導(dǎo)電薄膜、其制備方法及應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】一種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的TiO2-xFx層及MO3層，其中，x為0.1～0.6，MO3為氧化鎢、氧化鉬和氧化錸中的至少一種。上述導(dǎo)電薄膜通過(guò)在TiO2-xFx層的表面沉積高功函的MO3層制備雙層導(dǎo)電薄膜，既能保持TiO2-xFx層的良好的導(dǎo)電性能，又使導(dǎo)電薄膜的功函數(shù)得到了顯著的提高。本發(fā)明還提供一種導(dǎo)電薄膜的制備方法及應(yīng)用。
【專利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電材料，特別是涉及導(dǎo)電薄膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜 的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光器件。 導(dǎo)電薄膜、其制備方法及應(yīng)用
【背景技術(shù)】
[0002] 導(dǎo)電薄膜電極是有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)的基礎(chǔ)構(gòu)件，其性能的優(yōu)劣直接影響著 整個(gè)器件的發(fā)光效率。其中，氧化鎘的摻雜半導(dǎo)體是近年來(lái)研究最廣泛的透明導(dǎo)電薄膜材 料，具有較高的可見(jiàn)光透光率和低的電阻率。但要提高器件的發(fā)光效率，要求透明導(dǎo)電薄膜 陽(yáng)極具有較高的表面功函數(shù)。而鋁、鎵和銦摻雜的氧化鋅的功函數(shù)一般只有4. 3eV，經(jīng)過(guò)UV 光輻射或臭氧等處理之后也只能達(dá)到4. 5?5. leV，與一般的有機(jī)發(fā)光層的HOMO能級(jí)(典型 的為5. 7?6. 3eV)還有比較大的能級(jí)差距，造成載流子注入勢(shì)壘的增加，妨礙發(fā)光效率的 提1?。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003] 基于此，有必要針對(duì)導(dǎo)電薄膜功函數(shù)較低的問(wèn)題，提供一種功函數(shù)較高的導(dǎo)電薄 膜、其制備方法、使用該導(dǎo)電薄膜的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底、其制備方法及有機(jī)電致發(fā)光 器件。
[0004] -種導(dǎo)電薄膜，包括層疊的Ti02_xFx層及M0 3層，其中，X為0. 1?0. 6, M03為氧化 鶴、氧化鑰和氧化錸中的至少一種。
[0005] 所述Ti02_xFx層的厚度為50nm?300nm，所述M0 3層的厚度為0. 5nm?5nm。
[0006] 一種導(dǎo)電薄膜的制備方法，包括以下步驟：
[0007] 將Ti02_xFx靶材、M0 3靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔 體的真空度為l.〇Xl(T5Pa?1.0Xl(T 3Pa，所述Ti02_xFjE材中的X為0. 1?0. 6，]\?3為氧 化鶴、氧化鑰和氧化錸中的至少一種；
[0008] 在所述襯底表面濺鍍Ti02_xFx層，濺鍍所述Ti0 2_xFx層的工藝參數(shù)為：基靶間距為 45mm?95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0. 2Pa?4Pa，工作氣體的流量為 lOsccm ?35sccm，襯底溫度為 250°C ?750°C ;
[0009] 在所述Ti02_xFx層表面濺鍍M0 3層，濺鍍所述M03層的工藝參數(shù)為：基靶間距為 45mm?95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0. 2Pa?4Pa，工作氣體的流量為 lOsccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C ;及
[0010] 剝離所述襯底，得到所述導(dǎo)電薄膜。
[0011] 所述Ti02_xFx靶材由以下步驟得到：將Ti0 2和TiF4粉體混合均勻，TiF4的摩爾百 分?jǐn)?shù)為2. 6%?17. 6%，將混合均勻的粉體在900°C?1300°C下燒結(jié)制成靶材。
[0012] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底，包括依次層疊的襯底、Ti02_xF x層及冊(cè)3層，其中，X 為0. 1?0. 6, M03為氧化鶴、氧化鑰和氧化錸中的至少一種。
[0013] 所述Ti02_xFx層的厚度為50nm?300nm,所述M0 3層的厚度為0. 5nm?5nm。
[0014] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，包括以下步驟：
[0015] 將Ti02_xFx靶材、M0 3靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔 體的真空度為
【權(quán)利要求】
1. 一種導(dǎo)電薄膜，其特征在于，包括層疊的Ti02_xF x層及腸3層，其中，X為0. 1?0.6， M03為氧化鶴、氧化鑰和氧化錸中的至少一種。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述Ti02_xFx層的厚度為50nm? 300nm，所述M03層的厚度為0· 5nm?5nm。
3. -種導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 將Ti02_xFx靶材、M03靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的 真空度為l.〇Xl(T5Pa?L0Xl(T3Pa，所述Ti02_ xFjE材中的X為(λ 1?0·6，Μ03為氧化鎢、 氧化鑰和氧化錸中的至少一種； 在所述襯底表面濺鍍Ti02_xFx層，濺鍍所述Ti02_ xFx層的工藝參數(shù)為：基靶間距為 45mm?95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0. 2Pa?4Pa，工作氣體的流量為 lOsccm ?35sccm，襯底溫度為 25CTC ?75CTC ; 在所述Ti02_xFx層表面濺鍍M03層，濺鍍所述M0 3層的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm? 95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0. 2Pa?4Pa，工作氣體的流量為 lOsccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C ;及 剝離所述襯底，得到所述導(dǎo)電薄膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，所述Ti02_xFx靶材由以下 步驟得到：將Ti0 2和TiF4粉體混合均勻，TiF4的摩爾百分?jǐn)?shù)為2. 6%?17. 6%，將混合均勻 的粉體在900°C?1300°C下燒結(jié)制成靶材。
5. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底，其特征在于，包括依次層疊的襯底、Ti02_ xFx層及M03 層，其中，X為〇. 1?〇. 6, M03為氧化鶴、氧化鑰和氧化錸中的至少一種。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底，其特征在于，所述Ti02_xFx層的厚 度為50nm?300nm，所述M0 3層的厚度為0· 5nm?5nm。
7. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 將Ti02_xFx靶材、M03靶材及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，其中，真空腔體的 真空度為l.〇Xl(T5Pa?L0Xl(T3Pa，所述Ti02_ xFjE材中的X為(λ 1?0·6，Μ03為氧化鎢、 氧化鑰和氧化錸中的至少一種； 在所述襯底表面濺鍍Ti02_xFx層，濺鍍所述Ti02_ xFx層的工藝參數(shù)為：基靶間距為 45mm?95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0. 2Pa?4Pa，工作氣體的流量為 lOsccm ?35sccm，襯底溫度為 250°C?750°C ; 在所述Ti02_xFx層表面濺鍍M03層，濺鍍所述M0 3層的工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm? 95mm，濺射功率為30W?150W，磁控濺射工作壓強(qiáng)0. 2Pa?4Pa，工作氣體的流量為 lOsccm ?35sccm，襯底溫度為 250°C?750°C。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的基底的制備方法，其特征在于，所述 Ti02_xFx靶材由以下步驟得到：將Ti02和TiF 4粉體混合均勻，TiF4的摩爾百分?jǐn)?shù)為2. 6%? 17. 6%，將混合均勻的粉體在900°C?1300°C下燒結(jié)制成靶材。
9. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極、發(fā)光層以及陰極，其特征在于，所述 陽(yáng)極包括層疊的Ti0 2_xFx層及M03層，其中，X為0. 1?0. 6, M03為氧化鎢、氧化鑰和氧化錸 中的至少一種。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述Ti02_xFx層的厚度為
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104060223SQ201310092616
【公開日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2013年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月21日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 陳吉星, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司