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液晶顯示裝置與其像素結(jié)構(gòu)的制作方法

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液晶顯示裝置與其像素結(jié)構(gòu)的制造方法

本發(fā)明是有關(guān)于一種液晶顯示裝置與其像素結(jié)構(gòu),且特別是指一種有關(guān)于一種應(yīng)用多領(lǐng)域像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置與其像素結(jié)構(gòu)。



背景技術(shù):

在目前多媒體趨于多元化應(yīng)用的趨勢(shì)下,平板電腦、筆記本電腦或智能型手機(jī)對(duì)于視角以及色彩表現(xiàn)的需求也越來(lái)越嚴(yán)格。平面內(nèi)轉(zhuǎn)換(inphaseswitching;ips)液晶顯示裝置和邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換(fringefieldswitching;ffs)液晶顯示裝置為目前視角以及色彩表現(xiàn)最好的技術(shù)。由于ips液晶顯示裝置和ffs液晶顯示裝置為水平電場(chǎng)驅(qū)動(dòng),故其對(duì)視角依存性不大。相較于其他類型液晶顯示裝置,例如扭轉(zhuǎn)向列型(twistnematic;tn)液晶顯示裝置或垂直配向型(verticalalignment;va)液晶顯示裝置,ips液晶顯示裝置和ffs液晶顯示裝置沒(méi)有大視角灰階反轉(zhuǎn)或大視角反白的缺點(diǎn)。然而,ips液晶顯示裝置和ffs液晶顯示裝置需要應(yīng)用多領(lǐng)域技術(shù)像素結(jié)構(gòu)來(lái)補(bǔ)償色偏狀況,而目前的多領(lǐng)域技術(shù)像素結(jié)構(gòu)容易導(dǎo)致暗紋產(chǎn)生。

因此,需要一種液晶顯示裝置與其像素結(jié)構(gòu),以避免暗紋產(chǎn)生。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的即在于提供一種液晶顯示裝置與其像素結(jié)構(gòu),其中此像素結(jié)構(gòu)所包含的電極形成鏡射結(jié)構(gòu),如此可避免暗紋產(chǎn)生。

本發(fā)明的一實(shí)施例是在提供一種液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)。此像素結(jié)構(gòu)包含第一上電極、第一晶體管、第二上電極以及第二晶體管。第一上電極具有第一圖案,該第一圖案具有相對(duì)的第一端部與第二端部,且具有至少一個(gè)第一狹縫。第一晶體管鄰設(shè)于第一端部。第二上電極具有第二圖案,該第二圖案具有相對(duì)的第三端部與第四端部,且具有至少一個(gè)第二狹縫。第三端部靠近第二端部,第四端部遠(yuǎn)離第二端部。第二晶體管設(shè)置于第二端部與第三端部之間。第二上電極的第二圖案根據(jù)x-y坐標(biāo)系的y軸所產(chǎn)生的鏡射圖案與第一上電極的第一圖案相同,此x-y坐標(biāo)系的x軸對(duì)應(yīng)至液晶顯示裝置的掃描線的延伸方向。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,第一圖案的至少一個(gè)第一狹縫與第二圖案的至少一個(gè)第二狹縫的延伸方向不同。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,至少一個(gè)第一狹縫與至少一個(gè)第二狹縫分別包含一主狹縫結(jié)構(gòu)以及一副狹縫結(jié)構(gòu),主狹縫結(jié)構(gòu)與液晶配置方向之夾角介于5°~12°之間。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,副狹縫結(jié)構(gòu)與液晶配置方向之夾角介于30°~60°之間。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,上述的像素結(jié)構(gòu)還包含第一下電極和第二下電極。第一下電極與第一上電極相對(duì)設(shè)置。第二下電極與第二上電極相對(duì)設(shè)置。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,第一上電極和第二上電極為共同電極,而第一下電極和第二下電極為像素電極。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,第一上電極和第二上電極為像素電極,而第一下電極和第二下電極為共同電極。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,第一上電極與第二上電極形成v字結(jié)構(gòu),此v字結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)折部分對(duì)應(yīng)至第二端部以及第三端部。

本發(fā)明的另一實(shí)施例是在提供一種液晶顯示裝置。此液晶顯示裝置包含多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線以及多個(gè)第一像素和第二像素。掃描線是用以提供多個(gè)掃描信號(hào)。數(shù)據(jù)線是用以提供多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào),其中這些數(shù)據(jù)線與掃描線交叉設(shè)置,以定義出多個(gè)像素區(qū)域。前述的第一像素和第二像素分別設(shè)置于像素區(qū)域中,且第一像素和第二像素合組成像素結(jié)構(gòu)(像素組)。第一像素包含第一上電極以及第一晶體管。第二像素包含第二上電極以及第二晶體管。第一上電極具有第一圖案,該第一圖案具有相對(duì)的第一端部與第二端部,且具有至少一個(gè)第一狹縫。第一晶體管鄰設(shè)于第一端部。第二上電極具有第二圖案,該第二圖案具有相對(duì)的第三端部與第四端部,且具有至少一個(gè)第二狹縫。第三端部靠近第二端部,第四端部遠(yuǎn)離第二端部。第二晶體管設(shè)置于第二端部與第三端部之間。第二上電極的第二圖案根據(jù)x-y坐標(biāo)系的y軸所產(chǎn)生的鏡射圖案與第一上電極的第一圖案相同,此x-y坐標(biāo)系的x軸對(duì)應(yīng)至液晶顯示裝置的掃描線的延伸方向。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,第一圖案的至少一個(gè)第一狹縫與第二圖案的至少一個(gè)第二狹縫的延伸方向不同。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,至少一個(gè)第一狹縫與至少一個(gè)第二狹縫分別包含主狹縫結(jié)構(gòu)以及副狹縫結(jié)構(gòu),主狹縫結(jié)構(gòu)與液晶配置方向的夾角介于5°~12°之間。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,副狹縫結(jié)構(gòu)與液晶配置方向的夾角介于30°~60°之間。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,上述的像素結(jié)構(gòu)還包含第一下電極和第二下電極。第一下電極與第一上電極相對(duì)設(shè)置。第二下電極與第二上電極相對(duì)設(shè)置。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,第一上電極和第二上電極為共同電極,而第一下電極和第二下電極為像素電極。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,第一上電極和第二上電極為像素電極,而第一下電極和第二下電極為共同電極。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,第一上電極與第二上電極形成v字結(jié)構(gòu),此v字結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)折部分對(duì)應(yīng)至第二端部以及第三端部。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,第一晶體管及第二晶體管以z字形方式排列。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,第一像素中的一個(gè)與第二像素中的一個(gè)位于同一像素列中,此像素列(column)沿著數(shù)據(jù)線的延伸方向來(lái)延伸,且第一像素中的一個(gè)的第一晶體管與這些數(shù)據(jù)線中的一個(gè)電連接,第二像素中的一個(gè)的第二晶體管與這些數(shù)據(jù)線的另一個(gè)電連接。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,第二晶體管設(shè)置于部分第一像素及部分第二像素。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,該第二晶體管設(shè)置于多條掃描線中的一個(gè)的范圍內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的所有實(shí)施例,液晶顯示裝置是采用邊緣電場(chǎng)轉(zhuǎn)換(fringefieldswitching;ffs)架構(gòu)與技術(shù)。

由上述說(shuō)明可知,本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置與其像素結(jié)構(gòu)包含鏡射的電極結(jié)構(gòu),如此可避免暗紋產(chǎn)生。

附圖說(shuō)明

為了更完整了解實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)參照結(jié)合附圖做下列描述,其中:

圖1是繪示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置的架構(gòu)示意圖;

圖2a其是繪示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)(像素組)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2b其是繪示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的鏡射圖案的說(shuō)明示意圖;

圖3是繪示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素所對(duì)應(yīng)的液晶分子受到電場(chǎng)影響后的排列方向;以及

圖4是繪示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)(像素組)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參照?qǐng)D1,圖1是繪示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置100的架構(gòu)示意圖。液晶顯示裝置100包含時(shí)序控制器110、柵極驅(qū)動(dòng)器120、源極驅(qū)動(dòng)器130、數(shù)據(jù)線140、掃描線150以及像素組ps。時(shí)序控制器110是用以控制柵極驅(qū)動(dòng)器120和源極驅(qū)動(dòng)器130,以提供數(shù)據(jù)信號(hào)和掃描信號(hào)至數(shù)據(jù)線140和掃描線150,其中數(shù)據(jù)信號(hào)包含對(duì)應(yīng)至各像素的像素信號(hào),而掃描信號(hào)包含對(duì)應(yīng)至各像素的晶體管開(kāi)關(guān)信號(hào)。數(shù)據(jù)線140和掃描線150是彼此交叉設(shè)置,以定義出多個(gè)像素區(qū)域來(lái)設(shè)置像素。

每個(gè)像素組ps(一個(gè)像素結(jié)構(gòu))包含第一像素px1(半個(gè)像素結(jié)構(gòu))和第二像素px2(半個(gè)像素結(jié)構(gòu)),而每個(gè)像素組ps的第一像素px1和第二像素px2是分別位于數(shù)據(jù)線140和掃描線150所定義的像素區(qū)域中,以電性連接至相應(yīng)的數(shù)據(jù)線140和掃描線150,并根據(jù)像素信號(hào)和掃描信號(hào)來(lái)工作,以使液晶顯示裝置100顯示影像。另外,像素組ps的排列方向可在液晶顯示裝置100上定義出x-y平面坐標(biāo)系,其中像素組ps的垂直排列方向可定義為y軸,像素組ps的水平排列方向可定義為x軸。

請(qǐng)參照?qǐng)D2a及圖2b,圖2a是繪示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)(像素組ps)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖,其中第一像素px1所涵蓋的的區(qū)域是由圖2a中的掃描線150a的下緣與掃描線150b的下緣定義的(忽略柵極不看),第二像素px2所涵蓋的的區(qū)域是由圖2a中的掃描線150b的下緣與掃描線150c的下緣定義的(忽略柵極不看),第一像素px1(半個(gè)像素結(jié)構(gòu))包含第一下電極bel21、第一晶體管t21以及第一上電極uel21(以虛線繪示),第二像素px2(半個(gè)像素結(jié)構(gòu))包含第二下電極bel22、第二晶體管t22以及第二上電極uel22(以虛線繪示)。在本實(shí)施例中,第一下電極bel21和第二下電極bel22為像素電極,而第一上電極uel21和第二上電極uel22為共同電極,但本發(fā)明的實(shí)施例并不受限于此。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中,第一下電極bel21和第二下電極bel22為共同電極,而第一上電極uel21和第二上電極uel22為像素電極。

另外,第一晶體管t21包含漏極dr21、源極so21以及半導(dǎo)體層se21,且通過(guò)第一穿孔th21電連接至下電極bel21;第二晶體管t22包含漏極dr22、源極so22以及半導(dǎo)體層se22,且通過(guò)第二穿孔th22電連接至下電極bel22;第三晶體管t23(另一像素組)包含漏極dr23、源極so23以及半導(dǎo)體層se23,且通過(guò)穿孔電連接至另一下電極(未繪示)。在另一實(shí)施例中,第一晶體管t21也可不需要第一穿孔th21,而直接連接至第一下電極bel21。同理可推,第二晶體管t22可直接連接至第二下電極bel22,第三晶體管t23可直接連接至一下電極(未繪示)。另外,為了圖式清楚起見(jiàn),第一晶體管t21的柵極、第二晶體管t22的柵極以及第三晶體管t23的柵極皆予以省略未繪示于圖中。

在第一像素px1中,第一下電極bel21具有相對(duì)的端部bel21a與bel21b,而第一晶體管t21鄰設(shè)于端部bel21b,以從相應(yīng)的數(shù)據(jù)線140提供像素信號(hào)至第一下電極bel21。第一上電極uel21相應(yīng)地設(shè)置于第一下電極bel21上方,具有第一圖案,該第一圖案具有第一端部uel21a及第二端部uel21b,分別對(duì)應(yīng)到第一下電極bel21的端部bel21b與bel21a。在本實(shí)施例中,第一圖案包含三個(gè)第一狹縫(slit)sl21,且第一狹縫sl21的兩端分別從鄰近第一晶體管t21的位置延伸至鄰近第二晶體管t22的位置,亦即第一狹縫sl21在第一晶體管t21至第二晶體管t22的方向上延伸。但本發(fā)明的實(shí)施例并不受限于此。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中,第一圖案也可包含其他數(shù)量的第一狹縫,例如二個(gè)第一狹縫。

每個(gè)第一狹縫sl21包含至少一個(gè)個(gè)轉(zhuǎn)折部,轉(zhuǎn)折部可將第一狹縫sl21分為主狹縫結(jié)構(gòu)msl1以及相對(duì)主狹縫結(jié)構(gòu)msl1彎折的至少一個(gè)副狹縫結(jié)構(gòu)ssl1,其中主狹縫結(jié)構(gòu)msl1的長(zhǎng)度大于副狹縫結(jié)構(gòu)ssl1的長(zhǎng)度。第一下電極bel21和第一上電極uel21上設(shè)有液晶層(未繪示)。其中,在不施加電壓的狀況下,液晶配向方向是與x-y平面坐標(biāo)系的y軸平行,且液晶配向方向與主狹縫結(jié)構(gòu)msl1的長(zhǎng)軸延伸方向的夾角介于5°~12°之間,而液晶配向方向與彎折后的副狹縫結(jié)構(gòu)ssl1的延伸方向之夾角則介于30°~60°之間。在本實(shí)施例中,液晶配向可通過(guò)照光方式進(jìn)行配向或是以機(jī)械的方式在聚酰亞胺(polyimide)層形成摩擦方向(rubbingdirection)后將液晶配向。

在第二像素px2中,第二下電極bel22具有相對(duì)的端部bel22a與bel22b,其中端部bel22a靠近第一下電極bel21的端部bel21a,而端部bel22b則遠(yuǎn)離第一下電極bel21的端部bel21a。第二上電極uel22是相應(yīng)地設(shè)置于第二下電極bel22上方,具有第二圖案,此第二圖案不同于第一上電極uel21的第一圖案,該第二圖案具有第三端部uel22a及第四端部uel22b,分別對(duì)應(yīng)到第二下電極bel22的端部bel22a與bel22b。如此,第二晶體管t22位于第一圖案的第二端部uel21b與第二圖案的第三端部uel22a之間,并同樣對(duì)應(yīng)到第二下電極bel22的端部bel22a與第一下電極bel21的端部bel21a之間。在本實(shí)施例中,第二上電極uel22和第一上電極uel21是通過(guò)圖案化的共同電極的一部分所形成,但本發(fā)明的實(shí)施例并不受限于此,在其他實(shí)施例中也可以是圖案化的像素電極的一部分。在本實(shí)施例的共同電極的制造流程中,首先形成一塊具有較大面積的共同電極,接著再將其圖案化,并定義為多個(gè)具有較小面積的圖案化共同電極部,其中這些較小面積的圖案化共同電極部彼此仍電性連接。此外,在本實(shí)施例中,第二圖案包含三個(gè)第二狹縫sl22,且第二狹縫(slit)sl22的兩端分別從鄰近第二晶體管t22的位置延伸至鄰近第三晶體管t23的位置,亦即第二狹縫sl22在第二晶體管t22至第三晶體管t23的方向上延伸。但本發(fā)明的實(shí)施例并不受限于此。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中,第二圖案亦可包含其他數(shù)量的第二狹縫,例如二個(gè)第二狹縫。

每個(gè)第二狹縫sl22包含至少一個(gè)個(gè)轉(zhuǎn)折部,轉(zhuǎn)折部可將狹縫第二sl22分為主狹縫結(jié)構(gòu)msl2以及至少一個(gè)副狹縫結(jié)構(gòu)ssl2,其中主狹縫結(jié)構(gòu)msl2的長(zhǎng)度大于副狹縫結(jié)構(gòu)ssl2。其中,液晶配置方向(y方向)與主狹縫結(jié)構(gòu)msl2的夾角介于5°~12°之間(y方向與主狹縫長(zhǎng)軸方向之間的夾角),而液晶配置方向與副狹縫結(jié)構(gòu)ssl2的夾角則介于30°~60°之間(y方向與副狹縫延伸方向之間的夾角)。

值得一提的是,第二上電極uel22的圖形(第二圖案)經(jīng)過(guò)對(duì)y軸鏡射之后,其圖案形狀會(huì)與第一上電極uel21的圖形(第一圖案)相同。如圖2b所示,第二上電極uel22的第二圖案根據(jù)x-y坐標(biāo)系(笛卡爾坐標(biāo)系)的y軸所產(chǎn)生的鏡射圖案uel22m與第一上電極uel21的第一圖案相同,其中此x-y坐標(biāo)系的x軸對(duì)應(yīng)至掃描線150的延伸方向。換句話說(shuō),第一上電極uel21的第一圖案根據(jù)x-y坐標(biāo)系的y軸所產(chǎn)生的鏡射圖案也會(huì)與第二上電極uel22的第二圖案相同。另外,本實(shí)施例的第二晶體管t22所包含的漏極dr22、源極so22以及半導(dǎo)體層se22,是同時(shí)設(shè)置于部分的第一像素px1所涵蓋的的區(qū)域及部分的第二像素px2所涵蓋的的區(qū)域,但本發(fā)明不以此限。換句話說(shuō),第二晶體管t22的一部分位于第一像素px1所在的區(qū)域內(nèi),另一部分位于第二像素px2所在的區(qū)域內(nèi)。

請(qǐng)參照?qǐng)D3,圖3是繪示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素所對(duì)應(yīng)的液晶分子受到電場(chǎng)(施加電壓給上下電極的情況下)影響后的排列方向,其中像素px1對(duì)應(yīng)液晶分子lc1,而像素px2對(duì)應(yīng)液晶分子lc2。如圖3所示,當(dāng)施加電場(chǎng)至像素的液晶分子后,液晶分子的排列方向會(huì)受到電場(chǎng)影響而呈現(xiàn)互補(bǔ)狀態(tài)。例如,像素px1的液晶分子lc1的排列方向是左下至右上,而像素px2的液晶分子lc2的排列方向是由左上至右下,如此在施加電場(chǎng)之后,像素px1的液晶排列方向與像素px2的液晶排列方向互補(bǔ)。

請(qǐng)回到圖2a,在本實(shí)施例中,第一像素px1的第一上電極uel21和第二像素px2的第二上電極uel22是形成v字形結(jié)構(gòu),而此v字形結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)折部分是位于第一上電極端部uel21b和第二上電極端部uel22a。

由以上說(shuō)明可知,本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置100的像素組ps包含兩個(gè)具有互補(bǔ)域的像素px1和px2。通過(guò)采用此種一個(gè)像素對(duì)應(yīng)一個(gè)配向區(qū)域(domain)的像素結(jié)構(gòu),可以達(dá)到視效上的互補(bǔ)。

另外,在本發(fā)明的實(shí)施例中,各像素的晶體管是以z字型(zigzag)的方式來(lái)排列,如此較容易利用空間來(lái)設(shè)計(jì)電極圖案。例如,對(duì)像素px1而言,第一晶體管t21和第二晶體管t22是以對(duì)角方式排列,而第一圖案的第一狹縫sl21可在第一晶體管t21至第二晶體管t22的方向上延伸。又例如,對(duì)像素px2而言,第二晶體管t22和第三晶體管t23是以對(duì)角方式排列,而第二圖案的第二狹縫sl22可在第二晶體管t22至第三晶體管t23的方向上延伸。其中,第三晶體管t23為另一個(gè)像素組的像素(例如第三像素)的晶體管。

在同一像素列中,各像素是依垂直排列方向(即數(shù)據(jù)線延伸方向),依序排列;換句話說(shuō),像素列是沿?cái)?shù)據(jù)線延伸方向延伸。由于各像素的晶體管是以z字型的方式來(lái)排列,在同一像素列(column)中的兩個(gè)上下相鄰像素的晶體管會(huì)分別連接不同的數(shù)據(jù)線其驅(qū)動(dòng)方式也是以z字型的方式來(lái)驅(qū)動(dòng)。例如,第一像素px1的第一晶體管t21所對(duì)應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線與第二像素px2的第二晶體管t22所對(duì)應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線不同。請(qǐng)參閱圖2a,第一晶體管t21和相鄰于第一晶體管t21的數(shù)據(jù)線140連接,第二晶體管t22和相鄰于第二晶體管t22的另一數(shù)據(jù)線140連接,如此,在同一像素列中的第一晶體管t21和第二晶體管t22即分別和不同的數(shù)據(jù)線140連接。而第三晶體管t23則又和相鄰于第一晶體管t21的數(shù)據(jù)線140連接,而和第一晶體管t21連接于相同的數(shù)據(jù)線140。

請(qǐng)參照?qǐng)D4,圖4是繪示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)(像素組ps)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖,如同圖2a的實(shí)施例,其中每個(gè)像素所涵蓋的區(qū)域是以兩相鄰掃描線450的下緣之間的距離定義的,第一像素px1包含第一下電極bel41、第一晶體管t41以及第一上電極uel41(以虛線繪示),第二像素px2包含第二下電極bel42、第二晶體管t42以及第二上電極uel42(以虛線繪示)。在本實(shí)施例中,第一下電極bel41和第二下電極bel42為像素電極,而第一上電極uel41和第二上電極uel42為共同電極,但本發(fā)明的實(shí)施例并不受限于此。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中,第一下電極bel41和第二下電極bel42為共同電極,而第一上電極uel41和第二上電極uel42為像素電極。

另外,第一晶體管t41包含漏極dr41、源極so41以及半導(dǎo)體層se41,且通過(guò)第一穿孔th41電連接至下電極bel41;第二晶體管t42包含漏極dr42、源極so42以及半導(dǎo)體層se42,且通過(guò)第二穿孔th42電連接至下電極bel42;第三晶體管t43(另一像素組)包含漏極一dr43、源極so43以及半導(dǎo)體層se43,且通過(guò)穿孔電連接至另一下電極(未繪示)。在另一實(shí)施例中,第一晶體管t41亦可不需要第一穿孔th41,而直接連接至下電極bel41。同理可推,第二晶體管t42可直接連接至下電極bel42,第三晶體管t43可直接連接至另一下電極。

值得一提的是,第二晶體管t42可設(shè)置于第一像素px1所涵蓋的區(qū)域或第二像素px2所涵蓋的區(qū)域的至少其中之一。例如在圖2a的實(shí)施例中,第二晶體管t22同時(shí)位于像素px1與px2所涵蓋的區(qū)域內(nèi)。而與圖2a的實(shí)施例比較,本實(shí)施例的晶體管是設(shè)置于一個(gè)像素所涵蓋的區(qū)域內(nèi)。例如,第二晶體管t42所包含的漏極dr42、源極so42以及半導(dǎo)體層se42是僅設(shè)置于第二像素px2所涵蓋的區(qū)域內(nèi),第一晶體管t41僅設(shè)置于第一像素px1所涵蓋的區(qū)域內(nèi)。換句話說(shuō),第二晶體管t42可設(shè)置于第一像素px1所涵蓋的區(qū)域或第二像素px2所涵蓋的區(qū)域的至少其中之一。同前一個(gè)實(shí)施例,第一像素px1所涵蓋的的區(qū)域是由圖4中任一條掃描線450的下緣到另一條鄰近的掃描線450的下緣定義的(忽略柵極不看)。

在第一像素px1中,第一下電極bel41具有相對(duì)的端部bel41a與bel41b,而第一晶體管t41鄰設(shè)于端部bel41b,以從相應(yīng)的數(shù)據(jù)線440提供像素信號(hào)至第一下電極bel41。第一上電極uel41是相應(yīng)地設(shè)置于第一下電極bel41上方,具有第一圖案,該第一圖案具有第一端部uel41a及第二端部uel41b,分別對(duì)應(yīng)到第一下電極bel41的端部bel41b與bel41a。在本實(shí)施例中,第一圖案包含三個(gè)第一狹縫(slit)sl41,且第一狹縫sl41的兩端分別從鄰近第一晶體管t41的位置延伸至鄰近第二晶體管t42的位置,亦即第一狹縫sl41在第一晶體管t41至第二晶體管t42的方向上延伸。但本發(fā)明的實(shí)施例并不受限于此。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中,第一圖案也可包含其他數(shù)量的第一狹縫,例如二個(gè)第一狹縫。

在第二像素px2中,第二下電極bel42具有相對(duì)的端部bel42a與bel42b,其中端部bel42a靠近第一像素電極bel41的端部bel41a,而端部bel42b則遠(yuǎn)離第一下電極bel41之端部bel41a。如此,第二晶體管t42從相應(yīng)的數(shù)據(jù)線440提供像素信號(hào)至第二下電極bel42。第二上電極uel42是相應(yīng)地設(shè)置于第二下電極bel42上方,具有第二圖案,該第二圖案具有第三端部uel42a及第四端部uel42b,分別對(duì)應(yīng)到第一下電極bel42的端部bel41a與bel41b,其中第二上電極uel42的第二圖案不同于第一上電極uel41的第一圖案。第二晶體管t42位于第一上電極uel41的第二端部uel41b與第二上電極uel42的第三端部uel42a之間。在本實(shí)施例中,第二上電極uel42和第一上電極uel41是通過(guò)圖案化的共同電極的一部分來(lái)形成,但本發(fā)明的實(shí)施例并不受限于此,在其他實(shí)施例中也可以是圖案化的像素電極的一部分。在本實(shí)施例的共同電極的制造流程中,首先形成一塊具有較大面積的共同電極,接著再將其圖案化,并定義為多個(gè)具有較小面積的圖案化共同電極部,其中這些較小面積的圖案化共同電極部彼此仍電性連接。此外,在本實(shí)施例中,第二圖案包含三個(gè)第二狹縫sl42,且第二狹縫(slit)sl42的兩端分別從鄰近第二晶體管t42的位置延伸至鄰近第三晶體管t43的位置,亦即第二狹縫sl42在第二晶體管t42至第三晶體管t43的方向上延伸。但本發(fā)明的實(shí)施例并不受限于此。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中,第二圖案也可包含其他數(shù)量的第二狹縫,例如二個(gè)第二狹縫。

如同前一個(gè)實(shí)施例,每個(gè)第一狹縫sl41包含至少一個(gè)個(gè)轉(zhuǎn)折部,轉(zhuǎn)折部可將第一狹縫sl41分為主狹縫結(jié)構(gòu)以及相對(duì)于主狹縫結(jié)構(gòu)彎折的至少一個(gè)副狹縫結(jié)構(gòu),其中主狹縫結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度大于副狹縫結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度。第一下電極bel41和第一上電極uel41上設(shè)有液晶層(未繪示)。其中,在不施加電壓的狀況下,液晶配向方向是與x-y平面坐標(biāo)系的y軸平行,且液晶配向方向與主狹縫結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)軸延伸方向的夾角介于5°~12°之間,而液晶配向方向與彎折后的副狹縫結(jié)構(gòu)的延伸方向的夾角則介于30°~60°之間。同樣在本實(shí)施例中,在本實(shí)施例中,液晶配向可通過(guò)照光方式進(jìn)行配向或是以機(jī)械的方式在聚酰亞胺(polyimide)層形成摩擦方向(rubbingdirection)后將液晶配向。

類似于前一實(shí)施例,本實(shí)施例的第二上電極uel42的第二圖案經(jīng)過(guò)對(duì)y軸鏡射之后,其圖案形狀會(huì)與第一上電極uel41的第一圖案相同。換句話說(shuō),第一上電極uel41的第一圖案根據(jù)x-y坐標(biāo)系的y軸所產(chǎn)生的鏡射圖案形狀也會(huì)與第二上電極uel42的第二圖案相同。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式公開(kāi)如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。

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