本發(fā)明涉及多光譜濾波器陣列，更具體地涉及基于金屬鏡的多光譜濾波器陣列。

背景技術(shù)：

可采用多光譜傳感器裝置來(lái)捕捉信息。例如，多光譜傳感器裝置可以捕捉涉及一組電磁頻率的信息。該多光譜傳感器裝置可以包括捕捉信息的傳感器元件組(例如，光學(xué)傳感器、光譜傳感器、和/或圖像傳感器)。例如，可以采用傳感器元件組來(lái)捕捉涉及多個(gè)頻率的信息。傳感器元件中的一個(gè)特定的傳感器元件可以與一個(gè)濾波器相關(guān)聯(lián)，該濾波器限制朝向該特定傳感器元件引導(dǎo)的頻率范圍。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)一些可能的實(shí)施方式，裝置可以包括設(shè)置在基底上的多光譜濾波器陣列。該多光譜濾波器陣列可包括設(shè)置在基底上的第一金屬鏡。該多光譜濾波器陣列可包括設(shè)置在第一金屬鏡上的間隔件。間隔件可包括層組。間隔件可包括設(shè)置在間隔件上的第二金屬鏡。第二金屬鏡可與傳感器元件組中的兩個(gè)或更多個(gè)傳感器元件對(duì)齊。

根據(jù)一些可能的實(shí)施方式，光學(xué)濾波器可包括第一層。第一層可以是第一鏡，以反射朝向所述第一層引導(dǎo)的一部分光。第一層可沉積在與傳感器元件組相關(guān)聯(lián)的基底上。光學(xué)濾波器可包括第二層組。第二層組可僅沉積在第一層上。第二層組可與對(duì)應(yīng)于傳感器元件組的通道組相關(guān)聯(lián)。通道組中的通道可與一特定的厚度相關(guān)聯(lián)，該特定的厚度與朝向傳感器元件組中的一特定傳感器元件引導(dǎo)的光的特定波長(zhǎng)相對(duì)應(yīng)。光學(xué)濾波器可包括第三層。第三層可以是第二金屬鏡，以反射朝向所述第三層引導(dǎo)的一部分光。第三層可沉積在與所述第二層組相關(guān)聯(lián)的所述傳感器元件組中的多個(gè)上。

根據(jù)一些可能的實(shí)施方式，系統(tǒng)可包括嵌入在基底中的光學(xué)傳感器組。系統(tǒng)可以包括沉積在基底上的多光譜濾波器陣列。多光譜濾波器陣列可包括：第一銀(ag)金屬鏡、第二銀(ag)金屬鏡、以及設(shè)置在所述第一銀(ag)金屬鏡和所述第二銀(ag)金屬鏡之間的多個(gè)間隔件層。

附圖說(shuō)明

圖1是文中描述的示例性實(shí)施方式的概略圖；

圖2是用于制造具有多光譜濾波器陣列的傳感器裝置的示例性工藝的示圖；

圖3a-3c是涉及示于圖2的示意性工藝的示例性實(shí)施方式的示圖；

圖4a-4c是涉及示于圖2的示意性工藝的另一示例性實(shí)施方式的示圖；

圖5a和5b是涉及示于圖2的示意性工藝的另一示例性實(shí)施方式的示圖；

圖6a-6e是涉及示于圖2的示意性工藝的另一示例性實(shí)施方式的示圖；

圖7a和7b是涉及示于圖2的示意性工藝的另一示例性實(shí)施方式的示圖；

圖8a和8b是涉及示于圖2的示意性工藝的另一示例性實(shí)施方式的示圖；

圖9是涉及示于圖2的示意性工藝的示例性示圖；

圖10a和10b是涉及示于圖2的示意性工藝的示例性示圖。

具體實(shí)施方式

下文中對(duì)示例性實(shí)施方式的詳細(xì)的描述參考附圖。在不同附圖中的相同的附圖標(biāo)記可以指示相同或類(lèi)似的元件。

傳感器元件(例如，光學(xué)傳感器)可以被結(jié)合進(jìn)光學(xué)傳感器裝置，以獲取關(guān)于一組電磁頻率的信息(例如，光譜數(shù)據(jù))。例如，光學(xué)傳感器裝置可包括特定的光學(xué)傳感器，諸如圖像傳感器，多光譜傳感器，或者能夠進(jìn)行被朝向特定的光學(xué)傳感器引導(dǎo)的光的傳感器測(cè)量的傳感器。在該情況下，光學(xué)傳感器可以采用一種或多種圖像傳感器技術(shù)，諸如使用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)技術(shù)的圖像傳感器，或是采用電荷耦合裝置(ccd)技術(shù)的圖像傳感器，等等。光學(xué)傳感器裝置可以包括多個(gè)傳感器元件(例如，傳感器元件陣列)，其中每個(gè)傳感器元件配置為獲取信息。另外地，或替代地，光學(xué)傳感器裝置可包括傳感器元件組(例如，光學(xué)傳感器)，其配置為獲取圖像組，其中每個(gè)與光的不同波長(zhǎng)相關(guān)聯(lián)。

傳感器元件可以與將光過(guò)濾進(jìn)傳感器元件的濾波器相關(guān)聯(lián)。例如，傳感器元件可以與線(xiàn)性可變?yōu)V波器(lvf)、圓性可變?yōu)V波器(cvf)、法布里—珀羅濾波器等對(duì)齊，以使得朝向傳感器元件引導(dǎo)的一部分光被過(guò)濾。然而，難以適應(yīng)lvf或cvf來(lái)集成濾波器陣列，或者將濾波器形成圖案為與半導(dǎo)體相關(guān)聯(lián)。然而，一些濾波器組用于多光譜感測(cè)，其可與相對(duì)于高的角位移值(angleshiftvalues)、相對(duì)小的光譜范圍等相關(guān)聯(lián)，這可能減少可被捕捉的信息的光譜范圍或者降低被捕捉的信息的精度。

這里描述的實(shí)施方式可以采用環(huán)保耐用的濾波器陣列，其使用金屬鏡用于多光譜感測(cè)。以這種方式，光學(xué)濾波器可被提供至光學(xué)傳感器裝置，并具有相對(duì)于一種或多種其他類(lèi)型的濾波器的改進(jìn)的耐久性，改進(jìn)的光譜范圍，以及降低的角位移。此外，相對(duì)于一種或多種其他類(lèi)型的濾波器，將濾波器結(jié)合進(jìn)基于半導(dǎo)體的傳感器元件或傳感器元件陣列的難度可被降低。

圖1是文中描述的示例性實(shí)施方式100的概略圖。如圖1所示，多光譜濾波器105(例如，二元結(jié)構(gòu)的濾波器陣列)可包括第一鏡110-1、第二鏡110-2和間隔件102。

如圖1進(jìn)一步示出的，第一鏡110-1和第二鏡110-2可夾有(sandwich)間隔件120。換句話(huà)說(shuō)，間隔件120可以將第一鏡110-1和第二鏡110-2以一閾值距離隔開(kāi)，和/或間隔件120的表面可以被第一鏡110-1和第二鏡110-2封閉。在一些實(shí)施方式中，鏡110可以與特定的材料相關(guān)聯(lián)。例如，鏡110可以是金屬(例如，銀)的沉積層。鏡110可以和與多光譜濾波器陣列的每個(gè)通道相關(guān)聯(lián)的傳感器元件陣列的每個(gè)傳感器元件相對(duì)齊。

在一些實(shí)施方式中，間隔件120可以包括一個(gè)或多個(gè)間隔件層130。例如，間隔件120可以包括間隔件層130-1到130-5(例如，介質(zhì)層)的組。在一些實(shí)施方式中，一個(gè)或多個(gè)層130的厚度可以與確保對(duì)于特定波長(zhǎng)的最小間隔件厚度相關(guān)聯(lián)。

在一些示例中，諸如對(duì)于朝向一個(gè)或多個(gè)傳感器引導(dǎo)的380納米(nm)的波長(zhǎng)，對(duì)于具有2.448的折射率和190nm的光學(xué)厚度的間隔件材料，層130-1可以與厚度77.6nm相關(guān)聯(lián)。以這種方式，間隔件120確保了對(duì)于將被朝向一個(gè)或多個(gè)傳感器元件引導(dǎo)的光的最小波長(zhǎng)來(lái)說(shuō)鏡110之間的最小的間隔。在一些實(shí)施方式中，一個(gè)或多個(gè)間隔件層130的厚度可以基于二進(jìn)制變化。例如，間隔件層130-2可以與約56.6納米(nm)的厚度相關(guān)聯(lián)，間隔件層130-3可以與約28.3(nm)的厚度相關(guān)聯(lián)，間隔件層130-4可以與約14.1(nm)的厚度相關(guān)聯(lián)，以及，間隔件層130-5可以與約7.1(nm)的厚度相關(guān)聯(lián)。

在一些實(shí)施方式中，多光譜濾波器105可以沉積在與光學(xué)傳感器裝置相關(guān)聯(lián)的基底上。例如，鏡110-1可以(例如，經(jīng)由沉積工藝和/或光刻剝離工藝)沉積在基底上，該基底包括傳感器元件陣列以捕捉信息(例如，光譜數(shù)據(jù))。在一些實(shí)施方式中，間隔件120可以允許涉及多個(gè)波長(zhǎng)的信息的捕捉。例如，間隔件120的與第一傳感器元件(例如，傳感器陣列的背照式光學(xué)傳感器或前照式光學(xué)傳感器)對(duì)齊的第一部分可以與第一厚度相關(guān)聯(lián)，并且間隔件120的與第二傳感器元件對(duì)齊的第二部分可以與第二厚度相關(guān)聯(lián)。在該情況下，朝向第一傳感器元件和第二傳感器元件引導(dǎo)的光可以在第一傳感器元件處基于第一厚度對(duì)應(yīng)于第一波長(zhǎng)，并且在第二傳感器元件處基于第二厚度對(duì)應(yīng)于第二波長(zhǎng)。以這種方式，多光譜濾波器105通過(guò)使用與多個(gè)部分相關(guān)聯(lián)的間隔件(例如，間隔件102)的光學(xué)傳感器裝置而允許多光譜感測(cè)，其中該多個(gè)部分與光學(xué)傳感器裝置的多個(gè)傳感器元件對(duì)齊并且與多個(gè)厚度相關(guān)聯(lián)。

在一些實(shí)施方式中，鏡110可以與保護(hù)層相關(guān)聯(lián)。例如，保護(hù)層可以沉積在鏡110-1上(例如，在鏡110-1和間隔件120之間)以減少鏡110-1劣化(degradation)的可能性，從而改善采用多光譜濾波器105的光學(xué)傳感器裝置的耐久性。在一些實(shí)施方式中，鏡110和/或間隔件120可以與漸縮的邊緣相關(guān)聯(lián)。例如，如文中所描述的，鏡110和/或間隔件120的邊緣部分可以是漸縮的，并且可以允許另一層(例如，保護(hù)層)被沉積在邊緣部分上，以減少邊緣部分劣化的可能性，而不會(huì)妨礙鏡110和/或間隔件120的與將光朝向光學(xué)傳感器引導(dǎo)相關(guān)聯(lián)的另一部分(例如，非邊緣部分)，從而改進(jìn)采用多光譜濾波器105的光學(xué)傳感器裝置的耐久性。

如上文所指出的，圖1僅僅提供為示例。其他的示例也是可能的，并且可以與關(guān)于圖1描述的情況不同。

圖2是用于制造具有多光譜濾波器陣列(諸如示于圖1的多光譜濾波器105)的光學(xué)傳感器裝置的示例性工藝200的流程圖。工藝200可以被應(yīng)用到用于捕捉涉及光譜測(cè)量的信息的具有多光譜濾波器陣列的光學(xué)傳感器裝置的設(shè)計(jì)。圖3a-3c是涉及示于圖2的示意性工藝200的示例性實(shí)施方式300的示圖。

如圖2所示，工藝200可包括開(kāi)始制造光學(xué)傳感器裝置(圖框210)。例如，如圖3a所示，并且參考附圖標(biāo)記304，基底306可包括嵌入在基底306中的傳感器元件308組。在一些實(shí)施方式中，基底306可以與特定的成分相關(guān)聯(lián)。例如，基底306可包括硅基的基底等。在另一示例中，基底306可包括玻璃基的基底，并且傳感器元件308設(shè)置在硅基晶片中，其以圖8a和8b中的方式被粘合至玻璃基的基底。另外地，或替代地，基底306可與一多光譜濾波器陣列相關(guān)聯(lián)，該多光譜濾波器陣列與在相對(duì)高溫條件下的相對(duì)低的波長(zhǎng)或光譜偏移(例如，耐熱濾波器陣列)相關(guān)聯(lián)。

在一些實(shí)施方式中，基底306可包括多個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電通路(未示出)以提供由傳感器元件308組獲取的信息。例如，基底306可包括導(dǎo)電通路組，以允許基底被安裝至另一裝置并且從傳感器元件308組提供數(shù)據(jù)至另一裝置，諸如拍攝裝置，掃描裝置，測(cè)量裝置，處理器裝置，微處理器裝置，等等。在一些實(shí)施方式中，基底306可以與多層基底材料相關(guān)聯(lián)。例如，基底306可包括多層基底，其中一層與傳感器元件308組的接收相關(guān)聯(lián)。

在一些實(shí)施方式中，基底306可以與特定類(lèi)型的傳感器元件308相關(guān)聯(lián)。例如，基底306可以與涂覆或接近c(diǎn)mos技術(shù)、ccd技術(shù)的傳感器陣列的一個(gè)或多個(gè)傳感器元件，一個(gè)或多個(gè)光電二極管(例如，光電二極管陣列)等相關(guān)聯(lián)。在一些實(shí)施方式中，基底306可以與背照式光學(xué)傳感器的組相關(guān)聯(lián)。在該情況下，基底306可以是相對(duì)于其他配置更薄，從而允許光朝向光學(xué)傳感器被直接引導(dǎo)通過(guò)硅表面。

如圖2進(jìn)一步示出的，工藝200可包括將多光譜濾波器陣列的多個(gè)層沉積在與光學(xué)傳感器裝置相關(guān)聯(lián)的基底上(圖框220)。例如，如圖3a進(jìn)一步示出的，并且參考附圖標(biāo)記310，第一鏡結(jié)構(gòu)312被沉積在基底306上。在一些實(shí)施方式中，第一鏡結(jié)構(gòu)312可以是單個(gè)固態(tài)金屬鏡，其設(shè)置為與光學(xué)傳感器裝置的傳感器元件組對(duì)齊(例如，傳感器元件308)。在一些實(shí)施方式中，第一鏡結(jié)構(gòu)312可以與均一的厚度相關(guān)聯(lián)。在一些實(shí)施方式中，第一鏡結(jié)構(gòu)312可以被設(shè)置在基底306的閾值接近度內(nèi)，諸如在基底306和第一鏡結(jié)構(gòu)312之間的中間層上。換句話(huà)說(shuō)，第一鏡結(jié)構(gòu)312無(wú)需直接設(shè)置在基底306上，而是可設(shè)置在基底306和第一鏡結(jié)構(gòu)312之間的中間層上。在一些實(shí)施方式中，鏡結(jié)構(gòu)312可以與特定的成分相關(guān)聯(lián)，諸如金屬成分(例如，金屬鏡)。例如，鏡結(jié)構(gòu)312可以采用銀(ag)基材料，鋁(al)基材料，銅(cu)基材料，等等。在一些實(shí)施方式中，鏡結(jié)構(gòu)312可包括部分透明的材料。例如，鏡結(jié)構(gòu)312可允許光的第一部分(例如，第一波長(zhǎng)帶)朝向傳感器元件308的組被引導(dǎo)，并且光的第二部分(例如，第二波長(zhǎng)帶)遠(yuǎn)離傳感器元件組308而變向。在一些實(shí)施方式中，鏡結(jié)構(gòu)312和/或一個(gè)或多個(gè)其他層可通過(guò)使用脈沖磁控濺射工藝、剝離工藝等而被沉積在基底306上或其他層上。例如，涂覆平臺(tái)可以與使用特定沉積工藝而沉積具有40nm到50nm的厚度或其他類(lèi)似厚度的鏡結(jié)構(gòu)312相關(guān)聯(lián)。類(lèi)似地，涂覆平臺(tái)可以與特定的半導(dǎo)體晶片尺寸(例如，200毫米(mm)晶片或300mm晶片)相關(guān)聯(lián)，并且可采用脈沖磁控以進(jìn)行特定厚度的間隔件層的沉積，如文中所描述的(例如，對(duì)于一些間隔件層的小于5納米(nm)的厚度、小于2nm厚度、或小于1nm的厚度，以及對(duì)于其他間隔件層的其他厚度，諸如大于5nm、大于50nm或大于100nm)。

在一些實(shí)施方式中，間隔件的間隔件層組可以被沉積為將鏡結(jié)構(gòu)312與另一鏡結(jié)構(gòu)隔開(kāi)。例如，如在圖3a中進(jìn)一步地示出的，并且參考附圖標(biāo)記314，間隔件的第一間隔件層316可被沉積在鏡結(jié)構(gòu)312上(例如，通過(guò)使用脈沖磁控濺射沉積工藝)。在一些實(shí)施方式中，第一間隔件層316可基于圖案化技術(shù)而被沉積在鏡結(jié)構(gòu)312上。例如，可采用剝離工藝以形成具有特定厚度的第一間隔件層316。第一間隔件層316和/或另一間隔件層可被完全沉積在鏡結(jié)構(gòu)312上。例如，第一間隔件層316可包括一個(gè)或多個(gè)分立的部分，其在連續(xù)、固態(tài)金屬鏡上形成連續(xù)的間隔件層。在該情況下，第一間隔件層316和/或一個(gè)或多個(gè)其他的間隔件層可形成與傳感器元件組對(duì)齊的多個(gè)通道，其與第一鏡結(jié)構(gòu)312和另一鏡結(jié)構(gòu)作為完整的層組，如文中所描述的，將光朝向?qū)?yīng)的多個(gè)傳感器元件308引導(dǎo)。

在一些實(shí)施方式中，第一間隔件層316與第一鏡結(jié)構(gòu)312和另一鏡結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)，如文中所描述的，可與特定過(guò)濾功能的執(zhí)行相關(guān)聯(lián)。在一些實(shí)施方式中，基于期望的光譜范圍(例如，約380納米到約1100納米)或?qū)τ诮档偷慕俏灰频钠谕谝婚g隔件層316和/或一個(gè)或多個(gè)其他的間隔件層可采用氧化物基材料(例如，氧化鈮，氧化鈦，氧化鉭，或其組合，用于可見(jiàn)光譜范圍)，硅基材料(例如，氫化硅(sih)，用于大于650nm的光譜范圍，碳化硅(sic)或硅(si))，鍺(ge)基材料(例如，用于紅外光譜范圍)，等等。在一些實(shí)施方式中，第一間隔件層316可以采用特定的材料，以獲得相對(duì)于另一材料的角位移的減少。例如，采用si-h基材料可以帶來(lái)相對(duì)于釋疑二氧化硅(sio2)基材料的降低的角位移。在另一示例中，第一間隔件層316可采用另一類(lèi)型的氧化物材料，氮化物材料，氟化物材料等。

如圖3b示出的，并且參考附圖標(biāo)記318，第二間隔件層320可被沉積在第一間隔件層316上。例如，第二間隔件層320可通過(guò)使用反應(yīng)磁控濺射工藝、脈沖磁控濺射工藝、離子束輔助沉積工藝、離子束濺射工藝、雙離子束濺射工藝、反應(yīng)直流濺射工藝、交流濺射工藝、射頻濺射工藝、原子層沉積工藝而被沉積。另外地，或替代地，文中描述的其他沉積物，諸如層312、316、320等，也可被類(lèi)似地沉積。雖然以層的沉積的特定順序的方式描述，但是也可采用層的沉積的其他順序。在一些實(shí)施方式中，第二間隔件120可與涉及第一間隔件層316的厚度相關(guān)聯(lián)。例如，當(dāng)?shù)谝婚g隔件層316與第一厚度t0相關(guān)聯(lián)時(shí)，第二間隔件層320可以第二厚度t1沉積。在一些實(shí)施方式中，第二間隔件層120可被沉積在第一間隔件層316的一部分上。例如，基于對(duì)于通道組的期望的間隔件厚度布置(例如，對(duì)于與通道組相關(guān)聯(lián)的傳感器元件308組)，第二間隔件層320可被沉積在第一間隔件層316的表面的子組上，以使得第一傳感器元件308與第一間隔件厚度相關(guān)聯(lián)，且第二傳感器元件308與第二間隔件厚度相關(guān)聯(lián)，從而允許第一傳感器元件308捕捉與第一波長(zhǎng)相關(guān)聯(lián)的信息，且第二傳感器元件308捕捉與第二波長(zhǎng)相關(guān)聯(lián)的信息。例如，第一層可被沉積且可覆蓋傳感器元件組，第二層可被沉積且可覆蓋傳感器元件組的一半，第三層可被沉積且可覆蓋傳感器元件組的一部分，等等。間隔件層組的圖案的進(jìn)一步的細(xì)節(jié)參考圖4a-4c和圖5a和5b描述。

如圖3b進(jìn)一步示出的，并且參考附圖標(biāo)記322，第三間隔件層324可被沉積在第二間隔件層320和/或第一間隔件層316上。例如，第三間隔件層324和/或一個(gè)或多個(gè)隨后的間隔件層(未示出)可被沉積。在一些實(shí)施方式中，第三間隔件層324(和/或一個(gè)或多個(gè)間隔件層n，其中n≥2)可與前一層的厚度的一半相關(guān)聯(lián)(例如，第二間隔件層320是第三間隔件層324的前一層)。換句話(huà)說(shuō)，第三間隔件層324的厚度為第二間隔件層320的厚度的1/2。在一些實(shí)施方式中，第三間隔件層324可選擇性地沉積在第一間隔件層316和/或第二間隔件層320的一部分上。例如，第三間隔件層324的第一部分可被沉積在第一間隔件層316的一部分上，且第三間隔件層324的第二部分可被沉積在第二間隔件層320的一部分上，從而允許多個(gè)傳感器元件308與多個(gè)間隔件厚度相關(guān)聯(lián)并且捕捉與多個(gè)波長(zhǎng)相關(guān)聯(lián)的信息。

如圖3b進(jìn)一步示出的，并且參考附圖標(biāo)記326，鏡結(jié)構(gòu)328可被沉積。例如，鏡結(jié)構(gòu)328可被沉積在一個(gè)或多個(gè)層(例如，第一間隔件層316、第二間隔件層320、第三間隔件層324或其他隨后的層)的一個(gè)或多個(gè)部分上。在一些實(shí)施方式中，鏡結(jié)構(gòu)328可以是固態(tài)金屬鏡，其設(shè)置為與光學(xué)傳感器裝置的光學(xué)傳感器對(duì)齊(例如，傳感器元件308)?；诒怀练e的間隔件層316、320和324，鏡結(jié)構(gòu)328通過(guò)間隔件與鏡結(jié)構(gòu)312隔開(kāi)。以這種方式，光可以一個(gè)或多個(gè)波長(zhǎng)被朝向一個(gè)或多個(gè)傳感器元件308引導(dǎo)。在一些實(shí)施方式中，另一層可被沉積在鏡結(jié)構(gòu)328和間隔件層324之間。例如，保護(hù)框架層、薄膜層等可被沉積以執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)功能。如圖3c所示，在沉積透鏡330之前，帶外阻擋件層組322(例如，形成圖案化的阻擋件的層組)可被沉積。替代地，抗反射涂層組334可被沉積。在一些實(shí)施方式中，可沉積多個(gè)分立的濾波器涂層。另外地，或替代地，單個(gè)阻擋件可被沉積，以抑制對(duì)于多個(gè)波長(zhǎng)、多個(gè)通道等的帶外光。在另一示例中，可提供保護(hù)層，諸如氧化鋅(zno)層，其包封鏡結(jié)構(gòu)的銀。

如圖2進(jìn)一步示出地，在一些實(shí)施方式中，工藝200可包括沉積與多光譜濾波器陣列相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)其他層(圖框230)。例如，可將濾波器，諸如抗反射涂層濾波器，帶外阻擋濾波器，高階抑制濾波器等，沉積至鏡結(jié)構(gòu)328，如在文中參考圖7a和7b和圖9詳細(xì)地描述的。

如圖2進(jìn)一步示出地，工藝200可包括完成具有多光譜濾波器陣列的光學(xué)傳感器(圖框240)。例如，如圖3b進(jìn)一步示出的，并且參考附圖標(biāo)記326，透鏡組330可被附接至鏡結(jié)構(gòu)328。例如，特定的透鏡330，諸如玻璃透鏡，塑料透鏡等，可被附接到鏡結(jié)構(gòu)328，以改變被朝向相應(yīng)的傳感器元件308引導(dǎo)的光的性質(zhì)，諸如將光聚焦，將光扭曲，引導(dǎo)光，增加光可以其進(jìn)入光學(xué)傳感器裝置的角度公差，增加被朝向光學(xué)傳感器裝置的傳感器元件308引導(dǎo)的光量，等等。

以這種方式，多光譜(例如，二元結(jié)構(gòu))法布里—珀羅(fabry-perot)濾波器可通過(guò)使用金屬鏡而被構(gòu)造。在一些實(shí)施方式中，nb2o5基間隔件，或tio2基間隔件對(duì)于可見(jiàn)光譜范圍來(lái)說(shuō)是優(yōu)選的。在一些實(shí)施方式中，nb2o5和si:h或tio2和si:h的組合對(duì)于近紅外(nir)光譜范圍(例如，從而750nm到1100nm)是優(yōu)選的。在一些實(shí)施方式中，可使用非晶態(tài)硅或氫化非晶態(tài)硅。另外地，或替代地，基于使用銀基金屬鏡，可獲得相對(duì)大的光譜帶寬。另外地，或替代地，基于使用脈沖磁控濺射工藝和/或剝離工藝，多光譜法布里—珀羅濾波器陣列可被結(jié)合進(jìn)具有半導(dǎo)體基底的光學(xué)傳感器裝置中，而不會(huì)帶來(lái)過(guò)大的制造難度。

雖然圖2示出了工藝200的示意性框圖，但是在一些示例性實(shí)施方式中，工藝200可包括附加的圖框、更少的圖框、不同的圖框，或與圖2中所示出的不同布置方式的圖框。另外地，或替代地，工藝200的兩個(gè)或更多個(gè)圖框可并行地進(jìn)行。如上文所指出的，圖3a-3c僅僅提供為示例。其他的示例也是可能的，并且可以與關(guān)于圖3a-3c描述的情況不同。

圖4a-4c是涉及示于圖2的示意性工藝200的示例性實(shí)施方式400的示圖。圖4a-4c示出了用于多光譜濾波器的濾波器陣列布局的示例。

如圖4a所示，濾波器陣列401可與層組相關(guān)聯(lián)。濾波器陣列401可以是4×4的濾波器陣列，其包括對(duì)應(yīng)于16個(gè)傳感器元件的16個(gè)通道(例如，光學(xué)通道)。在一些實(shí)施方式中，濾波器陣列401對(duì)應(yīng)于在圖1中以截面形式示出的示例性多光譜濾波器105。在一些實(shí)施方式中，每個(gè)通道可以與傳感器陣列相關(guān)聯(lián)。例如，通道可包括具有傳感器元件組的傳感器陣列，該傳感器元件組與關(guān)于使用通道從光源引導(dǎo)的光的信息的捕捉相關(guān)聯(lián)。在一些實(shí)施方式中，每個(gè)通道可以與對(duì)于每層的特定厚度相關(guān)聯(lián)。通道的層組的厚度可基于由對(duì)應(yīng)于通道的光學(xué)傳感器所捕捉的信息的期望的波長(zhǎng)來(lái)選擇。在一些實(shí)施方式中，4×4的濾波器陣列(例如，或者其他尺寸的濾波器陣列)可以與特定的圖案相關(guān)聯(lián)，諸如馬賽克圖案(例如，快照拜耳馬賽克圖案)，平鋪圖案(例如，快照平鋪圖案)，線(xiàn)性圖案(例如，連續(xù)線(xiàn)性?huà)呙鑸D案，或不連續(xù)線(xiàn)性?huà)呙鑸D案)等。

基于將由光學(xué)傳感器捕捉的光譜范圍，由4×4的濾波器陣列的鏡夾有的間隔件層的厚度可以根據(jù)以下公式確定：

tmax＝2*(λmax/(4*nref))；

tmin＝2*(λmin/(4*nref))；

其中，tmax表示將用于將被捕捉的信息所對(duì)應(yīng)的最高的中心波長(zhǎng)的鏡結(jié)構(gòu)組隔開(kāi)的間隔件層的總厚度，λmax表示將被捕捉的信息所對(duì)應(yīng)的最高的中心波長(zhǎng)，nref表示間隔件層的折射率，其中tmin表示將用于將被捕捉的信息所對(duì)應(yīng)的最低的中心波長(zhǎng)的鏡結(jié)構(gòu)組隔開(kāi)的間隔件層的總厚度，λmin表示將被捕捉的信息所對(duì)應(yīng)的最低的中心波長(zhǎng)。

將被沉積以形成通道組(例如，4×4濾波器陣列的16個(gè)通道)的間隔件層的層的數(shù)量可根據(jù)以下公式確定：

c＝2^x；

其中，c表示對(duì)于所沉積的間隔件的層的給定數(shù)量x來(lái)說(shuō)可形成的最大通道數(shù)。在一些實(shí)施方式中，對(duì)于特定數(shù)量的間隔件層，可選擇小于最大通道數(shù)量。例如，雖然對(duì)于4個(gè)間隔件層的沉積，可形成最多16個(gè)通道，但是也可選擇用于4個(gè)間隔件層的通道的其他數(shù)量，諸如9個(gè)通道，10個(gè)通道，等等。在該情況下，一個(gè)或多個(gè)通道可被省略或重復(fù)。例如，當(dāng)一特定的光學(xué)傳感器與用于捕捉關(guān)于一特定波長(zhǎng)的信息以較差的性能相關(guān)聯(lián)時(shí)，關(guān)于該特定波長(zhǎng)的信息可以被與多個(gè)通道相關(guān)聯(lián)的多個(gè)光學(xué)傳感器捕捉，以改善信息的精確度。

對(duì)于特定通道(例如，對(duì)于等距通道組)的間隔件層的每個(gè)層的厚度可通過(guò)以下公式確定：

t0＝tmin；

t1＝(c/2)/((c–1)*2*nref)*(λmax–λmin)；

tn＝tn-1/2；

n＝log2(c)；

其中，tn表示第n層的厚度，(例如，t0是第一層，且t1是第二層)，并且c表示對(duì)于通道組通道的通道數(shù)。在一些實(shí)施方式中，可使用非等距通道組。例如，可選擇不連續(xù)圖案的通道，以獲得關(guān)于第一組波長(zhǎng)和第二組波長(zhǎng)的信息，第二組波長(zhǎng)與第一組波長(zhǎng)不連續(xù)。在該情況下，仍可確定tmin和tmax，但是可選擇不同的中間層組。在一些實(shí)施方式中，可使用不同數(shù)量的通道。另外地，或替代地，可采用具有多通道的通道圖案，該多個(gè)通道具有相同的厚度，從而允許多個(gè)光學(xué)傳感器捕捉關(guān)于相同波長(zhǎng)的光的信息。

如附圖標(biāo)記402所示出的，濾波器陣列401包括層402(例如，第一鏡結(jié)構(gòu)和第二鏡結(jié)構(gòu)之間的間隔件層的層402)，n，對(duì)于其每個(gè)通道與一特定的厚度相關(guān)聯(lián)，以使得特定波長(zhǎng)的光被朝向相應(yīng)的光學(xué)傳感器引導(dǎo)。例如，層402的第一通道集與厚度8*t4相關(guān)聯(lián)，表示厚度8*t4的層被沉積(其中，t4表示第四層的厚度)(例如，被沉積到第一鏡結(jié)構(gòu)或沉積到另一層上，諸如氧化物基保護(hù)層，其被沉積到第一鏡結(jié)構(gòu)上)。類(lèi)似地，層402的第二通道集與厚度0*t4相關(guān)聯(lián)，表示對(duì)于四個(gè)通道，進(jìn)行了沉積但是使用了剝離以將沉積的材料移除。

如圖4a進(jìn)一步示出的，并且參考附圖標(biāo)記404，層404，n+1，被沉積在層402上。層404包括與厚度4*t4相關(guān)聯(lián)的第一通道集和與厚度0*t4相關(guān)聯(lián)的第二通道集。在一些實(shí)施方式中，層404的厚度基于層402的厚度來(lái)選擇。例如，當(dāng)制造多光譜濾波器(例如，與濾波器層的二進(jìn)制變化相關(guān)聯(lián)的濾波器)時(shí)，層404的厚度可以選擇為層402的厚度的一半。在另一示例中，可采用層402和層404之間的另一關(guān)系。例如，層404可以是層402的厚度的75％，并且隨后的層可以是層404的厚度的33％、25％等。在另一示例中，層404可以是層402的厚度的50％，并且隨后的層可以是層404的厚度的33％、層404的厚度的10％等。

如圖4a進(jìn)一步示出的，并且參考附圖標(biāo)記406，層406，n+2，被沉積在層404上。層406包括與厚度2*t4相關(guān)聯(lián)的第一通道集和與厚度0*t4相關(guān)聯(lián)的第二通道集。如附圖標(biāo)記408示出的，層408，n+3，被沉積在層406上。層408包括與厚度1*t4相關(guān)聯(lián)的第一通道集和與厚度0*t4相關(guān)聯(lián)的第二通道集。如附圖標(biāo)記410所示出的，層n到n+3的厚度基于將每個(gè)通道的每個(gè)層的厚度相加而識(shí)別為濾波器陣列401。例如，基于濾波器層的二進(jìn)制變化和布置，每個(gè)通道可以與不同的厚度相關(guān)聯(lián)，從而允許每個(gè)相應(yīng)的光學(xué)傳感器捕捉關(guān)于不同波長(zhǎng)的信息。t1到tn沉積到其上的層t0(例如，tmin)的厚度可以設(shè)置為與一波長(zhǎng)的光相關(guān)，關(guān)于該波長(zhǎng)的光的信息(例如，光譜數(shù)據(jù))將被捕捉。

如圖4b所示，類(lèi)似的濾波器陣列421可與層組相關(guān)聯(lián)，該層組的每一個(gè)與一個(gè)或多個(gè)厚度相關(guān)聯(lián)。如附圖標(biāo)記422所示出的，層422，m，包括與厚度8*t4相關(guān)聯(lián)的第一通道集和與厚度0*t4相關(guān)聯(lián)的第二通道集。如附圖標(biāo)記424所示出的，層424，m+1，包括與厚度4*t4相關(guān)聯(lián)的第一通道集和與厚度0*t4相關(guān)聯(lián)的第二通道集。如附圖標(biāo)記426所示出的，層426，m+2，包括具有厚度2*t4的第一通道集和與具有厚度0*t4的第二通道集。如附圖標(biāo)記428所示出的，層428，m+3，包括具有厚度1*t4的第一通道集和與具有厚度0*t4的第二通道集。如附圖標(biāo)記430所示出的，沉積層422、424、426和428的結(jié)果是濾波器陣列421的通道組的厚度組，允許濾波器陣列421的光學(xué)傳感器捕捉關(guān)于一組波長(zhǎng)的信息。

如圖4c所示出的，另一濾波器陣列441可采用16個(gè)通道的線(xiàn)性布置而不是濾波器陣列401和濾波器陣列421的4×4的布置。如附圖標(biāo)記442所示出的，層442，l，包括與厚度8*t4相關(guān)聯(lián)的第一通道集和與厚度0*t4相關(guān)聯(lián)的第二通道集。如附圖標(biāo)記444所示出的，層444，l+1，包括具有厚度4*t4的第一通道集和與具有厚度0*t4的第二通道集。如附圖標(biāo)記446所示出的，層446，l+2，包括具有厚度2*t4的第一通道集和與具有厚度0*t4的第二通道集。如附圖標(biāo)記448所示出的，層448，l+3，包括具有厚度1*t4的第一通道集和與具有厚度0*t4的第二通道集。如附圖標(biāo)記450所示出的，沉積層442、444、446和448的結(jié)果是濾波器陣列441的通道組的厚度組，使得光學(xué)傳感器組捕捉關(guān)于一組波長(zhǎng)的信息。

如上文所指出的，圖4a-4c僅僅提供為示例。其他的示例也是可能的，并且可以與關(guān)于圖4a-4c描述的情況不同。

圖5a和5b是涉及示于圖2的示意性工藝200的示例性實(shí)施方式500的示圖。圖5a和5b示出了用于具有非均勻通道間隔的多光譜濾波器的濾波器陣列布局的示例。

如圖5a所示，濾波器陣列501(例如，多光譜濾波器)可采用非等距通道布局。例如，如附圖標(biāo)記502-508所示出的，層502可包括具有厚度10*t4的通道集，層504可包括具有厚度5*t4的通道集，層506可包括具有厚度3*t4的通道集，并且層508可包括具有厚度1*t4的通道集。如附圖標(biāo)記510所示出的，沉積層502、504、506和508的結(jié)果是對(duì)于每個(gè)通道不等距的一組厚度。例如，通道511與厚度0*t4相關(guān)聯(lián)，通道512與厚度1*t4相關(guān)聯(lián)，通道513與厚度4*t4相關(guān)聯(lián)，以及通道514與厚度3*t4相關(guān)聯(lián)，(例如，與厚度2*t4相關(guān)聯(lián)的通道被省略)。以這種方式，濾波器陣列501可允許與濾波器陣列501相關(guān)聯(lián)的光學(xué)傳感器組，以捕捉關(guān)于波長(zhǎng)的非相鄰組(例如，非等距隔開(kāi)的波長(zhǎng)組)的信息。

如圖5b所示，類(lèi)似的2濾波器陣列521可采用另一非等距通道間隔。例如，如附圖標(biāo)記522-508所示出的，層522可包括具有厚度15*t4的通道集，層524可包括具有厚度4*t4的通道集，層526可包括具有厚度2*t4的通道集，并且層528可包括具有厚度1*t4的通道集。如附圖標(biāo)記530所示出的，沉積層522、524、526和528的結(jié)果是對(duì)于不等距通道組的一組厚度。例如，通道531與厚度2*t4相關(guān)聯(lián)，通道532與厚度6*t4相關(guān)聯(lián)，通道533與厚度21*t4相關(guān)聯(lián)，以及通道534與厚度17*t4相關(guān)聯(lián)，(例如，厚度8*t4到14*t4的通道被省略)。通道532和通道533之間的不連續(xù)性允許與濾波器陣列521相關(guān)聯(lián)的光學(xué)傳感器組捕捉關(guān)于兩個(gè)范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的信息，波長(zhǎng)的該兩個(gè)范圍由與濾波器陣列521的其他通道之間的間隔不相等的光譜的量間隔開(kāi)。

如上文所指出的，圖5a和5b僅僅提供為示例。其他的示例也是可能的，并且可以與關(guān)于圖5a和5b描述的情況不同。

圖6a-6e是涉及示于圖2的示意性工藝200的示例性實(shí)施方式600的示圖。圖6a-6e示出了具有多光譜濾波器的光學(xué)傳感器裝置的示例。

如圖6a所示，基底602可包括一個(gè)或多個(gè)部件。例如，基底602可包括光學(xué)傳感器604組，諸如cmos技術(shù)，ccd技術(shù)等。鏡606(例如，金屬基的反射物層)可被沉積在光學(xué)傳感器604上，并且可允許一部分光被朝向光學(xué)傳感器604引導(dǎo)，以穿過(guò)鏡606朝向光學(xué)傳感器604。鏡606可以與保護(hù)涂層相關(guān)聯(lián)，以減少鏡606的氧化。例如，氧化鋅(zno)基材料可被涂覆在銀基的鏡上，諸如zno/ag/zno配置，并具有zno涂層的特定的厚度。例如，zno涂層可以是約0.5nm到4nm的厚度，約1nm到約2nm的厚度，等。多光譜濾波器的間隔件部分的第一間隔件層608可以被沉積在鏡606上。

如圖6b所示，第二間隔件層610可以被沉積在第一間隔件層608的一部分上，以使得濾波器陣列的第一通道集與第一厚度相關(guān)聯(lián)，并且濾波器陣列的第二通道集與第二厚度相關(guān)聯(lián)。在該情況下，第二間隔件層610沉積在第一間隔件層608的與光學(xué)傳感器604對(duì)齊的部分上。以這種方式，多光譜濾波器的間隔件可被沉積為使得光學(xué)傳感器604接收與一組帶寬相關(guān)聯(lián)的光(例如，與第一厚度相關(guān)聯(lián)的第一帶寬或與第二厚度相關(guān)聯(lián)的第二帶寬)。

如圖6c所示，在另一示例中，類(lèi)似的第二間隔件層612可以被沉積在第一間隔件層608的類(lèi)似部分上，以使得濾波器陣列的第一通道集與第一厚度相關(guān)聯(lián)，并且濾波器陣列的第二通道集與第二厚度相關(guān)聯(lián)。在該情況下，如附圖標(biāo)記612所示出的，第二間隔件層612被沉積為覆蓋鏡606和第一間隔件層608的邊緣，而不是僅覆蓋第一層與光學(xué)傳感器604對(duì)齊的部分。

如圖6d所示，并參考附圖標(biāo)記620，由于第二間隔件層612被沉積為包封第一間隔件層608與光學(xué)傳感器608對(duì)齊的部分以及鏡606和第一間隔件層608的邊緣這兩者，鏡606和第一間隔件層608的邊緣被第二間隔件層612所保護(hù)。以這種方式，第二間隔件層612提供了用于第一間隔件層608和鏡606的集成保護(hù)框架(例如，保護(hù)層)，從而相比于具有有著暴露的鏡和/或鏡的暴露涂層的濾波器陣列的另一光學(xué)傳感器裝置來(lái)說(shuō)，降低了第一間隔件層608和/或鏡606可能被損壞的可能性，并且增加了光學(xué)傳感器裝置的耐久性。

如圖6e所示，類(lèi)似的基底602可包括光學(xué)傳感器604組，設(shè)置在基底602的特定接近度內(nèi)的第一鏡層606，以及設(shè)置在第一鏡層606上的第一間隔件層608。在該情況下，氧化鋅的保護(hù)層被沉積為與基底602以特定的接近度夾有第一金屬鏡層606，從而至少部分地包封第一金屬鏡層606并且改善第一金屬鏡層602的耐久性。第二間隔件層622設(shè)置在第一間隔件層608的一部分上(例如，與光學(xué)傳感器604組的子組對(duì)齊和/或像素對(duì)應(yīng)于光學(xué)傳感器604的子組)?？蚣?24設(shè)置在基底602的一部分上，第一間隔件層608的一部分上，和/或第二間隔件層620的一部分上，以提供保護(hù)框架(例如，保護(hù)層)，從而減少基底602、鏡606、第一間隔件層608和/或第二間隔件層622可能被損壞的可能性并且提供光學(xué)傳感器裝置的耐久性。在該情況下，框架624從第二間隔件層622間隔開(kāi)，從而允許框架624以與第二間隔件層622的不同材料構(gòu)成，并具有相對(duì)于第二間隔件層622的不同的厚度，等等。在另一示例中，第二間隔件層622可以以不同的配置沉積，諸如第二間隔件層622沒(méi)有相鄰于框架624沉積或是沒(méi)有連接到框架624等的配置。例如，雖然邊緣626指示第二間隔件層622相鄰于框架624或者由框架624部分地包封，第二間隔件層622也可從框架624隔開(kāi)一特定的距離，使得第二間隔件層622沒(méi)有在邊緣626或另一邊緣處相鄰于框架624或者由框架624包封。

如上文所指出的，圖6a-6e僅僅提供為示例。其他的示例也是可能的，并且可以與關(guān)于圖6a-6e描述的情況不同。

圖7a和7b是涉及示于圖2的示意性工藝200的示例性實(shí)施方式700的示圖。圖7a和7b示出了與多光譜濾波器陣列相關(guān)聯(lián)的另一濾波器的示例。

如圖7a所示，光學(xué)傳感器裝置702可包括層組。光學(xué)傳感器裝置702可包括基底705(例如，其可包括一個(gè)或多個(gè)光學(xué)傳感器)，第一氧化鋅層710-1，第一銀鏡層715-1，第二氧化鋅層710-2，鈮鈦氧化物720，第三氧化鋅層710-3，第二銀鏡層715-2，第四氧化鋅層710-4，第一氧化硅層725-1，鈮鈦氧化物730，以及第二氧化硅層725-2。氧化鋅層710沉積為至少部分地包封銀鏡層715，從而保護(hù)銀鏡層715免于劣化，從而相對(duì)于使用暴露的鏡層(例如，被直接沉積在基底705或鈮鈦氧化物層720上的一個(gè)或多個(gè)鏡層，或者鈮鈦氧化物層720或第一氧化硅層725-1被直接沉積在其上的一個(gè)或多個(gè)銀鏡層715)而改善光學(xué)傳感器裝置702的耐久性。光學(xué)傳感器裝置702可包括第一區(qū)域(例如，多光譜濾波器陣列)，其包括氧化鋅層710、銀鏡層715和鈮鈦氧化物層720。光學(xué)傳感器裝置702可包括第二區(qū)域745，其包括氧化硅層725和鈮鈦氧化物層730。第二區(qū)域745的層可被沉積在區(qū)域740的一部分上，以提供用于光學(xué)傳感器裝置702的過(guò)濾功能。例如，第二區(qū)域745可提供用于光學(xué)傳感器裝置702的光學(xué)傳感器的抗反射涂層。

如圖7b所示，類(lèi)似的光學(xué)傳感器裝置702包括基底705、類(lèi)似的區(qū)域740(例如，類(lèi)似的多光譜濾波器陣列)、以及氧化硅層750的組(示出為750-1到750-5)和鈮鈦氧化物層755的組(示出為755-1到755-4)。在該情況下，包括氧化硅層750的組和鈮鈦氧化物層755的組的區(qū)域760可提供對(duì)于某些波長(zhǎng)(例如，紫外(uv)-綠光波長(zhǎng))的高階抑制。以這種方式，過(guò)濾功能可以通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)其他層沉積到多光譜濾波器陣列上而被添加至該多光譜濾波器陣列。

如上文所指出的，圖7a和7b僅僅提供為示例。其他的示例也是可能的，并且可以與關(guān)于圖7a和7b描述的情況不同。

圖8a和8b是涉及示于圖2的示意性工藝200的示例性實(shí)施方式800的示圖。

如圖8a所示，傳感器元件308可在文中描述的光學(xué)傳感器裝置的制造期間設(shè)置在基底306中?？商峁┎ＡЬ?02，濾波器和間隔件層的組可被沉積在該玻璃晶片上，如文中所描述的。

如圖8b所示，在將層組804沉積在玻璃晶片802上之后，玻璃晶片802和層804被粘結(jié)到基底306，如附圖標(biāo)記806所示出的。以這種方式，層可被形成在與傳感器元件308隔開(kāi)且附接到傳感器元件308的基底上。

如上文所指出的，圖8a和8b僅僅提供為示例。其他的示例也是可能的，并且可以與關(guān)于圖8a和8b描述的情況不同。

圖9是相對(duì)于(以nm表示的光的)波長(zhǎng)的(以光的百分比表示的)透射率的圖表900的示例。圖9示出了濾波器堆疊部(stack)的光譜響應(yīng)，如文中關(guān)于圖7b描述的，用于抑制在較低的波長(zhǎng)處的高階峰值，如附圖標(biāo)記905所指示的。例如，當(dāng)大的光譜帶寬將被覆蓋，如圖所示，并且光譜帶寬的特定子組將被通過(guò)，諸如在850nm處，可提供如關(guān)于圖7b所描述的帶通過(guò)濾器，以阻擋在350nm和450nm處的高階峰值，并且可呈現(xiàn)出類(lèi)似于圖900的光譜性能。

如上文所指出的，圖9僅僅提供為示例。其他的示例也是可能的，并且可以與關(guān)于圖9描述的情況不同。

圖10a是使用銀基鏡和鈮鈦氧化物基間隔件的64通道的濾波器陣列的示例性圖表1000和1010。圖10a示出了基于對(duì)應(yīng)的濾波器部分的64通道濾波器陣列的每個(gè)傳感器元件的光譜范圍。圖10b示出了基于對(duì)應(yīng)的濾波器部分的對(duì)于64通道濾波器陣列的每個(gè)傳感器元件的中心波長(zhǎng)。在該情況下，每個(gè)傳感器元件定心在不同的波長(zhǎng)處。在另一示例中，多個(gè)傳感器元件可以定心在共同的波長(zhǎng)處。

如上文所指出的，圖10僅僅提供為示例。其他的示例也是可能的，并且可以與關(guān)于圖10描述的情況不同。

以這種方式，多光譜濾波器陣列可以制造用于光學(xué)傳感器裝置，其集成到該光學(xué)傳感器裝置的半導(dǎo)體基底上，提供了相對(duì)低的角位移，相對(duì)高的光譜范圍，并且相對(duì)于其他濾波器結(jié)構(gòu)更環(huán)保耐久。

前述的公開(kāi)提供了附圖和描述，但是并非意于詳盡地描述或是將實(shí)施方式精確地限制為公開(kāi)的形式。在上述公開(kāi)的啟示下，修改和變型是可能的，或者修改和變型可以從實(shí)施方式的實(shí)踐中獲得。

文中描述的一些實(shí)施方式與閾值相聯(lián)系。如文中所使用的，滿(mǎn)足一閾值可以指大于該閾值，多于該閾值，高于該閾值，大于或等于該閾值，小于該閾值，少于該閾值，低于該閾值，少于或等于該閾值，等于該閾值等等。

即使在權(quán)利要求中引用了和/或在說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)了特征的特定組合，但是這些組合并不意于限定可能實(shí)施方式的公開(kāi)。實(shí)際上，這些特征中的很多特征可以以未在權(quán)利要求中具體引用和/或在說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的方式被組合。雖然列出的每個(gè)從屬權(quán)利要求直接引用僅一個(gè)權(quán)利要求，但是可能實(shí)施方式的公開(kāi)包括每個(gè)從屬權(quán)利要求與權(quán)利要求組中的每個(gè)權(quán)利要求的組合。

文中所使用的元件、動(dòng)作或指令均不應(yīng)當(dāng)被解釋為決定性的或必要的，除非專(zhuān)門(mén)地這樣描述。并且，如文中所使用的，冠詞“一”和“一個(gè)”意于包括一個(gè)或多個(gè)項(xiàng)目，并且可與“一個(gè)或多個(gè)”可互換地使用。此外，如文中所使用的，術(shù)語(yǔ)“組”意于包括一個(gè)或多個(gè)項(xiàng)目(例如，相關(guān)的項(xiàng)目，不相關(guān)的項(xiàng)目，相關(guān)項(xiàng)目和不相關(guān)項(xiàng)目的組合，等)并且可與“一個(gè)或多個(gè)”可互換地使用。當(dāng)僅期望一個(gè)項(xiàng)目時(shí)，使用術(shù)語(yǔ)“僅一個(gè)”或類(lèi)似的語(yǔ)言。并且，如文中所使用的，術(shù)語(yǔ)“具有”、“有著”等意于表示開(kāi)放式的術(shù)語(yǔ)。進(jìn)一步地，短語(yǔ)“基于”是指“至少部分地基于”，除非特別地以其他方式表述。