導(dǎo)電薄膜、其制備方法及應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】一種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的ITO層及V2O5層，其中ITO層為氧化銦錫。上述導(dǎo)電薄膜通過在ITO層的表面沉積高功函的V2O5層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持ITO層的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜的功函數(shù)得到了顯著的提高。本發(fā)明還提供一種導(dǎo)電薄膜的制備方法及應(yīng)用。
【專利說明】導(dǎo)電薄膜、其制備方法及應(yīng)用

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電材料，特別是涉及導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件。

【背景技術(shù)】
[0002]導(dǎo)電薄膜電極是有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)的基礎(chǔ)構(gòu)件，其性能的優(yōu)劣直接影響著整個器件的發(fā)光效率。其中，氧化鎘的摻雜半導(dǎo)體是近年來研究最廣泛的透明導(dǎo)電薄膜材料，具有較高的可見光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發(fā)光效率，要求透明導(dǎo)電薄膜陽極具有較高的表面功函數(shù)。而鋁、鎵和銦摻雜的氧化鋅的功函數(shù)一般只有4.3eV，經(jīng)過UV光輻射或臭氧等處理之后也只能達(dá)到4.5?5.leV，與一般的有機(jī)發(fā)光層的HOMO能級(典型的為5.7?6.3eV)還有比較大的能級差距，造成載流子注入勢壘的增加，妨礙發(fā)光效率的提聞。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于此，有必要針對導(dǎo)電薄膜功函數(shù)較低的問題，提供一種功函數(shù)較高的導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0004]一種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的ITO層及V2O5層，其中ITO層為氧化銦錫。
[0005]所述ITO層的厚度為20nm?120nm,所述V2O5層的厚度為0.5nm?5nm。
[0006]一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0007]將ITO靶材及V2O5靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為 1.0X KT3Pa ?1.0X KT5Pa ；
[0008]在所述襯底表面濺鍍ITO層，濺鍍所述ITO層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm,濺射功率為60W?160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2.0Pa,工作氣體的流量為15sccm ?35sccm,襯底溫度為 25CTC ?75CTC ；
[0009]在所述ITO層表面濺鍍V2O5層，濺鍍所述V2O5層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為70W?120W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2.0Pa,工作氣體的流量為15sccm?35sccm,襯底溫度為25CTC?75CTC ;及
[0010]剝離所述襯底，得到所述導(dǎo)電薄膜。
[0011]所述ITO靶材由以下步驟得到:將SnO2和In2O3粉體按照質(zhì)量比為1:99?15:85混合均勻，將混合均勻的粉體在900°C?1350°C下燒結(jié)制成靶材。
[0012]所述V2O5靶材由以下步驟得到:將V2O5粉體在700°C?1100°C下燒結(jié)制成靶材。
[0013]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底，包括依次層疊的襯底、層疊的ITO層及V2O5層，其中ITO層為氧化銦錫。
[0014]所述ITO層的厚度為20nm?120nm,所述V2O5層的厚度為0.5nm?5nm。
[0015]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，包括以下步驟:
[0016]將ITO靶材及V2O5靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為 1.0X KT3Pa ?1.0X KT5Pa ；
[0017]在所述襯底表面濺鍍ITO層，濺鍍所述ITO層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm,濺射功率為60W?160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2.0Pa,工作氣體的流量為15sccm ?35sccm,襯底溫度為 25CTC ?75CTC ；
[0018]在所述ITO層表面濺鍍V2O5層，濺鍍所述V2O5層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為70W?120W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2.0Pa,工作氣體的流量為15sccm?35sccm,襯底溫度為25CTC?750°C。
[0019]所述ITO靶材由以下步驟得到:將SnO2和In2O3粉體按照質(zhì)量比為1:99?15:85混合均勻，將混合均勻的粉體在900°C?1350°C下燒結(jié)制成靶材；
[0020]所述V2O5靶材由以下步驟得到:將V2O5粉體在700°C?1100°C下燒結(jié)制成靶材。
[0021]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層以及陰極，所述陽極包括層疊的ITO層及V2O5層，其中ITO層為氧化銦錫。
[0022]上述導(dǎo)電薄膜通過在ITO層的表面沉積高功函的V2O5層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持ITO層的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜的功函數(shù)得到了顯著的提高，導(dǎo)電薄膜在300?900nm波長范圍可見光透過率80%?90%，方塊電阻范圍10?32 Ω / 口，表面功函數(shù)
5.8?6.0eV ;上述導(dǎo)電薄膜的制備方法，僅僅使用磁控濺射鍍膜設(shè)備即可連續(xù)制備ITO層及V2O5層，工藝較為簡單；使用該導(dǎo)電薄膜作為有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極，導(dǎo)電薄膜的表面功函數(shù)與一般的有機(jī)發(fā)光層的HOMO能級之間差距較小，降低了載流子的注入勢壘，可顯著的提高發(fā)光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為一實施方式的導(dǎo)電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為一實施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0025]圖3為一實施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖4為實施例1制備的導(dǎo)電薄膜的透射光譜譜圖；
[0027]圖5為器件實施例的電壓與電流和亮度關(guān)系圖。

【具體實施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖和具體實施例對導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)一步闡明。
[0029]請參閱圖1，一實施方式的導(dǎo)電薄膜100包括層疊的ITO層10及V2O5層20。
[0030]所述ITO層10的厚度為20nm?120醒，優(yōu)選為80nm。
[0031]所述V2O5層20的厚度為0.5nm?5nm,優(yōu)選為1.5nm。
[0032]上述導(dǎo)電薄膜100的制備方法，包括以下步驟:
[0033]SI 10、將ITO靶材及V2O5靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X 1-3Pa?1.0X l(T5Pa。
[0034]本實施方式中所述ITO靶材由以下步驟得到:將SnO2和In2O3粉體按照質(zhì)量比為I:99?15:85混合均勻，將混合均勻的粉體在900°C?1350°C下燒結(jié)制成靶材。
[0035]襯底為玻璃襯底。優(yōu)選的，襯底在使用前用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗。
[0036]本實施方式中，真空腔體的真空度優(yōu)選為5X10_4Pa。
[0037]步驟S120、在襯底表面濺鍍ITO層10，濺鍍ITO層10的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為60W?160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2.0Pa,工作氣體的流量為15sccm?35sccm,襯底溫度為25CTC?75CTC。
[0038]優(yōu)選的，基靶間距為50mm，濺射功率為100W，磁控濺射工作壓強(qiáng)1.0Pa,工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為20SCCm，襯底溫度為500°C。
[0039]步驟S130、在ITO層10表面濺鍍V2O5層20，濺鍍V2O5層20的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為70W?120W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2.0Pa,工作氣體的流量為15sccm?35sccm,襯底溫度為250°C?750°C。
[0040]優(yōu)選的，基靶間距為50mm，濺射功率為90W，磁控濺射工作壓強(qiáng)1.0Pa,工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為20SCCm，襯底溫度為500°C。
[0041]形成的V2O5層20的厚度為0.5nm?5nm,優(yōu)選為1.5nm。
[0042]步驟S140、剝離襯底，得到導(dǎo)電薄膜100。
[0043]上述導(dǎo)電薄膜的制備方法，僅僅使用磁控濺射鍍膜設(shè)備即可連續(xù)制備ITO層10及V2O5層20，工藝較為簡單。
[0044]請參閱圖2，一實施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底200，包括層疊的襯底201、ITO 層 202 及 V2O5 層 203。
[0045]襯底201為玻璃襯底。襯底201的厚度為0.1mm?3.0mm,優(yōu)選為1mm。
[0046]所述ITO層202的厚度為20nm?120nm，優(yōu)選為80nm，
[0047]所述V2O5層203的厚度為0.5nm?5nm,優(yōu)選為1.5nm。
[0048]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的基底200的制備方法，包括以下步驟:
[0049]S210、將ITO靶材及V2O5靶材及襯底201裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為1.0X 1-3Pa?1.0X 10_5Pa。
[0050]本實施方式中，所述ITO靶材由以下步驟得到JfSnOdP In2O3粉體按照質(zhì)量比為I:99?15:85混合均勻，將混合均勻的粉體在900°C?1350°C下燒結(jié)制成靶材。
[0051]襯底為玻璃襯底。優(yōu)選的，襯底在使用前用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗。
[0052]本實施方式中，真空腔體的真空度優(yōu)選為5X10_4Pa。
[0053]步驟S220、在襯底表面濺鍍ITO層202，濺鍍ITO層202的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為60W?160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2.0Pa,工作氣體的流量為15sccm?35sccm,襯底溫度為25CTC?75CTC。
[0054]優(yōu)選的，基靶間距為50mm，濺射功率為100W，磁控濺射工作壓強(qiáng)1.0Pa,工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為20SCCm，襯底溫度為500°C。
[0055]形成的ITO層202的厚度為20nm?120nm，優(yōu)選為50nm。
[0056]步驟S203、在ITO層202表面濺鍍V2O5層203，濺鍍V2O5層203的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為70W?120W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2.0Pa,工作氣體的流量為15sccm?35sccm,襯底溫度為250°C?750°C。
[0057]形成的V2O5層203的厚度為0.5nm?5nm,優(yōu)選為1.5nm ；
[0058]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的基底200的制備方法，僅僅使用磁控濺射鍍膜設(shè)備即可連續(xù)在襯底201上制備ITO層202及V2O5層203，工藝較為簡單。
[0059]請參閱圖3，一實施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件300包括依次層疊的襯底301、陽極302、發(fā)光層303以及陰極304。陽極302由導(dǎo)電薄膜100制成，包括層疊的ITO層10及V2O5層20。襯底301為玻璃襯底，可以理解，根據(jù)有機(jī)電致發(fā)光器件300具體結(jié)構(gòu)的不同，襯底301可以省略。發(fā)光層303的材料為4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(AND)、二(2-甲基_8_羥基喹啉)-(4_聯(lián)苯酚)鋁(BALQ)、4- (二腈甲烯基)_2_異丙基_6_ (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))或三(2-苯基卩比唳)合銥(Ir (ppy)3)。陰極304的材質(zhì)為銀(Ag)、金(Au)、招(Al)、鉬(Pt)或鎂銀合金。
[0060]所述ITO層10的厚度為20nm?120nm,優(yōu)選為80nm。
[0061]所述V2O5層20的厚度為0.5nm?5nm,優(yōu)選為1.5nm。
[0062]可以理解，上述有機(jī)電致發(fā)光器件300也可根據(jù)使用需求設(shè)置其他功能層。
[0063]上述有機(jī)電致發(fā)光器件300，使用導(dǎo)電薄膜100作為有機(jī)電致發(fā)光器件的陽極，導(dǎo)電薄膜的表面功函數(shù)5.8?6.0eV,與一般的有機(jī)發(fā)光層的HOMO能級(典型的為5.7?
6.3eV)之間差距較小，降低了載流子的注入勢壘，可提高發(fā)光效率。
[0064]下面為具體實施例。
[0065]實施例1
[0066]選用純度為99.9%的粉體，將SnO2和In2O3粉體按照質(zhì)量比為11:89經(jīng)過均勻混合，在1200°C下燒結(jié)成直徑為60mm，厚度為2mm的ITO陶瓷靶材，，再將V2O5粉體在1000°C下燒結(jié)成直徑為60mm,厚度為2mm的祀材,再將ITO祀材和V2O5祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為50mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到6.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為20sccm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為1.0Pa，襯底溫度為500°C，ITO靶材的濺射功率為100W，V2O5靶材的濺射功率90W。先后濺射ITO靶材和V2O5靶材，分別沉積80nm和3nm薄膜的薄膜，得到ITO-V2O5雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0067]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻10Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)6.0eV0
[0068]請參閱圖4，圖4所示為得到的透明導(dǎo)電薄膜的透射光譜，使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。由圖4可以看出薄膜在可見光470?790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達(dá)到87%。
[0069]選用ITO-V2O5雙層的透明導(dǎo)電薄膜作為有機(jī)半導(dǎo)體器件的陽極，在上面蒸鍍發(fā)光層Alq3,以及陰極采用Ag，制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0070]請參閱圖5，圖5為上述器件實施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電壓與電流和亮度關(guān)系圖，在附圖5中曲線I是電壓與電流密度關(guān)系曲線，可看出器件從6.0V開始發(fā)光，曲線2是電壓與亮度關(guān)系曲線，最大亮度為102cd/m2，表明器件具有良好的發(fā)光特性。
[0071]實施例2
[0072]選用純度為99.9%的粉體，將SnO2和In2O3粉體按照質(zhì)量比為1:99經(jīng)過均勻混合，在1000°c下燒結(jié)成直徑為60mm，厚度為2mm的ITO陶瓷靶材，，再將V2O5粉體在1100°C下燒結(jié)成直徑為60mm,厚度為2mm的祀材,再將ITO祀材和V2O5祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為40mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X 10_3Pa，氬氣的工作氣體流量為15sccm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為2.0Pa，襯底溫度為250°C，ITO靶材的濺射功率為160W，V2O5靶材的濺射功率70W。先后濺射ITO靶材和V2O5靶材，分別沉積20nm和Inm薄膜的薄膜，得到ITO-V2O5雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0073]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻16Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)5.8eV。
[0074]使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。薄膜在可見光470?790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達(dá)到80%。
[0075]實施例3
[0076]選用純度為99.9%的粉體，將SnO2和In2O3粉體按照質(zhì)量比為5:95經(jīng)過均勻混合，在1350°C下燒結(jié)成直徑為60mm，厚度為2mm的ITO陶瓷靶材，，再將V2O5粉體在700°C下燒結(jié)成直徑為60mm,厚度為2mm的祀材,再將ITO祀材和V2O5祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為90mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到1.0X10_3Pa，氬氣的工作氣體流量為35，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為0.2Pa，襯底溫度為750°C，ITO靶材的濺射功率為160W，V2O5靶材的濺射功率120W。先后濺射ITO靶材和V2O5靶材，分別沉積120nm和1nm薄膜的薄膜，得到ITO-V2O5雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0077]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻30Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)6.0eV0
[0078]使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。薄膜在可見光470?790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達(dá)到85%。
[0079]實施例4
[0080]選用純度為99.9%的粉體，將SnO2和In2O3粉體按照質(zhì)量比為8:92經(jīng)過均勻混合，在1250°C下燒結(jié)成直徑為60mm，厚度為2mm的ITO陶瓷靶材，，再將V2O5粉體在800°C下燒結(jié)成直徑為60mm,厚度為2mm的祀材,再將ITO祀材和V2O5祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為75mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到3.0 X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為28sccm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為0.9Pa，襯底溫度為300°C，ITO靶材的濺射功率為130W，V2O5靶材的濺射功率100W。先后濺射ITO靶材和V2O5靶材，分別沉積IlOnm和7nm薄膜的薄膜，得到ITO-V2O5雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0081]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻32Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)5.9eV。
[0082]使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。薄膜在可見光470?790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達(dá)到90%。
[0083]實施例5
[0084]選用純度為99.9%的粉體，將SnO2和In2O3粉體按照質(zhì)量比為10:90經(jīng)過均勻混合，在1200°C下燒結(jié)成直徑為60mm，厚度為2mm的ITO陶瓷靶材，，再將V2O5粉體在850°C下燒結(jié)成直徑為60mm,厚度為2mm的祀材,再將ITO祀材和V2O5祀材裝入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗玻璃襯底，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設(shè)定為80mm。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽到9.0X 10_4Pa，氬氣的工作氣體流量為32sccm，壓強(qiáng)調(diào)節(jié)為0.5Pa，襯底溫度為400°C，ITO靶材的濺射功率為150W，V2O5靶材的濺射功率110W。先后濺射ITO靶材和V2O5靶材，分別沉積90nm和9nm薄膜的薄膜，得到ITO-V2O5雙層的透明導(dǎo)電薄膜。
[0085]測試結(jié)果:采用四探針電阻測試儀測得方塊電阻28Ω/ □，表面功函數(shù)測試儀測得表面功函數(shù)6.0eV0
[0086]使用紫外可見分光光度計測試，測試波長為300?900nm。薄膜在可見光470?790nm波長范圍平均透過率已經(jīng)達(dá)到87%。
[0087]以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種導(dǎo)電薄膜，其特征在于，包括層疊的ITO層及V2O5層，其中ITO層為氧化銦錫。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述ITO層的厚度為20nm?120nm，所述V2O5層的厚度為0.5nm?5nm。
3.一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 將ITO靶材及V2O5靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為 1.0X KT3Pa ?1.0X KT5Pa ； 在所述襯底表面濺鍍ITO層，濺鍍所述ITO層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為60W?160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2.0Pa,工作氣體的流量為15sccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C ； 在所述ITO層表面濺鍍V2O5層，濺鍍所述V2O5層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm,濺射功率為70W?120W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2.0Pa,工作氣體的流量為15sccm?35sccm,襯底溫度為25CTC?75CTC ;及 剝離所述襯底，得到所述導(dǎo)電薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述ITO靶材由以下步驟得到:將SnO2和In2O3粉體按照質(zhì)量比為1:99?15:85混合均勻，將混合均勻的粉體在900°C?1350°C下燒結(jié)制成靶材。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述V2O5靶材由以下步驟得到:將V2O5粉體在700°C?1100°c下燒結(jié)制成靶材。
6.—種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底,其特征在于,包括依次層疊的襯底、層疊的ITO層及V2O5層，其中ITO層為氧化銦錫。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底，其特征在于，所述ITO層的厚度為20nm?120nm,所述V2O5層的厚度為0.5nm?5nm。
8.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 將ITO靶材及V2O5靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的真空度為 1.0X KT3Pa ?1.0X KT5Pa ； 在所述襯底表面濺鍍ITO層，濺鍍所述ITO層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為60W?160W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2.0Pa,工作氣體的流量為15sccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C ； 在所述ITO層表面濺鍍V2O5層，濺鍍所述V2O5層的工藝參數(shù)為:基靶間距為45mm?95mm，濺射功率為70W?120W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa?2.0Pa，工作氣體的流量為15sccm ?35sccm,襯底溫度為 25CTC ?75CTC。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，其特征在于，所述ITO靶材由以下步驟得到:將SnO2和In2O3粉體按照質(zhì)量比為1:99?15:85混合均勻，將混合均勻的粉體在900°C?1350°C下燒結(jié)制成靶材； 所述V2O5靶材由以下步驟得到:將V2O5粉體在700°C?1100°C下燒結(jié)制成靶材。
10.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層以及陰極，其特征在于，所述陽極包括層疊的ITO層及V2O5層，其中ITO層為氧化銦錫。
【文檔編號】H01L51/56GK104175642SQ201310196484
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2013年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月22日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 陳吉星, 張振華 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司