種各樣的相位差 功能。在使用了垂直取向型的液晶的情況下，也可以為液晶層120為+C板的相位差膜。理論 上，+C板是指折射率比Nz為的情況，但在本發(fā)明中，將-6以下的情況定義為+C板。從該方 面考慮，在本發(fā)明中，折射率比Nz為-6以下的情況也判斷為+C板。
[0232]另外，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，在液晶層120為+C板的情況下，相位差膜100也可 以為使用+A板或-B板的基材110而具有視場(chǎng)角補(bǔ)償特性的相位差膜。理論上，+A板是指折射 率比Nz為1的情況，但考慮現(xiàn)實(shí)的狀況，在本發(fā)明中，將0.9~1.1的情況定義為+A板。從該方 面考慮，在本發(fā)明中，折射率比Nz為0.9~1.1的情況也判斷為+A板。因此，在本發(fā)明的基材 110為+A板或-B板的情況下，是指折射率比Nz為0.9以上的情況、優(yōu)選為1以上的情況。此外， 在基材110為+A板的情況下，R。可以為120~140nm，在-B板的情況下，R?？梢詾?15~125nm。
[0233]具有這樣的視場(chǎng)角補(bǔ)償特性的相位差膜可有用地用于具備IPS模式的液晶單元的 圖像顯示裝置。
[0234]〈圖像顯示裝置〉
[0235]本發(fā)明提供具備上述的本發(fā)明的相位差膜的圖像顯示裝置。本發(fā)明的相位差膜可 使用粘合劑等接合于偏振膜或者代替保護(hù)膜直接接合于PVA起偏器的一面而用于顯示器面 板。該顯示器面板代表性地可應(yīng)用于液晶顯示裝置等。
[0236]圖3表示具備本發(fā)明的相位差膜100的顯示器面板的概略層疊結(jié)構(gòu)。另外，圖3表示 在上板起偏器300的一面直接接合有本發(fā)明的相位差膜的結(jié)構(gòu)。在上板起偏器300的一面直 接接合有本發(fā)明的相位差膜中的液晶層120，在液晶層120的液晶單元400側(cè)依次接合有底 漆層130及光軸為0°的基材110。這種情況下，液晶層120可以為+C板，基材110可以為+A板 或-B板。另外，液晶單元400也可以為IPS模式的液晶單元。
[0237]PVA系的上板起偏器300和作為+C板的液晶層120可以使用該領(lǐng)域中的公知的粘接 劑接合。例如，可以用水系或UV系的粘接劑接合。液晶單元400和基材110可以使用該領(lǐng)域中 的公知的粘合劑或粘接劑接合。
[0238] 在液晶單元400的下面配置有下板起偏器300'，在液晶單元400與下板起偏器300' 之間也可以插入保護(hù)膜500。保護(hù)膜500的R。及Rth可以為0。
[0239] 不過，上述的顯示器面板僅為基于本發(fā)明的一個(gè)例子，除具備本發(fā)明的相位差膜 以外，也可以包含本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域中該領(lǐng)域技術(shù)人員已知的構(gòu)成，沒有特別限制。
[0240]以下，通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明詳細(xì)地進(jìn)行說明。應(yīng)予說明，基于本發(fā)明的實(shí)施例可以 變形為各種形態(tài)，不應(yīng)限定于這些實(shí)施例來解釋本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的實(shí)施例是為了向 本領(lǐng)域中具有平均知識(shí)的技術(shù)人員更完全地說明本發(fā)明而提供的。
[0241 ]實(shí)施例1-7及比較例1-2
[0242] 通過下述表1中記載的組成來制備液晶層形成用組合物。在表1中，液晶性化合物 使用以28:38:28的重量比混合作為垂直取向型的液晶性化合物的化學(xué)式16的化合物(BASF 公司制造）、化學(xué)式17的化合物(愛敬化學(xué)制造)和化學(xué)式18的化合物(愛敬化學(xué)制造)而得 到的產(chǎn)物。
[0243] 另一方面，在實(shí)施了等離子體表面處理的（實(shí)施例5及比較例1除外)拉伸的C0P膜 上形成了底漆層130后，在該底漆層上涂布上述實(shí)施例1~7及比較例1~2的液晶層形成用 組合物，在60°C下干燥1分鐘。然后，通過進(jìn)行曝光來誘導(dǎo)固化反應(yīng)，制作相位差膜。
[0244] [表1]
[0245]
[0246] 試驗(yàn)例
[0247] 對(duì)制造的相位差膜進(jìn)行下述的試驗(yàn)，將其結(jié)果示于表2。
[0248] 〈相位差1>
[0249] R0:以視場(chǎng)角0°測(cè)得的相位差膜的相位差
[0250] R50、R-50:以視場(chǎng)角50°、視場(chǎng)角-50°測(cè)得的該相位差膜的相位差
[0251] [評(píng)價(jià)基準(zhǔn)]
[0252] ◎:0·97〈R0/R50或R0/R_50〈l·03
[0253] 〇：0 · 95〈R0/R50或R0/R-50〈0 · 97、或者
[0254] 1.03〈R0/R50或R0/R_50〈1.05
[0255] Λ: 0 · 90〈R0/R50或R0/R-50〈0 · 95、或者
[0256] 1·05〈R0/R50或R0/R_50〈l·1
[0257] X:R0/R50或R0/R-50為1.1 以上或0.90以下
[0258] 〈相位差2>
[0259] Rr:比較例1中制造的相位差膜的相位差
[0260] Rs:該相位差膜的相位差
[0261] [評(píng)價(jià)基準(zhǔn)]
[0262] ?：0.97<Rs/Rr<1.03
[0263] 〇：0·95〈Rs/Rr〈0·97或1·03〈Rs/Rr〈l·05
[0264] Λ:0·90〈Rs/Rr〈0·95或1·05〈Rs/Rr〈l·1
[0265] X:Rs/Rr為1.1 以上或Rs/Rr為0.90以下 [0266]〈層間粘接力〉
[0267] 在液晶層的表面，使用交叉影線(crosshatch)以設(shè)置100個(gè)四方形的方式切入切 痕。在其上貼附Nichiban株式會(huì)社制造的膠帶，將該膠帶沿垂直方向剝離，數(shù)出剝離的四方 形的個(gè)數(shù)，確認(rèn)基材與液晶之間的層間粘接力。在通過光學(xué)顯微鏡評(píng)價(jià)液晶層時(shí)，如下所述 通過圖案的剝離程度進(jìn)行評(píng)價(jià)。
[0268] [評(píng)價(jià)基準(zhǔn)]
[0269] ◎:沒有圖案的剝離
[0270]〇：圖案的剝離為1~3個(gè) [0271] Λ:圖案的剝離為4~8個(gè)
[0272] X:圖案的剝離超過8個(gè)
[0273] [表 2]
[0274]
[0275] 由上述表2可知，基于本發(fā)明的實(shí)施例的相位差膜顯示與比較例的相位差膜相同 或類似的光學(xué)性能，但層間粘接力比比較例更優(yōu)異。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 相位差膜，其為具有通過化學(xué)鍵接合的液晶層和底漆層的相位差膜，所述化學(xué)鍵由 所述底漆層的表面的羥基及羧基中的至少一個(gè)和存在于所述液晶層所含有的粘接力增強(qiáng) 劑的末端的異氰酸酯基及（甲基)丙烯酸酯基形成。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位差膜，其中，液晶層與底漆層之間的化學(xué)鍵為通過所述液 晶層的粘接力增強(qiáng)劑的異氰酸酯基與所述底漆層的羥基或羧基的反應(yīng)而形成的尿烷鍵。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位差膜，其中，所述底漆層為水系底漆層或有機(jī)系底漆層。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的相位差膜，其中，所述水系底漆層含有使選自由低分子二醇化 合物、聚醚二醇、聚酯二醇、聚醚酯二醇及聚碳酸酯二醇化合物構(gòu)成的組中的至少1種的二 醇化合物與多元異氰酸酯反應(yīng)而得到的水系聚氨酯樹脂。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的相位差膜，其中，所述有機(jī)系底漆層含有在其末端具有異氰酸 酯基及（甲基)丙烯酸酯基的第1單體與具有羥基或羧基的多官能第2單體聚合而得到的樹 脂。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的相位差膜，其中，所述權(quán)利要求1的化學(xué)鍵還包含所述液晶層 所含有的粘接力增強(qiáng)劑與所述底漆層所含有的第1單體之間的碳-碳飽和鍵。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位差膜，其中，所述液晶層由包含具有能夠與粘接力增強(qiáng)劑 的異氰酸酯基或（甲基)丙烯酸酯基反應(yīng)的反應(yīng)性基團(tuán)的液晶性化合物的固化性組合物形 成。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的相位差膜，其中，所述液晶性化合物的反應(yīng)性基團(tuán)為碳-碳不 飽和鍵、羥基、環(huán)氧基或氛基。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的相位差膜，其中，所述液晶性化合物為垂直取向型的液晶性化 合物。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位差膜，其中，所述相位差膜包含依次配置液晶層、底漆層 及基材而成的結(jié)構(gòu)。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的相位差膜，其中，所述基材含有經(jīng)表面處理或非表面處理 的、三乙酰纖維素系、環(huán)烯烴系或PMMA系聚合物。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的相位差膜，其中，所述表面處理為選自由皂化處理、底漆處 理、電暈處理、等離子體處理及涂敷處理構(gòu)成的組中的至少一個(gè)處理。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的相位差膜，其中，所述等離子體處理為選自由遠(yuǎn)距離等離子 體(remote plasma)處理、直接等離子體（direct plasma)處理及單體等離子體(monomer plasma)處理構(gòu)成的組中的至少一個(gè)。14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位差膜，其中，所述底漆層的液晶層側(cè)的表面的水接觸角 為60~80°。15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的相位差膜，其中，所述基材為+A板或-B板，所述液晶層為+C 板。16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的相位差膜，其中，所述粘接力增強(qiáng)劑為選自由下述化學(xué)式1~ 4的化合物構(gòu)成的組中的1種以上，式中，辦及辦相互獨(dú)立地為氫或甲基， R3及R7相互獨(dú)立地為被選自由酮基、酯基及硫醇基構(gòu)成的組中的基團(tuán)取代或未取代的 碳數(shù)1~10的亞烷基， R4及R6相互獨(dú)立地為被選自由酰氨基、酮基、酯基及硫醇基構(gòu)成的組中的基團(tuán)取代或未 取代的碳數(shù)1~10的亞烷基， R5為被碳數(shù)1~8的烷氧基取代或未取代的碳數(shù)1~10的亞烷基，式中，R7及R8相互獨(dú)立地為氫或甲基， R9及Rn相互獨(dú)立地為被選自由酮基、酯基及硫醇基構(gòu)成的組中的基團(tuán)取代或未取代的 碳數(shù)1~10的亞烷基， R10為（i)ElSE3相互獨(dú)立地為被碳數(shù)1~8的烷氧基取代或未取 代的碳數(shù)1~I 〇的烷基、或者碳數(shù)1~8的烷氧基，E2為被碳數(shù)1~8的烷氧基取代或未取代的 碳數(shù)1~10的亞烷基，式中，Rl2為氫或甲基， Ri3為被選自由酮基、酯基及硫醇基構(gòu)成的組中的基團(tuán)取代或未取代的碳數(shù)1~10的亞 烷基，式中，Rl4為氫或甲基， Ri5為被選自由酮基、酯基及硫醇基構(gòu)成的組中的基團(tuán)取代或未取代的碳數(shù)1~10的亞 烷基。17.根據(jù)權(quán)利要求5所述的相位差膜，其中，所述第1單體為選自由下述化學(xué)式1~4的化 合物構(gòu)成的組中的1種以上，式中，辦及辦相互獨(dú)立地為氫或甲基， R3及R7相互獨(dú)立地為被選自由酮基、酯基及硫醇基構(gòu)成的組中的基團(tuán)取代或未取代的 碳數(shù)1~10的亞烷基， R4及R6相互獨(dú)立地為被選自由酰氨基、酮基、酯基及硫醇基構(gòu)成的組中的基團(tuán)取代或未 取代的碳數(shù)1~10的亞烷基， R5為被碳數(shù)1~8的烷氧基取代或未取代的碳數(shù)1~10的亞烷基，式中，R7及R8相互獨(dú)立地為氫或甲基， R9及Rn相互獨(dú)立地為被選自由酮基、酯基及硫醇基構(gòu)成的組中的基團(tuán)取代或未取代的 碳數(shù)1~10的亞烷基， R10為（i)Ei&E3相互獨(dú)立地為被碳數(shù)1~8的烷氧基取代或未取 代的碳數(shù)1~IO的烷基、或者碳數(shù)1~8的烷氧基，E2為被碳數(shù)1~8的烷氧基取代或未取代的 碳數(shù)1~10的亞烷基，式中，Rl2為氫或甲基， Ri3為被選自由酮基、酯基及硫醇基構(gòu)成的組中的基團(tuán)取代或未取代的碳數(shù)1~10的亞 烷基，式中，Rw為氫或甲基， Ri5為被選自由酮基、酯基及硫醇基構(gòu)成的組中的基團(tuán)取代或未取代的碳數(shù)1~10的亞 烷基。18. 圖像顯示裝置，其具備根據(jù)權(quán)利要求1~17中任一項(xiàng)所述的相位差膜。19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的圖像顯示裝置，其中，所述圖像顯示裝置為IPS模式。
【專利摘要】本發(fā)明提供各層間粘接力非常高的相位差膜及具備該相位差膜的圖像顯示裝置。本發(fā)明的相位差膜為具有通過化學(xué)鍵接合的液晶層和底漆層的相位差膜，所述化學(xué)鍵由所述底漆層的表面的羥基及羧基中的至少一個(gè)和存在于所述液晶層所含有的粘接力增強(qiáng)劑的末端的異氰酸酯基及(甲基)丙烯酸酯基形成。
【IPC分類】G02F1/1335, G02B5/30
【公開號(hào)】CN105431752
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480043161
【發(fā)明人】宋昺勛, 金東輝, 金容演
【申請(qǐng)人】東友精細(xì)化工有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2014年4月16日
【公告號(hào)】WO2015016456A1