【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種液晶顯示面板及裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)以其輕、薄等優(yōu)點(diǎn)成為發(fā)展最為迅速的平板顯示器之一。但是與陰極射線管顯示器相比，薄膜晶體管顯示器(thinfilmtransistor，tft-lcd)的視角相對(duì)較窄，使其在對(duì)視角要求嚴(yán)格的高端顯示領(lǐng)域的應(yīng)用帶來(lái)了很大局限，如航空航天、醫(yī)療等領(lǐng)域。

隨著lcd領(lǐng)域廣視角技術(shù)的迅速發(fā)展，目前很多產(chǎn)品的視角已經(jīng)可以達(dá)到水平視角和垂直視角分別為85°/85°，甚至更大的視角。lcd廣視角技術(shù)主要包括多疇垂直取向(multi-domainverticalalignment)技術(shù)和面內(nèi)轉(zhuǎn)換(inplaneswitching，ips)技術(shù)。垂直取向模式的優(yōu)點(diǎn)是正面對(duì)比度高，通?？梢赃_(dá)到4000：1及以上；ips技術(shù)通過(guò)在tft陣列基板上形成平行且重復(fù)分布的像素電極和公共電極，使液晶分子在水平電場(chǎng)的作用下轉(zhuǎn)動(dòng)，從而形成廣視角，但是其對(duì)比相對(duì)較低，通常在2000：1以下。

現(xiàn)有增大視角的方式主要是使主像素和子像素的亮度不一樣。如圖1所示，現(xiàn)有的液晶顯示面板中的每個(gè)像素包括主像素區(qū)和子像素區(qū)，主像素區(qū)包括第一薄膜晶體管t1、第一存儲(chǔ)電容cst1、第一液晶電容clc1、第一電容c1以及第二電容c2，子像素區(qū)包括第二薄膜晶體管t2、第三薄膜晶體管t3、第二存儲(chǔ)電容cst2以及第二液晶電容clc2，第一薄膜晶體管t1的柵極和第二薄膜晶體管t2的柵極都與掃描線gn連接，第一薄膜晶體管t1的源極和第二薄膜晶體管t2的源極與數(shù)據(jù)線data連接，第一存儲(chǔ)電容cst1和第一液晶電容clc1的一端與第一薄膜晶體管t1的漏極連接，第一存儲(chǔ)電容cst1的另一端與陣列基板側(cè)的公共電極連接，第一液晶電容clc1的另一端與彩膜基板側(cè)的公共電極連接，第一電容c1的一端與第一薄膜晶體管t1的漏極連接；第一電容c1的另一端與第二電容c2連接，第二電容c2的另一端與陣列基板側(cè)的公共電極連接。

第二存儲(chǔ)電容cst2和第二液晶電容clc2的一端與第二薄膜晶體管t2的漏極連接，第二存儲(chǔ)電容cst2的另一端與陣列基板側(cè)的公共電極連接；第二液晶電容clc2的另一端與彩膜基板側(cè)的公共電極連接，第二薄膜晶體管t2的漏極連接第三薄膜晶體管t3的源極，第三薄膜晶體管t3的漏極與第一電容c1和第二電容c2之間的節(jié)點(diǎn)連接，第三薄膜晶體管t3的柵極連接掃描線gn+1。

如圖2所示，va和vb分別表示主像素區(qū)和子像素區(qū)的電壓，t1—t2時(shí)段，掃描線gn的信號(hào)為高電平，t1和t2閉合，t3斷開(kāi)，va和vb都為高電平。t2時(shí)刻，掃描線gn關(guān)閉，掃描線gn+1開(kāi)啟，t1和t2斷開(kāi)，t3閉合，第二液晶電容clc2放電，對(duì)第一電容cl的下基板充電，使得va的電壓增大，也即va大于vb，從而增大了視角。但是由于薄膜晶體管的數(shù)量較多，導(dǎo)致開(kāi)口率和穿透率降低。

因此，有必要提供一種液晶顯示面板及裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示面板及裝置，能夠在增大視角的同時(shí)，提高開(kāi)口率和穿透率。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，其包括：

多條數(shù)據(jù)線、多條掃描線以及多個(gè)像素組，每個(gè)像素組包括第一像素和第二像素；每行像素對(duì)應(yīng)設(shè)置一條掃描線，每列像素對(duì)應(yīng)設(shè)置一條數(shù)據(jù)線；

所述第一像素包括第一薄膜晶體管、第一充電電容以及第二充電電容；所述第一薄膜晶體管的柵極與對(duì)應(yīng)的掃描線連接，所述第一薄膜晶體管的源極與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接；所述第一充電電容的一端與所述第一薄膜晶體管的漏極連接，所述第一充電電容的另一端與所述第二充電電容連接；

所述第二像素包括第二薄膜晶體管；所述第二薄膜晶體管的柵極與對(duì)應(yīng)的掃描線連接，所述第二薄膜晶體管的源極與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接；所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第一充電電容的另一端連接。

在本發(fā)明的液晶顯示面板中，所述第一像素和所述第二像素以行為單位交替設(shè)置。

在本發(fā)明的液晶顯示面板中，所述第一像素和所述第二像素交錯(cuò)設(shè)置。

在本發(fā)明的液晶顯示面板中，所述第一像素位于第2k+1列的第n行或者第2k列的第n+1行；所述第二像素位于第2k+1列的第n+1行像素或者第2k列的第n行，其中液晶顯示面板包括n行像素，0＜n＜n，n≥2，k≥0。

在本發(fā)明的液晶顯示面板中，所述液晶顯示面板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域中的所述第一像素和所述第二區(qū)域中的第二像素位于同一行；所述第一區(qū)域中的所述第二像素和所述第二區(qū)域中的第一像素位于同一行；

位于所述第一區(qū)域中的所述第一像素和位于所述第一區(qū)域中的所述第二像素以行為單位交替設(shè)置；位于所述第二區(qū)域中的所述第一像素和位于所述第二區(qū)域中的所述第二像素以行為單位交替設(shè)置。

在本發(fā)明的液晶顯示面板中，所述第一區(qū)域的面積與所述第二區(qū)域的面積相等。

在本發(fā)明的液晶顯示面板中，所述液晶顯示面板包括兩個(gè)第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第二區(qū)域位于兩個(gè)所述第一區(qū)域之間。

在本發(fā)明的液晶顯示面板中，兩個(gè)所述第一區(qū)域的面積之和等于所述第二區(qū)域的面積。

在本發(fā)明的液晶顯示面板中，所述第一像素的亮度大于所述第二像素的亮度。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示裝置，其包括背光模塊以及上述任意一種液晶顯示面板。

本發(fā)明的液晶顯示面板及裝置，在對(duì)下一個(gè)像素充電時(shí)繼續(xù)對(duì)上一像素充電，從而使得相鄰兩個(gè)像素的亮度不同，增大了液晶顯示面板的視角，此外還減少了薄膜晶體管和電容的數(shù)量，進(jìn)而提高了開(kāi)口率和穿透率。

【附圖說(shuō)明】

圖1為現(xiàn)有液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中的主像素和子像素的電壓波形圖；

圖3為本發(fā)明液晶顯示面板的第一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明液晶顯示面板的像素組的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖4對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形圖；

圖6為圖4對(duì)應(yīng)的顯示亮度示意圖；

圖7為本發(fā)明液晶顯示面板的第二種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為圖7對(duì)應(yīng)的顯示亮度示意圖；

圖9為本發(fā)明液晶顯示面板的第三種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為圖9對(duì)應(yīng)的顯示亮度示意圖。

【具體實(shí)施方式】

以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。

請(qǐng)參照?qǐng)D3-6，圖3為本發(fā)明液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

本實(shí)施例的液晶顯示面板包括：多條數(shù)據(jù)線dn-dn+5、多條掃描線gn-gn+3以及多個(gè)像素組10。每個(gè)像素組10包括兩個(gè)像素，其中這兩個(gè)像素相鄰設(shè)置。由多條掃描線限定的像素形成多行像素，由多條數(shù)據(jù)線限定的像素形成多列像素，每行像素對(duì)應(yīng)設(shè)置一條掃描線，每列像素對(duì)應(yīng)設(shè)置一條數(shù)據(jù)線。

結(jié)合圖4，每個(gè)像素組10包括第一像素11和第二像素12；所述第一像素11包括第一薄膜晶體管t1、第一存儲(chǔ)電容cst1、第一液晶電容clc1，第一充電電容cs1以及第二充電電容cs2；所述第一薄膜晶體管t1的柵極與對(duì)應(yīng)的掃描線連接，所述第一薄膜晶體管t1的源極與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接；第一存儲(chǔ)電容cst1和第一液晶電容clc1的一端與第一薄膜晶體管t1的漏極連接，第一存儲(chǔ)電容cst1的另一端與陣列基板側(cè)的公共電極連接，第一液晶電容clc1的另一端與彩膜基板側(cè)的公共電極連接，所述第一充電電容cs1的一端與所述第一薄膜晶體管t1的漏極連接，所述第一充電電容cs1的另一端與所述第二充電電容cs2的一端連接；所述第二充電電容cs2的另一端與陣列基板側(cè)的公共電極連接。

所述第二像素12包括第二薄膜晶體管t2、第二存儲(chǔ)電容cst2和第二液晶電容clc2。所述第二薄膜晶體管t2的柵極與對(duì)應(yīng)的掃描線連接，所述第二薄膜晶體管t2的源極與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接；第二存儲(chǔ)電容cst2和第二液晶電容clc2的一端與第二薄膜晶體管t2的漏極連接，第二存儲(chǔ)電容cst2的另一端與陣列基板側(cè)的公共電極連接；第二液晶電容clc2的另一端與彩膜基板側(cè)的公共電極連接，第二薄膜晶體管t2的漏極還與所述第一充電電容cs1的另一端連接。具體地，第二薄膜晶體管t2的漏極與第一充電電容cs1和第二充電電容cs2之間的節(jié)點(diǎn)連接。

其中，第一像素11和第二像素12以行為單位進(jìn)行交替設(shè)置。比如，第一行為第一像素，第二行為第二像素，第三行為第一像素，第四行為第二像素。第一像素11和第二像素12位于相鄰的兩行，比如當(dāng)所述第一像素位于第n行，所述第二像素位于第n+1行，其中液晶顯示面板包括n行像素，0＜n＜n，n≥2。

在具體驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，如圖5所示，t2-t3時(shí)段，gn輸入的掃描信號(hào)為高電平，第一薄膜晶體管t1閉合，使得第一像素11的電壓v1等于數(shù)據(jù)電壓，也即為高電平，而此時(shí)gn+1輸入的掃描信號(hào)為低電平，第二像素12的電壓v2為低電平，t3-t4時(shí)段，gn+1輸入的掃描信號(hào)為高電平，第二薄膜晶體管t2閉合，對(duì)第二像素12進(jìn)行充電的同時(shí)，也同時(shí)向第一充電電容cs1的下基板充電，從而使得v1進(jìn)一步增大，也即v1大于v2，從而使得第一像素11的亮度大于第二像素12的亮度，也即增大了視角。t4時(shí)刻之后，由于掃描線為低電平，因此v1和v2為低電平。

圖6給出圖4對(duì)應(yīng)的顯示亮度，如圖6所示，h表示像素的亮度或者電壓較高，l表示像素的亮度或者電壓較低，由于第一像素和第二像素以行為單位交替分布，使得所有高電位的像素位于同一行，所有低電位的像素位于同一行，因此液晶顯示面板的亮度從上到下為高、低、高、低。且由于這種面板的結(jié)構(gòu)規(guī)整，簡(jiǎn)化液晶顯示器的制程工序。本實(shí)施例的液晶顯示器由于在相鄰像素之間進(jìn)行分壓，從而增大了視角。其中每一行像素的顏色分別為紅、綠、藍(lán)、紅、綠、藍(lán)。

與圖1的液晶顯示器相比，由于每個(gè)像素只需要一個(gè)薄膜晶體管，而不是每個(gè)像素需要三個(gè)薄膜晶體管，因此減少了tft的數(shù)量。且由于每?jī)蓚€(gè)像素需要一組cs1和cs2，而不是每個(gè)像素需要一組cs1和cs2，因此減少了電容的數(shù)量。由于使用較少的薄膜晶體管和電容，因此提高了開(kāi)口率和穿透率。

可以理解的，第一像素11和第二像素12的位置可以互換。

請(qǐng)參照?qǐng)D7-8，圖7為本發(fā)明液晶顯示面板的第二種結(jié)構(gòu)示意圖

本實(shí)施例的液晶顯示面板與上一實(shí)施例的區(qū)別在于，所述第一像素11和所述第二像12素交錯(cuò)設(shè)置。其中在一實(shí)施方式中，所述第一像素11位于第2k+1列(奇數(shù)列)的第n行或者第2k列(偶數(shù)列)的第n+1行；所述第二像素位于第2k+1列的第n+1行像素或者第2k列的第n行，其中液晶顯示面板包括n行像素，0＜n＜n，n≥2，k≥0。

如圖8所示，由于第一像素和第二像素交錯(cuò)設(shè)置，使得高電位的像素和低電位的像素交錯(cuò)分布，也即相鄰兩個(gè)像素的亮度不同，在第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，還可以避免水平方向出現(xiàn)亮暗線，提高了顯示效果。

請(qǐng)參照?qǐng)D9-10，圖9為本發(fā)明液晶顯示面板的第三種結(jié)構(gòu)示意圖

本實(shí)施例的液晶顯示面板與第一實(shí)施例的區(qū)別在于，所述液晶顯示面板包括第一區(qū)域21和第二區(qū)域22。為了更好地防止水平方向出現(xiàn)亮暗線，在一實(shí)施方式中，所述第一區(qū)域21的面積和所述第二區(qū)域22的面積相等。在一實(shí)施方式中，第一區(qū)域和第二區(qū)域?yàn)橐壕э@示面板的左半部分區(qū)域和右半部分區(qū)域。在另一實(shí)施方式中，第一區(qū)域和第二區(qū)域?yàn)橐壕э@示面板的上半部分區(qū)域和下半部分區(qū)域。

所述第一區(qū)域21中的所述第一像素11和所述第二區(qū)域22中的第二像素12位于同一行；所述第一區(qū)域21中的所述第二像素12和所述第二區(qū)域22中的第一像素11位于同一行；

位于所述第一區(qū)域21中的所述第一像素11和位于所述第一區(qū)域21中的所述第二像素12以行為單位交替設(shè)置；位于所述第二區(qū)域22中的所述第一像素11和位于所述第二區(qū)域22中的所述第二像素12以行為單位交替設(shè)置。

具體地，當(dāng)所述第一區(qū)域21中的所述第一像素位于第n行；所述第一區(qū)域21中的所述第二像素位于第n+1行。

此時(shí)所述第二區(qū)域22中的所述第一像素11位于第n+1行；所述第二區(qū)域22中的所述第二像素12位于第n行。

如圖10所示，由于第一區(qū)域和第二區(qū)域中的第一像素和第二像素的位置不同，使得三個(gè)高電位的像素和三個(gè)低電位的像素位于同一行，即高電位的像素和低電位的像素對(duì)稱分布；也即同一行中一半像素的亮度與另一半像素的亮度不同。在第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，避免了水平方向出現(xiàn)亮暗線，且像素排列較規(guī)整，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工序。

可以理解的，該第一區(qū)域和第二區(qū)域的數(shù)量不限于一個(gè)，在另一實(shí)施例中，液晶顯示面板可以包括兩個(gè)第一區(qū)域和一個(gè)第二區(qū)域，此時(shí)第二區(qū)域位于兩個(gè)第一區(qū)域之間，兩個(gè)第一區(qū)域分別位于顯示面板的兩側(cè)。在一實(shí)施方式中，兩個(gè)第一區(qū)域的面積之和等于第二區(qū)域的面積。在一實(shí)施方式中，所述兩個(gè)第一區(qū)域的面積也可不等于第二區(qū)域的面積。

其中兩個(gè)所述第一區(qū)域中的所述第一像素和所述第二區(qū)域中的第二像素位于同一行；兩個(gè)所述第一區(qū)域中的所述第二像素和所述第二區(qū)域中的第一像素位于同一行。位于所述第一區(qū)域中的所述第一像素和位于所述第一區(qū)域中的所述第二像素以行為單位交替設(shè)置；位于所述第二區(qū)域中的所述第一像素和位于所述第二區(qū)域中的所述第二像素以行為單位交替設(shè)置。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示裝置，其包括背光模塊及上述任意一種液晶顯示面板。

本發(fā)明的液晶顯示面板及裝置，在對(duì)下一個(gè)像素充電時(shí)繼續(xù)對(duì)上一像素充電，使得相鄰兩個(gè)像素的亮度不同，從而增大了液晶顯示面板的視角，此外還減少了薄膜晶體管和電容的數(shù)量，進(jìn)而提高了開(kāi)口率和穿透率。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。