一種應(yīng)用熱交換生產(chǎn)多晶硅鑄錠的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種應(yīng)用熱交換生產(chǎn)多晶硅鑄錠的方法，該方法是先在坩堝的內(nèi)壁上噴涂二氧化硅膠體溶液并形成具有針尖狀凸出層或點(diǎn)狀凸出層，待二氧化硅膠體溶液干燥后，再將多晶硅料放入坩堝內(nèi)，在真空狀態(tài)下，啟動多晶硅鑄錠爐內(nèi)的頂部加熱器和位于坩鍋中部的兩側(cè)加熱器，把多晶爐升溫加熱到1550℃，待多晶硅料全部熔化后，按一定速度持續(xù)且慢慢提升四周的隔熱板進(jìn)行降溫，當(dāng)溫度低于硅的熔點(diǎn)時開始長晶并在坩堝內(nèi)壁的針尖狀凸出層或點(diǎn)狀凸出層上優(yōu)先形成一個穩(wěn)定晶向的優(yōu)勢尖端，通過該優(yōu)勢尖端誘導(dǎo)長晶并形成相對穩(wěn)定的晶向至所有硅都結(jié)晶為止。采用本發(fā)明，由于坩堝內(nèi)壁具有針尖狀凸出層或點(diǎn)狀凸出層，長晶過程中會形成相對穩(wěn)定的晶向，減少了位錯，從而提高了多晶硅少子壽命和光電轉(zhuǎn)換效率。
【專利說明】一種應(yīng)用熱交換生產(chǎn)多晶硅鑄錠的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種應(yīng)用熱交換生產(chǎn)多晶硅鑄錠的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，應(yīng)用熱交換生產(chǎn)多晶硅鑄錠的方法是；直接將多晶硅料放在鑄錠坩堝內(nèi)，在真空狀態(tài)下，將多晶硅鑄錠爐內(nèi)的頂部加熱器和位于坩鍋中部的兩側(cè)加熱器的功率控制在25%和75%，把多晶爐升溫加熱到1550°C，待多晶硅料全部熔化后，按一定速度持續(xù)且慢慢提升四周的隔熱板，使得四周隔熱板與底部隔熱板之間具有散熱口，并通過熱交換臺的平面狀的熱交換面使坩堝底部開始降溫，當(dāng)溫度低于硅的熔點(diǎn)時，開始長晶至所有硅都結(jié)晶為止。這種方法，由于長晶過程中易形成凸形界面，造成很多晶向位錯，沉積雜質(zhì)，影響多晶硅少子壽命和光電轉(zhuǎn)換效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供能提供能誘導(dǎo)長晶形成優(yōu)勢尖端，確保長晶過程中減少位錯的一種應(yīng)用熱交換生產(chǎn)多晶硅鑄錠的方法。。
[0004]本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:一種應(yīng)用熱交換生產(chǎn)多晶硅鑄錠的方法，其特征在于先在坩堝的內(nèi)壁上噴涂二氧化硅膠體溶液并形成具有針尖狀凸出層或點(diǎn)狀凸出層，待二氧化硅膠體溶液干燥后，再將多晶硅料放入坩堝內(nèi)，在真空狀態(tài)下，啟動多晶硅鑄錠爐內(nèi)的頂部加熱器和位于坩鍋中部的兩側(cè)加熱器，把多晶爐升溫加熱到1550°C，待多晶硅料全部熔化后，按一定速度持續(xù)且 慢慢提升四周的隔熱板進(jìn)行降溫，當(dāng)溫度低于硅的熔點(diǎn)時開始長晶并在坩堝內(nèi)壁的針尖狀凸出層或點(diǎn)狀凸出層上優(yōu)先形成一個穩(wěn)定晶向的優(yōu)勢尖端，通過該優(yōu)勢尖端誘導(dǎo)長晶并形成相對穩(wěn)定的晶向至所有硅都結(jié)晶為止。
[0005]采用本發(fā)明，由于坩堝內(nèi)壁具有針尖狀凸出層或點(diǎn)狀凸出層，在長晶過程中會優(yōu)先形成一個穩(wěn)定晶向的優(yōu)勢尖端并通過該優(yōu)勢尖端誘導(dǎo)長晶，形成相對穩(wěn)定的晶向，減少了位錯，從而提聞了多晶娃少子壽命和光電轉(zhuǎn)換效率。
【具體實(shí)施方式】
[0006]下面對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。它包括下列步驟；
一、在坩堝的內(nèi)壁上噴涂二氧化硅膠體溶液并形成具有針尖狀凸出層或點(diǎn)狀凸出層，直至二氧化硅膠體溶液干燥。
[0007]二、將多晶硅料放在坩堝內(nèi)，在真空狀態(tài)下，啟動多晶硅鑄錠爐內(nèi)的頂部加熱器和位于坩鍋中部的兩側(cè)加熱器，并將功率控制在25%和75%。
[0008]三、把多晶爐升溫加熱到1550°C，待多晶硅料全部熔化后，按一定速度持續(xù)且慢慢提升四周的隔熱板，使得四周隔熱板與底部隔熱板之間具有散熱口，并通過熱交換臺的平面狀的熱交換面使坩堝底部開始降溫。
[0009]四、當(dāng)溫度低于硅的熔點(diǎn)時，開始長晶，先在坩堝內(nèi)壁的針尖狀凸出層或點(diǎn)狀凸出層上優(yōu)先形成一個穩(wěn)定晶向的優(yōu)勢尖端并通過該優(yōu)勢尖端誘導(dǎo)長晶，形成相對穩(wěn)定的晶向至所有娃都結(jié)晶 為止。
【權(quán)利要求】
1.一種應(yīng)用熱交換生產(chǎn)多晶硅鑄錠的方法，其特征在于先在坩堝的內(nèi)壁上噴涂二氧化硅膠體溶液并形成具有針尖狀凸出層或點(diǎn)狀凸出層，待二氧化硅膠體溶液干燥后，再將多晶硅料放入坩堝內(nèi)，在真空狀態(tài)下，啟動多晶硅鑄錠爐內(nèi)的頂部加熱器和位于坩鍋中部的兩側(cè)加熱器，把多晶爐升溫加熱到1550°c，待多晶硅料全部熔化后，按一定速度持續(xù)且慢慢提升四周的隔熱板進(jìn)行降溫，當(dāng)溫度低于硅的熔點(diǎn)時開始長晶并在坩堝內(nèi)壁的針尖狀凸出層或點(diǎn)狀凸出層上優(yōu)先形成一個穩(wěn)定晶向的優(yōu)勢尖端，通過該優(yōu)勢尖端誘導(dǎo)長晶并形成相對穩(wěn)定的晶向至所 有娃都結(jié)晶為止。
【文檔編號】C30B28/06GK104018221SQ201410191144
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年5月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月8日
【發(fā)明者】王文廣, 周光進(jìn), 應(yīng)紅飛 申請人:浙江晟輝科技有限公司