顯示裝置的制作方法
本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及一種顯示裝置。
背景技術(shù)：
顯示裝置的重要性隨著多媒體的發(fā)展而提升。因此，各種類(lèi)型的顯示裝置，諸如液晶顯示(“l(fā)cd”)裝置，有機(jī)發(fā)光二極管顯示(“oled”)裝置等等，已經(jīng)被使用。
在這樣的顯示裝置中，lcd裝置，其是最廣泛使用的平板顯示裝置之一，通常包括設(shè)置有諸如像素電極和公共電極的場(chǎng)產(chǎn)生電極的兩個(gè)基板、以及設(shè)置在這兩個(gè)基板之間的液晶層。在lcd中，電壓被施加到場(chǎng)產(chǎn)生電極以在液晶層中產(chǎn)生電場(chǎng)，因而確定液晶層中的液晶分子的方向以及產(chǎn)生入射光的偏振，由此顯示圖像。
lcd裝置可以包括位于數(shù)據(jù)線和源電極之間的修復(fù)布線。修復(fù)布線指的是在lcd的驅(qū)動(dòng)測(cè)試時(shí)斷開(kāi)以檢查操作的布線。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
液晶顯示裝置在開(kāi)口率方面由于修復(fù)布線而具有缺點(diǎn)。
本發(fā)明的示例性實(shí)施方式提供一種顯示裝置，因?yàn)椴话ㄐ迯?fù)布線，所以提高了透射率。
根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式，誤操作在不包括修復(fù)布線的情況下被檢查。
此外，因?yàn)椴话ㄐ迯?fù)布線，所以像素電極之間的距離變窄，由此提高透射率。
然而，本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不限于此處闡述的示例性實(shí)施方式。對(duì)于本發(fā)明所屬領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員，通過(guò)參考以下給出的本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的以上和其它示例性實(shí)施方式將變得更加明顯。
本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式公開(kāi)了一種顯示裝置，該顯示裝置包括在第一方向上延伸的第一數(shù)據(jù)線、設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線的一側(cè)的第一像素電極以及設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線的另一側(cè)的第二像素電極，其中第一數(shù)據(jù)線包括從第一節(jié)點(diǎn)分支并連接到第二節(jié)點(diǎn)的第一和第二分支線，第一像素電極與第一分支線連接，第二像素電極與第二分支線連接。
本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式還公開(kāi)了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：基板；第一和第二柵線，在基板上在第一方向上延伸而且彼此鄰近設(shè)置；第一數(shù)據(jù)線，在第一和第二柵線上在不同于第一方向的第二方向上延伸而且具有第一和第二分支線；設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線的一側(cè)的第一像素電極；設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線的另一側(cè)的第二像素電極；第一開(kāi)關(guān)器件，包括與第一柵線連接的柵電極、與第一數(shù)據(jù)線連接的一個(gè)電極、以及與第一像素電極連接的另一電極；以及第二開(kāi)關(guān)器件，包括與第二柵線連接的柵電極、與第一數(shù)據(jù)線連接的一個(gè)電極、以及與第二像素電極連接的另一電極。
本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式還公開(kāi)了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：基板；設(shè)置在基板上的第一和第二柵線；設(shè)置在第一和第二柵線上并且包括第一和第二分支線的第一數(shù)據(jù)線；第一開(kāi)關(guān)器件，設(shè)置在與第一數(shù)據(jù)線被設(shè)置在其上的層相同的層上，而且包括與第一柵線和第一分支線連接的一個(gè)電極；第二開(kāi)關(guān)器件，設(shè)置在與第一數(shù)據(jù)線被設(shè)置在其上的層相同的層上，而且包括與第二柵線和第二分支線連接的一個(gè)電極；與第一開(kāi)關(guān)器件的一個(gè)電極連接的第一像素電極；以及與第二開(kāi)關(guān)器件的一個(gè)電極連接的第二像素電極；以及至少部分地交疊第一和第二像素電極的公共電極。
附圖說(shuō)明
通過(guò)參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，本發(fā)明的以上和其它示例性實(shí)施方式及特征將變得更加明顯，在圖中：
圖1是根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的顯示面板的一示例性實(shí)施方式的示意圖；
圖2是在圖1中顯示的區(qū)域a的示意性電路圖；
圖3是示意性地示出在圖1中顯示的區(qū)域a的一示例性實(shí)施方式的平面圖；
圖4是沿圖3的線i-i'和ii-ii'截取的截面圖；
圖5是沿圖3的線iii-iii'截取的截面圖；
圖6是更具體地示出在圖1中顯示的區(qū)域a的另一示例性實(shí)施方式的平面圖；
圖7是沿圖6的線i-i'和ii-ii'截取的截面圖；
圖8是更具體地示出在圖1中顯示的區(qū)域a的另一示例性實(shí)施方式的平面圖；
圖9是沿圖8的線i-i'和ii-ii'截取的截面圖的一示例；以及
圖10是沿圖8的線i-i'和ii-ii'截取的截面圖的另一示例。
具體實(shí)施方式
在以下描述中，為了說(shuō)明，許多特定細(xì)節(jié)被闡述以提供對(duì)各種示例性實(shí)施方式的全面理解。然而，顯然各種示例性實(shí)施方式可以被實(shí)施而不用這些特定細(xì)節(jié)或者具有一個(gè)或多個(gè)等效布置。在其它實(shí)例中，眾所周知的結(jié)構(gòu)和裝置以框圖形式示出從而避免不必要地模糊各個(gè)示例性實(shí)施方式。
在附圖中，為了清晰和描述的目的，層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對(duì)尺寸可以被夸大。此外，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。
當(dāng)一元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，它可以直接在另一元件或?qū)由?、直接連接到或直接聯(lián)接到另一元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖诰娱g元件或?qū)?。然而，?dāng)一元件或?qū)颖环Q為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接聯(lián)接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，則沒(méi)有居間元件或?qū)哟嬖凇榱吮竟_(kāi)的目的，“x、y和z的至少之一”和“從由x、y和z組成的組中選出的至少之一”可以被理解為僅x、僅y、僅z，或者x、y和z中的兩個(gè)或更多個(gè)的任意組合，諸如例如xyz、xyy、yz和zz。相同的附圖標(biāo)記始終指代相同的元件。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多相關(guān)列舉項(xiàng)目的任意和所有組合。
雖然術(shù)語(yǔ)第一、第二等可以用于此來(lái)描述不同的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)用于區(qū)分一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分。因而，以下討論的第一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分可以被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，而不脫離本公開(kāi)的教導(dǎo)。
為了描述目的，可以在此使用空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)，諸如“在……下面”、“以下”、“下”、“在……上方”、“上”等以及與其相關(guān)聯(lián)的術(shù)語(yǔ)來(lái)描述一個(gè)元件或特征與另一元件(或多個(gè)元件)或特征(或多個(gè)特征)如圖中所示的關(guān)系。空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)旨在涵蓋除圖中描繪的取向之外裝置在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其它元件或特征“下”或“下面”的元件可以取向?yàn)椤霸凇彼銎渌蛱卣鳌吧稀?。因而，示例性術(shù)語(yǔ)“在……下”可以包含上和下兩種取向。此外，裝置可以以別的方式取向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或以其它取向)，因而在此使用的空間關(guān)系描述語(yǔ)被相應(yīng)地解釋。
在此使用的術(shù)語(yǔ)用于描述特定實(shí)施方式的目的，而不旨在限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式“一”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清晰地另外表示。此外，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“包含”、“包含……的”、“包括”和/或“包括……的”說(shuō)明所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或其組的存在，但不排除一個(gè)或更多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或其組的存在或添加。
考慮正被討論的測(cè)量和與特定量的測(cè)量相關(guān)的誤差(即，測(cè)量系統(tǒng)的限制)，在此使用時(shí)，“大約”或“大致”包括所述值在內(nèi)，并且意指在由如本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員確定的對(duì)于特殊值的可接受偏差范圍內(nèi)。例如，“大約”可以指的是在一個(gè)或更多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差內(nèi)、或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％內(nèi)。
在此參考橫截面圖示描述各種示例性實(shí)施方式，其中橫截面圖示是理想化的示例性實(shí)施方式和/或中間結(jié)構(gòu)的示意性圖示。因此，由于例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示形狀的偏離是可以預(yù)期的。因而，在此公開(kāi)的示例性實(shí)施方式不應(yīng)被理解為限于區(qū)域的具體示出形狀，而是將包括例如由制造引起的形狀的偏離。例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)在其邊緣典型地將具有圓化或彎曲的特征和/或注入濃度梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣地，通過(guò)注入形成的掩埋區(qū)可能導(dǎo)致在掩埋區(qū)與通過(guò)其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因而，在圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意欲示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，并且不意欲限制。
除非另外定義，在此使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本公開(kāi)所屬的領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。術(shù)語(yǔ)，諸如在通用字典中定義的那些，應(yīng)被理解為具有與在相關(guān)領(lǐng)域的背景中的含義一致的含義，將不被理解為理想化或過(guò)度正式的意義，除非在此清楚地如此定義。
在下文中，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式將參考附圖被詳細(xì)描述。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式的液晶顯示(“l(fā)cd”)裝置的顯示面板的示意圖。
參考圖1，顯示面板p可以與第一至第n條柵線gl1至gln和第一至第m條數(shù)據(jù)線dl1至dlm連接，其中n和m是大于1的自然數(shù)。第一至第m條數(shù)據(jù)線dl1至dlm可以在第一方向d1上延伸。第一至第n條柵線gl1至gln可以在第二方向d2上延伸。第一方向d1和第二方向d2可以彼此垂直地交叉。
第一至第n條柵線gl1至gln可以分別與柵驅(qū)動(dòng)單元(未示出)連接以接收柵信號(hào)。第一至第m條數(shù)據(jù)線dl1至dlm可以分別與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元(未示出)連接以接收數(shù)據(jù)信號(hào)。在圖1中，第一方向d1由列方向表示，第二方向d2由行方向表示。
多條數(shù)據(jù)線可以從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元接收正(+)或負(fù)(-)數(shù)據(jù)信號(hào)。具有彼此不同極性的數(shù)據(jù)信號(hào)可以被施加到彼此相鄰的數(shù)據(jù)線。在一示例性實(shí)施方式中，例如，當(dāng)正(+)數(shù)據(jù)信號(hào)被施加到第一數(shù)據(jù)線dl1時(shí)，負(fù)(-)數(shù)據(jù)信號(hào)可以被施加到第二數(shù)據(jù)線dl2。在這種情形下，負(fù)(-)數(shù)據(jù)信號(hào)是與正(+)數(shù)據(jù)信號(hào)相反的倒相信號(hào)?！暗谝缓偷诙?shù)據(jù)線dl1和dl2彼此相鄰布置”的情況指的是在第一和第二數(shù)據(jù)線dl1和dl2之間沒(méi)有設(shè)置另一數(shù)據(jù)線。此外，在圖1中顯示的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性僅是一示例，在本發(fā)明中的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性不必限于在圖1中顯示的數(shù)據(jù)信號(hào)的極性。
布置在一條數(shù)據(jù)線的兩側(cè)的兩個(gè)像素單元可以布置為共用數(shù)據(jù)線。此外，這兩個(gè)像素單元可以分別與彼此不同的數(shù)據(jù)線連接。作為一示例，將參考第一至第四像素單元px1至px4描述在顯示面板p中的所述多個(gè)像素的布置關(guān)系。
顯示面板p可以包括第一至第四像素單元px1至px4。所有的第一至第四像素單元px1至px4可以與第二數(shù)據(jù)線dl2連接。此外，第一至第四像素單元px1至px4可以分別與第一至第四柵線gl1至gl4中的一條連接。這里，第一至第四像素單元px1至px4可以分別與彼此不同的數(shù)據(jù)線連接。
更具體而言，第一像素單元px1可以設(shè)置在第二數(shù)據(jù)線dl2的一側(cè)，并且可以設(shè)置在第一柵線gl1和第二柵線gl2之間。因而，第一像素單元px1可以響應(yīng)從第二柵線gl2提供的柵信號(hào)而從第二數(shù)據(jù)線dl2接收數(shù)據(jù)信號(hào)。
第二像素單元px2可以設(shè)置在第二數(shù)據(jù)線dl2的另一側(cè)，并且可以設(shè)置在關(guān)于第一像素單元px1傾斜的方向上。此外，第二像素單元px2可以設(shè)置在第三柵線gl3和第四柵線gl4之間。因而，第二像素單元px2可以響應(yīng)從第三柵線gl3提供的柵信號(hào)而從第二數(shù)據(jù)線dl2接收數(shù)據(jù)信號(hào)。
第三像素單元px3可以設(shè)置在第二數(shù)據(jù)線dl2的另一側(cè)，并且可以鄰近第一像素單元px1設(shè)置。此外，第三像素單元px3可以設(shè)置在第一柵線gl1和第二柵線gl2之間。因而，第三像素單元px3可以響應(yīng)從第一柵線gl1提供的柵信號(hào)而從第二數(shù)據(jù)線dl2接收數(shù)據(jù)信號(hào)。
第四像素單元px4可以設(shè)置在第二數(shù)據(jù)線dl2的一側(cè)，并且可以設(shè)置在關(guān)于第三像素單元px3傾斜的方向上。此外，第四像素單元px4可以設(shè)置在第三柵線gl3和第四柵線gl4之間。因而，第四像素單元px4可以響應(yīng)從第四柵線gl4提供的柵信號(hào)而從第二數(shù)據(jù)線dl2接收數(shù)據(jù)信號(hào)。
也就是，所有的第一至第四像素單元px1至px4可以共用第二數(shù)據(jù)線dl2，并且可以分別與彼此不同的第一至第四柵線gl1至gl4連接。
與此類(lèi)似，其它像素單元可以布置在如圖1所示的顯示面板p中。然而，這樣的布置不限于在圖1中所示的布置。也就是，根據(jù)另一示例性實(shí)施方式，第一像素單元px1可以與第一柵線gl1和第二數(shù)據(jù)線dl2連接，鄰近第一像素單元px1的第三像素單元px3可以連接到第二柵線gl2和第二數(shù)據(jù)線dl2。此外，第三像素單元px3可以與第四柵線gl4和第二數(shù)據(jù)線dl2連接，并且第四像素單元px4可以與第三柵線gl3和第二數(shù)據(jù)線dl2連接。
基于與柵線成連接關(guān)系的第一公共線cl1，布置在區(qū)域b中的多個(gè)像素單元可以與布置在區(qū)域a中的第一至第四像素單元px1至px4對(duì)稱。相反，基于與柵線成連接關(guān)系的第二公共線cl2，布置在區(qū)域c中的多個(gè)像素單元可以與布置在區(qū)域b中的第一至第四像素單元px1至px4相同。
在一示例性實(shí)施方式中，例如，在其中與第一數(shù)據(jù)線dl1和第一柵線gl1連接的像素單元在第二方向d2上順序地顯示紅色、綠色和藍(lán)色的情況下，顯示面板p以上述布置關(guān)系設(shè)置，由此防止顯示藍(lán)色并且具有最低亮度的像素單元(例如第一像素單元px1)的亮度由于跳變電壓而降低。
然而，連接關(guān)系不必限于在圖2中顯示的連接關(guān)系，而且基于與柵線成連接關(guān)系的第一公共線cl1，布置在區(qū)域c中的所述多個(gè)像素單元可以與布置在區(qū)域a中的第一至第四像素單元px1至px4對(duì)稱。
顯示面板p還可以包括第一至第三公共線cl1至cl3。第一至第三公共線cl1至cl3的每個(gè)設(shè)置在彼此相鄰的像素單元之間，而且被設(shè)置為不交疊第一至第m條數(shù)據(jù)線dl1至dlm。也就是，第一至第三公共線cl1至cl3可以在第一方向d1上延伸，而且還可以在相同方向上平行于第一至第m條數(shù)據(jù)線dl1至dlm延伸。
第一至第三公共線cl1至cl3與隨后將描述的公共電極ce連接，而且可以穩(wěn)定公共電壓vcom的紋波。在另一示例性實(shí)施方式中，所有的第一至第三公共線cl1至cl3不是必要的，而且第二和第三公共線cl2和cl3可以被省略。也就是，公共線的數(shù)量和布置結(jié)構(gòu)可以考慮公共電壓vcom的紋波穩(wěn)定而適當(dāng)?shù)馗淖儭?/p>
在下文，第一至第四像素單元px1至px4將參考圖2被更詳細(xì)地描述。
圖2是更詳細(xì)地示出區(qū)域a的電路圖。
第二數(shù)據(jù)線dl2還可以包括從第一節(jié)點(diǎn)n1分支并且連接到第二節(jié)點(diǎn)n2的第一分支線tl1a和第二分支線tl2a。因?yàn)榈谝环种Ь€tl1a通過(guò)第一和第二節(jié)點(diǎn)n1和n2與第二分支線tl2a電連接，所以相同的信號(hào)(例如，第二數(shù)據(jù)信號(hào)d2)可以被施加到第一分支線tl1a、第二分支線tl2a以及第一和第二節(jié)點(diǎn)n1和n2。
第一像素單元px1可以包括第一開(kāi)關(guān)器件tr1、第一像素電極pe1和第一液晶電容器clc1。
在一示例性實(shí)施方式中，第一開(kāi)關(guān)器件tr1可以是例如諸如薄膜晶體管(“tft”)的三端子器件。在下文，在說(shuō)明書(shū)中，包括第一開(kāi)關(guān)器件tr1的所有開(kāi)關(guān)器件將被例示為tft。第一開(kāi)關(guān)器件tr1可以包括與第二柵線gl2連接的柵電極、與第一像素電極pe1連接的一個(gè)電極、以及與第二數(shù)據(jù)線dl2的第一分支線tl1a連接的另一電極。在第一開(kāi)關(guān)器件tr1中，例如，一個(gè)電極可以是源電極，另一電極可以是漏電極。在下文，在說(shuō)明書(shū)中，第一開(kāi)關(guān)器件tr1的一個(gè)電極將被指定為源電極，其另一電極將被指定為漏電極。第一開(kāi)關(guān)器件tr1可以通過(guò)從第二柵線gl2提供的第二柵信號(hào)g2導(dǎo)通，并且可以將從第二數(shù)據(jù)線dl2和第一分支線tl1a提供的第二數(shù)據(jù)信號(hào)d2施加到第一像素電極pe1。
第一液晶電容器clc1可以設(shè)置在第一像素電極pe1和公共電極ce之間(參考圖4)。也就是，第一液晶電容器clc1被充以在被施加到第一像素電極pe1的電壓和被施加到公共電極ce的公共電壓vcom之間的電壓差。
第二像素單元px2可以包括第二開(kāi)關(guān)器件tr2、第二像素電極pe2和第二液晶電容器clc2。
第二開(kāi)關(guān)器件tr2可以是諸如tft的三端子器件。第二開(kāi)關(guān)器件tr2可以包括與第三柵線gl3連接的柵電極、與第二像素電極pe2連接的一個(gè)電極、以及與第二數(shù)據(jù)線dl2的第二分支線tl2a連接的另一電極。在第二開(kāi)關(guān)器件tr2中，一個(gè)電極可以是源電極，另一電極可以是漏電極。第二開(kāi)關(guān)器件tr2可以通過(guò)從第三柵線gl3提供的第三柵信號(hào)g3導(dǎo)通，并且可以將從第二數(shù)據(jù)線dl2和第二分支線tl2a提供的第二數(shù)據(jù)信號(hào)d2施加到第二像素電極pe2。
第二液晶電容器clc2可以設(shè)置在第二像素電極pe2和公共電極ce(參考圖4)之間。也就是，第二液晶電容器clc2被充以在被施加到第二像素電極pe2的電壓和被施加到公共電極ce的公共電壓vcom之間的電壓差。
因?yàn)槌说谌偷谒拈_(kāi)關(guān)器件tr3和tr4的連接關(guān)系和所接收的數(shù)據(jù)信號(hào)之外，第三像素單元px3和第四像素單元px4與第一像素單元px1和第二像素單元px2相同，所以重復(fù)的描述將被省略。
第三像素單元px3可以通過(guò)與第一柵線gl1連接而直接連接到第二數(shù)據(jù)線dl2，但是本發(fā)明不限于此。也就是，第三像素單元px3可以與從第二數(shù)據(jù)線dl2分支的第二分支線tl2a連接。
第二數(shù)據(jù)線dl2還可以包括從第三節(jié)點(diǎn)n3分支并且連接到第四節(jié)點(diǎn)n4的第三和第四分支線tl1b和tl2b。第四像素單元px4可以包括與從第三節(jié)點(diǎn)n3分支的第三分支線tl1b連接的第四開(kāi)關(guān)器件tr4、以及與第四開(kāi)關(guān)器件tr4連接的第四像素電極pe4。
也就是，在對(duì)角線方向上彼此相鄰而且共用一條數(shù)據(jù)線的兩個(gè)像素單元可以分別與從一個(gè)節(jié)點(diǎn)分支的兩條分支線連接。因此，在下文，本發(fā)明將參考圖3至5基于第二數(shù)據(jù)線dl2、第二柵線gl2、第三柵線gl3以及第一和第二像素單元px1和px2被更詳細(xì)地描述。
圖3是示意性地示出在圖1中顯示的區(qū)域a的一示例性實(shí)施方式的平面圖。圖4是沿圖3的線i-i'和ii-ii'截取的截面圖。圖5是沿圖3的線iii-iii'截取的截面圖。為了說(shuō)明的方便，本發(fā)明將基于在圖2中顯示的第一和第二像素單元px1和px2描述。
參考圖3至5，根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式的顯示裝置可以包括下顯示面板10和上顯示面板20。下顯示面板10設(shè)置為面對(duì)上顯示面板20。下顯示面板10通過(guò)密封附接到上顯示面板20。顯示裝置還可以包括插入在下顯示面板10和上顯示面板20之間的液晶層30。因此，根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式的顯示裝置可以是lcd裝置。
為了說(shuō)明的方便，在下文，第一開(kāi)關(guān)器件tr1的源電極和漏電極分別由第一源電極se1和第一漏電極de1指示。此外，第二開(kāi)關(guān)器件tr2的源電極和漏電極分別由第二源電極se2和第二漏電極de2指示。
首先，將描述下顯示面板10。
在一示例性實(shí)施方式中，例如，下基板110可以是透明玻璃基板、透明塑料基板等。
第二柵線gl2、第三柵線gl3以及第一和第二柵電極ge1和ge2可以設(shè)置在下基板110上。第一和第二像素電極pe1和pe2可以設(shè)置在下基板110上。也就是，第一和第二像素電極pe1和pe2可以設(shè)置在與第二柵線gl2、第三柵線gl3以及第一和第二柵電極ge1和ge2被設(shè)置在其上的層相同的層上。
第二和第三柵線gl2和gl3可以分別與第一和第二像素電極pe1和pe2絕緣。因此，在第二和第三柵線gl2和gl3分別設(shè)置在與第一和第二像素電極pe1和pe2被設(shè)置在其上的層相同的層上，但是分別與第一和第二像素電極pe1和pe2絕緣的情況下，其布置不限于在圖3中所顯示的布置。
在一示例性實(shí)施方式中，第二柵線gl2、第三柵線gl3以及第一和第二柵電極ge1和ge2可以分別設(shè)置成分別包括選自鋁(al)、銅(cu)、鉬(mo)、鉻(cr)、鈦(ti)、鎢(w)、鉬-鎢(mo-w)、鉬鈦(mo-ti)、銅/鉬-鈦(cu/mo-ti)和其任何組合的一種、兩種或三種導(dǎo)電金屬的單層、雙層、或三層的形式。
在一示例性實(shí)施方式中，第一和第二像素電極pe1和pe2可以包括諸如銦錫氧化物(“ito”)或銦鋅氧化物(“izo”)的透明導(dǎo)電材料，或諸如鋁、銀、鉻或其合金的反射材料。此外，在一示例性實(shí)施方式中，第一和第二像素電極pe1和pe2可以設(shè)置為在其中沒(méi)有縫被定義的板形，但是本發(fā)明不限于此。
柵絕緣膜120可以設(shè)置在第二柵線gl2、第三柵線gl3、第一柵電極ge1、第二柵電極ge2以及第一和第二像素電極pe1和pe2上。在一示例性實(shí)施方式中，柵絕緣膜120可以包括例如硅氮化物(sinx)或硅氧化物(siox)。柵絕緣膜120可具有包括具有彼此不同的物理特性的至少兩層的多層結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體層130可以設(shè)置在柵絕緣膜120上。半導(dǎo)體層130可以包括氧化物半導(dǎo)體。也就是，在一示例性實(shí)施方式中，例如，半導(dǎo)體層130可以包括包含銦-鎵-鋅-氧化物(“igzo”)、zno、zno2、cdo、sro、sro2、cao、cao2、mgo、mgo2、ino、in2o2、gao、ga2o、ga2o3、sno、sno2、geo、geo2、pbo、pb2o3、pb3o4、tio、tio2、ti2o3、ti3o5或其任何組合的一種氧化物半導(dǎo)體。
在另一示例性實(shí)施方式中，半導(dǎo)體層130可以包括非晶硅或多晶硅。半導(dǎo)體層130可以包括第一開(kāi)關(guān)器件tr1的溝道區(qū)和第二開(kāi)關(guān)器件tr2的溝道區(qū)。
電阻接觸層140可以設(shè)置在半導(dǎo)體層130上。在一示例性實(shí)施方式中，例如，電阻接觸層140可以包括用諸如磷的n型雜質(zhì)摻雜的n+氫化非晶硅、或硅化物。然而，在半導(dǎo)體層130包括氧化物半導(dǎo)體的情況下，電阻接觸層140可以被省略。
第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1、第二源電極se2、第一漏電極de1和第二漏電極de2可以設(shè)置在柵絕緣膜120和電阻接觸層140上。第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1、第二源電極se2、第一漏電極de1和第二漏電極de2可以分別設(shè)置為包括從鋁(al)、銅(cu)、鉬(mo)、鉻(cr)、鈦(ti)、鎢(w)、鉬-鎢(mo-w)、鉬鈦(mo-ti)和銅/鉬-鈦(cu/mo-ti)選擇的一種、兩種或三種導(dǎo)電金屬的單層、雙層或三層的形式。然而，本發(fā)明不限于此，它們可以包括不同的金屬或?qū)w。
在一示例性實(shí)施方式中，第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1、第二源電極se2、第一漏電極de1和第二漏電極de2可以通過(guò)相同的掩模工藝與半導(dǎo)體層130和電阻接觸層140一起設(shè)置。在這種情況下，除了第一和第二開(kāi)關(guān)器件tr1和tr2的溝道區(qū)之外，第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1、第二源電極se2、第一漏電極de1和第二漏電極de2可以具有與半導(dǎo)體層130基本上相同的形狀。
第二數(shù)據(jù)線dl2可以包括從第一節(jié)點(diǎn)n1(參見(jiàn)圖2)分支而且連接到第二節(jié)點(diǎn)n2(參見(jiàn)圖2)的第一和第二分支線tl1a和tl2a。第一分支線tl1a和第二分支線tl2a可以設(shè)置為在彼此基本上相同的方向上(例如，在第一方向d1上)延伸。第一分支線tl1a和第二分支線tl2a可以設(shè)置為彼此間隔開(kāi)一預(yù)定距離。
第一源電極se1、第一漏電極de1和第一柵電極ge1可以組成第一開(kāi)關(guān)器件tr1。
第一開(kāi)關(guān)器件tr1的第一源電極se1可以與第二數(shù)據(jù)線dl2(更具體而言，第一分支線tl1a)連接。此外，第一開(kāi)關(guān)器件tr1的第一源電極se1可以與第一分支線tl1a是整體的。在一示例性實(shí)施方式中，第一開(kāi)關(guān)器件tr1的第一源電極se1可具有例如u形狀。
第一開(kāi)關(guān)器件tr1的第一漏電極de1可以通過(guò)隨后將描述的第一接觸孔cnt1和第一連接電極160a與第一像素電極pe1電連接。在一示例性實(shí)施方式中，第一開(kāi)關(guān)器件tr1的第一漏電極de1可具有例如u形狀。第一漏電極de1的一側(cè)可以至少部分地交疊第一柵電極ge1，而且第一漏電極de1的另一側(cè)在b1區(qū)域中可以至少部分地交疊第二柵線gl2。因此，第一像素單元px1還可以包括設(shè)置在第二柵線gl2和第一漏電極de1的另一側(cè)之間的存儲(chǔ)電容器。
第二源電極se2、第二漏電極de2和第二柵電極ge2可以組成第二開(kāi)關(guān)器件tr2。
第二開(kāi)關(guān)器件tr2的第二源電極se2可以與第二數(shù)據(jù)線dl2(更具體而言，第二分支線tl2a)連接。此外，第二開(kāi)關(guān)器件tr2的第二源電極se2可以與第二分支線tl2a是整體的。在一示例性實(shí)施方式中，第二開(kāi)關(guān)器件tr2的第二源電極se2可具有例如u形狀。
第二開(kāi)關(guān)器件tr2的第二源電極se2可以通過(guò)隨后將描述的第二接觸孔cnt2和第二連接電極160b與第二像素電極pe2電連接。在一示例性實(shí)施方式中，第二開(kāi)關(guān)器件tr2的第二源電極se2可具有例如u形狀。在區(qū)域b2中，第二漏電極de2的一側(cè)可以至少部分地交疊第二柵電極ge2，第二漏電極de2的另一側(cè)可以至少部分地交疊第三柵線gl3。因此，第二像素單元px2還可以包括設(shè)置在第三柵線gl3與第二漏電極de2的另一側(cè)之間的存儲(chǔ)電容器。
在根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式的顯示裝置中，當(dāng)在第二開(kāi)關(guān)器件tr2以及與其連接的第二像素電極pe2中出現(xiàn)缺陷時(shí)，僅僅與第二像素電極pe2連接的第二分支線tl2a可以斷開(kāi)。因此，即使第二分支線tl2a斷開(kāi)時(shí)，第一分支線tl1a也與第二數(shù)據(jù)線dl2電連接。第一開(kāi)關(guān)器件tr1正常地從第二數(shù)據(jù)線dl2接收第二數(shù)據(jù)信號(hào)d2，并提供這個(gè)第二數(shù)據(jù)信號(hào)d2到第二像素電極pe2。
也就是，第二數(shù)據(jù)線dl2被分支為第一和第二分支線tl1a和tl2a，因而可以僅去除這兩個(gè)分支線中的有缺陷的線。因此，在第一分支線tl1a和第一源電極se1之間或在第二分支線tl2a和第二源電極se2之間不需要另一修復(fù)布線。因此，第一開(kāi)關(guān)器件tr1的第一源電極se1可以與第一分支線tl1a是整體的，而且第二開(kāi)關(guān)器件tr2的第二源電極se2可以與第二分支線tl2a是整體的。
因而，可以不在數(shù)據(jù)線與開(kāi)關(guān)器件的一個(gè)電極之間設(shè)置另一修復(fù)布線。因?yàn)椴惶峁┝硪恍迯?fù)布線，所以在彼此間隔開(kāi)的第一像素電極pe1和第二像素電極pe2之間的距離可以變窄。因此，根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式的顯示裝置的開(kāi)口率可以提高。因?yàn)樵诘谝幌袼仉姌Ope1和第二像素電極pe2之間的距離可以變窄，所以設(shè)置在第一像素電極pe1和第二像素電極pe2之間的黑矩陣bm的寬度可以減小。
第一和第二公共線cl1和cl2可以設(shè)置在柵絕緣膜120和電阻接觸層140上。
第一和第二公共線cl1和cl2可以設(shè)置在與第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1、第二源電極se2、第一漏電極de1和第二漏電極de2被設(shè)置在其上的層相同的層上。在一示例性實(shí)施方式中，第一和第二公共線cl1和cl2可以包括與第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1、第二源電極se2、第一漏電極de1和第二漏電極de2的材料相同的材料，而且可以與第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1、第二源電極se2、第一漏電極de1和第二漏電極de2通過(guò)相同的掩模工藝一起設(shè)置。
第一和第二公共線cl1和cl2可以與隨后將描述的公共電極ce電連接。第一和第二公共線cl1和cl2與公共電極ce電連接以減小公共電壓vcom的紋波，由此穩(wěn)定公共電壓vcom。
更具體而言，第一公共線cl1可以通過(guò)經(jīng)由第三接觸孔cnt3接觸公共電極ce而與公共電極ce電連接。電連接第一公共線cl1和公共電極ce的第三接觸孔cnt3限定在被隨后將描述的黑矩陣bm覆蓋的區(qū)域中。當(dāng)?shù)谌佑|孔cnt3被限定在像素區(qū)域中時(shí)，要求黑矩陣bm延伸以覆蓋第三接觸孔cnt3。然而，在根據(jù)本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式的顯示裝置中，因?yàn)榈谌佑|孔cnt3限定在被黑矩陣bm覆蓋的區(qū)域中，所以黑矩陣bm不需要延伸。
類(lèi)似地，第二公共線cl2可以通過(guò)經(jīng)由第四接觸孔cnt4接觸公共電極ce而與公共電極ce電連接。電連接第二公共線cl2和公共電極ce的第四接觸孔cnt4設(shè)置在被隨后將描述的黑矩陣bm覆蓋的區(qū)域中。
在一示例性實(shí)施方式中，第一和第二公共線cl1和cl2可以設(shè)置為在第一方向d1上延伸。也就是，第一和第二公共線cl1和cl2可以設(shè)置為在與第二數(shù)據(jù)線dl2相同的方向上延伸。第二數(shù)據(jù)線dl2可以設(shè)置在第一公共線cl1和第二公共線cl2之間。
鈍化膜150可以設(shè)置在柵絕緣膜120、第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1、第二源電極se2、第一漏電極de1、第二漏電極de2以及第一和第二公共線cl1和cl2上。在一示例性實(shí)施方式中，鈍化膜150可以包括硅氮化物或硅氧化物的無(wú)機(jī)絕緣材料。
公共電極ce可以設(shè)置在鈍化膜150上。公共電極ce可以設(shè)置為至少部分地交疊第一和第二像素電極pe1和pe2。
在一示例性實(shí)施方式中，公共電極ce可以包括諸如ito或izo的透明導(dǎo)電材料，或諸如鋁、銀、鉻或其合金的反射金屬。公共電極ce可以與第一公共線cl1的一部分電連接，所述部分經(jīng)由第三接觸孔cnt3暴露。公共電極ce可以與第二公共線cl2的一部分電連接，所述部分經(jīng)由第四接觸孔cnt4暴露。
多個(gè)縫slt可以被限定在公共電極ce中。在一示例性實(shí)施方式中，所述多個(gè)縫slt可以被限定為在第二方向d2上延伸，但是本發(fā)明不限于此。也就是，在另一示例性實(shí)施方式中，所述多個(gè)縫slt也可以被限定為在第一方向d1上延伸。所述多個(gè)縫slt被限定在公共電極ce中，由此形成與第一和第二像素電極pe1和pe2相關(guān)的水平電場(chǎng)。
更具體而言，公共電極ce經(jīng)由所述多個(gè)縫slt與第一和第二像素電極pe1和pe2的每個(gè)一起形成邊緣場(chǎng)，由此在特定方向上旋轉(zhuǎn)或?qū)?zhǔn)多個(gè)液晶分子31。然而，公共電極ce的縫slt的形狀、截面結(jié)構(gòu)和數(shù)量不限于在圖3至5中顯示的那些。
第一和第二連接電極160a和160b可以設(shè)置在鈍化膜150上。第一和第二連接電極160a和160b可以設(shè)置在與公共電極ce被設(shè)置在其上的層相同的層上。然而，第一和第二連接電極160a和160b不與公共電極ce電連接。在一示例性實(shí)施方式中，第一和第二連接電極160a和160b可以包括諸如ito或izo的透明導(dǎo)電材料，或諸如鋁、銀、鉻或其合金的反射金屬。也就是，在一示例性實(shí)施方式中，第一和第二連接電極160a和160b可以包括與公共電極ce的材料相同的材料，而且，在這種情況下，其可以通過(guò)相同的掩模工藝與公共電極ce一起提供。
第一連接電極160a可以設(shè)置為覆蓋第一接觸孔cnt1。更具體而言，第一接觸孔cnt1可以設(shè)置為暴露第一像素電極pe1的一部分和第一開(kāi)關(guān)器件tr1的第一漏電極de1的一部分。第一連接電極160a可以設(shè)置為覆蓋暴露的第一像素電極pe1的一部分和暴露的第一漏電極de1的一部分。因此，第一連接電極160a可以電連接第一像素電極pe1和第一漏電極de1。
第二連接電極160b可以設(shè)置為覆蓋第二接觸孔cnt2。第二連接電極160b可以設(shè)置為暴露第二像素電極pe2的一部分和第二開(kāi)關(guān)器件tr2的第二漏電極de2的一部分。第二連接電極160b可以設(shè)置為覆蓋暴露的第二像素電極pe2的一部分和暴露的第二漏電極de2的一部分，從而電連接第二像素電極pe2和第二漏電極de2。
雖然在圖中未示出，但是配向膜(未示出)可以設(shè)置在公共電極ce和鈍化膜150上。在一示例性實(shí)施方式中，配向膜可以是水平配向膜，并且在預(yù)定方向上被摩擦。在另一示例性實(shí)施方式中，配向膜可以包括感光材料，而且可以被光學(xué)地配向。
接著，將描述上顯示面板20。
上基板170可以設(shè)置為面對(duì)下基板110。在一示例性實(shí)施方式中，上基板170可以包括透明玻璃、塑料等。在一示例性實(shí)施方式中，上基板170可以包括與下基板110的材料相同的材料。
用于阻擋光透射到除像素區(qū)域以外的區(qū)域的黑矩陣bm可以設(shè)置在上基板170上。在一示例性實(shí)施方式中，例如，黑矩陣bm可以包括有機(jī)材料或包括鉻的金屬材料。
濾色器180可以設(shè)置在黑矩陣bm和上基板170上。更具體而言，在一示例性實(shí)施方式中，例如，濾色器180可以顯示紅色(r)、綠色(g)和藍(lán)色(b)中的任何一種。然而，濾色器180并不僅僅設(shè)置在上基板170上。也就是，濾色器180也可以設(shè)置在下基板110上。
外涂層190可以設(shè)置在黑矩陣bm和濾色器180上。外涂層190覆蓋濾色器180和黑矩陣bm以執(zhí)行平坦化。根據(jù)情況，可以省略外涂層190。
雖然在圖中未示出，但是配向膜(未示出)可以設(shè)置在外涂層190上。在一示例性實(shí)施方式中，例如，配向膜可以是水平配向膜，而且在預(yù)定方向上被摩擦。在另一示例性實(shí)施方式中，配向膜可以包括感光材料，而且可以被光學(xué)地配向。
圖6是更具體地示出在圖1中顯示的區(qū)域a的另一示例性實(shí)施方式的平面圖。圖7是沿圖6的線i-i'和ii-ii'截取的截面圖。
這里，將省略與已經(jīng)參考圖3至5描述的那些重疊的內(nèi)容。
參考圖6和7，在根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的顯示裝置中，第一和第二像素電極pe1和pe2的布置不同于已經(jīng)參考圖3至5描述的顯示裝置中的布置。
也就是，第一和第二像素電極pe1和pe2可以設(shè)置在與第二柵線gl2、第三柵線gl3以及第一和第二柵電極ge1和ge2被設(shè)置在其上的層不同的層上。
更具體而言，第一像素電極pe1可以設(shè)置在柵絕緣膜120和第一開(kāi)關(guān)器件tr1的第一漏電極de1上。第一像素電極pe1可以設(shè)置在第一漏電極de1上以直接接觸第一漏電極de1。因此，第一漏電極de1和第一像素電極pe1可以彼此電連接而不用另一連接電極和另一接觸孔，例如第一連接電極160a(參考圖3和4)和第一接觸孔cnt1(參考圖3和圖4)。
第二像素電極pe2可以設(shè)置在柵絕緣膜120和第二開(kāi)關(guān)器件tr2的第二漏電極de2上。第二像素電極pe2可以設(shè)置在第二漏電極de2上以直接接觸第二漏電極de2。因此，第二漏電極de2和第二像素電極pe2可以彼此電連接而不用另一連接電極和另一接觸孔，例如第二連接電極160b(參見(jiàn)圖3和4)和第二接觸孔cnt2(參見(jiàn)圖3和圖4)。
除了在柵絕緣膜120、第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1、第二源電極se2、第一漏電極de1、第二漏電極de2以及第一和第二公共線cl1和cl2上之外，鈍化膜150還可以設(shè)置在第一和第二像素電極pe1和pe2上。
已經(jīng)參考圖3至5描述了第一和第二像素電極pe1和pe2設(shè)置在與第二和第三柵線gl2和gl3被設(shè)置在其上的層相同的層上，而且已經(jīng)參考圖6和7描述了第一和第二像素電極pe1和pe2分別直接接觸第一和第二漏電極de1和de2。然而，本發(fā)明不限于此。
也就是，鈍化膜150可以設(shè)置在第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1、第二源電極se2、第一漏電極de1和第二漏電極de2上，并且第一和第二像素電極pe1和pe2可以設(shè)置在鈍化膜150上。在這種情況下，第一和第二像素電極pe1和pe2可以分別與經(jīng)由在鈍化膜150中限定的接觸孔暴露的第一和第二漏電極de1和de2連接。
圖8是更具體地示出在圖1中顯示的區(qū)域a的另一示例性實(shí)施方式的平面圖。圖9是沿圖8的線i-i'和ii-ii'截取的截面圖的一示例。圖10是沿圖8的線i-i'和ii-ii'截取的截面圖的另一示例。
這里，與已經(jīng)參考圖3至5或圖6和7描述的那些重疊的內(nèi)容將被省略。
首先，參考圖8和9，根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的顯示裝置還可以包括有機(jī)絕緣膜150b。
更具體而言，第二柵線gl2、第三柵線gl3以及第一和第二柵電極ge1a和ge2a可以設(shè)置在下基板110上。柵絕緣膜120可以設(shè)置在第二柵線gl2、第三柵線gl3、第一柵電極ge1a和第二柵電極ge2a上。
半導(dǎo)體層130可以設(shè)置在柵絕緣膜120上。電阻接觸層140可以設(shè)置在半導(dǎo)體層130上。如上所述，當(dāng)半導(dǎo)體層130包括氧化物半導(dǎo)體時(shí)，電阻接觸層140可以被省略。
第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1a、第二源電極se2a、第一漏電極de1a和第二漏電極de2a可以設(shè)置在柵絕緣膜120和電阻接觸層140上。第二數(shù)據(jù)線還可以包括從第一節(jié)點(diǎn)n1(參見(jiàn)圖2)分支并且連接到第二節(jié)點(diǎn)n2(參見(jiàn)圖2)的第一和第二分支線tl1a和tl2a。第一和第二分支線tl1a和tl2a可以設(shè)置為在基本上相同的方向上(也就是，在第一方向d1上)延伸。第一和第二分支線tl1a和tl2a可以設(shè)置為彼此間隔開(kāi)一預(yù)定距離。第一柵電極ge1a、第一源電極se1a、第一漏電極de1a提供第一晶體管tr1a，第二柵電極ge2a、第二源電極se2a和第二漏電極de2a提供第二晶體管tr2a。
第一和第二公共線cl1和cl2(參見(jiàn)圖3)可以設(shè)置在柵絕緣膜120和電阻接觸層140上。也就是，第一和第二公共線cl1和cl2可以設(shè)置在與第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1a、第二源電極se2a、第一漏電極de1a和第二漏電極de2a被設(shè)置在其上的層相同的層上。
鈍化膜150a可以設(shè)置在第二數(shù)據(jù)線dl2、第一源電極se1a、第二源電極se2a、第一漏電極de1a和第二漏電極de2a上，從而防止在工藝中的污染物流入半導(dǎo)體層130。
有機(jī)絕緣膜150b可以設(shè)置在第一鈍化膜150a上，從而暴露第一和第二漏電極de1a和de2a的一部分。有機(jī)絕緣膜150b可以包括光敏材料。在這種情況下，因?yàn)樵趫D案化有機(jī)絕緣膜150b以定義第一接觸孔cnt1a和第二接觸孔cnt2a時(shí)，不需要使用光致抗蝕劑，所以可以提高工藝效率。
第一開(kāi)口op1可以被限定在公共電極cea中以免與第一像素電極pe1a短路。第二開(kāi)口op2可以被限定在公共電極cea中以免與第二像素電極pe2a短路。
第二鈍化膜150c可以設(shè)置在公共電極cea上。在一示例性實(shí)施方式中，第二鈍化膜150c可以包括諸如硅氮化物或硅氧化物的無(wú)機(jī)絕緣材料。
第一和第二像素電極pe1a和pe1b可以設(shè)置在第二鈍化膜150c上。第一和第二像素電極pe1a和pe1b可以設(shè)置為交疊公共電極cea的至少一部分。也就是，第一和第二像素電極pe1a和pe1b可以在垂直于下基板110的方向上交疊公共電極cea的至少一部分，從而形成水平電場(chǎng)。第一和第二像素電極pe1a和pe1b可以通過(guò)第二鈍化膜150c與公共電極cea絕緣。
多個(gè)縫slta和sltb可以被限定在第二鈍化膜150c中。所述多個(gè)縫slta和sltb在公共電極cea與第一和第二像素電極pe1a和pe1b的每個(gè)之間產(chǎn)生邊緣場(chǎng)，由此幫助液晶分子在特定方向上旋轉(zhuǎn)。
參考圖9，在一示例性實(shí)施方式中，第一和第二像素電極pe1a和pe1b的縫slta和sltb的每個(gè)可以在與方向d1基本上相同的方向上延伸，該方向d1是第二數(shù)據(jù)線dl2的延伸方向。此外，第一和第二像素電極pe1a和pe1b的縫slta和sltb的每個(gè)可以在其中心部分以鈍角彎曲。第一和第二像素電極pe1a和pe1b的上側(cè)和下側(cè)可以基于縫slta和sltb的彎曲部分被分成彼此不同的域。第一和第二像素電極pe1a和pe1b的縫slta和sltb的每個(gè)的形狀以及域的形狀不限于在圖9中顯示的那些，而且可以是各種各樣的。
接著，將參考圖10描述根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的沒(méi)有設(shè)置有機(jī)絕緣膜150b的顯示裝置。
參考圖10，在根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的顯示裝置中，公共電極cea可以設(shè)置在第一鈍化膜150a上。如上所述，第一鈍化膜150a可以包括諸如硅氮化物或硅氧化物的無(wú)機(jī)絕緣材料。在一示例性實(shí)施方式中，在一示例性實(shí)施方式中，例如，第一鈍化膜150a可具有大約2000埃
也就是，在圖10中，在圖9中顯示的有機(jī)絕緣膜150b被省略。
更具體而言，第一和第二鈍化膜150a和150c的每個(gè)是具有大約
在圖8至10中顯示了基于下基板110，公共電極cea設(shè)置在第一和第二像素電極pe1a和pe2a下面。然而，本發(fā)明不限于此。也就是，公共電極cea可以設(shè)置在第一和第二像素電極pe1a和pe2a上方。在這種情況下，公共電極cea包括多個(gè)縫，從而與第一和第二像素電極pe1a和pe2a一起形成邊緣場(chǎng)。
雖然已經(jīng)為了說(shuō)明性目的而描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，各種變形、添加和置換是可能的，而不背離在權(quán)利要求中公開(kāi)的本發(fā)明的范圍和精神。
本申請(qǐng)要求享有2016年2月5日提交的第10-2016-0015145號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)以及由其產(chǎn)生的所有權(quán)益，其內(nèi)容通過(guò)引用被全部合并于此。
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