4700nm長波通紅外濾光敏感元件的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及紅外濾光敏感元件領域，尤其是一種4700nm長波通紅外濾光敏感元件。
【背景技術】
[0002]紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)是通過非接觸探測紅外能量(熱量)，并將其轉(zhuǎn)換為電信號，進而在顯示器上生成熱圖像和溫度值，并可以對溫度值進行計算的一種檢測設備。紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)能夠?qū)⑻綔y到的熱量精確量化或測量，使您不僅能夠觀察熱圖像，還能夠?qū)Πl(fā)熱的故障區(qū)域進行準確識別和嚴格分析。
[0003]紅外熱成像儀的探測器是實現(xiàn)紅外能量(熱能)轉(zhuǎn)換電信號的關鍵，由于各種生物所發(fā)出來的紅外能量(熱能)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的熱圖像，人們往往會在探測器中添加紅外濾光敏感元件，通過紅外濾光敏感元件可以使探測器只接受特定波段的紅外能量(熱能)，保證紅外熱成像儀的成像結果。
[0004]但是，目前的紅外濾光敏感元件，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發(fā)展的需要。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的是為了解決上述技術的不足而提供一種測試精度高、能極大提高信噪比的4700nm長波通紅外濾光敏感元件。
[0006]為了達到上述目的，本發(fā)明所設計的一種4700nm長波通紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板設于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，其特征是所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有96nm厚度的Ge層、158nm厚度的ZnS層、139nm厚度的Ge層、147nm厚度的ZnS層、106nm厚度的Ge層、157nm厚度的ZnS層、89nm厚度的Ge層、220nm厚度的ZnS層、118nm厚度的Ge層、198nm厚度的ZnS層、99nm厚度的Ge層、156nm厚度的ZnS層、1lnm厚度的Ge層、169nm厚度的ZnS層、134nm厚度的Ge層、163nm厚度的ZnS層、185nm厚度的Ge層、232nm厚度的ZnS層、177nm厚度的Ge層、166nm厚度的ZnS層、135nm厚度的Ge層、261nm厚度的ZnS層、206nm厚度的Ge層、158nm厚度的ZnS層、IlOnm厚度的Ge層、143nm厚度的ZnS層、241nm厚度的Ge層、126nm厚度的ZnS層、215nm厚度的Ge層、209nm厚度的ZnS層、193nm厚度的Ge層、924nm厚度的ZnS層；所述的第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有109nm厚度的Ge層、152nm厚度的ZnS層、243nm厚度的Ge層、213nm厚度的ZnS層、203nm厚度的Ge層、248nm厚度的ZnS層、189nm厚度的Ge層、296nm厚度的ZnS層、185nm厚度的Ge層、347nm厚度的ZnS層、163nm厚度的Ge層、364nm厚度的ZnS層、141nm厚度的Ge層、351nm厚度的ZnS層、184nm厚度的Ge層、358nm厚度的ZnS層、26 Inm厚度的Ge層、354nm厚度的ZnS層、267nm厚度的Ge層、470nm厚度的ZnS層、197nm厚度的Ge層、561nm厚度的ZnS層、231nm厚度的Ge層、367nm厚度的ZnS層、372nm厚度的Ge層、265nm厚度的ZnS層、260nm厚度的Ge層、1005nm厚度的ZnS層。
[0007]上述各材料對應的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護的范圍，為等同關系。通常厚度的公差在1nm左右。
[0008]本發(fā)明所得到的一種4700nm長波通紅外濾光敏感元件，其在溫度測量過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件5% Cuton=4700nm，6700 ?13500nm，Tavg ^ 70%，1500 ?4200nm，Tavg ^ 0.5%，T ^ 3.0%。
【附圖說明】
[0009]圖1是實施例整體結構示意圖。
[0010]圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。
[0011]圖中:第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。
【具體實施方式】
[0012]下面通過實施例結合附圖對本發(fā)明作進一步的描述。
[0013]實施例1。
[0014]如圖1和圖2所示，本實施例描述的一種4700nm長波通紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板2，以Ge、ZnS為第一鍍膜層I和以Ge、ZnS為第二鍍膜層3，且所述基板2設于第一鍍膜層I與第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有96nm厚度的Ge層、158nm厚度的ZnS層、139nm厚度的Ge層、147nm厚度的ZnS層、106nm厚度的Ge層、157nm厚度的ZnS層、89nm厚度的Ge層、220nm厚度的ZnS層、118nm厚度的Ge層、198nm厚度的ZnS層、99nm厚度的Ge層、156nm厚度的ZnS層、1lnm厚度的Ge層、169nm厚度的ZnS層、134nm厚度的Ge層、163nm厚度的ZnS層、185nm厚度的Ge層、232nm厚度的ZnS層、177nm厚度的Ge層、166nm厚度的ZnS層、135nm厚度的Ge層、261nm厚度的ZnS層、206nm厚度的Ge層、158nm厚度的ZnS層、IlOnm厚度的Ge層、143nm厚度的ZnS層、241nm厚度的Ge層、126nm厚度的ZnS層、215nm厚度的Ge層、209nm厚度的ZnS層、193nm厚度的Ge層、924nm厚度的ZnS層；所述的第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有109nm厚度的Ge層、152nm厚度的ZnS層、243nm厚度的Ge層、213nm厚度的ZnS層、203nm厚度的Ge層、248nm厚度的ZnS層、189nm厚度的Ge層、296nm厚度的ZnS層、185nm厚度的Ge層、347nm厚度的ZnS層、163nm厚度的Ge層、364nm厚度的ZnS層、141nm厚度的Ge層、351nm厚度的ZnS層、184nm厚度的Ge層、358nm厚度的ZnS層、26 Inm厚度的Ge層、354nm厚度的ZnS層、267nm厚度的Ge層、470nm厚度的ZnS層、197nm厚度的Ge層、561nm厚度的ZnS層、23Inm厚度的Ge層、367nm厚度的ZnS層、372nm厚度的Ge層、265nm厚度的ZnS層、260nm厚度的Ge層、1005nm厚度的ZnS層。
【主權項】
1.一種4700nm長波通紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板(2)，以Ge、ZnS為第一鍍膜層(I)和以Ge、ZnS為第二鍍膜層(3 )，且所述基板(2 )設于第一鍍膜層(I)與第二鍍膜層(3)之間，其特征是所述第一鍍膜層(I)由內(nèi)向外依次排列包含有96nm厚度的Ge層、158nm厚度的ZnS層、139nm厚度的Ge層、147nm厚度的ZnS層、106nm厚度的Ge層、157nm厚度的ZnS層、89nm厚度的Ge層、220nm厚度的ZnS層、118nm厚度的Ge層、198nm厚度的ZnS層、99nm厚度的Ge層、156nm厚度的ZnS層、1lnm厚度的Ge層、169nm厚度的ZnS層、134nm厚度的Ge層、163nm厚度的ZnS層、185nm厚度的Ge層、232nm厚度的ZnS層、177nm厚度的Ge層、166nm厚度的ZnS層、135nm厚度的Ge層、261nm厚度的ZnS層、206nm厚度的Ge層、158nm厚度的ZnS層、IlOnm厚度的Ge層、143nm厚度的ZnS層、241nm厚度的Ge層、126nm厚度的ZnS層、215nm厚度的Ge層、209nm厚度的ZnS層、193nm厚度的Ge層、924nm厚度的ZnS層；所述的第二鍍膜層(3)由內(nèi)向外依次排列包含有109nm厚度的Ge層、152nm厚度的ZnS層、243nm厚度的Ge層、213nm厚度的ZnS層、203nm厚度的Ge層、248nm厚度的ZnS層、189nm厚度的Ge層、296nm厚度的ZnS層、185nm厚度的Ge層、347nm厚度的ZnS層、163nm厚度的Ge層、364nm厚度的ZnS層、141nm厚度的Ge層、351nm厚度的ZnS層、184nm厚度的Ge層、358nm厚度的ZnS層、26Inm厚度的Ge層、354nm厚度的ZnS層、267nm厚度的Ge層、470nm厚度的ZnS層、197nm厚度的Ge層、561nm厚度的ZnS層、231nm厚度的Ge層、367nm厚度的ZnS層、372nm厚度的Ge層、265nm厚度的ZnS層、260nm厚度的Ge層、1005nm厚度的ZnS層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種4700nm長波通紅外濾光敏感元件，包括以Si為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板設于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間。本發(fā)明所得到的一種4700nm長波通紅外濾光敏感元件，其在溫度測量過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件5％Cut on=4700nm，6700～13500nm，Tavg≥70%，1500～4200nm，Tavg≤0.5%，T≤3.0%。
【IPC分類】G02B5-20
【公開號】CN104597544
【申請?zhí)枴緾N201410733883
【發(fā)明人】王繼平, 劉晶, 呂晶
【申請人】杭州麥樂克電子科技有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2014年12月7日