼合在一起，對密封膠(60)進行固化； 此時，位于所述CF基板（10)與TFT基板(20)之間的液晶混合物形成液晶層(40)，所述液 晶層(40)中的一部分垂直取向劑(52)吸附于所述CF基板（10)與TFT基板(20)表面，并垂直 于所述CF基板（10)與TFT基板(20)排列，從而引導(dǎo)液晶分子(41)垂直于所述CF基板（10)與 TFT基板(20)排列； 步驟4、在所述液晶層(40)兩側(cè)施加電壓，液晶分子(41)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，在所述液晶層(40) 兩側(cè)繼續(xù)施加電壓的同時，對液晶層(40)進行第一次紫外光照射，所述液晶層(40)中的垂 直取向劑(52)與可聚合單體巧1)發(fā)生聚合反應(yīng)，沉積于所述CF基板（10)與TFT基板(20)上， 在所述CF基板(10)與TFT基板(20)上分別形成第一聚合物層(31)與第二聚合物層(32); 步驟5、撤去所述液晶層(40)兩側(cè)的電壓后，在所述第一聚合物層(31)與第二聚合物層 (32)的作用下，液晶分子(41)產(chǎn)生預(yù)傾角； 對所述液晶層（40)進行第二次紫外光照射，使所述液晶層（40)中殘留的垂直取向劑 (52)與可聚合單體(51)完全反應(yīng)，得到一液晶顯示面板。5. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，所述液晶 混合物中，所述液晶分子(41)的質(zhì)量百分比為94.5~99.5%，所述垂直取向劑（52)的質(zhì)量 百分比為0.1~5.0%，所述可聚合單體(51)的質(zhì)量百分比為0.3~0.5%。6. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述垂直取向劑(52)包 括所述可聚合單體（51)包括·中的至少一種。7. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟1中，在所述CF 基板(10)上形成公共電極（11)的方法包括： 步驟11、將石墨締粉末和表面活性劑溶解于水中，得到石墨締懸浮液； 步驟12、將所述石墨締懸浮液涂布在CF基板（10)上，對所述CF基板（10)進行烘烤加熱 后，得到石墨締層（111)，所述石墨締層（111)構(gòu)成公共電極（11); 所述步驟1中，在所述TFT基板(20)上形成像素電極(21)的方法包括： 步驟101、將石墨締粉末和表面活性劑溶解于水中，得到石墨締懸浮液； 步驟102、將所述石墨締懸浮液涂布在TFT基板(20)上，對所述TFT基板(20)進行烘烤加 熱后，得到石墨締層（111); 步驟103、對所述石墨締層（111)進行圖形化處理，得到圖形化的像素電極(21)。8. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述公共電極（11)與像 素電極(21)還包括設(shè)于所述石墨締層（111)上的氧化石墨締層（112); 所述步驟1中，在所述CF基板(10)上形成公共電極(11)的方法包括： 步驟11'、將石墨締粉末和表面活性劑溶解于水中，得到石墨締懸浮液； 步驟12'、將所述石墨締懸浮液涂布在CF基板（10)上，對所述CF基板（10)進行烘烤加熱 后，得到石墨締層（111); 步驟13'、在所述石墨締層（111)上形成氧化石墨締層（112)，所述石墨締層（111)與氧 化石墨締層（112)共同構(gòu)成公共電極（11); 所述步驟1中，在所述TFT基板(20)上形成像素電極(21)的方法包括： 步驟101'、將石墨締粉末和表面活性劑溶解于水中，得到石墨締懸浮液； 步驟102'、將所述石墨締懸浮液涂布在TFT基板(20)上，對所述TFT基板(20)進行烘烤 加熱后，得到石墨締層（111); 步驟103'、在所述石墨締層（111)上形成氧化石墨締層（112); 步驟104'、同時對所述石墨締層（111)與氧化石墨締層（112)進行圖形化處理，得到圖 形化的像素電極(21)。9. 如權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟13'與步驟 103'中，在所述石墨締層（111)上形成氧化石墨締層（112)的實施方式包括： 采用臭氧對所述石墨締層（111)進行氧化處理，得到位于所述石墨締層（111)表面的氧 化石墨締層（112); 或者，將氧化石墨締粉末溶解到水中，得到氧化石墨締懸浮液，將所述氧化石墨締懸浮 液涂布到所述石墨締層(111)上，得到氧化石墨締層(112)。10. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟4中，在所述 液晶層(40)兩側(cè)施加的電壓為13~25V;所述第一次紫外光照射的能量為85~lOOmW/cm2， 照射時間為80~150s; 所述步驟5中，所述第二次紫外光照射的能量為85~lOOmW/cm2,照射時間為90~ 120min〇
【文檔編號】G02F1/1337GK105974683SQ201610552966
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年7月13日
【發(fā)明人】蘭松
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司