導(dǎo)電薄膜、其制備方法及應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】一種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的ZITO層及Pr2O3層。上述導(dǎo)電薄膜通過在ZITO層的表面沉積高功函的Pr2O3層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持ZITO層的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜的功函數(shù)得到了顯著的提高。本發(fā)明還提供一種導(dǎo)電薄膜的制備方法及應(yīng)用。
【專利說明】導(dǎo)電薄膜、其制備方法及應(yīng)用

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電材料，特別是涉及導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜 的有機電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機電致發(fā)光器件。

【背景技術(shù)】
[0002] 導(dǎo)電薄膜電極是有機電致發(fā)光器件（0LED)的基礎(chǔ)構(gòu)件，其性能的優(yōu)劣直接影響著 整個器件的發(fā)光效率。其中，氧化鎘的摻雜半導(dǎo)體是近年來研究最廣泛的透明導(dǎo)電薄膜材 料，具有較高的可見光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發(fā)光效率，要求透明導(dǎo)電薄膜 陽極具有較高的表面功函數(shù)。而鋁、鎵和銦摻雜的氧化鋅的功函數(shù)一般只有4. 3eV，經(jīng)過UV 光輻射或臭氧等處理之后也只能達到4. 5?5. leV，與一般的有機發(fā)光層的HOMO能級(典型 的為5. 7?6. 3eV)還有比較大的能級差距，造成載流子注入勢壘的增加，妨礙發(fā)光效率的 提1?。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 基于此，有必要針對導(dǎo)電薄膜功函數(shù)較低的問題，提供一種納米線的透明導(dǎo)電薄 膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機電致發(fā)光 器件。
[0004] -種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的ΖΙΤ0層及Pr203層。
[0005] 所述導(dǎo)電薄膜是納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電薄膜，所述納米線直徑為50nm?400nm。
[0006] 所述ΖΙΤ0層的厚度為5nm?60nm，所述Pr203層的厚度為0· 5nm?5nm。
[0007] -種導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括以下步驟：
[0008] 將ΖΙΤ0靶材及Pr203靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔 體的真空度為1. 〇 X l〇_5Pa?1. 0 X 10_3Pa ;
[0009] 在所述襯底表面濺鍍ΖΙΤ0層，濺鍍所述ΖΙΤ0層的工藝參數(shù)為：基靶間距為 45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流 量為lOsccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C ;
[0010] 在所述ΖΙΤ0層表面濺鍍Pr203層，濺鍍所述Pr 203層的工藝參數(shù)為：基靶間距為 45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流 量為lOsccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C ;及
[0011] 剝離所述襯底，得到所述導(dǎo)電薄膜。
[0012] 所述ΖΙΤ0靶材由以下步驟得到：將ΖηΟ, Ιη203和Sn02粉體按照摩爾比為（0. 1? 10): (70?98): (0. 5?20)混合均勻，將混合均勻的粉體在900°C?1300°C下燒結(jié)制成靶 材。
[0013] 一種有機電致發(fā)光器件的基底，包括依次層疊的襯底、層疊的ΖΙΤ0層及Pr20 3層。
[0014] 所述基底中的導(dǎo)電薄膜是納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電薄膜，所述納米線直徑為50nm? 400nm〇
[0015] 一種有機電致發(fā)光器件的基底的制備方法，包括以下步驟：
[0016] 將ΖΙΤ0靶材及Pr203靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔 體的真空度為1. 〇 X 10_5Pa?1. 0 X 10_3Pa ;
[0017] 在所述襯底表面濺鍍ΖΙΤ0層，濺鍍所述ΖΙΤ0層的工藝參數(shù)為：基靶間距為 45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流 量為lOsccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C ;
[0018] 在所述ZIT0層表面濺鍍Pr203層，濺鍍所述Pr 203層的工藝參數(shù)為：基靶間距為 45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流 量為lOsccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C。
[0019] 所述ZIT0靶材由以下步驟得到：將ΖηΟ, Ιη203和Sn02粉體按照摩爾比為（0. 1? 10): (70?98): (0. 5?20)混合均勻，將混合均勻的粉體在900°C?1300°C下燒結(jié)制成靶 材。
[0020] -種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層以及陰極，所述陽極包括層 疊的ΖΙΤ0層及Pr 203層。
[0021] 上述導(dǎo)電薄膜通過在ΖΙΤ0層的表面沉積Pr203層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持 ΖΙΤ0層的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜的功函數(shù)得到了顯著的提高，導(dǎo)電薄膜在300? 900nm波長范圍可見光透過率80%?95%，方塊電阻范圍10?35 Ω / □，表面功函數(shù)5. 3? 5. 8eV ;上述導(dǎo)電薄膜的制備方法，采用激光燒蝕靶材，使靶材中的材料被燒蝕成原子或離 子團的粒子，粒子在基底上沉積的過程中，通過通入大量的惰性氣體，使粒子鈍化，在基板 上分散成核，然后在各個成核點垂直生長，形成柱狀的納米線；使用該導(dǎo)電薄膜作為有機電 致發(fā)光器件的陽極，導(dǎo)電薄膜的表面功函數(shù)與一般的有機發(fā)光層的HOMO能級之間差距較 小，降低了載流子的注入勢壘，可顯著的提高發(fā)光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 圖1為一實施方式的導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖2為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的基底的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0024] 圖3為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖4為實施例1制備的導(dǎo)電薄膜的透射光譜譜圖；
[0026] 圖5為實施例1制備的導(dǎo)電薄膜的電鏡掃描圖；
[0027] 圖6為器件實施例的電壓與電流和亮度關(guān)系圖。

【具體實施方式】
[0028] 下面結(jié)合附圖和具體實施例對導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機電 致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機電致發(fā)光器件進一步闡明。
[0029] 請參閱圖1，一實施方式的導(dǎo)電薄膜100包括層疊的ΖΙΤ0層10及Pr20 3層30。
[0030] 所述導(dǎo)電薄膜100是納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電薄膜，所述納米線直徑為50nm?400nm，優(yōu) 選為180nm。
[0031] 所述ΖΙΤ0層10的厚度為5nm?60nm，優(yōu)選為12nm。
[0032] 所述Pr203層30的厚度為0· 5nm?5nm，優(yōu)選為2nm。
[0033] 上述導(dǎo)電薄膜100通過在ΖΙΤ0層10的表面沉積Pr203層30制備雙層導(dǎo)電薄膜，既 能保持ΖΙΤ0層10的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜100的功函數(shù)得到了顯著的提高，導(dǎo)電 薄膜100在300?900nm波長范圍可見光透過率80%?95%，方塊電阻范圍10?35 Ω / 口， 表面功函數(shù)5. 3?5. 8eV。
[0034] 上述導(dǎo)電薄膜100的制備方法，包括以下步驟：
[0035] S110、將ΖΙΤ0靶材及Pr203靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中， 真空腔體的真空度為1. 〇 X l(T5Pa?1. 0 X l(T3Pa。
[0036] 本實施方式中，所述ΖΙΤ0靶材由以下步驟得到：將ΖηΟ, Ιη203和Sn02粉體按照摩 爾比為（0.1?10) :(70?98):(0.5?20)混合均勻，將混合均勻的粉體在9001：?13001： 下燒結(jié)制成靶材。
[0037] 襯底為玻璃襯底。優(yōu)選的，襯底在使用前用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗。
[0038] 本實施方式中，真空腔體的真空度優(yōu)選為5Xl(T4Pa。
[0039] 步驟S120、在襯底表面濺鍍ΖΙΤ0層10,濺鍍ΖΙΤ0層10的工藝參數(shù)為：基靶間距 為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的 流量為lOsccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C。
[0040] 優(yōu)選的，基靶間距為60mm，激光的能量為150W，壓強為10Pa，惰性氣體為氬氣，惰 性氣體的流量為2〇 SCCm，襯底溫度為500°C。
[0041] 形成的ΖΙΤ0層10的厚度為50nm?400nm，優(yōu)選為180nm。
[0042] 步驟S130、在ΖΙΤ0層10表面濺鍍Pr203層30,磁控濺射Pr 203層30的工藝參數(shù) 為：基靶間距為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強為3Pa?30Pa，通入惰性氣 體，惰性氣體的流量為lOsccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C ;
[0043] 形成Pr203層30的厚度為0. 5nm?5nm，優(yōu)選為2nm。
[0044] 步驟S140、剝離襯底，得到導(dǎo)電薄膜100。
[0045] 上述導(dǎo)電薄膜的制備方法，采用激光燒蝕靶材，使靶材中的材料被燒蝕成原子或 離子團的粒子，粒子在基底上沉積的過程中，通過通入大量的惰性氣體，使粒子鈍化，在基 板上分散成核，然后在各個成核點垂直生長，形成柱狀的納米線?？梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)惰性氣體壓 強的大小來控制納米線的粗細(xì)和線間距。通入惰性氣體壓強大的，得到的納米線較細(xì)，線間 距較大。
[0046] 請參閱圖2, 一實施方式的有機電致發(fā)光器件的基底200,包括層疊的襯底201、 ΖΙΤ0 層 202 及 Pr203 層 203。
[0047] 襯底201為玻璃襯底。襯底201的厚度為0· 1mm?3. 0mm，優(yōu)選為1mm。
[0048] ΖΙΤ0層202及Pr203層203是納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電薄膜，所述納米線直徑為50nm? 400nm，優(yōu)選為 180nm。
[0049] ΖΙΤ0層202的厚度為5nm?60nm，優(yōu)選為12nm。
[0050] Pr203層203的厚度為0· 5nm?5nm，優(yōu)選為2nm。
[0051] 上述有機電致發(fā)光器件的基底200通過在ΖΙΤ0層202的表面沉積Pr20 3層203制 備多層導(dǎo)電薄膜，既能保持ΖΙΤ0層202的良好的導(dǎo)電性能，又使有機電致發(fā)光器件的基底 200的功函數(shù)得到了顯著的提高，有機電致發(fā)光器件的基底200在300?900nm波長范圍可 見光透過率80%?95%，方塊電阻范圍10?35 Ω / □，表面功函數(shù)5. 3?5. 8eV。
[0052] 上述有機電致發(fā)光器件的基底200的制備方法，包括以下步驟：
[0053] S210、將ΖΙΤ0靶材及Pr203靶材及襯底201裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其 中，真空腔體的真空度為1. 〇 X l(T5Pa?1. 0 X 10_3Pa。
[0054] 本實施方式中，所述ΖΙΤ0靶材由以下步驟得到：將ΖηΟ, Ιη203和Sn02粉體按照摩 爾比為（0.1?10) :(70?98):(0.5?20)混合均勻，將混合均勻的粉體在9001：?13001： 下燒結(jié)制成靶材。
[0055] 襯底為玻璃襯底。優(yōu)選的，襯底在使用前用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗。
[0056] 本實施方式中，真空腔體的真空度優(yōu)選為5Xl(T4Pa。
[0057] 步驟S220、在襯底表面濺鍍ΖΙΤ0層202,濺鍍ΑΖ0層202的工藝參數(shù)為：基靶間距 為45mm?95mm，激光的能量為80W?300W，壓強為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的 流量為lOsccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C。
[0058] 優(yōu)選的，基靶間距為60mm，激光的能量為150W，壓強為10Pa，惰性氣體為氬氣，惰 性氣體的流量為2〇 SCCm，襯底溫度為500°C。
[0059] 形成的ZIT0層10的厚度為5nm?60nm，優(yōu)選為12nm。
[0060] 步驟S203、在ZIT0層202表面濺鍍Pr203層203的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm? 95mm，激光的能量為80W?300W，壓強為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為 lOsccm ?40sccm，襯底溫度為 250°C?750°C。
[0061] 上述有機電致發(fā)光器件的基底200的制備方法，采用激光燒蝕靶材，使靶材中的 材料被燒蝕成原子或離子團的粒子，粒子在基底上沉積的過程中，通過通入大量的惰性氣 體，使粒子鈍化，在基板上分散成核，然后在各個成核點垂直生長，形成柱狀的納米線。可以 通過調(diào)節(jié)惰性氣體壓強的大小來控制納米線的粗細(xì)和線間距。通入惰性氣體壓強大的，得 到的納米線較細(xì)，線間距較大，在襯底201上制備ZIT0層202及Pr 203層，工藝較為簡單。
[0062] 請參閱圖3,一實施方式的有機電致發(fā)光器件300包括依次層疊的襯底301、陽極 302、發(fā)光層303以及陰極304。陽極302由導(dǎo)電薄膜100制成，包括層疊的ZIT0層10的 Pr203層30。襯底301為玻璃襯底，可以理解，根據(jù)有機電致發(fā)光器件300具體結(jié)構(gòu)的不同， 襯底301可以省略。發(fā)光層303的材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基 久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亞萘基蒽（AND)、二（2-甲基-8-羥 基喹啉）-(4-聯(lián)苯酚）鋁（BALQ)、4-(二腈甲烯基）-2-異丙基-6- (1，1，7,7_四甲基久 洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTI)、二甲基喹吖啶酮（DMQA)、8-羥基喹啉鋁（Alq3)、雙 (4,6-二氟苯基吡啶4，(： 2)吡啶甲酰合銥^1印1(3)、二（2-甲基-二苯基比11]喹喔啉） (乙酰丙酮）合銥（Ir (MDQ)2(acac))或三（2-苯基批陡）合銥（Ir (ppy)3)。陰極304的材質(zhì) 為銀（Ag)、金（Au)、錯（A1)、鉬（Pt)或鎂銀合金。
[0063] 所述ZIT0層10的厚度為5nm?60nm，優(yōu)選為12nm。
[0064] 所述Pr203層30的厚度為0· 5nm?5nm，優(yōu)選為2nm。
[0065] 可以理解，上述有機電致發(fā)光器件300也可根據(jù)使用需求設(shè)置其他功能層。
[0066] 上述有機電致發(fā)光器件300,使用導(dǎo)電薄膜100作為有機電致發(fā)光器件的陽極， 導(dǎo)電薄膜的表面功函數(shù)5. 2?5. 8eV，與一般的有機發(fā)光層的HOMO能級（典型的為5. 7? 6. 3eV)之間差距較小，降低了載流子的注入勢壘，可提高發(fā)光效率。
[0067] 下面為具體實施例。
[0068] 實施例1
[0069] 選用純度為99. 9%的粉體，將ΖηΟ, Ιη203和Sn02粉體按照摩爾比為5:90:5經(jīng)過均 勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的ΖΙΤ0陶瓷靶材，再將Pr 203靶材裝 入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。 把靶材和襯底的距離設(shè)定為60mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到5. OX l(T4Pa，氬 氣的工作氣體流量為2〇SCCm，壓強調(diào)節(jié)為10Pa，襯底溫度為500°C，激光能量為150W。先后 濺射ΖΙΤ0靶材和Pr 203靶材，分別沉積180nm和12nm薄膜的薄膜，得到ΖΙΤ0 - Pr203雙層 的透明導(dǎo)電薄膜。
[0070] 測試結(jié)果：采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻10Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測 得表面功函數(shù)5. 8eV。
[0071] 請參閱圖4,圖4所示為得到的透明導(dǎo)電薄膜的透射光譜，使用紫外可見分光光度 計測試，測試波長為300?900nm。由圖4可以看出薄膜在可見光470?790nm波長范圍平 均透過率已經(jīng)達到90%。
[0072] 請參閱圖5,圖5為實施例1制備的導(dǎo)電薄膜的電鏡掃描圖，從圖5中可以看出納 米線的直徑以50nm?400nm為主。
[0073] 選用ΖΙΤ0 - Pr203多層的透明導(dǎo)電薄膜作為有機半導(dǎo)體器件的陽極，在上面蒸鍍 發(fā)光層Alq 3，以及陰極采用Ag，制備得到有機電致發(fā)光器件。
[0074] 請參閱圖6,圖6為上述器件實施例制備的有機電致發(fā)光器件的電壓與電流和亮 度關(guān)系圖，在附圖5中曲線1是電壓與電流密度關(guān)系曲線，可看出器件從5. 5V開始發(fā)光，曲 線2是電壓與亮度關(guān)系曲線，最大亮度為133cd/m2,表明器件具有良好的發(fā)光特性。
[0075] 實施例2
[0076] 選用純度為99. 9%的粉體，將ΖηΟ, Ιη203和Sn02粉體按照摩爾比為0. 1:94. 9:5經(jīng) 過均勻混合后，在1350°C下燒結(jié)成直徑為35mm，厚度為2mm的ΖΙΤ0陶瓷靶材，再將Pr20 3 靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入 真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為45mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到 1. 0X 10_5Pa，氬氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為3Pa，襯底溫度為250°C，激光能量 為300W。先后濺射ZIT0靶材和Pr 203靶材，分別沉積50nm和5nm薄膜的薄膜，得到ZIT0 - Pr203多層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0077] 測試結(jié)果：采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻15Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測 得表面功函數(shù)5. 3eV。
[0078] 使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。薄膜在可見光470? 790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達到91%。
[0079] 實施例3
[0080] 選用純度為99. 9%的粉體，將ΖηΟ, Ιη203和Sn02粉體按照摩爾比為10:89. 5:0. 5 經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的ΖΙΤ0陶瓷靶材，再將Pr20 3 靶材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入 真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為95mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到 1. 0X10_3Pa，氬氣的工作氣體流量為4〇SCCm，壓強調(diào)節(jié)為30Pa，襯底溫度為750°C，激光能 量為80W。先后濺射ZIT0靶材和Pr 203靶材，分別沉積400nm和60nm薄膜的薄膜，得到 ZIT0-Pr203多層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0081] 測試結(jié)果：采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻330Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測 得表面功函數(shù)5. 7eV。
[0082] 使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。薄膜在可見光470? 790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達到85%。
[0083] 實施例4
[0084] 選用純度為99. 9%的粉體，將ΖηΟ, Ιη203和Sn02粉體按照摩爾比為1:93:6經(jīng)過均 勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的ΖΙΤ0陶瓷靶材，再將Pr 203靶材裝 入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。 把靶材和襯底的距離設(shè)定為50mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到2. OX l(T4Pa，氬 氣的工作氣體流量為35SCCm，壓強調(diào)節(jié)為25Pa，襯底溫度為700°C，激光能量為280W。先后 濺射ΖΙΤ0靶材和Pr 203靶材，分別沉積300nm和50nm薄膜的薄膜，得到ZIT0-Pr20 3多層的 透明導(dǎo)電薄膜。
[0085] 測試結(jié)果：采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻78Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測 得表面功函數(shù)5. 8eV。
[0086] 使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。薄膜在可見光470? 790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達到88%。
[0087] 實施例5
[0088] 選用純度為99. 9%的粉體，將ΖηΟ, Ιη203和Sn02粉體按照摩爾比為3:94:3經(jīng)過均 勻混合后，在1250°C下燒結(jié)成直徑為50mm，厚度為2mm的ΖΙΤ0陶瓷靶材，再將Pr 203靶材裝 入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。 把革G材和襯底的距離設(shè)定為55mm。用機械泵和分子泵把腔體的真空度抽到3. OX l(T5Pa，氦 氣的工作氣體流量為4〇SCCm，壓強調(diào)節(jié)為22Pa，襯底溫度為530°C，激光能量為190W。先后 濺射ΖΙΤ0靶材和Pr 203靶材，分別沉積220nm和45nm薄膜的薄膜，得到ZIT0-Pr20 3多層的 透明導(dǎo)電薄膜。
[0089] 測試結(jié)果：采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻98Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測 得表面功函數(shù)5. 9eV。
[0090] 使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。薄膜在可見光470? 790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達到89%。
[0091] 以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并 不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保 護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種導(dǎo)電薄膜，其特征在于，包括層疊的ZITO層及Pr203層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述導(dǎo)電薄膜是納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電 薄膜，所述納米線直徑為50nm?400nm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述ZIT0層的厚度為5nm?60nm， 所述Pr20 3層的厚度為0· δηπι?5nm。
4. 一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 將ZIT0靶材及Pr203靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的 真空度為 1. 〇X l〇_5Pa ?1. OX 10_3Pa ; 在所述襯底表面濺鍍ZIT0層，濺鍍所述ZIT0層的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm? 95mm，激光的能量為80W?300W，壓強為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為 lOsccm ?40sccm，襯底溫度為 250°C?750°C ; 在所述ZIT0層表面濺鍍Pr203層，濺鍍所述Pr203層的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm? 95mm，激光的能量為80W?300W，壓強為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為 lOsccm?40sccm，襯底溫度為250°C?750°C ;及 剝離所述襯底，得到所述導(dǎo)電薄膜。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述ZIT0靶材由以下步 驟得到：將ΖηΟ, Ιη203和Sn02粉體按照摩爾比為（0. 1?10) : (70?98) : (0. 5?20)混合 均勻，將混合均勻的粉體在900°C?1300°C下燒結(jié)制成靶材。
6. -種有機電致發(fā)光器件的基底，其特征在于，包括依次層疊的襯底、ZIT0層及Pr20 3 層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的基底，其特征在于，所述基底中的導(dǎo)電 薄膜是納米線結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電薄膜，所述納米線直徑為50nm?400nm。
8. -種有機電致發(fā)光器件的基底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 將ZIT0靶材及Pr203靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的 真空度為 1. 〇X l〇_5Pa ?1. OX 10_3Pa ; 在所述襯底表面濺鍍ZIT0層，濺鍍所述ZIT0層的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm? 95mm，激光的能量為80W?300W，壓強為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為 lOsccm ?40sccm，襯底溫度為 250°C?750°C ; 在所述ZIT0層表面濺鍍Pr203層，濺鍍所述Pr203層的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm? 95mm，激光的能量為80W?300W，壓強為3Pa?30Pa，通入惰性氣體，惰性氣體的流量為 lOsccm ?40sccm，襯底溫度為 250°C?750°C。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光器件的基底的制備方法，其特征在于，所述 211'0靶材由以下步驟得到：將2110，111 203和51102粉體按照摩爾比為（0.1?10):(70?98) : (0. 5?20)混合均勻，將混合均勻的粉體在900°C?1300°C下燒結(jié)制成靶材。
10. -種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層以及陰極，其特征在于，所述 陽極包括層疊的ZIT0層及Pr 203層。
【文檔編號】H05B33/10GK104099564SQ201310120715
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2013年4月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月9日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 陳吉星, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司