專利名稱：線路結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法，且特別是涉及一種可制作細(xì)線路的線路結(jié)構(gòu)制作方法。
背景技術(shù)：
近年來隨著電子工業(yè)的生產(chǎn)技術(shù)的突飛猛進(jìn)，線路基板可搭載各種電子零件，以廣泛地應(yīng)用于各種不同功能的電子產(chǎn)品中。目前，電子產(chǎn)品朝向多功能化及小型化的方向發(fā)展。在此趨勢下，線路基板需大幅提高其布線密度，以搭載更多且更精密的電子零件，而提高布線密度無非是通過縮小線寬以及線距來達(dá)成。在現(xiàn)有技術(shù)中，線路層的形成方式是先在基板上全面電鍍一金屬層，之后再以光刻蝕刻的方式圖案化金屬層。然而，現(xiàn)有技術(shù)受限于電鍍制作工藝所形成的金屬層的均勻度以及光刻蝕刻制作工藝的精準(zhǔn)度等制作工藝能力的限制，而不易制作線寬低于40微米的線路，以致于產(chǎn)品合格率低且制作成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法，適于制作細(xì)線路。本發(fā)明提出一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法如下所述。提供一復(fù)合介電層、一絕緣層與一線路板，其中絕緣層位于復(fù)合介電層與線路板之間，復(fù)合介電層包括一抗鍍介電層與一可鍍介電層，可鍍介電層位于抗鍍介電層與絕緣層之間，抗鍍介電層的材質(zhì)包括一抗化學(xué)鍍的材料，可鍍介電層的材質(zhì)包括一可被化學(xué)鍍的材料。壓合復(fù)合介電層、絕緣層與線路板。形成一貫穿復(fù)合介電層與絕緣層的貫孔，貫孔暴露出線路板的部分線路層。在貫孔中形成一導(dǎo)電通道，導(dǎo)電通道連接線路層。在復(fù)合介電層上形成一貫穿抗鍍介電層的溝槽圖案。進(jìn)行一第一化學(xué)鍍制作工藝，以在溝槽圖案內(nèi)形成一導(dǎo)電圖案，且導(dǎo)電圖案連接導(dǎo)電通道。本發(fā)明提出一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法如下所述。提供一復(fù)合層、一絕緣層與一線路板，其中絕緣層位于復(fù)合層與線路板之間，復(fù)合層包括一導(dǎo)電層與一可鍍介電層，可鍍介電層位于導(dǎo)電層與絕緣層之間。壓合復(fù)合層、絕緣層與線路板。形成一貫穿復(fù)合層與絕緣層的貫孔，貫孔暴露出線路板的部分線路層。在貫孔中形成一導(dǎo)電通道，導(dǎo)電通道連接線路板的線路層。移除導(dǎo)電層。在可鍍介電層上形成一抗鍍介電層，以使可鍍介電層與抗鍍介電層形成一復(fù)合介電層。在復(fù)合介電層上形成一貫穿抗鍍介電層的溝槽圖案。進(jìn)行一第一化學(xué)鍍制作工藝，以在溝槽圖案內(nèi)形成一導(dǎo)電圖案，且導(dǎo)電圖案連接導(dǎo)電通道。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成導(dǎo)電通道以及移除導(dǎo)電層的方法包括在形成貫孔之后，在復(fù)合層與絕緣層上全面形成一導(dǎo)電材料，其中部分導(dǎo)電材料填滿貫孔，以及移除導(dǎo)電材料的位于貫孔外的部分以及導(dǎo)電層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成導(dǎo)電通道以及移除導(dǎo)電層的方法包括在形成貫孔之前，移除導(dǎo)電層，在形成貫孔之后，在可鍍介電層與絕緣層上全面形成一導(dǎo)電材料，其中部分導(dǎo)電材料填滿貫孔，以及移除導(dǎo)電材料的位于貫孔外的部分。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，更包括在形成導(dǎo)電圖案之后，移除抗鍍介電層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖案化復(fù)合介電層的方法包括激光燒蝕復(fù)合介電層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一化學(xué)鍍制作工藝包括一化學(xué)銅沉積制作工藝。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成貫孔的方法包括激光燒蝕復(fù)合介電層以及絕緣層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成導(dǎo)電通道的方法包括進(jìn)行一第二化學(xué)鍍制作工藝。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，溝槽圖案具有一底部，且底部是由部分可鍍介電層所構(gòu)成。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一化學(xué)鍍制作工藝中的催化劑不會吸附在抗鍍介電層的表面上。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，抗鍍介電層的材質(zhì)包括不含羥基官能基團(tuán)或羧基官能基團(tuán)的高分子材料。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，導(dǎo)電圖案與導(dǎo)電通道之間存在一交界面，且交界面突出于絕緣層的一遠(yuǎn)離線路板的表面。基于上述，本發(fā)明是將具有抗化學(xué)鍍特性的抗鍍介電層配置于可鍍介電層上，并在由抗鍍介電層與可鍍介電層所構(gòu)成的復(fù)合介電層上形成溝槽圖案，以通過溝槽圖案暴露出可鍍介電層。如此一來，可使之后進(jìn)行的化學(xué)鍍制作工藝僅會在溝槽圖案所暴露出的可鍍介電層上形成導(dǎo)電圖案，故導(dǎo)電圖案只會填滿于溝槽圖案中。因此，本發(fā)明可通過溝槽圖案來定義出導(dǎo)電圖案，進(jìn)而可通過控制溝槽圖案的最小溝槽寬度來調(diào)整形成在溝槽圖案中的導(dǎo)電圖案的最小線寬。再者，由于本發(fā)明的溝槽圖案可以是以激光燒蝕的方式形成，因此，本發(fā)明可降低導(dǎo)電圖案的線寬(例如將最小線寬縮小至40微米以下)，且毋須通過光刻蝕刻的方式來圖案化導(dǎo)電層，故可提高制作工藝合格率并降低制作成本。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。


圖IA 圖IG繪示本發(fā)明一實(shí)施例的線路結(jié)構(gòu)的制作工藝剖視圖；圖2A 圖21繪示本發(fā)明一實(shí)施例的線路結(jié)構(gòu)的制作工藝剖視圖。主要元件符號說明110:復(fù)合介電層112:抗鍍介電層112a:表面114、214 可鍍介電層116:溝槽圖案116a:底部120 絕緣層122 表面130:線路板132 線路層
132a 接墊140:導(dǎo)電通道150:導(dǎo)電圖案210 復(fù)合層212:導(dǎo)電層C:導(dǎo)電材料P:復(fù)合介電層S 交界面T:貫孔W1、W2:寬度
具體實(shí)施例方式圖IA 圖IG繪示本發(fā)明一實(shí)施例的線路結(jié)構(gòu)的制作工藝剖視圖。首先，請參照圖1A，提供一復(fù)合介電層110、一絕緣層120與一線路板130，其中絕緣層120位于復(fù)合介電層110與線路板130之間，線路板130可為單層板或多層板，絕緣層 120例如為膠片(pr印reg)，且絕緣層120可具有玻璃纖維。絕緣層120的材質(zhì)可包括環(huán)氧樹脂和含有芳香族聚醯胺(Aramid)特性官能基團(tuán)的樹脂材料。復(fù)合介電層110包括一抗鍍介電層112與一可鍍介電層114，可鍍介電層114位于抗鍍介電層112與絕緣層120之間。抗鍍介電層112的材質(zhì)包括一抗化學(xué)鍍的材料。詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，“抗化學(xué)鍍的材料”是代表在化學(xué)鍍制作工藝中不會吸附催化劑的材料?？瑰兘殡妼?12的材質(zhì)例如為高分子材料，其中高分子材料包括環(huán)氧樹脂、聚亞醯胺、液晶聚合物或前述的組合。 在本實(shí)施例中，抗鍍介電層112的材質(zhì)可為一易激光加工的材料，亦即容易在激光燒蝕的過程中被移除的材料。在本實(shí)施例中，抗鍍介電層112的材質(zhì)包括不含羥基官能基團(tuán)或羧基官能基團(tuán)的高分子材料(亦即疏水性高分子材料)，其中高分子材料包括環(huán)氧樹脂、聚亞醯胺、液晶聚合物、甲基丙烯酸酯型樹脂、乙烯苯基型樹脂、烯丙基型樹脂、聚丙烯酸酯型樹脂、聚醚型樹脂、聚烯烴型樹脂、聚胺型樹脂、聚硅氧烷型樹脂或前述的組合。可鍍介電層114的材質(zhì)包括一可被化學(xué)鍍的材料。詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，“可被化學(xué)鍍的材料”是代表在化學(xué)鍍制作工藝中會吸附催化劑的材料?？慑兘殡妼?14的材質(zhì)例如為高分子材料，其中高分子材料包括環(huán)氧樹脂、聚亞醯胺、液晶聚合物或前述的組合。 在本實(shí)施例中，可鍍介電層114的材質(zhì)可為一易激光加工的材料。接著，請參照圖1B，壓合復(fù)合介電層110、絕緣層120與線路板130。然后，請參照圖1C，例如以激光燒蝕的方式移除部分復(fù)合介電層110以及部分絕緣層120，以形成一貫穿復(fù)合介電層110與絕緣層120的貫孔T，貫孔T暴露出線路板130的部分線路層132(例如線路層132的接墊132a)。此時(shí)，還可選擇性地進(jìn)行一除膠渣(desmear)制作工藝，以清除接墊13 上的殘?jiān)?例如是在移除部分復(fù)合介電層110與部分絕緣層120時(shí)所殘留的碎屑)。之后，請參照圖1D，例如進(jìn)行一化學(xué)鍍制作工藝，以在貫孔T中形成一導(dǎo)電通道 140，導(dǎo)電通道140連接線路層132。接著，請參照圖1E，例如以激光燒蝕的方式圖案化復(fù)合介電層110，以在復(fù)合介電層110上形成一貫穿抗鍍介電層112的溝槽圖案116，溝槽圖案 116暴露出可鍍介電層114。在本實(shí)施例中，溝槽圖案116可具有一底部116a，且底部116a 是由部分可鍍介電層114所構(gòu)成，換言之，溝槽圖案116并未貫穿復(fù)合介電層110。然后，請參照圖1F，進(jìn)行一化學(xué)鍍制作工藝，以在溝槽圖案116內(nèi)形成一導(dǎo)電圖案 150，且導(dǎo)電圖案150連接導(dǎo)電通道140，其中化學(xué)鍍制作工藝?yán)缡且换瘜W(xué)銅沉積制作工藝，導(dǎo)電通道140的材質(zhì)包括銅或是其他的導(dǎo)電材料。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電圖案150與導(dǎo)電通道140之間存在一交界面S，且交界面S突出于絕緣層120的一遠(yuǎn)離線路板130的表面 122。值得注意的是，在化學(xué)鍍制作工藝中，本實(shí)施例的抗鍍介電層112的表面11 不會吸附催化劑。因此，化學(xué)鍍制作工藝僅會在溝槽圖案116所暴露出的可鍍介電層114上形成導(dǎo)電圖案150。在本實(shí)施例中，由于溝槽圖案116可以是以激光燒蝕的方式形成，因此， 溝槽圖案116的溝槽最小寬度Wl (等同于導(dǎo)電圖案150的最小線寬W2)可以小于或等于40 微米，且毋須通過光刻蝕刻的方式來圖案化導(dǎo)電層，故可提高制作工藝合格率并降低制作成本。詳細(xì)而言，相比較于現(xiàn)有以減成法制作線路時(shí)，會受限于光刻蝕刻制作工藝的精準(zhǔn)度等制作工藝能力的限制而不易制作線寬低于40微米的線路，以致于產(chǎn)品合格率低導(dǎo)致制作成本高，本實(shí)施例是形成溝槽圖案116，并在溝槽圖案116中形成線路(即導(dǎo)電圖案 150)，因此，溝槽圖案116的溝槽最小寬度Wl可等同于導(dǎo)電圖案150的最小線寬W2，此時(shí)， 本實(shí)施例可采用激光燒蝕的方式形成溝槽圖案116以使溝槽最小寬度Wl小于40微米，從而使得導(dǎo)電圖案150的最小線寬W2可小于40微米。如此一來，以本實(shí)施例的制作方法來制作(最小線寬小于40微米以下的)線路結(jié)構(gòu)時(shí)可提高產(chǎn)品合格率并降低制作成本。之后，請參照圖1G，在本實(shí)施例中，可選擇性地移除抗鍍介電層112。圖2A 圖21繪示本發(fā)明一實(shí)施例的線路結(jié)構(gòu)的制作工藝剖視圖。首先，請參照圖2A，提供一復(fù)合層210、一絕緣層120與一線路板130，其中絕緣層 120位于復(fù)合層210與線路板130之間。復(fù)合層210包括一導(dǎo)電層212與一可鍍介電層214， 可鍍介電層214位于導(dǎo)電層212與絕緣層120之間。復(fù)合層210例如為一背膠銅箔(resin coated copper，RCC)。接著，請參照圖2B，壓合復(fù)合層210、絕緣層120與線路板130。然后，請參照圖2C， 例如以激光燒蝕的方式移除部分復(fù)合層210以及部分絕緣層120，以形成一貫穿復(fù)合層210 與絕緣層120的貫孔T，貫孔T暴露出線路板130的部分線路層132(例如線路層132的接墊132a)。此時(shí)，還可選擇性地進(jìn)行一除膠渣制作工藝，以清除接墊13 上的殘?jiān)?例如在移除部分復(fù)合層210與部分絕緣層120時(shí)所殘留的碎屑)。之后，請參照圖2D，在本實(shí)施例中，進(jìn)行一化學(xué)鍍制作工藝，以在復(fù)合層210與絕緣層120上全面形成一導(dǎo)電材料C，且部分導(dǎo)電材料C填滿貫孔T。然后，請參照圖2E，移除導(dǎo)電材料C的位于貫孔T外的部分以及導(dǎo)電層212，以在貫孔T中形成一導(dǎo)電通道140，導(dǎo)電通道140連接線路板130的線路層132。在其他實(shí)施例中，移除導(dǎo)電層212的方法也可以是在形成貫孔T之前，就先移除導(dǎo)電層212。換言之，可選擇性地在形成貫孔T之前或之后移除導(dǎo)電層212。之后，請參照圖2F，在可鍍介電層214上形成一抗鍍介電層112，以使可鍍介電層214與抗鍍介電層112形成一復(fù)合介電層P。形成抗鍍介電層112的方法包括壓合，且抗鍍介電層112例如為干膜或濕膜。在本實(shí)施例中，抗鍍介電層112的材質(zhì)包括不含羥基官能基團(tuán)或羧基官能基團(tuán)的高分子材料(亦即疏水性高分子材料)，其中高分子材料包括環(huán)氧樹脂、聚亞醯胺、液晶聚合物、甲基丙烯酸酯型樹脂、乙烯苯基型樹脂、烯丙基型樹脂、聚丙烯酸酯型樹脂、聚醚型樹脂、聚烯烴型樹脂、聚胺型樹脂、聚硅氧烷型樹脂或前述的組合。接著，請參照圖2G，例如以激光燒蝕的方式圖案化復(fù)合介電層P，以在復(fù)合介電層 P上形成一貫穿抗鍍介電層112的溝槽圖案116，溝槽圖案116暴露出可鍍介電層214。值得注意的是，在本實(shí)施例中，溝槽圖案116具有一底部116a，且底部116a是由部分可鍍介電層214所構(gòu)成，換言之，溝槽圖案116并未貫穿復(fù)合介電層P。然后，請參照圖2H，進(jìn)行一化學(xué)鍍制作工藝，以在溝槽圖案116內(nèi)形成一導(dǎo)電圖案 150，且導(dǎo)電圖案150連接導(dǎo)電通道140，其中化學(xué)鍍制作工藝?yán)鐬橐换瘜W(xué)銅沉積制作工藝，導(dǎo)電圖案150的材質(zhì)包括銅或是其他的導(dǎo)電材料。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電圖案150與導(dǎo)電通道140之間存在一交界面S，且交界面S突出于絕緣層120的一遠(yuǎn)離線路板130的表面 122。值得注意的是，在化學(xué)鍍制作工藝中，本實(shí)施例的抗鍍介電層112的表面11 不會吸附催化劑。因此，化學(xué)鍍制作工藝僅會在溝槽圖案116所暴露出的可鍍介電層214上形成導(dǎo)電圖案150，故導(dǎo)電圖案150只會填滿于溝槽圖案116中。因此，本實(shí)施例可通過溝槽圖案116來定義出導(dǎo)電圖案150，進(jìn)而可通過控制溝槽圖案116的最小溝槽寬度來調(diào)整形成在溝槽圖案116中的導(dǎo)電圖案150的最小線寬。在本實(shí)施例中，由于溝槽圖案116可以是以激光燒蝕的方式形成，因此，溝槽圖案116的溝槽最小寬度Wl (等同于導(dǎo)電圖案150的最小線寬W2)可以小于或等于40微米，且毋須通過光刻蝕刻的方式來圖案化導(dǎo)電層，故可提高制作工藝合格率并降低制作成本。請參照圖21，在本實(shí)施例中，可選擇性地移除抗鍍介電層112。綜上所述，由于本發(fā)明是通過將具有抗化學(xué)鍍特性的抗鍍介電層配置于可鍍介電層上，并在由抗鍍介電層與可鍍介電層所構(gòu)成的復(fù)合介電層上形成溝槽圖案，以通過溝槽圖案暴露出可鍍介電層。如此一來，可使之后進(jìn)行的化學(xué)鍍制作工藝僅會在溝槽圖案所暴露出的可鍍介電層上形成導(dǎo)電圖案，故導(dǎo)電圖案只會填滿于溝槽圖案中。因此，本發(fā)明可通過溝槽圖案來定義出導(dǎo)電圖案，進(jìn)而可通過控制溝槽圖案的最小溝槽寬度來調(diào)整形成在溝槽圖案中的導(dǎo)電圖案的最小線寬。再者，由于本發(fā)明的溝槽圖案可以是以激光燒蝕的方式形成，因此，本發(fā)明可降低導(dǎo)電圖案的線寬，且毋須通過光刻蝕刻的方式來圖案化導(dǎo)電層， 故可提高制作工藝合格率并降低制作成本。雖然結(jié)合以上實(shí)施例揭露本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供一復(fù)合介電層、一絕緣層與一線路板，其中該絕緣層位于該復(fù)合介電層與該線路板之間，該復(fù)合介電層包括一抗鍍介電層與一可鍍介電層，該可鍍介電層位于該抗鍍介電層與該絕緣層之間，該抗鍍介電層的材質(zhì)包括一抗化學(xué)鍍的材料，該可鍍介電層的材質(zhì)包括一可被化學(xué)鍍的材料；壓合該復(fù)合介電層、該絕緣層與該線路板；形成一貫穿該復(fù)合介電層與該絕緣層的貫孔，該貫孔暴露出該線路板的部分線路層； 在該貫孔中形成一導(dǎo)電通道，該導(dǎo)電通道連接該線路層； 在該復(fù)合介電層上形成一貫穿該抗鍍介電層的溝槽圖案；以及進(jìn)行一第一化學(xué)鍍制作工藝，以在該溝槽圖案內(nèi)形成一導(dǎo)電圖案，且該導(dǎo)電圖案連接該導(dǎo)電通道。
2.一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供一復(fù)合層、一絕緣層與一線路板，其中該絕緣層位于該復(fù)合層與該線路板之間，該復(fù)合層包括一導(dǎo)電層與一可鍍介電層，該可鍍介電層位于該導(dǎo)電層與該絕緣層之間； 壓合該復(fù)合層、該絕緣層與該線路板；形成一貫穿該復(fù)合層與該絕緣層的貫孔，該貫孔暴露出該線路板的部分線路層； 在該貫孔中形成一導(dǎo)電通道，該導(dǎo)電通道連接該線路板的線路層； 移除該導(dǎo)電層；在該可鍍介電層上形成一抗鍍介電層，以使該可鍍介電層與該抗鍍介電層形成一復(fù)合介電層；在該復(fù)合介電層上形成一貫穿該抗鍍介電層的溝槽圖案；以及進(jìn)行一第一化學(xué)鍍制作工藝，以在該溝槽圖案內(nèi)形成一導(dǎo)電圖案，且該導(dǎo)電圖案連接該導(dǎo)電通道。
3.如權(quán)利要求2所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該導(dǎo)電通道以及移除該導(dǎo)電層的方法包括在形成該貫孔之后，在該復(fù)合層與該絕緣層上全面形成一導(dǎo)電材料，其中部分該導(dǎo)電材料填滿該貫孔；以及移除該導(dǎo)電材料的位于該貫孔外的部分以及該導(dǎo)電層。
4.如權(quán)利要求2所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該導(dǎo)電通道以及移除該導(dǎo)電層的方法包括在形成該貫孔之前，移除該導(dǎo)電層；在形成該貫孔之后，在該可鍍介電層與該絕緣層上全面形成一導(dǎo)電材料，其中部分該導(dǎo)電材料填滿該貫孔；以及移除該導(dǎo)電材料的位于該貫孔外的部分。
5.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括 在形成該導(dǎo)電圖案之后，移除該抗鍍介電層。
6.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中圖案化該復(fù)合介電層的方法包括激光燒蝕該復(fù)合介電層。
7.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第一化學(xué)鍍制作工藝包括一化學(xué)銅沉積制作工藝。
8.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該貫孔的方法包括激光燒蝕該復(fù)合介電層以及該絕緣層。
9.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該導(dǎo)電通道的方法包括進(jìn)行一第二化學(xué)鍍制作工藝。
10.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該溝槽圖案具有一底部， 且該底部是由部分該可鍍介電層所構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該第一化學(xué)鍍制作工藝中的催化劑不會吸附在該抗鍍介電層的表面上。
12.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該抗鍍介電層的材質(zhì)包括不含羥基官能基團(tuán)或羧基官能基團(tuán)的高分子材料。
13.如權(quán)利要求1、2、3或4所述的線路結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該導(dǎo)電圖案與該導(dǎo)電通道之間存在一交界面，且該交界面突出于該絕緣層的一遠(yuǎn)離該線路板的表面。
全文摘要
本發(fā)明公開一種線路結(jié)構(gòu)的制作方法，首先，提供一復(fù)合介電層、一線路板與位于復(fù)合介電層與線路板之間的一絕緣層，復(fù)合介電層包括一抗鍍介電層與一位于抗鍍介電層與絕緣層之間的可鍍介電層，抗鍍介電層的材質(zhì)包括一抗化學(xué)鍍的材料，可鍍介電層的材質(zhì)包括一可被化學(xué)鍍的材料。接著，壓合復(fù)合介電層、絕緣層與線路板。然后，形成一貫穿復(fù)合介電層與絕緣層的貫孔，并在貫孔中形成一連接線路板的線路層的導(dǎo)電通道。接著，在復(fù)合介電層上形成一貫穿抗鍍介電層的溝槽圖案。然后，進(jìn)行一化學(xué)鍍制作工藝，以在溝槽圖案內(nèi)形成一導(dǎo)電圖案。
文檔編號H05K3/18GK102196673SQ201010130040
公開日2011年9月21日 申請日期2010年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月5日
發(fā)明者余丞博, 劉文芳, 曾子章, 李長明 申請人:欣興電子股份有限公司