一種陣列基板及液晶顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及液晶顯示面板，所述陣列基板包括：主像素部，具有第一薄膜晶體管和第一像素電極；子像素部，具有第二薄膜晶體管和第二像素電極，所述第二薄膜晶體管具有第二柵極、第二源極、第二漏極，所述第二柵極與所述掃描線連接，所述第二源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述第二漏極與所述第二像素電極連接，所述子像素部還包括分享電容，所述分享電容是通過(guò)所述第二像素電極與對(duì)應(yīng)的掃描線形成的，所述分享電容用于對(duì)所述子像素部的亮度進(jìn)行調(diào)整，以使所述主像素部的亮度與所述子像素的亮度不同。本發(fā)明由于不需要設(shè)置額外的薄膜晶體管和分享電容，從而提高了面板的穿透率。
【專利說(shuō)明】_種陣列基板及準(zhǔn)晶顯不面板 【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及液晶顯示面板。 【【背景技術(shù)】】
[0002] 目前為了增大視角，通常將像素電極制作"米"字型的結(jié)構(gòu)，包含條狀的豎直主干 和條狀的水平主干，該豎直主干和水平主干統(tǒng)稱為主干郃(main-pi xel )，其中豎直主干和 水平主干中心垂直相交，所謂的中心垂直相交，即指豎直主干和水平主干相互垂直，該豎直 主干和水平主干將整個(gè)像素電極面積平均分成4個(gè)區(qū)域(sub-pixel)，這4個(gè)像素電極區(qū)域 稱為分支部;每個(gè)像素電極區(qū)域都由與豎直主干或水平主干呈±45°，±135°角度的條狀分 支（slit)平鋪組成，也即各條狀分支與豎直主干和水平主干位于同一平面上，如此形成上 下和左右分別鏡像對(duì)稱的"米"字型的像素電極結(jié)構(gòu)。這種"米"字型的像素電極結(jié)構(gòu)，由于 分支部中的條狀分支與水平主干和豎直主干的夾角相同，會(huì)存在一定的視覺(jué)色差或視覺(jué)色 偏，導(dǎo)致面板的穿透率下降。
[0003] 為了改善視覺(jué)色差或視覺(jué)色偏將子像素分成兩個(gè)獨(dú)立的像素電極，每個(gè)電極采用 "米"字型結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，如圖1所述，圖1僅給出一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)示意圖，所述像素包括:主像素 部101和子像素部102;其中，所述主像素部101具有第一薄膜晶體管T1，所述子像素部102具 有第二薄膜晶體管T2以及第三薄膜晶體管T3,所述第三薄膜晶體管T3連接分享電容14。
[0004] 所述第一薄膜晶體管T1的第一柵極和所述第二薄膜晶體管T2的第二柵極連接相 同的掃描線11;所述第一薄膜晶體管T1的第一源極和所述第二薄膜晶體管T2的第二源極連 接相同的數(shù)據(jù)線12,所述第三薄膜晶體管T3的柵極連接子掃描線11'，所述第一薄膜晶體管 T1的第一漏極通過(guò)貫穿孔連接第一像素電極和所述第二薄膜晶體管T2的第二漏極通過(guò)貫 穿孔第二像素電極;所述第一薄膜晶體管T1和所述第二薄膜晶體管T2關(guān)閉時(shí)，所述第三薄 膜晶體管T3導(dǎo)通，這時(shí)第二像素電極上的一部分電荷通過(guò)第三薄膜晶體管T3轉(zhuǎn)移到了分享 電容14上，從而使得第二像素電極對(duì)應(yīng)的第二液晶電容兩端的電壓低于第一液晶電容兩端 的電壓，從而降低大視角色偏問(wèn)題。但是由于分享電容和第三薄膜晶體管會(huì)占用一部分開(kāi) 口率，因此降低了面板的穿透率。 【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0005] 本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種陣列基板及液晶顯示面板，以解決現(xiàn)有的陣列基 板的穿透率比較低的技術(shù)問(wèn)題。
[0006] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明構(gòu)造了一種陣列基板，其包括：
[0007] 數(shù)據(jù)線、掃描線以及由所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線交錯(cuò)形成的多個(gè)像素;所述像素 包括：
[0008] 主像素部，具有第一薄膜晶體管和第一像素電極;所述第一薄膜晶體管具有第一 柵極、第一源極、第一漏極，所述第一柵極與所述掃描線連接，所述第一源極與所述數(shù)據(jù)線 連接，所述第一漏極與所述第一像素電極連接；
[0009] 子像素部，具有第二薄膜晶體管和第二像素電極，所述第二薄膜晶體管具有第二 柵極、第二源極、第二漏極，所述第二柵極與所述掃描線連接，所述第二源極與所述數(shù)據(jù)線 連接，所述第二漏極與所述第二像素電極連接，所述子像素部還包括分享電容，所述分享電 容是通過(guò)所述第二像素電極與對(duì)應(yīng)的掃描線形成的，所述分享電容用于對(duì)所述子像素部的 亮度進(jìn)行調(diào)整，以使所述主像素部的亮度與所述子像素的亮度不同。
[0010] 在本發(fā)明的陣列基板中，所述分享電容具體是通過(guò)將第一投影與第二投影部分重 疊形成的，其中所述第一投影為所述二像素電極在所述陣列基板的襯底基板上的投影，所 述第二投影為所述像素對(duì)應(yīng)的掃描線在所述陣列基板的襯底基板上的投影。
[0011] 在本發(fā)明的陣列基板中，所述分享電容用于在所述掃描線掃描完畢時(shí)，調(diào)整所述 子像素部的像素電壓，以對(duì)所述子像素部的亮度進(jìn)行調(diào)整。
[0012] 在本發(fā)明的陣列基板中，當(dāng)所述數(shù)據(jù)線輸入正極性的電壓時(shí)，所述主像素部的亮 度大于所述子像素部的亮度。
[0013] 在本發(fā)明的陣列基板中，當(dāng)所述數(shù)據(jù)線輸入負(fù)極性的電壓時(shí)，所述子像素部的亮 度大于所述主像素部的亮度。
[0014] 在本發(fā)明的陣列基板中，所述陣列基板還包括公共電極;所述第一像素電極與所 述公共電極之間形成第一存儲(chǔ)電容，所述第二像素電極與所述公共電極之間形成第二存儲(chǔ) 電容。
[0015] 本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，其包括
[0016] 彩膜基板；
[0017] 液晶層；
[0018] 陣列基板，與所述彩膜基板相對(duì)設(shè)置，所述陣列基板包括：
[0019] 數(shù)據(jù)線、掃描線以及由所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線交錯(cuò)形成的多個(gè)像素;所述像素 包括：
[0020] 主像素部，具有第一薄膜晶體管和第一像素電極;所述第一薄膜晶體管具有第一 柵極、第一源極、第一漏極，所述第一柵極與所述掃描線連接，所述第一源極與所述數(shù)據(jù)線 連接，所述第一漏極與所述第一像素電極連接；
[0021] 子像素部，具有第二薄膜晶體管和第二像素電極，所述第二薄膜晶體管具有第二 柵極、第二源極、第二漏極，所述第二柵極與所述掃描線連接，所述第二源極與所述數(shù)據(jù)線 連接，所述第二漏極與所述第二像素電極連接，所述子像素部還包括分享電容，所述分享電 容是通過(guò)所述第二像素電極與對(duì)應(yīng)的掃描線形成的，所述分享電容用于對(duì)所述子像素部的 亮度進(jìn)行調(diào)整，以使所述主像素部的亮度與所述子像素的亮度不同。
[0022] 在本發(fā)明的液晶顯示面板中，所述分享電容具體是通過(guò)將第一投影與第二投影部 分重疊形成的，其中所述第一投影為所述二像素電極在所述陣列基板的襯底基板上的投 影，所述第二投影為所述像素對(duì)應(yīng)的掃描線在所述陣列基板的襯底基板上的投影。
[0023] 在本發(fā)明的液晶顯示面板中，所述分享電容用于在所述掃描線掃描完畢時(shí)，調(diào)整 所述子像素部的像素電壓，以對(duì)所述子像素部的亮度進(jìn)行調(diào)整。
[0024]在本發(fā)明的液晶顯示面板中，當(dāng)所述數(shù)據(jù)線輸入正極性的電壓時(shí)，所述主像素部 的亮度大于所述子像素部的亮度。
[0025]本發(fā)明的陣列基板及液晶顯示面板，通過(guò)將子像素部的像素電極與掃描線之間形 成分享電容，通過(guò)分享電容調(diào)整子像素部的亮度，以使主像素部的亮度與子像素部的亮度 不同，由于不需要設(shè)置額外的薄膜晶體管和分享電容，從而提高了面板的穿透率。 【【附圖說(shuō)明】】
[0026] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的透視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖2是本發(fā)明陣列基板的透視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖3是本發(fā)明陣列基板的等效電路圖。 【【具體實(shí)施方式】】
[0029]以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施 例。本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」 等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用以 限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。
[0030]請(qǐng)參照?qǐng)D2,圖2本發(fā)明陣列基板的透視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031 ]本發(fā)明的技術(shù)方案省去了圖1中的第三薄膜晶體管T3以分享電容14;
[0032]如圖2所示，所述陣列基板包括數(shù)據(jù)線12、掃描線11以及由所述數(shù)據(jù)線和所述掃描 線交錯(cuò)形成的多個(gè)像素;所述陣列基板還包括公共線13;
[0033]所述像素包括:主像素部201和子像素部202;
[0034]結(jié)合圖3,所述主像素部201，具有第一薄膜晶體管T1和第一像素電極，所述第一薄 膜晶體管T1具有第一柵極、第一源極、第一漏極，所述第一柵極與所述掃描線11連接，所述 第一源極與所述數(shù)據(jù)線12連接，所述第一漏極與所述第一像素電極連接；
[0035]子像素部202,具有第二薄膜晶體管T2和第二像素電極，所述第二薄膜晶體管T2具 有第二柵極、第二源極、第二漏極，所述第二柵極與所述掃描線11連接，所述第二源極與所 述數(shù)據(jù)線12連接，所述第二漏極與所述第二像素電極連接，所述子像素部還包括分享電容， 所述分享電容是通過(guò)所述第二像素電極與對(duì)應(yīng)的掃描線形成的，所述分享電容用于對(duì)所述 子像素部的亮度進(jìn)行調(diào)整，使所述主像素部的亮度與所述子像素的亮度不同。所述主像素 部201和所述子像素部202都包括多個(gè)顯示疇。其中上述對(duì)應(yīng)的掃描線為向該像素輸入掃描 信號(hào)的掃描線。
[0036] 由于通過(guò)掃描線和像素電極生成分享電容，因此不需要單獨(dú)設(shè)置額外的分享電 容，也不需要設(shè)置控制該分享電容的薄膜晶體管，因此提高了穿透率。
[0037] 優(yōu)選地，所述分享電容具體是通過(guò)將第一投影與第二投影部分重疊形成的，其中 所述第一投影為所述二像素電極在所述陣列基板的襯底基板上的投影，所述第二投影為所 述像素對(duì)應(yīng)的掃描線在所述陣列基板的襯底基板上的投影。比如，像素的子像素部的像素 電極和用于給該像素輸入掃描信號(hào)的掃描線11之間的重疊部分如圖2中的虛線框203所示， 也即在所述重疊區(qū)域203形成分享電容。
[0038] 由于通過(guò)兩個(gè)導(dǎo)電層之間重疊的方式形成分享電容，簡(jiǎn)化了制程工藝，降低了生 產(chǎn)成本。
[0039] 優(yōu)選地，所述分享電容用于在所述掃描線掃描完畢時(shí)，調(diào)整所述子像素部的像素 電壓，以對(duì)所述子像素部的亮度進(jìn)行調(diào)整。
[0040] 由于分享電容在有掃描信號(hào)輸入時(shí)，向像素電極側(cè)進(jìn)行充電；當(dāng)該像素對(duì)應(yīng)的掃 描線的掃描信號(hào)輸入完畢時(shí)，分享電容放電，從而使得子像素部的電位發(fā)送變化。
[0041] 優(yōu)選地，所述陣列基板還包括公共電極;所述第一像素電極與所述公共電極之間 形成第一存儲(chǔ)電容，所述第二像素電極與所述公共電極之間形成第二存儲(chǔ)電容。具體地是 在所述第一像素電極與所述公共電極之間的重疊部分形成第一存儲(chǔ)電容，在所述第二像素 電極與所述公共電極之間的重疊部分形成第二存儲(chǔ)電容。
[0042] 具體地結(jié)合圖3,第一薄膜晶體管T1與第一像素電極連接，第一像素電極與彩膜基 板側(cè)的公共電極U0之間形成第一液晶電容Cl C1，第一像素電極與陣列基板側(cè)的公共電極U1 之間形成第一存儲(chǔ)電容Cstl。
[0043] 第二薄膜晶體管T2與第二像素電極連接，第二像素電極與彩膜基板側(cè)的公共電極 U0之間形成第二液晶電容Clc2,第二像素電極與陣列基板側(cè)的公共電極U1之間形成第二存 儲(chǔ)電容Cst2,第二像素電極與掃描線11之間形成分享電容Cst3。
[0044] 優(yōu)選地，當(dāng)所述數(shù)據(jù)線12輸入正極性的電壓時(shí)，所述主像素部201的亮度大于所述 子像素部202的亮度。由于分享電容將子像素部的一部分電荷釋放掉，因此在輸入正極性的 數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，主像素部201的亮度大于所述子像素部202的亮度。
[0045] 優(yōu)選地，當(dāng)所述數(shù)據(jù)線12輸入負(fù)極性的電壓時(shí)，所述子像素部202的亮度大于所述 主像素部201的亮度。由于分享電容將子像素部202的一部分電荷釋放掉，因此在輸入負(fù)極 性的數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，主像素部201的亮度小于所述子像素部202的亮度。
[0046]具體地，主像素部201與子像素部202之間的電壓差為AV，其中AV具體如公式1所 示：
[0047]
[0048] 其中Vgh和Vgl分別表示薄膜晶體管的柵極開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)的電壓(也即掃描線有高 電平的掃描信號(hào)輸入和沒(méi)有高電平的掃描信號(hào)輸入時(shí)的電壓），Cst2表不子像素部202的第 二存儲(chǔ)電容，Cst3表示子像素部的分享電容，Clc2表示子像素部的液晶電容。
[0049] Vgh和Vgl的大小主要取決于薄膜晶體管的特性，由于受到工藝的限制，因此調(diào)整 范圍較小。因此可以通過(guò)調(diào)整Cst3和Cst2的比例來(lái)調(diào)節(jié)Δ V的大小，Δ V始終為負(fù)，也即根據(jù) 分享電容與第二存儲(chǔ)電容的電容值設(shè)置主像素部與子像素部的亮度差。在輸入正極性的數(shù) 據(jù)信號(hào)時(shí)，子像素部202的亮度小于主像素部201的亮度，在輸入負(fù)極性的數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，子像 素部202的亮度大于主像素部201的亮度，由于陣列基板上有一半的子像素部和一半的主像 素部，因此會(huì)使得在一幀畫(huà)面內(nèi)有時(shí)鐘有一半的像素偏亮，一半的像素偏暗，整體亮度不發(fā) 生變化。與現(xiàn)有子像素部的亮度始終暗于主像素部的亮度相比，穿透率略有提升。
[0050] 本發(fā)明的陣列基板，通過(guò)將子像素部的像素電極與掃描線之間形成分享電容，通 過(guò)分享電容調(diào)整子像素部的亮度，以使主像素部的亮度與子像素部的亮度不同，由于不需 要設(shè)置額外的薄膜晶體管和分享電容，從而提高了面板的穿透率。
[0051] 本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括液晶層、彩膜基板以及 陣列基板，其中彩膜基板與陣列基板相對(duì)設(shè)置，液晶層位于所述陣列基板和所述彩膜基板 之間，所述陣列基板可以為上述任意一種陣列基板，具體地本發(fā)明的陣列基板的技術(shù)方案 省去了圖1中的第三薄膜晶體管T3以分享電容14;
[0052]如圖2所示，所述陣列基板包括數(shù)據(jù)線12、掃描線11以及由所述數(shù)據(jù)線和所述掃描 線交錯(cuò)形成的多個(gè)像素;所述陣列基板還包括公共線13;
[0053]所述像素包括:主像素部201和子像素部202;
[0054]結(jié)合圖3,所述主像素部201，具有第一薄膜晶體管Τ1和第一像素電極，所述第一薄 膜晶體管Τ1具有第一柵極、第一源極、第一漏極，所述第一柵極與所述掃描線11連接，所述 第一源極與所述數(shù)據(jù)線12連接，所述第一漏極與所述第一像素電極連接；
[0055]子像素部202,具有第二薄膜晶體管Τ2和第二像素電極，所述第二薄膜晶體管Τ2具 有第二柵極、第二源極、第二漏極，所述第二柵極與所述掃描線11連接，所述第二源極與所 述數(shù)據(jù)線12連接，所述第二漏極與所述第二像素電極連接，所述子像素部還包括分享電容， 所述分享電容是通過(guò)所述第二像素電極與對(duì)應(yīng)的掃描線形成的，所述分享電容用于對(duì)所述 子像素部的亮度進(jìn)行調(diào)整，使所述主像素部的亮度與所述子像素的亮度不同。所述主像素 部201和所述子像素部202都包括多個(gè)顯示疇。
[0056]由于通過(guò)掃描線和像素電極生成分享電容，因此不需要單獨(dú)設(shè)置額外的分享電 容，也不需要設(shè)置控制該分享電容的薄膜晶體管，因此提高了穿透率。
[0057]優(yōu)選地，所述分享電容具體是通過(guò)將第一投影與第二投影部分重疊形成的，其中 所述第一投影為所述二像素電極在所述陣列基板的襯底基板上的投影，所述第二投影為所 述像素對(duì)應(yīng)的掃描線在所述陣列基板的襯底基板上的投影。比如，像素的子像素部的像素 電極和用于給該像素輸入掃描信號(hào)的掃描線11之間的重疊部分如圖2中的虛線框203所示， 也即在所述重疊區(qū)域203形成分享電容。
[0058]由于通過(guò)兩個(gè)導(dǎo)電層之間重疊的方式形成分享電容，簡(jiǎn)化了制程工藝，降低了生 產(chǎn)成本。
[0059] 優(yōu)選地，所述分享電容用于在所述掃描線掃描完畢時(shí)，調(diào)整所述子像素部的像素 電壓，以對(duì)所述子像素部的亮度進(jìn)行調(diào)整。
[0060] 由于分享電容在有掃描信號(hào)輸入時(shí)，向像素電極側(cè)進(jìn)行充電；當(dāng)該像素對(duì)應(yīng)的掃 描線的掃描信號(hào)輸入完畢時(shí)，分享電容放電，從而使得子像素部的電位發(fā)送變化。
[0061] 優(yōu)選地，所述陣列基板還包括公共電極;所述第一像素電極與所述公共電極之間 形成第一存儲(chǔ)電容，所述第二像素電極與所述公共電極之間形成第二存儲(chǔ)電容。具體地是 在所述第一像素電極與所述公共電極之間的重疊部分形成第一存儲(chǔ)電容，在所述第二像素 電極與所述公共電極之間的重疊部分形成第二存儲(chǔ)電容。
[0062]具體地結(jié)合圖3,第一薄膜晶體管Τ1與第一像素電極連接，第一像素電極與彩膜基 板側(cè)的公共電極U0之間形成第一液晶電容Cl C1，第一像素電極與陣列基板側(cè)的公共電極U1 之間形成第一存儲(chǔ)電容Cstl。
[0063] 第二薄膜晶體管T2與第二像素電極連接，第二像素電極與彩膜基板側(cè)的公共電極 U0之間形成第二液晶電容Clc2,第二像素電極與陣列基板側(cè)的公共電極U1之間形成第二存 儲(chǔ)電容Cst2,第二像素電極與掃描線11之間形成分享電容Cst3。
[0064] 優(yōu)選地，當(dāng)所述數(shù)據(jù)線12輸入正極性的電壓時(shí)，所述主像素部201的亮度大于所述 子像素部202的亮度。由于分享電容將子像素部202的一部分電荷釋放掉，因此在輸入正極 性的數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，主像素部201的亮度大于所述子像素部202的亮度。
[0065]優(yōu)選地，當(dāng)所述數(shù)據(jù)線12輸入負(fù)極性的電壓時(shí)，所述子像素部202的亮度大于所述 主像素部201的亮度。由于分享電容將子像素部202的一部分電荷釋放掉，因此在輸入負(fù)極 性的數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，主像素部201的亮度小于所述子像素部202的亮度。
[0066] 具體地，主像素部201與子像素部202之間的電壓差為AV，其中AV具體如公式1所 示：
[0067]
[0068] 其中Vgh和Vgl分別表示薄膜晶體管的柵極開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)的電壓(也即掃描線有高 電平的掃描信號(hào)輸入和沒(méi)有高電平的掃描信號(hào)輸入時(shí)的電壓），Cst2表不子像素部202的第 二存儲(chǔ)電容，Cst3表示子像素部的分享電容，Clc2表示子像素部的液晶電容。
[0069] Vgh和Vgl的大小主要取決于薄膜晶體管的特性，由于受到工藝的限制，因此調(diào)整 范圍較小。因此可以通過(guò)調(diào)整Cst3和Cst2的比例來(lái)調(diào)節(jié)Δ V的大小，Δ V始終為負(fù)，也即根據(jù) 分享電容與第二存儲(chǔ)電容的電容值設(shè)置主像素部與子像素部的亮度差。在輸入正極性的數(shù) 據(jù)信號(hào)時(shí)，子像素部202的亮度小于主像素部201的亮度，在輸入負(fù)極性的數(shù)據(jù)信號(hào)時(shí)，子像 素部202的亮度大于主像素部201的亮度，由于陣列基板上有一半的子像素部和一半的主像 素部，因此會(huì)使得在一幀畫(huà)面內(nèi)有時(shí)鐘有一半的像素偏亮，一半的像素偏暗，整體亮度不發(fā) 生變化。與現(xiàn)有子像素部的亮度始終暗于主像素部的亮度相比，穿透率略有提升。
[0070] 本發(fā)明的液晶顯示面板，通過(guò)將子像素部的像素電極與掃描線之間形成分享電 容，通過(guò)分享電容調(diào)整子像素部的亮度，以使主像素部的亮度與子像素部的亮度不同，由于 不需要設(shè)置額外的薄膜晶體管和分享電容，從而提高了面板的穿透率。
[0071 ]綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限 制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn) 飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種陣列基板，其特征在于:包括數(shù)據(jù)線、掃描線以及由所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線交 錯(cuò)形成的多個(gè)像素;所述像素包括： 主像素部，具有第一薄膜晶體管和第一像素電極;所述第一薄膜晶體管具有第一柵極、 第一源極、第一漏極，所述第一柵極與所述掃描線連接，所述第一源極與所述數(shù)據(jù)線連接， 所述第一漏極與所述第一像素電極連接； 子像素部，具有第二薄膜晶體管和第二像素電極，所述第二薄膜晶體管具有第二柵極、 第二源極、第二漏極，所述第二柵極與所述掃描線連接，所述第二源極與所述數(shù)據(jù)線連接， 所述第二漏極與所述第二像素電極連接，所述子像素部還包括分享電容，所述分享電容是 通過(guò)所述第二像素電極與對(duì)應(yīng)的掃描線形成的，所述分享電容用于對(duì)所述子像素部的亮度 進(jìn)行調(diào)整，以使所述主像素部的亮度與所述子像素的亮度不同。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述分享電容具體是通過(guò)將第一投影與第二投影部分重疊形成的，其中所述第一投影 為所述二像素電極在所述陣列基板的襯底基板上的投影，所述第二投影為所述像素對(duì)應(yīng)的 掃描線在所述陣列基板的襯底基板上的投影。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述分享電容用于在所述掃描線掃描完畢時(shí)，調(diào)整所述子像素部的像素電壓，以對(duì)所 述子像素部的亮度進(jìn)行調(diào)整。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 當(dāng)所述數(shù)據(jù)線輸入正極性的電壓時(shí)，所述主像素部的亮度大于所述子像素部的亮度。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 當(dāng)所述數(shù)據(jù)線輸入負(fù)極性的電壓時(shí)，所述子像素部的亮度大于所述主像素部的亮度。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述陣列基板還包括公共電極;所述第一像素電極與所述公共電極之間形成第一存儲(chǔ) 電容，所述第二像素電極與所述公共電極之間形成第二存儲(chǔ)電容。7. -種液晶顯示面板，其特征在于:包括 彩膜基板； 液晶層； 陣列基板，與所述彩膜基板相對(duì)設(shè)置，所述陣列基板包括： 數(shù)據(jù)線、掃描線以及由所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線交錯(cuò)形成的多個(gè)像素;所述像素包括： 主像素部，具有第一薄膜晶體管和第一像素電極;所述第一薄膜晶體管具有第一柵極、 第一源極、第一漏極，所述第一柵極與所述掃描線連接，所述第一源極與所述數(shù)據(jù)線連接， 所述第一漏極與所述第一像素電極連接； 子像素部，具有第二薄膜晶體管和第二像素電極，所述第二薄膜晶體管具有第二柵極、 第二源極、第二漏極，所述第二柵極與所述掃描線連接，所述第二源極與所述數(shù)據(jù)線連接， 所述第二漏極與所述第二像素電極連接，所述子像素部還包括分享電容，所述分享電容是 通過(guò)所述第二像素電極與對(duì)應(yīng)的掃描線形成的，所述分享電容用于對(duì)所述子像素部的亮度 進(jìn)行調(diào)整，以使所述主像素部的亮度與所述子像素的亮度不同。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述分享電容具體是通過(guò)將第一投影與第二投影部分重疊形成的，其中所述第一投影 為所述二像素電極在所述陣列基板的襯底基板上的投影，所述第二投影為所述像素對(duì)應(yīng)的 掃描線在所述陣列基板的襯底基板上的投影。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于， 所述分享電容用于在所述掃描線掃描完畢時(shí)，調(diào)整所述子像素部的像素電壓，以對(duì)所 述子像素部的亮度進(jìn)行調(diào)整。10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其特征在于， 當(dāng)所述數(shù)據(jù)線輸入正極性的電壓時(shí)，所述主像素部的亮度大于所述子像素部的亮度。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK106094377SQ201610592025
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年7月25日 公開(kāi)號(hào)201610592025.4, CN 106094377 A, CN 106094377A, CN 201610592025, CN-A-106094377, CN106094377 A, CN106094377A, CN201610592025, CN201610592025.4
【發(fā)明人】徐向陽(yáng)
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司