本發(fā)明涉及濾光片技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種121.6nm窄帶負(fù)濾光片及其制備方法。

背景技術(shù)：

121.6nm譜線是氫元素的拉曼阿爾法發(fā)射線，它具有許多顯著的特點(diǎn)，因而成為許多太陽探測任務(wù)的成像目標(biāo)。為了保證探測的光譜純度，需要使用121.6nm負(fù)濾光片，以在121.6nm處獲得較高的反射率。

然而，現(xiàn)有的121.6nm負(fù)濾光片在實(shí)際應(yīng)用過程中，存在旁帶和可見光波段的反射率較高的現(xiàn)象，從而降低了121.6nm譜線質(zhì)量。

綜上所述可以看出，如何設(shè)計(jì)和制備高質(zhì)量的121.6nm負(fù)濾光片，以降低旁帶和可見光波段的反射率是目前亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種121.6nm窄帶負(fù)濾光片及其制備方法，能夠降低121.6nm負(fù)濾光片的旁帶和可見光波段的反射率，有利于提升121.6nm譜線質(zhì)量。其具體方案如下：

一種121.6nm窄帶負(fù)濾光片制備方法，包括：

確定制備121.6nm窄帶負(fù)濾光片時(shí)所需的多層膜的鍍膜材料以及相應(yīng)的基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)；

基于所述鍍膜材料以及所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，計(jì)算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度；

根據(jù)所述等效導(dǎo)納以及位相厚度，依次在多層膜與入射介質(zhì)之間、以及多層膜與基底之間分別進(jìn)行導(dǎo)納匹配處理，以對(duì)所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，得到優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)；

根據(jù)所述優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負(fù)濾光片。

可選的，多層膜的鍍膜材料為laf3和mgf2。

可選的，多層膜中與所述基底接觸的膜層以及最外層膜層均為laf3膜層，并且，所述基底為融石英基底。

可選的，所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)為sub/(0.7h0.6l0.7h)^11/air。

可選的，所述基于所述鍍膜材料以及所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，計(jì)算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度的過程，包括：

基于所述鍍膜材料以及所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，并利用macleod薄膜設(shè)計(jì)軟件中的equivalentparameters功能，計(jì)算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度。

可選的，所述依次在多層膜與入射介質(zhì)之間、以及多層膜與基底之間分別進(jìn)行導(dǎo)納匹配處理的過程，包括：

在所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜與入射介質(zhì)之間展開導(dǎo)納匹配處理，以對(duì)所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，得到第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)；

在所述第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜與所述基底之間展開導(dǎo)納匹配處理，以對(duì)所述第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)再次進(jìn)行優(yōu)化，得到第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

可選的，所述第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)為：

sub/((0.7h0.6l0.7h)^90.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air；

所述第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)為：

sub/(0.9(0.7h0.6l0.7h)^2(0.7h0.6l0.7h)^70.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air。

可選的，所述根據(jù)所述優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負(fù)濾光片的過程之前，還包括：

將高斯型反射帶輪廓作為目標(biāo)曲線，并結(jié)合optilayer軟件中的constrainedoptimizarion功能，對(duì)所述第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜展開再次優(yōu)化，得到第三次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

可選的，所述根據(jù)所述優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負(fù)濾光片的過程之前，還包括：

利用optilayer軟件的sensitivity-directedrefinement功能，對(duì)所述第三次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)進(jìn)行再次優(yōu)化，得到第四次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，本發(fā)明還公開了一種121.6nm窄帶負(fù)濾光片，所述121.6nm窄帶負(fù)濾光片具體為利用前述公開的方法制備的121.6nm窄帶負(fù)濾光片。

本發(fā)明中，121.6nm窄帶負(fù)濾光片制備方法，包括：確定制備121.6nm窄帶負(fù)濾光片時(shí)所需的多層膜的鍍膜材料以及相應(yīng)的基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)；基于鍍膜材料以及基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，計(jì)算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度；根據(jù)等效導(dǎo)納以及位相厚度，依次在多層膜與入射介質(zhì)之間、以及多層膜與基底之間分別進(jìn)行導(dǎo)納匹配處理，以對(duì)基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，得到優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)；根據(jù)優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負(fù)濾光片。

可見，本發(fā)明確定出相應(yīng)的鍍膜材料以及基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)時(shí)候，將會(huì)計(jì)算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度，接著利用上述計(jì)算結(jié)果，依次在多層膜與入射介質(zhì)、以及多層膜和基底之間分別進(jìn)行導(dǎo)納匹配處理，這樣可以實(shí)現(xiàn)對(duì)上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，可消除由于多層膜與入射介質(zhì)、基底之間導(dǎo)納不匹配而使得旁帶和可見光波段具有高反射率的現(xiàn)象，而基于上述經(jīng)過優(yōu)化處理的膜系結(jié)構(gòu)制備得到的121.6nm負(fù)濾光片具有較低的旁帶以及可見光波段的反射率，從而有利于提升121.6nm譜線的質(zhì)量。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明公開的一種121.6nm窄帶負(fù)濾光片制備方法流程圖；

圖2為基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)sub/(0.7h0.6l0.7h)^11/air的理論反射率曲線圖；

圖3為本發(fā)明公開的一種具體的121.6nm窄帶負(fù)濾光片制備方法流程圖；

圖4為初始膜系單元結(jié)構(gòu)(0.7h0.6l0.7h)的等效導(dǎo)納圖；

圖5為膜系結(jié)構(gòu)sub/(0.7h0.6l0.7h)^11mh/air的理論反射率曲線圖；

圖6為0.964(0.7h0.6l0.7h)等效層的光學(xué)導(dǎo)納圖；

圖7為多層膜sub/((0.7h0.6l0.7h)^90.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air的理論反射率曲線圖；

圖8為0.9(0.7h0.6l0.7h)等效層的光學(xué)導(dǎo)納圖；

圖9為sub/(0.9(0.7h0.6l0.7h)^2(0.7h0.6l0.7h)^70.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air的理論反射率曲線圖；

圖10為本發(fā)明公開的更具體的121.6nm窄帶負(fù)濾光片制備方法流程圖；

圖11為經(jīng)optilayer軟件中的constrainedoptimizarion功能優(yōu)化的多層膜理論反射率曲線以及高斯型反射帶輪廓目標(biāo)曲線圖；

圖12為經(jīng)optilayer軟件的sdr功能優(yōu)化的多層膜理論反射率曲線圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種121.6nm窄帶負(fù)濾光片制備方法，參見圖1所示，該方法包括：

步驟s11：確定制備121.6nm窄帶負(fù)濾光片時(shí)所需的多層膜的鍍膜材料以及相應(yīng)的基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例中，具體可以將laf3(即三氟化鑭)和mgf2(即氟化鎂)作為多層膜的鍍膜材料。另外，多層膜中與基底接觸的膜層以及最外層膜層均為laf3膜層，并且，基底為融石英基底。

本實(shí)施例中，優(yōu)先采用一階周期多層膜來構(gòu)造基礎(chǔ)膜系。在光學(xué)薄膜設(shè)計(jì)中，一般采用調(diào)整高低折射率材料的厚度比例來調(diào)節(jié)帶寬。由于mgf2具有較高的應(yīng)力，所以本實(shí)施例可以通過減少低折射率材料在多層膜的比例來降低帶寬。另外，由于受到最小膜厚(10nm)的限制，最終，本實(shí)施例決定選擇h/l＝1.4/0.6。與此對(duì)應(yīng)的，本實(shí)施例具體將上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為sub/(0.7h0.6l0.7h)^11/air。圖2示出了上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)的理論反射率曲線。從圖2可以看出，在上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的理論反射率曲線中，旁帶和可見光波段的反射率較高，需要進(jìn)行抑制。

步驟s12：基于上述鍍膜材料以及基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，計(jì)算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度。

步驟s13：根據(jù)等效導(dǎo)納以及位相厚度，依次在多層膜與入射介質(zhì)之間、以及多層膜與基底之間分別進(jìn)行導(dǎo)納匹配處理，以對(duì)基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，得到優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例中，由于考慮到多層膜與基底和入射介質(zhì)的導(dǎo)納不匹配會(huì)導(dǎo)致旁帶和可見光波段的反射率較高的現(xiàn)象，所以，本實(shí)施例決定對(duì)多層膜與入射介質(zhì)、以及多層膜與基底之間進(jìn)行導(dǎo)納匹配處理，以消除由于多層膜與入射介質(zhì)、基底之間導(dǎo)納不匹配而使得旁帶和可見光波段具有高反射率的現(xiàn)象。而為了實(shí)現(xiàn)對(duì)多層膜與入射介質(zhì)、以及多層膜與基底進(jìn)行導(dǎo)納匹配的目的，本實(shí)施例需要先計(jì)算出相應(yīng)的等效參數(shù)，其中，上述等效參數(shù)包括等效導(dǎo)納以及位相厚度。

步驟s14：根據(jù)優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負(fù)濾光片。

可見，本發(fā)明實(shí)施例確定出相應(yīng)的鍍膜材料以及基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)時(shí)候，將會(huì)計(jì)算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度，接著利用上述計(jì)算結(jié)果，依次在多層膜與入射介質(zhì)、以及多層膜和基底之間分別進(jìn)行導(dǎo)納匹配處理，這樣可以實(shí)現(xiàn)對(duì)上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，可消除由于多層膜與入射介質(zhì)、基底之間導(dǎo)納不匹配而使得旁帶和可見光波段具有高反射率的現(xiàn)象，而基于上述經(jīng)過優(yōu)化處理的膜系結(jié)構(gòu)制備得到的121.6nm負(fù)濾光片具有較低的旁帶以及可見光波段的反射率，從而有利于提升121.6nm譜線的質(zhì)量。

參見圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種具體的121.6nm窄帶負(fù)濾光片制備方法，包括：

步驟s21：確定制備121.6nm窄帶負(fù)濾光片時(shí)所需的多層膜的鍍膜材料以及相應(yīng)的基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例中，具體可以將laf3(即三氟化鑭)和mgf2(即氟化鎂)作為多層膜的鍍膜材料。另外，多層膜中與基底接觸的膜層以及最外層膜層均為laf3膜層，并且，基底為融石英基底。

另外，本實(shí)施例具體將上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為sub/(0.7h0.6l0.7h)^11/air。

步驟s22：基于上述鍍膜材料以及基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，并利用macleod薄膜設(shè)計(jì)軟件中的equivalentparameters功能，計(jì)算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度。

本實(shí)施例中，考慮到由于在遠(yuǎn)紫外波段，材料具有色散和吸收，而且是傾斜入射，所以等效參數(shù)的計(jì)算非常困難。為了解決這個(gè)問題，本實(shí)施例決定采用macleod軟件中的equivalentparameters功能來進(jìn)行等效參數(shù)的計(jì)算。在傾斜入射條件下，equivalentparameters功能能夠分別計(jì)算出p光和s光的等效參數(shù)，后續(xù)便可基于上述計(jì)算出來的等效參數(shù)展開相應(yīng)的導(dǎo)納匹配處理。

步驟s23：根據(jù)等效導(dǎo)納以及位相厚度，在基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜與入射介質(zhì)之間展開導(dǎo)納匹配處理，以對(duì)基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，得到第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

具體的，本實(shí)施例使用macleod軟件中的equivalentparameters功能計(jì)算了初始膜系單元結(jié)構(gòu)(0.7h0.6l0.7h)的等效參數(shù)，其在115nm處的等效導(dǎo)納是5.04。由單層減反射導(dǎo)納條件，匹配的單層膜導(dǎo)納應(yīng)為(5.04×1)0.5＝2.24，而laf3在115nm處的折射率為2.20。因此本實(shí)施例首先使用單層laf3膜對(duì)多層膜和入射介質(zhì)做導(dǎo)納匹配。圖4給出了初始膜系單元結(jié)構(gòu)(0.7h0.6l0.7h)等效導(dǎo)納圖。經(jīng)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，laf3膜取0.95h光學(xué)厚度時(shí)，雖然115nm處的反射率很低，但反射帶右側(cè)旁帶的反射率偏高，最終本實(shí)施例選取了0.6h的光學(xué)厚度。圖5給出了膜系結(jié)構(gòu)sub/(0.7h0.6l0.7h)^11mh/air的理論反射率曲線，m分別為0.95和0.6，入射角10°。從圖5可以看出旁帶反射率有所下降，但仍然較高，需要做進(jìn)一步抑制。

從圖4可以看出，在反射帶較遠(yuǎn)的地方，等效導(dǎo)納比較平穩(wěn)，而臨近反射帶的區(qū)域等效導(dǎo)納有急劇的變化，這也是反射帶旁帶不容易匹配的原因。接下來本實(shí)施例可以使用漂移等效層來作進(jìn)一步的匹配。漂移等效層是指與多層膜對(duì)稱等效層厚度稍有差別的對(duì)稱結(jié)構(gòu)，一般其對(duì)應(yīng)將要做匹配的目標(biāo)波長。圖6給出了0.964(0.7h0.6l0.7h)等效層的光學(xué)導(dǎo)納圖，其在115nm處的導(dǎo)納為2.248，滿足減反射導(dǎo)納條件。經(jīng)試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)該漂移等效層的周期數(shù)為2時(shí)，匹配效果最好。圖7給出了多層膜sub/((0.7h0.6l0.7h)^90.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air的理論反射率曲線。

經(jīng)過上述處理，本實(shí)施例中得到的第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)具體為：

sub/((0.7h0.6l0.7h)^90.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air。

關(guān)于上述膜系結(jié)構(gòu)中各個(gè)參數(shù)的具體含義可以參考薄膜光學(xué)領(lǐng)域中的相關(guān)定義，在此不再重復(fù)說明。

步驟s24：在第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜與基底之間展開導(dǎo)納匹配處理，以對(duì)第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)再次進(jìn)行優(yōu)化，得到第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

具體的，在得到上述第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)之后，本實(shí)施例進(jìn)一步使用漂移等效層對(duì)多層膜和基底在132nm處做導(dǎo)納匹配。經(jīng)計(jì)算發(fā)現(xiàn)0.83(0.7h0.6l0.7h)的在132nm處的等效導(dǎo)納為1.637，恰好滿足減反射導(dǎo)納條件((1.314×2.041)0.5＝1.638),但是由于它們每一層的物理厚度都小于10nm。所以本實(shí)施例決定選用0.9(0.7h0.6l0.7h)，它在132nm處的導(dǎo)納為1.55。圖8給出了0.9(0.7h0.6l0.7h)等效層的光學(xué)導(dǎo)納圖。經(jīng)計(jì)算發(fā)現(xiàn)該漂移等效層的周期數(shù)是2時(shí)，旁帶的抑制效果最好。圖9則給出了多層膜sub/(0.9(0.7h0.6l0.7h)^2(0.7h0.6l0.7h)^70.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air的理論反射率曲線。

從圖9可以看出，經(jīng)過分別對(duì)多層膜和基底及入射介質(zhì)做導(dǎo)納匹配，設(shè)計(jì)出了帶寬10nm、在121.6nm處反射率為71％、反射帶旁帶及可見光波段反射率小于10％的窄帶負(fù)濾光片。

經(jīng)過上述處理，本實(shí)施例中得到的第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)具體為：

sub/(0.9(0.7h0.6l0.7h)^2(0.7h0.6l0.7h)^70.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air。

步驟s25：根據(jù)上述第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負(fù)濾光片。

也即，根據(jù)上述第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，可以制備出帶寬10nm、在121.6nm處反射率為71％、反射帶旁帶及可見光波段反射率小于10％的窄帶負(fù)濾光片。

參見圖10所示，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種更具體的121.6nm窄帶負(fù)濾光片制備方法，包括：

步驟s31：確定制備121.6nm窄帶負(fù)濾光片時(shí)所需的多層膜的鍍膜材料以及相應(yīng)的基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例中，具體可以將laf3(即三氟化鑭)和mgf2(即氟化鎂)作為多層膜的鍍膜材料。另外，多層膜中與基底接觸的膜層以及最外層膜層均為laf3膜層，并且，基底為融石英基底。

另外，本實(shí)施例具體將上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為sub/(0.7h0.6l0.7h)^11/air。

步驟s32：基于上述鍍膜材料以及基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，并利用macleod薄膜設(shè)計(jì)軟件中的equivalentparameters功能，計(jì)算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度。

步驟s33：根據(jù)等效導(dǎo)納以及位相厚度，在基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜與入射介質(zhì)之間展開導(dǎo)納匹配處理，以對(duì)基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，得到第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例中，上述第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)具體為：

sub/((0.7h0.6l0.7h)^90.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air。

步驟s34：在第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜與基底之間展開導(dǎo)納匹配處理，以對(duì)第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)再次進(jìn)行優(yōu)化，得到第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例中，上述第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)具體為：

sub/(0.9(0.7h0.6l0.7h)^2(0.7h0.6l0.7h)^70.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air。

步驟s35：將高斯型反射帶輪廓作為目標(biāo)曲線，并結(jié)合optilayer軟件中的constrainedoptimizarion功能，對(duì)第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜展開再次優(yōu)化，得到第三次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

具體的，在得到上述第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)之后，本實(shí)施例進(jìn)一步引入了高斯型反射帶輪廓作為設(shè)計(jì)目標(biāo)曲線，使用optilayer軟件中的constrainedoptimizarion功能優(yōu)化多層膜，并將膜厚限制在10-100nm。圖11給出了經(jīng)optilayer軟件中的constrainedoptimizarion功能優(yōu)化的多層膜理論反射率曲線和高斯型反射帶輪廓目標(biāo)曲線。從圖11可以看出，經(jīng)優(yōu)化后，帶寬從10nm降至5nm，但反射帶右側(cè)的旁帶和可見光波段反射率偏高，有必要通過下面步驟s36做進(jìn)一步的優(yōu)化。

步驟s36：利用optilayer軟件的sensitivity-directedrefinement功能，對(duì)第三次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)進(jìn)行再次優(yōu)化，得到第四次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例在上述步驟s35的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步將圖11中反射帶曲線作為新的目標(biāo)曲線，其他波段的目標(biāo)曲線不變。使用optilayer軟件的sensitivity-directedrefinement(sdr)功能對(duì)多層膜的右側(cè)旁帶和可見光波段作進(jìn)一步優(yōu)化。圖12給出了經(jīng)optilayer軟件的sdr功能優(yōu)化的多層膜理論反射率曲線。

從圖12可以看出，經(jīng)optilayer軟件的constrainedoptimization和sdr功能優(yōu)化后，設(shè)計(jì)出了帶寬5nm、在121.6nm處反射率為39％、反射帶旁帶及可見光波段反射率小于5％的窄帶負(fù)濾光片。

步驟s37：根據(jù)上述第四次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負(fù)濾光片。

也即，根據(jù)上述第四次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，可以制備出帶寬5nm、在121.6nm處反射率為39％、反射帶旁帶及可見光波段反射率小于5％的窄帶負(fù)濾光片。

進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例還公開了一種121.6nm窄帶負(fù)濾光片，其中，上述121.6nm窄帶負(fù)濾光片具體為利用前述實(shí)施例公開的方法制備的121.6nm窄帶負(fù)濾光片。

由前述實(shí)施例中公開的內(nèi)容可知，利用前述實(shí)施例中公開的方法，可以制備出兩種121.6nm窄帶負(fù)濾光片，其中一種為帶寬10nm、在121.6nm處反射率為71％、反射帶旁帶及可見光波段反射率小于10％的窄帶負(fù)濾光片，另一種為帶寬5nm、在121.6nm處反射率為39％、反射帶旁帶及可見光波段反射率小于5％的窄帶負(fù)濾光片。

最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上對(duì)本發(fā)明所提供的一種121.6nm窄帶負(fù)濾光片及其制備方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。