4700nm帶通紅外濾光敏感元件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及紅外濾光敏感元件領(lǐng)域，尤其是一種4700nm帶通紅外濾光敏感元件。
【背景技術(shù)】
[0002]紅外濾光敏感元件過(guò)濾、截止可見(jiàn)光同時(shí)允許通過(guò)紅外線(xiàn)。紅外線(xiàn)的波長(zhǎng)很容易地穿透任何的物體，也就是紅外線(xiàn)在經(jīng)過(guò)物體時(shí)不會(huì)發(fā)生折射。利用紅外線(xiàn)的這個(gè)特性，只讓長(zhǎng)波長(zhǎng)的紅外線(xiàn)通過(guò)，濾除短波長(zhǎng)的紫外線(xiàn)和可見(jiàn)光。應(yīng)用于很多領(lǐng)域，目前對(duì)于石化系統(tǒng)紅外氣體檢測(cè)過(guò)程中所使用的濾光敏感元件存在的問(wèn)題是透過(guò)率和截止區(qū)的信噪比不高，不能滿(mǎn)足高精度的測(cè)量要求。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測(cè)試精度高、能極大提高信噪比的4700nm帶通紅外濾光敏感元件。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所設(shè)計(jì)的一種4700nm帶通紅外濾光敏感元件，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板，以Ge、S1為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有103nm厚度的Ge層、346nm厚度的S1層、160nm厚度的Ge層、160nm厚度的S1層、122nm厚度的Ge層、353nm厚度的S1層、134nm厚度的Ge層、294nm厚度的S1層、145nm厚度的Ge層、203nm厚度的S1層、1lnm厚度的Ge層、478nm厚度的S1層、215nm厚度的Ge層、301nm厚度的S1層、145nm厚度的Ge層、604nm厚度的S1層、245nm厚度的Ge層、265nm厚度的S1層、126nm厚度的Ge層、645nm厚度的S1層、243nm厚度的Ge層、323nm厚度的S1層、37nm厚度的Ge層、788nm厚度的S1層、416nm厚度的Ge層、807nm厚度的S1層、487nm厚度的Ge層、339nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有140nm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、56Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、56Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、207nm厚度的Ge層、849nm厚度的ZnS層。
[0005]上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專(zhuān)利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在1nm左右。
[0006]本發(fā)明所得到的一種4700nm帶通紅外濾光敏感元件，其中心波長(zhǎng)4700±20nm，其在石化系統(tǒng)紅外氣體檢測(cè)過(guò)程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件的峰值透過(guò)率Tp彡80%，帶寬=90±10nm，400?14000nm(除通帶外)，Tavg<0.5%0
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過(guò)率實(shí)測(cè)曲線(xiàn)圖。
[0009]圖中:第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面通過(guò)實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
[0011]實(shí)施例1。
[0012]如圖1和圖2所示，本實(shí)施例描述的一種4700nm帶通紅外濾光敏感元件，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板2，以Ge、S1為第一鍍膜層I和以Ge、ZnS為第二鍍膜層3，且所述基板2設(shè)于第一鍍膜層I與第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有103nm厚度的Ge層、346nm厚度的S1層、160nm厚度的Ge層、160nm厚度的S1層、122nm厚度的Ge層、353nm厚度的S1層、134nm厚度的Ge層、294nm厚度的S1層、145nm厚度的Ge層、203nm厚度的S1層、1lnm厚度的Ge層、478nm厚度的S1層、215nm厚度的Ge層、30Inm厚度的S1層、145nm厚度的Ge層、604nm厚度的S1層、245nm厚度的Ge層、265nm厚度的S1層、126nm厚度的Ge層、645nm厚度的S1層、243nm厚度的Ge層、323nm厚度的S1層、37nm厚度的Ge層、788nm厚度的S1層、416nm厚度的Ge層、807nm厚度的S1層、487nm厚度的Ge層、339nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有140nm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、56Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、56Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、207nm厚度的Ge層、849nm厚度的ZnS層。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種4700nm帶通紅外濾光敏感元件，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板(2)，以Ge、S1為第一鍍膜層(I)和以Ge、ZnS為第二鍍膜層(3 )，且所述基板(2 )設(shè)于第一鍍膜層(I)與第二鍍膜層(3)之間，其特征是所述第一鍍膜層(I)由內(nèi)向外依次排列包含有103nm厚度的Ge層、346nm厚度的S1層、160nm厚度的Ge層、160nm厚度的S1層、122nm厚度的Ge層、353nm厚度的S1層、134nm厚度的Ge層、294nm厚度的S1層、145nm厚度的Ge層、203nm厚度的S1層、1lnm厚度的Ge層、478nm厚度的S1層、215nm厚度的Ge層、301nm厚度的S1層、145nm厚度的Ge層、604nm厚度的S1層、245nm厚度的Ge層、265nm厚度的S1層、126nm厚度的Ge層、645nm厚度的S1層、243nm厚度的Ge層、323nm厚度的S1層、37nm厚度的Ge層、788nm厚度的S1層、416nm厚度的Ge層、807nm厚度的S1層、487nm厚度的Ge層、339nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層(3)由內(nèi)向外依次排列包含有140nm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、56 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、56 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、28 Inm厚度的Ge層、526nm厚度的ZnS層、207nm厚度的Ge層、849nm厚度的ZnS層。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種4700nm帶通紅外濾光敏感元件，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間。本發(fā)明所得到的一種4700nm帶通紅外濾光敏感元件，其中心波長(zhǎng)4700±20nm，其在石化系統(tǒng)紅外氣體檢測(cè)過(guò)程中，可大大的提高信噪比，提高測(cè)試精準(zhǔn)度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件的峰值透過(guò)率Tp≥80％，帶寬=90±10nm，400～14000nm（除通帶外），Tavg<0.5%。
【IPC分類(lèi)】G02B5-20
【公開(kāi)號(hào)】CN104597547
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410734380
【發(fā)明人】王繼平, 呂晶, 余初旺
【申請(qǐng)人】杭州麥樂(lè)克電子科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2014年12月7日