專利名稱：一種抗蝕劑剝離液及其應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化工領(lǐng)域，具體地說，涉及一種抗蝕劑剝離液及其應(yīng)用。
背景技術(shù)：
目前適用于光刻膠剝離的溶劑，例如硫酸和過氧化氫的混合液，二者配比為4-10:1，使用溫度為150°C-200°C。此類溶劑可能會造成腐蝕、脫落或其它可見的硅體降解或二氧化硅腐蝕，且對環(huán)境條件要求嚴(yán)格，工藝流程復(fù)雜，因此，開發(fā)一種新的反提取劑，使其適于室溫使用，并且在更低的溫度下不會造成腐蝕、脫落或其它可見的硅體降解或二氧化硅腐蝕，以便能夠有效地從半導(dǎo)體等表面上剝離光刻膠高分子材料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種新型的抗蝕劑剝離液及其應(yīng)用。為了實現(xiàn)本發(fā)明目的，本發(fā)明的一種抗蝕劑剝離液，其為分析純高氯酸和分析純硫酸按1:6-20的體積比復(fù)配得到的混合液。優(yōu)選分析純高氯酸和分析純硫酸的體積比為1:15，1:10，1:20。所述抗蝕劑剝離液的制備方法為:將重量濃度為98%的濃硫酸與濃度為60%的高氯酸水溶液(或分析純高氯酸和分析純硫酸)混合。首先在23°C _25°C的室溫下，將重量濃度為98%的濃硫酸投入一個石英槽中，然后緩慢加入濃度為60%的高氯酸水溶液至上述石英槽中，同時盤旋攪拌該混合液3至5分鐘。在兩種化學(xué)試劑混合的過程中，有輕微的放熱反應(yīng)。根據(jù)分析純高氯酸和分析純硫酸按1:6-20的體積比，混合液的溫度可能會在250C _70°C的范圍內(nèi)。所述抗蝕劑剝離液的使用方法為:在剝離液25 V -70°C的溫度范圍內(nèi)，將干燥的晶片投入盛放有上述剝離液的石英槽中5至20分鐘，進行均勻地剝離，隨后將晶片取出。再用60°C的I號標(biāo)準(zhǔn)清洗液(SCl)清洗，然后用70°C的去離子水清洗。最后用異丙醇蒸汽(IPA vapor)烘干。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點及有益效果:本發(fā)明提供的抗蝕劑剝離液，即硫酸和高氯酸混合液，與傳統(tǒng)的過氧化氫和硫酸的混合液相比，具有更高的氧化電位，可用作剝離抗蝕劑的替代品，而不必采用高溫SPM工藝，且本品可在室溫或更低溫度下使用，不會對硅片元件表面造成腐蝕、脫落或其它可見的硅體降解。
具體實施例方式以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。若未特別指明，實施例中所用的技術(shù)手段為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的常規(guī)手段，所用原料均為市售商品。以下實施例中使用的高氯酸購自BASF公司，高氯酸水溶液的濃度為60%。實施例1抗蝕劑剝 離液及其應(yīng)用
待處理的晶片先用60°C的I號標(biāo)準(zhǔn)清洗液(SCl)清洗，然后用70°C的去離子水清洗，烘干。在室溫25下，向盛有濃度為98%的硫酸的石英材質(zhì)的清洗槽中緩慢地加入60%的高氯酸水溶液，分析純高氯酸和分析純硫酸體積比為1:10，攪拌充分混合。然后，將經(jīng)過處理的晶片浸入到上述清洗槽中。25分鐘后，將晶片取出。再用60°C的SCl清洗，然后用70°C的去離子水清洗，最后用異丙醇蒸汽(IPA vapor)烘干。實施例2抗蝕劑剝離液及其應(yīng)用待處理的晶片先用60°C的I號標(biāo)準(zhǔn)清洗液(SCl)清洗，然后用70°C的去離子水清洗，烘干。

在室溫25下，向盛有濃度為98%的硫酸的石英材質(zhì)的清洗槽中緩慢地加入60%的高氯酸水溶液，分析純高氯酸和分析純硫酸體積比為1:15，攪拌充分混合。然后，將經(jīng)過處理的晶片浸入到上述清洗槽中。15分鐘后，將晶片取出。再用60°C的SCl清洗，然后用70°C的去離子水清洗，最后用異丙醇蒸汽(IPA vapor)烘干。實施例3抗蝕劑剝離液及其應(yīng)用待處理的晶片先用60°C的I號標(biāo)準(zhǔn)清洗液(SCl)清洗，然后用70°C的去離子水清洗，烘干。在室溫25下，向盛有濃度為98%的硫酸的石英材質(zhì)的清洗槽中緩慢地加入60%的高氯酸水溶液，分析純高氯酸和分析純硫酸體積比為1:20，攪拌充分混合。然后，將經(jīng)過處理的晶片浸入到上述清洗槽中。5分鐘后，將晶片取出。再用60°C的I號標(biāo)準(zhǔn)清洗液清洗，然后用70°C的去離子水清洗，最后用異丙醇蒸汽(IPA vapor)烘干。雖然，上文中已經(jīng)用一般性說明及具體實施方案對本發(fā)明作了詳盡的描述，但在本發(fā)明基礎(chǔ)上，可以對之作一些修改或改進，這對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的。因此，在不偏離本發(fā)明精神的基礎(chǔ)上所做的這些修改或改進，均屬于本發(fā)明要求保護的范圍。
權(quán)利要求
1.一種抗蝕劑剝離液，其特征在于，其為分析純高氯酸和分析純硫酸按1:6-20的體積比復(fù)配得到的混合液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑剝離液，其特征在于，分析純高氯酸和分析純硫酸的體積比為1:15。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑剝離液，其特征在于，分析純高氯酸和分析純硫酸的體積比為1:10。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑剝離液，其特征在于，分析純高氯酸和分析純硫酸的體積比為1:20。
5.權(quán)利要求·1-4任一項所述抗蝕劑剝離液在剝離光刻膠高分子材料中的應(yīng)用。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種新型的抗蝕劑剝離液，其為分析純高氯酸和分析純硫酸按1:6-20的體積比復(fù)配得到的混合液。使用時，將待處理的晶片投入到所述抗蝕劑剝離液中5至20分鐘即可。本發(fā)明提供的抗蝕劑剝離液，與傳統(tǒng)的過氧化氫和硫酸的混合液相比，具有更高的氧化電位，可用作剝離抗蝕劑的替代品，而不必采用高溫SPM工藝。
文檔編號G03F7/42GK103235491SQ201310117969
公開日2013年8月7日 申請日期2013年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月7日
發(fā)明者薩莉·安·亨利, 查理·彼得森, 黃金濤, 馬嘉, 吳儀, 蘇宇佳 申請人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司