娃的沉積速度為10.Onm/min; (8) 反應完畢后，將陽CVD腔體持續(xù)抽真空，直至陽CVD腔體內(nèi)溫度達到150-170°C; (9) 打開PECVD腔體，取出沉積有氮化娃保護膜的光刻掩膜版及拋光娃片，表面呈淡藍 色； (10) 測量拋光娃片上的氮化娃參數(shù)值作為光刻掩膜版上的氮化娃的參數(shù)值，經(jīng)測定， 氮化娃保護膜的厚度為220nm，折射率為2. 0 ; (11) 沉積有氮化娃保護膜的光刻掩膜版制作完成。
[0016] 實施例2 一種在光刻掩膜版表面制備PECVD沉積氮化娃保護膜的方法，包括如下工藝步驟： (1) 準備待制作的光刻掩膜版及拋光娃片； (2) 對光刻掩膜版及拋光娃片表面進行清洗，清洗的具體過程為：用質(zhì)量濃度為90%的 硫酸加熱到90°C后將光刻掩膜版和拋光娃片煮洗20min，再用去離子水沖洗25min，將光刻 掩膜版用成吹干，放入專用石英版架內(nèi)；拋光娃片用甩干機甩干8min，放在專用花籃待用； (3) 將清洗后的光刻掩膜版及拋光娃片置入烘箱內(nèi)烘烤15min，烘烤溫度70°C; (4) 向PECVD腔體內(nèi)放入烘烤完的光刻掩膜版及干凈拋光娃片，要求光刻掩膜版正面 即銘面朝上，拋光娃片正面即拋光面朝上放置； (5) 將陽CVD腔體抽真空，真空度為2. 8X10中曰； (6) 將陽CVD腔體加熱到370-390°C范圍內(nèi)，通入反應氣體SiH4和畑3,SiH4和畑3的 通入流量均為30ml/min; (7 )控制反應氣體通入量，使PECVD腔體內(nèi)的氣壓保持在25-40Pa，打開射頻電源，進行 等離子體增強化學氣相沉積反應，反應時間為8-12min;射頻頻率為13.OMHz，射頻功率為 700W，反應過程中氮化娃的沉積速度為9. 5nm/min; (8) 反應完畢后，將陽CVD腔體持續(xù)抽真空，直至陽CVD腔體內(nèi)溫度達到150-170°C; (9) 打開PECVD腔體，取出沉積有氮化娃保護膜的光刻掩膜版及拋光娃片，表面呈淡藍 色； (10) 測量拋光娃片上的氮化娃參數(shù)值作為光刻掩膜版上的氮化娃的參數(shù)值，經(jīng)測定， 氮化娃保護膜的厚度為210nm，折射率為1. 8 ; (11) 沉積有氮化娃保護膜的光刻掩膜版制作完成。
[0017] 實施例3 一種在光刻掩膜版表面制備PECVD沉積氮化娃保護膜的方法，包括如下工藝步驟： (1) 準備待制作的光刻掩膜版及拋光娃片； (2) 對光刻掩膜版及拋光娃片表面進行清洗，清洗的具體過程為：用質(zhì)量濃度為95%的 硫酸加熱到70°C后將光刻掩膜版和拋光娃片煮洗lOmin，再用去離子水沖洗15min，將光刻 掩膜版用成吹干，放入專用石英版架內(nèi)；拋光娃片用甩干機甩干6min，放在專用花籃待用； (3) 將清洗后的光刻掩膜版及拋光娃片置入烘箱內(nèi)烘烤5min，烘烤溫度80°C; (4) 向PECVD腔體內(nèi)放入烘烤完的光刻掩膜版及干凈拋光娃片，要求光刻掩膜版正面 即銘面朝上，拋光娃片正面即拋光面朝上放置； (5) 將陽CVD腔體抽真空，真空度為3. 2X10中曰； (6) 將陽CVD腔體加熱到370-390°C范圍內(nèi)，通入反應氣體SiH4和畑3,SiH4和畑3的 通入流量均為30ml/min; (7 )控制反應氣體通入量，使PECVD腔體內(nèi)的氣壓保持在25-40Pa，打開射頻電源，進行 等離子體增強化學氣相沉積反應，反應時間為8-12min;射頻頻率為14.OMHz，射頻功率為 900W，反應過程中氮化娃的沉積速度為10. 5nm/min; (8) 反應完畢后，將陽CVD腔體持續(xù)抽真空，直至陽CVD腔體內(nèi)溫度達到150-170°C; (9) 打開PECVD腔體，取出沉積有氮化娃保護膜的光刻掩膜版及拋光娃片，表面呈淡藍 色； (10) 測量拋光娃片上的氮化娃參數(shù)值作為光刻掩膜版上的氮化娃的參數(shù)值，經(jīng)測定， 氮化娃保護膜的厚度為230nm，折射率為2. 2 ; (11) 沉積有氮化娃保護膜的光刻掩膜版制作完成。
【主權項】
1. 一種在光刻掩膜版表面制備PECVD沉積氮化硅保護膜的方法，其特征在于，包括如 下工藝步驟： (1) 準備待制作的光刻掩膜版及拋光娃片； (2) 對光刻掩膜版及拋光硅片表面進行清洗； (3) 將清洗后的光刻掩膜版及拋光硅片置入烘箱內(nèi)烘烤5-15min，烘烤溫度70-80°C; (4) 向PECVD腔體內(nèi)放入烘烤完的光刻掩膜版及干凈拋光硅片，要求光刻掩膜版正面 即鉻面朝上，拋光硅片正面即拋光面朝上放置； (5) 將PECVD腔體抽真空，真空度為2. 8X10 4-3. 2X104Pa; (6) 將PECVD腔體加熱到370-390°C范圍內(nèi)，通入反應氣體SiHjPNH3,SiHjPNH3的 通入流量均為30ml/min; (7 )控制反應氣體通入量，使PECVD腔體內(nèi)的氣壓保持在25-40Pa，打開射頻電源，進行 等離子體增強化學氣相沉積反應，反應時間為8-12min; (8) 反應完畢后，將PECVD腔體持續(xù)抽真空，直至PECVD腔體內(nèi)溫度達到150-170°C; (9) 打開PECVD腔體，取出沉積有氮化硅保護膜的光刻掩膜版及拋光硅片，表面呈淡藍 色； (10) 測量拋光硅片上的氮化硅參數(shù)值作為光刻掩膜版上的氮化硅的參數(shù)值； (11) 沉積有氮化硅保護膜的光刻掩膜版制作完成。2. 根據(jù)權利要求1所述的一種在光刻掩膜版表面制備PECVD沉積氮化硅保護膜的 方法，其特征在于，步驟（2)中，清洗的具體過程為：用質(zhì)量濃度為90-95%的硫酸加熱到 70-90°C后將光刻掩膜版和拋光硅片煮洗10_20min，再用去離子水沖洗15-25min，將光刻 掩膜版用N2吹干，放入專用石英版架內(nèi)；拋光硅片用甩干機甩干6-8min，放在專用花籃待 用。3. 根據(jù)權利要求1所述的一種在光刻掩膜版表面制備PECVD沉積氮化硅保護膜的方 法，其特征在于，步驟（7)中，射頻頻率為13-14MHZ，射頻功率為700-900W。4. 根據(jù)權利要求1所述的一種在光刻掩膜版表面制備PECVD沉積氮化硅保護膜的方 法，其特征在于，步驟（7)中，氮化娃的沉積速度為9. 5-10. 5nm/min。5. 根據(jù)權利要求1所述的一種在光刻掩膜版表面制備PECVD沉積氮化硅保護膜的方 法，其特征在于，步驟（10)中，氮化硅保護膜的厚度為210-230nm，折射率為1. 8-2. 2。
【專利摘要】發(fā)明屬于集成電路技術領域，涉及一種在光刻掩膜版表面制備PECVD沉積氮化硅保護膜的方法。本發(fā)明采用PECVD法在光刻掩膜版沉積氮化硅的工藝溫度低，沉積速度快，沉積薄膜均勻，薄膜的缺陷密度較低，可以大大降低掩膜版受損程度，延長使用壽命；而且在接觸式曝光過程中，帶氮化硅薄膜保護的光刻掩膜版與硅片表面的耐磨性與不帶氮化硅保護的掩膜版的使用情況相比較，使用壽命可明顯延長2倍以上。
【IPC分類】C23C16/513, C23C16/34, G03F1/48, C23C16/04
【公開號】CN105182683
【申請?zhí)枴緾N201510576486
【發(fā)明人】安彪, 張曉情, 杜林德, 鄧春茂, 楊虹
【申請人】天水天光半導體有限責任公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年9月11日