專利名稱：陶瓷電路基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種陶瓷電路基板及其制造方法，尤其是有關(guān)于一種具有防焊功能的 陶瓷電路基板與該陶瓷電路基板的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)的日新月異，電子產(chǎn)品也朝向輕、薄、短、小的趨勢設(shè)計(jì)。針對此種電 子產(chǎn)品的電路布線設(shè)計(jì)，線路板(wired board)是經(jīng)常使用的構(gòu)裝元件，例如是印刷電路板 (printing circuit board)、晶片載板(chip carrier)或是低溫共燒陶瓷基板(LTCC)等 線路板。傳統(tǒng)上，受限于印刷開孔僅在200微米(um)以下，且具有解析度不佳與印刷尺寸 偏差等問題，僅能作局部防焊并無法在接合墊(pad)周圍印防焊層(solder mask)，進(jìn)而造 成錫球與錫球間會互相接觸而形成錫橋，并產(chǎn)生短路現(xiàn)象。此外，由于印刷線徑較大，在使 用陶瓷石膏印刷時(shí)，因?yàn)橛∷⒚娣e較大，使得陶瓷膏收縮率和基板材料不同，造成共燒過程 中，產(chǎn)品產(chǎn)生翹曲的現(xiàn)象。鑒于傳統(tǒng)的方法并無有效解決錫橋與基板翹曲的問題，因此亟需提出一種新穎的 陶瓷電路基板，可用于防止錫橋與基板翹曲。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的之一在于提供陶瓷電路基板，此陶瓷電路基板具有防焊層，用以防止 在焊接的過程中，錫球與錫球相互接觸而形成錫橋，并產(chǎn)生短路現(xiàn)象。本發(fā)明的另一目的在于提供陶瓷電路基板，用于防止在共燒的過程中，產(chǎn)生基板 翹曲的問題。本發(fā)明關(guān)于一種陶瓷電路基板，包括基板以及生胚?；灞砻婢哂袕?fù)數(shù)個(gè)接合墊。 生胚堆迭于該基板的表面上，該生胚具有復(fù)數(shù)個(gè)通孔，其中這些通孔的位置對應(yīng)于這些接 合墊，且這些通孔的直徑大于這些接合墊的直徑。根據(jù)本發(fā)明所述的陶瓷電路基板，基板與生胚的收縮率相同?；蛘呱叩牟牧吓c 基板相同。根據(jù)本發(fā)明所述的陶瓷電路基板，基板為低溫共燒陶瓷基板。根據(jù)本發(fā)明所述的陶瓷電路基板，復(fù)數(shù)個(gè)通孔是通過激光或機(jī)械通孔裝置形成 的。根據(jù)本發(fā)明所述的陶瓷電路基板，生胚的厚度介于10至50微米之間。本發(fā)明關(guān)于一種陶瓷電路基板的制造方法，包括以下步驟。提供表面具有復(fù)數(shù)個(gè) 接合墊的基板。提供堆迭于該基板表面上的生胚，該生胚具有復(fù)數(shù)個(gè)通孔，其中這些通孔的 位置對應(yīng)于這些接合墊，且這些通孔的直徑大于這些接合墊的直徑。根據(jù)本發(fā)明所述的陶瓷電路基板的制造方法，基板與生胚的收縮率相同?；蛘呱?胚的材料與基板相同。基板為低溫共燒陶瓷基板。復(fù)數(shù)個(gè)通孔是通過激光或機(jī)械通孔裝置形成的。生胚的厚度介于10至50微米之間。通過本發(fā)明，該陶瓷電路基板具有防焊層，可用于防止錫橋與基板翹曲。


圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的陶瓷電路基板的剖面圖。圖2A至圖2B是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的氣密陶瓷層的制造方法示意圖。
具體實(shí)施例方式為使對本發(fā)明的目的、構(gòu)造、特征、及其功能有進(jìn)一步的了解，茲配合實(shí)施例詳細(xì) 說明如下。圖1的剖面圖是顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的陶瓷電路基板1，其包括基板11，其 表面具有復(fù)數(shù)個(gè)接合墊12，且基板11可為低溫共燒陶瓷基板，其中上述的低溫共燒陶瓷基 板可由復(fù)數(shù)個(gè)陶瓷層15所構(gòu)成；以及生胚13，堆迭于基板11的表面上，生胚13具有復(fù)數(shù) 個(gè)通孔14，其中該復(fù)數(shù)個(gè)通孔14的位置對應(yīng)于該復(fù)數(shù)個(gè)接合墊12，且該通孔14的直徑大 于該接合墊12的直徑。此外，生胚13的厚度介于10 50微米之間，且可透過透過激光或 機(jī)械通孔裝置(未圖示)形成這些通孔14。需特別說明的是基板11與生胚13的收縮率相 同，且構(gòu)成兩者的材料也相同。如圖1所示，當(dāng)將IC晶片16的錫球17焊接至基板11的接 合墊12時(shí)，生胚13將可作為防焊層，以避免錫球間產(chǎn)生錫橋，進(jìn)而產(chǎn)生短路現(xiàn)象。另外，生 胚13的厚度可根據(jù)實(shí)際情況，設(shè)計(jì)成與基板11的厚度相同。圖2A至圖2B為顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的氣密陶瓷層1的制造方法示意圖。如 圖2A所示，本發(fā)明提供表面具有復(fù)數(shù)個(gè)接合墊的基板11，且基板11可為低溫共燒陶瓷基 板，其中上述低溫共燒陶瓷基板可由復(fù)數(shù)個(gè)陶瓷層所構(gòu)成。此外，基板11的中央設(shè)有電子 線路18。如圖2B所示，本發(fā)明提供堆迭于該基板表面上的生胚13，生胚13具有復(fù)數(shù)個(gè)通 孔14，其中該復(fù)數(shù)個(gè)通孔14的位置對應(yīng)于該復(fù)數(shù)個(gè)接合墊12，且該通孔14的直徑大于該 接合墊的直徑12。此外，生胚13的厚度介于10 50微米之間，且可透過透過激光或機(jī)械 通孔裝置(未圖示)形成這些通孔14。需特別說明的是基板11與生胚13的收縮率相同， 且構(gòu)成兩者之材料也相同。接著，以燒結(jié)的方式將生胚13與基板11堆迭起來，并僅露出所 需要的接合墊12 (如圖1所示)。本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。 必需指出的是，已揭露的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷電路基板，其特征在于包括 基板，其表面具有復(fù)數(shù)個(gè)接合墊；以及生胚，堆迭于該基板的表面上，該生胚具有復(fù)數(shù)個(gè)通孔，其中該復(fù)數(shù)個(gè)通孔的位置對應(yīng) 于該復(fù)數(shù)個(gè)接合墊，且該通孔的直徑大于該接合墊的直徑。
2.如權(quán)利要求1所述的陶瓷電路基板，其特征在于該基板與該生胚的收縮率相同；或 者該生胚的材料與該基板相同。
3.如權(quán)利要求1所述的陶瓷電路基板，其特征在于該基板為低溫共燒陶瓷基板。
4.如權(quán)利要求1所述的陶瓷電路基板，其特征在于該復(fù)數(shù)個(gè)通孔是通過激光或機(jī)械通 孔裝置形成的。
5.如權(quán)利要求1所述的陶瓷電路基板，其特征在于該生胚的厚度介于10至50微米之間。
6.一種陶瓷電路基板的制造方法，其特征在于包括 提供表面具有復(fù)數(shù)個(gè)接合墊的基板；以及提供堆迭于該基板表面上的生胚，該生胚具有復(fù)數(shù)個(gè)通孔，其中該復(fù)數(shù)個(gè)通孔的位置 對應(yīng)于該復(fù)數(shù)個(gè)接合墊，且該通孔的直徑大于該接合墊的直徑。
7.如權(quán)利要求6所述的陶瓷電路基板的制造方法，其特征在于該基板與該生胚的收縮 率相同；或者該生胚的材料與該基板相同。
8.如權(quán)利要求6所述的陶瓷電路基板的制造方法，其特征在于該基板為低溫共燒陶瓷 基板。
9.如權(quán)利要求6所述的陶瓷電路基板的制造方法，其特征在于該復(fù)數(shù)個(gè)通孔是通過激 光或機(jī)械通孔裝置形成的。
10.如權(quán)利要求6所述的陶瓷電路基板的制造方法，其特征在于該生胚的厚度介于10 至50微米之間。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)于一種陶瓷電路基板及其制造方法。該陶瓷電路基板包括基板以及生胚?；灞砻婢哂袕?fù)數(shù)個(gè)接合墊；生胚堆迭于該基板的表面上，該生胚具有復(fù)數(shù)個(gè)通孔，其中這些通孔的位置對應(yīng)于這些接合墊，且該通孔的直徑大于該接合墊的直徑。本發(fā)明的陶瓷電路基板具有防焊層，可用于防止錫橋與基板翹曲。
文檔編號H05K3/00GK102083269SQ20111003360
公開日2011年6月1日 申請日期2011年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月22日
發(fā)明者林庭煒, 鄭世宏 申請人:蘇州達(dá)方電子有限公司, 達(dá)方電子股份有限公司